3D NAND：1000層

1000層3D NAND！

Kioxia計畫2031年，實現千層3D NAND記憶體量產

根據Xtech Nikkei報道，日本儲存技術巨頭Kioxia公司技術長宮島秀文（Hidefumi Miyajima）在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃在2031年實現大規模生產1000層以上的3D NAND記憶體。這個雄心勃勃的目標，不僅彰顯了Kioxia在半導體領域的深厚實力，也為整個產業指明了未來的發展方向。

目前，提高快閃記憶體記錄密度的最佳途徑就是增加3D NAND元件中的主動層數量。隨著技術的不斷進步，各3D NAND製造商正競相採用新的製程節點，以實現更高的層數。然而，每一層數的增加都伴隨著巨大的技術挑戰。製造商需要在橫向和垂直方向上縮小NAND單元，同時採用新材料，這無疑是一項艱鉅的研發任務。

Kioxia作為業界的佼佼者，已經推出了第八代BiCS 3D NAND記憶體，這款記憶體擁有218個主動層和3.2 GT/s的介面速度，其採用的CBA（CMOS直接鍵結到陣列）架構更是引領了產業創新。 CBA架構將3D NAND單元陣列晶片和I/O CMOS晶片分別製造，再鍵合在一起，從而實現了位元密度的增強和NAND I/O速度的提升，為構建高性能的SSD提供了有力保障。

儘管Kioxia對於CBA架構的某些細節，如I/O CMOS晶片是否包含額外NAND外圍電路等，尚未公開，但我們可以預見，隨著技術的不斷進步，這些細節將在未來逐步揭曉。而對於Kioxia來說，實現1000層以上的3D NAND記憶體量產，將是一個里程碑式的成就，它將引領整個產業進入一個新的發展階段。

三星：遠期規劃1000層V-NAND

在全球半導體市場經歷波動之際，三星電子卻選擇了一條不尋常的道路－加大記憶體技術投資。面對市場的起伏，三星不僅未削減資本支出，反而將賭注押在了下一代製造工藝上，試圖透過技術創新鞏固其作為領先記憶體晶片製造商的地位。

三星在DRAM領域的進展令人矚目。該公司宣布的第五代10奈米級製造技術將引領產業潮流，而正在探索的亞10nm DRAM製造更是展現了對未來技術的深度佈局。這種前瞻性的投資不僅確保了三星在技術上遙遙領先，也為未來的資料密集型工作負載提供了強大動力。

而在顯示卡記憶體領域，三星的GDDR7技術更引發了業界的廣泛關注。高達36 Gbps的速度和約1.728 TB/s的頻寬，為圖形加速器提供了前所未有的效能提升。這項技術的推出，不僅將推動顯示卡效能的飛躍，也彰顯了三星在記憶體技術領域的深厚實力。

對於NAND閃存，三星更是展現出了無可爭議的領導地位。從正在出貨的第7代176層V-NAND，到計畫中的第8代230層V-NAND，再到遠期規劃的1000層V-NAND設計，三星正逐步將NAND技術推向新的高度。這種對技術進步的執著追求，使得三星在NAND市場的地位愈發穩固。

同時，面對市場需求的放緩和競爭對手的減產策略，三星選擇了堅持投資、擴大產能的道路。這種策略不僅源自於三星對技術領先地位的自信，也反映了其對未來市場的樂觀預期。

三星的決策無疑為整個半導體產業注入了新的活力。在激烈的市場競爭中，三星透過不斷的技術創新和投資，鞏固了其在記憶體晶片市場的領先地位。未來，隨著技術的不斷進步和市場需求的成長，我們有理由相信，三星將繼續引領半導體產業走向更輝煌的未來。（芯榜+）