2024年全球HBM市場規模有望超40億美金。高算力需求帶動，HBM百億美金市場有望打開。

2023和2024年半導體行業細分領域市場份額和同比增速，儲存器遙遙領先。（資料來源，亞太芯谷研究院）

1、HBM產業分析介紹

HBM，全稱High Bandwidth Memory，即高頻寬記憶體，是一種面向需要極高吞吐量的資料密集型應用程式的DRAM（動態隨機存取儲存器）解決方案。HBM的出現，是為瞭解決傳統記憶體頻寬和容量不足的問題，特別是在AI、高性能計算等領域，對記憶體性能的要求日益提高。

一、HBM技術概述

HBM技術採用3D封裝技術，將多個DRAM晶片堆疊在一起，通過TSV（硅通孔）和微凸塊（Microbump）等先進封裝方法將各個晶片相互連接，形成一個整體的高頻寬記憶體模組。這種設計使得HBM能夠在較小的物理空間內實現高容量、高頻寬、低延時與低功耗，從而成為資料中心等應用場景的新一代記憶體解決方案。

HBM 是 DRAM 中的一種

二、HBM生產工藝

HBM的生產工藝包括TSV打孔、電鍍、拋光等前道工藝以及混合鍵合等後道工藝。這些工藝環節對裝置和材料的要求極高，因此HBM的生產成本也相對較高。然而，隨著技術的不斷進步和工藝的不斷最佳化，HBM的生產成本正在逐步降低，未來有望實現更大規模的商業化應用。

HBM 生產製造工藝流程

三、HBM市場競爭與發展趨勢

目前，全球HBM市場呈現“三分天下”的局面，儲存晶片三巨頭SK海力士、三星和美光分別佔據市場的主導地位。其中，SK海力士憑藉其DDR5和HBM3的顯著增長，穩坐市場領導地位。然而，隨著市場競爭的加劇，其他廠商如三星和美光也在積極加入HBM供應陣營，意圖擴大市場份額。

未來，隨著輝達、AMD等公司推出新的AI晶片，對HBM的需求也將不斷增加。這些新晶片的推出將進一步推動HBM市場的發展，並可能引發新的競爭格局。同時，隨著5G、物聯網等技術的不斷髮展，HBM在邊緣計算、雲端運算等領域的應用也將逐步拓展，為HBM產業帶來更大的發展機遇。

四、HBM產業發展挑戰

儘管HBM具有諸多優勢，但其產業發展仍面臨一些挑戰。首先，HBM的生產成本相對較高，這限制了其在一些成本敏感型應用中的普及。其次，HBM技術的複雜性和高要求使得其生產難度較大，需要高度專業的裝置和技術支援。此外，隨著技術的不斷進步和應用場景的不斷拓展，HBM也需要不斷進行創新和改進以滿足市場需求。

2、HBM：AI時代的關鍵儲存技術

隨著人工智慧（AI）技術的飛速發展，對計算能力和資料儲存的需求也在急劇增長。傳統的儲存解決方案在面對AI處理大量資料時顯得力不從心，而HBM（高頻寬記憶體）技術作為新一代的儲存方案，正在逐步嶄露頭角。

HBM技術的出現，解決了傳統記憶體頻寬和容量不足的問題。它通過3D封裝技術，將多個DRAM晶片堆疊在一起，形成一個整體的高頻寬記憶體模組。這種設計不僅大大提升了記憶體頻寬和容量，而且降低了延時，提高了資料傳輸效率。這使得HBM成為AI、高性能計算等領域不可或缺的儲存解決方案。

三大儲存廠商 HBM 技術路線圖

最近，SK海力士和三星等半導體巨頭在HBM領域的佈局和進展，進一步證明了HBM技術的潛力和市場價值。SK海力士與台積電的合作，共同開發下一代HBM，並計畫於2026年開始量產HBM4。這不僅是技術的升級迭代，更是對未來市場的積極佈局。此外，SK海力士還宣佈將擴大HBM等新一代DRAM的生產能力，以滿足AI時代對高性能儲存的需求。

三星也不甘示弱，成功與AMD簽訂了價值30億美元的新供應協議，為其提供HBM3E 12H DRAM。這款產品擁有12層堆疊，頻寬高達1280GB/s，容量達到36GB，是目前市場上頻寬和容量最高的HBM產品。三星的這一舉措，不僅鞏固了其在HBM領域的領先地位，也進一步推動了HBM技術的普及和應用。

在AI和HBM技術蓬勃發展的背景下，投資機會也隨之而來。首先，可以關注HBM產業鏈上的相關企業，如華海誠科、壹石通、聯瑞新材等，這些公司在HBM封裝、材料等領域具有深厚的技術積累和豐富的經驗。其次，可以關注半導體上游的裝置、材料、零部件國產替代機會，以及IC封裝領域的重點公司，如長電科技、通富微電等。這些公司將在半導體產業國產化的過程中發揮重要作用。

此外，AI應用終端方向也值得關注。隨著AI技術的廣泛應用，對相關終端產品的需求也將不斷增加。可以關注華勤技術、福蓉科技等在AI終端產品製造領域具有優勢的公司。

總之，HBM作為AI時代的關鍵儲存技術，正在逐步成為市場的新寵。隨著技術的不斷進步和應用的不斷拓展，HBM將在未來發揮更加重要的作用。同時，投資機會也將隨之而來，投資者可以關注相關產業鏈上的優質企業，分享HBM技術帶來的市場紅利。

3、儲存晶片（DRAM、Flash及其他）

DRAM和Flash作為傳統的儲存晶片技術，依然佔據市場主導地位。同時，隨著技術的不斷進步和新應用場景的出現，新型儲存器如HBM、ReRAM等也在逐步嶄露頭角。

DRAM：DRAM以其高速、大容量等特點在伺服器、資料中心等領域得到廣泛應用。隨著雲端運算、巨量資料等技術的不斷髮展，DRAM市場需求將持續增長。

Flash：Flash以其低功耗、非易失性等特點在移動裝置、嵌入式系統等領域得到廣泛應用。隨著物聯網、智能家居等技術的不斷髮展，Flash市場需求也將持續增長。

新世代儲存器：HBM、ReRAM等新型儲存器具有更高的頻寬、更低的延遲和更好的能效比等特點，在AI、高性能計算等應用場景中具有廣闊的應用前景。隨著技術的不斷成熟和成本的逐步降低，預計這些新型儲存器將逐步替代傳統儲存器成為市場主流。

4、韓媒：中國HBM落後韓國10年

韓媒稱中國HBM落後韓國10年，這一說法可能源於雙方在技術研發和市場應用方面的不同步。

然而，這並不意味著中國在HBM領域毫無進展。事實上，中國政府和企業一直在積極推動半導體產業的發展，加大對本土晶片產業的投資和支援力度。未來，隨著技術的不斷進步和創新，中國企業在HBM領域有望取得更大的突破和進展。因此，我們不能簡單地將中國與韓國的HBM產業進行比較和評價，而應該看到雙方在不同階段的發展特點和優勢。

(芯榜+)