10月27日，英飛凌宣佈將在歐洲打造全球首個基於300毫米（12英吋）晶圓的新一代氮化鎵（GaN）功率半導體大規模生產基地。項目選址奧地利菲拉赫工廠，計畫到2034年累計投入約11億歐元（約合81.73億元人民幣，匯率僅供參考），改造升級廠區現有潔淨室設施，新產線規劃於2027年底投產。
歐盟委員會已批准為該項目提供3.19億歐元國家補助，補助依據《歐洲晶片法案》框架發放，奧地利經濟主管部門後續將完成資金落地流程。菲拉赫基地本身是英飛凌功率半導體研發製造核心據點，現有4800名在崗員工，此前已經具備200毫米氮化鎵產線能力，本次項目是在現有產線基礎上升級擴容，轉向更大尺寸晶圓工藝。
這次擴產的重點，是把300毫米GaN晶圓技術從研發階段進一步推向大規模生產。相比常見的200毫米晶圓，300毫米晶圓面積更大，單片晶圓可生產的晶片數量約為前者的2.3倍，有助於提高生產效率、降低單顆晶片的製造成本。
事實上，英飛凌早在2024年就成功加工出全球首片300毫米氮化鎵晶圓，實現了技術上的里程碑。與傳統的矽基功率器件相比，GaN 器件具有更快的開關速度、更低的功率損耗和更少的發熱量，從而能夠實現更小、更高效的功率轉換系統。
隨著AI資料中心、能源基礎設施、電動汽車和機器人等領域發展，對高效率功率半導體的需求也在持續增長。
從全球市場來看，GaN功率器件的競爭也十分激烈。 據Yole相關資料，2025年全球GaN功率器件市場規模約為5.88億美元，其中中國廠商英諾賽科以約31%的市場份額位居第一，英飛凌則以約16%的份額排名第二。
除了這兩家，美國的Power Integrations、Navitas、EPC，以及歐洲的意法半導體、日本的羅姆和瑞薩等企業，也在GaN功率器件領域佈局。不過，各家企業的產品方向和應用市場有所不同，競爭不僅集中在晶片性能上，也涉及製造成本、產能和客戶匯入能力。
此外，英飛凌同時平行碳化矽、氮化鎵兩條寬禁帶路線。10月15日，英飛凌官宣和Wolfspeed簽署200毫米碳化矽晶圓長期供貨協議，保障自身碳化矽器件向200毫米產線切換的原料供給，產品覆蓋新能源車、太陽能、AI資料中心供電鏈路。(芯論)