中國記憶體廠商正在把技術進展換成市場份額，這股壓力已經從韓國產業界，蔓延到了諮詢機構的報告裡。普華永道韓國成員所 Samil PwC 近期公佈的一份報告判斷，中國的競爭會先在三個地方升溫：通用記憶體、成熟製程製造、封裝測試。
報告的核心建議
Samil PwC 給韓國半導體公司的建議很直白，在通用記憶體上把成本競爭力做紮實，同時把資源加倍壓到先進封裝和 HBM 這類前沿領域。HBM 與 AI 處理器以堆疊方式配合使用，是眼下利潤最厚的一塊。
報告同時給了一個限定條件，中國在這些先進領域仍然落後，客戶驗證和穩定、高良率的量產，依然是繞不過去的門檻。
總之，韓國要守的不是全線，只是兩個重點：用成本守住通用記憶體的基本盤，用 HBM 和先進封裝守住高毛利。
海力士崔泰源的判斷更直接
這一警告緊跟著 SK 集團會長崔泰源本月早些時候的表態。他說，長鑫記憶體（CXMT）和長江記憶體（YMTC）正在快速追趕。
據韓聯社報導，崔泰源警告，如果中國對手或者美國的美光擴產更快，韓國會面臨丟失市場份額的風險。他還對美國主導的出口限制是否有效表示懷疑，理由是這麼多年的技術管制之下，長鑫和長江記憶體仍然取得了穩定進展。
韓國的應對：在中國工廠裡升級
壓力之下，韓國龍頭在動作。路透社上周報導，三星電子和 SK 海力士都在升級各自的中國工廠，生產更先進的 NAND 快閃記憶體，一方面對抗長江記憶體，一方面滿足 AI 帶來的記憶體需求。
三星把西安工廠從目前約 200 層改造成 286 層 V9 NAND，內部代號 Monami。按計畫，今年 12 月先做到月產 5000 片晶圓，2027 年 12 月提升到 4 萬片。SK 海力士則把大連工廠從 192 層推到 240 層以上，目前已獲准生產最高 240 層。
兩家公司都表示，升級是在與華盛頓協商後進行的。
中國的技術已經在不斷轉化為份額！
長鑫本月早些時候宣佈，計畫年底推出採用 4F² 架構的伺服器記憶體。這種設計把記憶體單元排得更密來提升密度，三星和 SK 海力士也在做同類技術。
Counterpoint Research 的資料顯示，長鑫 2026 年第二季度拿下全球 DRAM 營收的 10%，是去年同期 4% 的兩倍多，成為全球第四大供應商，排在三星、SK 海力士和美光之後。
快閃記憶體這邊，長江記憶體第二季度全球 NAND 出貨量排名第三，前面只有三星和 SK 海力士（含其美國子公司 Solidigm）。營收上，長江記憶體的全球 NAND 份額從去年同期的 9% 升到今年第一季度的 14%。
Counterpoint 本月早些時候預計，長江記憶體的伺服器相關收入到 2028 年可能接近其總銷售額的 39%，而 2024 年這個數字幾乎為零，驅動力是 AI 資料中心的記憶體擴張。
Counterpoint 研究總監 MS Hwang 的說法是，長江記憶體受益於漲價和更強的國內訂單量，企業級記憶體是搭上 AI 浪潮的一條好管道。但他也提醒，要贏得中國以外的國際客戶，仍是長江記憶體在全球舞台上挑戰三星的關鍵考驗。
更能說明問題的是中國本土市場的資料。據 Omdia 統計，長江記憶體 2026 年第二季度在中國 NAND 市場的份額達到 38.5%，高於去年全年的 28%，已經超過三星；同期三星從 36% 降到 33.5%，SK 海力士從 20% 降到 17%。產品層面，長江記憶體目前主力是 160 層和 232 層，已少量生產 294 層，並計畫開發 300 層以上；三星在中國以外市場最高供應 286 層，今年 8 月展示了 400 層以上的原型；SK 海力士已推出最高 321 層產品。
(銳芯聞)