推廣活動

SK海力士交出亮眼業績,摩根大通、花旗與Wedbush齊聲唱好

小小天下
•
AI速讀
SK海力士三季度營收與營業利潤雙創紀錄,雖淨利受匯兌與投資損失拖累,但強勁的產品價格漲幅與 HBM4 進展令市場振奮。公司宣布 100 兆韓元股東回報計畫,遠超市場預期,帶動股價大漲。投行分析指出,該公司已鎖定 2027-2028 年過半產能,記憶體需求缺口可能延續至 2030 年,基本面極其強勁,多家機構維持買入評級並看高目標價。

SK海力士三季度營業利潤83.3兆韓元創紀錄:100兆股東回報落地,Wedbush、摩根大通與花旗齊維持買入。

$SK海力士 (SKHY.US)$交出一份創紀錄的三季報,並同時拋出一份遠超市場預期的股東回報方案。摩根大通與花旗在10月28日的報告中雙雙維持看多評級——摩根大通維持增持、目標價275萬韓元,花旗重申買入、目標價300萬韓元,Wedbush將目標價從256萬韓元上調至300萬韓元、維持「跑贏大盤」評級。

周三,SK海力士在韓國上市的股票上漲超10%,至每股148.7萬韓元,而其在美國上市的美國存託憑證盤初漲近11%。

量與價雙擊,營業利潤超預期

SK海力士三季度營收104.62兆韓元,營業利潤83.33兆韓元,均為歷史單季最高,環比分別增長32%與38%,同比增幅達328%與632%。營業利益率79.7%。

超預期的幅度是這份業績的第一個看點:營收較摩根大通預測高11%、較高盛之外的市場共識高7%;營業利潤較摩根大通預測高16%、較共識高9%。摩根大通在報告中給出的共識口徑為營收97,870億韓元十億(即97.87兆韓元)、營業利潤76.74兆韓元。

驅動來自價格與產品結構。據摩根大通,三季度DRAM平均售價環比漲「接近30%」(high-20%,摩根大通原預測+20%),NAND均價環比漲「20%中段」(mid-20%,原預測 +12%);DRAM位元出貨環比增約10%,NAND位元出貨環比略降(原預測 +3%)。花旗補充了一個細節:服務器DDR5出貨環比增長超過40%,NAND位元下降則是向高價值的321層TLC與eSSD產品切換的結果。摩根大通認為,DRAM均價強於預期說明HBM4爬坡順暢。

公司對四季度的指引同樣偏強:DRAM位元出貨環比增「20% 中段」(摩根大通原預測僅+4%),NAND位元環比增「個位數中段」(原預測+3%),來自1cnm製程擴張、M15X產能爬坡與 321 層eSSD銷售增加。

Wedbush也稱該公司第三季度業績超出預期,原因是DRAM和NAND晶片的平均售價漲幅超出預期。

利潤表裡的微小裂縫:稅前與淨利潤為何反而低於預期

營收與營業利潤大幅超預期,稅後卻不及格。摩根大通列出兩個拖累:匯兌損失11.6兆韓元,以及鎧俠相關投資估值損失約22.9 兆韓元。結果是稅前利潤50.71兆韓元、淨利潤39.53兆韓元,環比分別下降59%與58%,較摩根大通預測低29%與28%,較共識低33%與35%。

摩根大通列出的第二個負面是「PC 與智能手機需求出現零散(patchy)疲軟跡象」,包括整機出貨調整與產品組合變化,判斷與記憶體漲價有關;第三個是「管理層預計2027年資本開支將較2026年顯著增加」——公司未給出具體數字。三季度資本開支12.7兆韓元,年初至今31兆韓元,摩根大通維持全年47兆韓元的預測;花旗模型中的資本開支則為2026年49.1兆、2027年71兆、2028 年111.4兆韓元,屬預測口徑而非公司指引。

資產負債表繼續改善:淨負債/權益比由二季度的-26%改善至-32%,花旗預測2026年末為-45.1%,即淨現金狀態進一步增厚。

100兆韓元股東回報

摩根大通的表述是:公司公佈2026年股東回報方案規模100兆韓元,由60兆回購與40兆分紅構成,按其2026年自由現金流預測隱含65%以上的配息率,明顯高於「約40兆韓元」的市場共識。

花旗的拆分則是約30兆現金分紅+約60兆回購與註銷(含今年 8 月已宣佈的40兆回購),100兆韓元按匯率約合754億美元。

可以確定的部分是:三季度每股配息20,000韓元,其中10,000韓元來自核心經營、10,000韓元來自鎧俠持股出售收益,公司計劃把鎧俠出售相關收益的大部分在年末以特別股息形式派發;本次新批20兆韓元回購,其中10兆用於股東回報、10兆用於 PSU(績效股票單位),花旗明確後者不計入股東回報。

花旗還給出一個增量判斷:管理層計劃繼續按季度執行回購,理由是認為當前股價相對其盈利與現金生成能力被低估。花旗預計四季度股東回報約35兆韓元(回購約15兆+分紅約20兆),並把四季度營業利潤預測由89.8兆上調至107兆韓元,2026與 2027年營業利潤預測分別上調7%與12%。

2027年HBM4 上位、長約鎖產能

技術端,公司計劃提高1cnm服務器產品佔比,擴大基於1cnm的DDR5與LPDDR5 SOCAMM銷售,四季度321層NAND佔本土產能比重將超過50%。HBM方面,M15X將在2026年底前爬坡至滿產,四季度HBM4在HBM位元與營收份額上將超過HBM3E;2027年HBM談判已經敲定,摩根大通稱其與傳統DRAM的盈利差距將「顯著縮小」。

需求能見度則靠長約支撐。公司已與14家關鍵客戶簽署長期協議,鎖定的長約量相當於2027與2028年總產能的50% 以上,並在與若干客戶討論把通常為五年的合約期限進一步延長。花旗據此稱DRAM/HBM到2029年底前「實質售罄」(含在談客戶量),並觀察到客戶需求超過可用供應的兩倍以上;公司層面的表述則是「記憶體需求超過供給的狀態將延續至 2030 年」。兩個口徑不同,前者是投行測算、後者是公司表態,不可互換。

Wedbush表示,到2030年,內存供應可能仍將保持緊張狀態,高帶寬內存的需求量將超過SK海力士現有出貨量的兩倍以上。該公司還表示,與14家客戶簽訂的長期協議,涵蓋了其2027年和2028年產能的一半以上,也有助於提高需求的可預測性。

公司給出的2027年需求指引是DRAM同比增長「20% 中段」、NAND增長「高十位數百分比」,花旗模型中2027年兩者位元增速分別為「20%中段」與「高十位數」,與公司口徑吻合。公司同時稱季度盈利尚未觸及峰值,至少在2027年之前上升勢頭不會逆轉。

估值與定價

摩根大通給予增持,目標價275萬韓元,估值方法是7倍的2026-2027年平均每股盈利,理由是記憶體上行周期「更強且更長」。需要說明的是,摩根大通的目標價期限為2027年6月,且其在2026年8月5日剛把目標價由300萬韓元下調至275萬韓元,本次並未上調。

花旗重申買入,目標價300萬韓元維持不變,對應10月27日價格1,341,000韓元,隱含股價回報123.7%、含股息總回報124.9%。其估值採用分部加總(SOTP),基於2026年EBITDA:HBM業務參照台積電給到7.9倍EV/EBITDA,理由是記憶體市場正從傳統商品市場轉向高度定製化的類代工模式;商品記憶體業務給6.3倍,取自歷史上行周期初期12個月遠期EV/EBITDA均值。

而Wedbush新的目標價意味著超過100%的上漲空間,這是基於其2027年的盈利預測和約5倍的盈利估值,再加上淨現金。

花旗的盈利預測顯示2026年營收367.95兆韓元、營業利潤288.5兆韓元、淨利潤256.1兆韓元、每股收益351,844韓元,對應市盈率3.8倍、ROE 106%、自由現金流殖利率17.9%;2027年市盈率降至2.8倍、自由現金流殖利率升至26.5%。按花旗數據,公司市值約979.59兆韓元,約合7385億美元。

風險方面,摩根大通列出DRAM價格與利潤率低於預期、終端需求與庫存不確定性;花旗列出DRAM需求下行、NAND需求弱於預期、全球消費疲軟三項。

摩根大通此前判斷,業績前市場對SK海力士的情緒偏空(匯兌逆風與上一季度每股盈利不及預期),本次超預期加股東回報更新「應能把情緒拉回正面區間」。(智通財經)