DDR3最後的漲聲？

不久前，有媒體報導三星和SK 海力士最終將永久關閉各自的DDR3 生產線，兩家韓國儲存製造商可能在今年下半年停止向市場供應DDR3 記憶體。隨後市場傳出DDR3產品漲價的消息。兩家公司做出這項改變的理由並不難理解，AI火熱的當下，相關記憶體供不應求。為了利潤率，搶佔未來十年的市場，儲存巨頭們發力HBM和DDR5等產品也不難理解。

SK海力士的HBM供應在2024年和2025年大部分時間都已售罄，這導致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）內存類型的價格明年預計上漲5%至10%。有媒體預測，到2025年，由於強烈的HBM需求，HBM市佔率將增加一倍以上，從2023年的2%成長到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5記憶體也受到HBM需求的影響，據報道，其價格將上漲20%，因為前三大儲存製造商將生產重點轉向HBM。至於伺服器和個人電腦市場，早就不再使用DDR3了。

01 DDR3 真的垂暮了嗎？

DDR3於2007 年首次推出，已問世17年。相對於DDR2，DDR3 在邏輯Bank 數量上，起步為8 個且為未來16 個做準備（DDR2 只有4Bank 和8Bank 設計）。在封裝方面，接腳增加，有特定封裝規格且必須環保（8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝），與DDR2 的多種封裝規格不同。在突發長度上，預取為8bit 導致突發傳輸週期固定為8，也增加新模式且禁止突發中斷操作，比DDR2 更靈活。在定址時序上，CL 週期提升且範圍不同，附加延遲設計變化，也新增寫入延遲參數，DDR2 的CL 範圍與之不同。在新增功能上，具備重置功能可停止操作節約電力，以及新增ZQ 校準功能自動校驗相關電阻值，這是DDR2 所沒有的。

對記憶體產品來說，迭代就像人類正常的新陳代謝。設計的進步、製程的突破讓產品的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、儲存容量也越來越大。隨著DDR5的登場，DDR3是否真的要跟時代說再見了？

網路通訊、電視、監控、機上盒、工業、智慧家庭等領域，仍是廣泛應用DDR3的場景。根據中泰電子數據，2022/2021年，DDR3佔DRAM比例為8%/8%，達75/74億美金。

DDR3用戶介面在設計與效能上展現出許多顯著優勢。相較前代產品，DDR3記憶體模組在傳輸速率方面實現了大幅提升，從而顯著加快了資料的讀取和寫入速度，有效滿足了多任務處理和大規模資料運算的需求。同時，其低功耗特性顯著降低了電腦系統的能耗，進一步提升了電池續航力，為行動裝置使用者帶來了極大的便利。 DDR3記憶體模組表現出高度的相容性，可適應桌上型電腦、筆記型電腦，伺服器、工作站等裝置上，確保系統運作的穩定性和可靠性。這種廣泛的兼容性為用戶提供了更自由的選擇空間，無需擔心記憶體模組的兼容性問題，從而大大減輕了用戶的困擾。

DDR3報價自2023年9月起陸續走揚，DDR3 4Gb至11月累計漲幅近一成，DDR3 2Gb累計漲幅則有14%。

2023年年末之際，DDR3相關業者普遍持正面態度，對市況發展充滿信心。鈀創公司認為，隨著庫存的逐步消化，產業已度過循環低谷，逐步邁向復甦階段。晶豪科公司亦在推動自車規用的利基型儲存產品，以滿足市場的多元化需求。供應鏈透露，隨著產業經過逾一年去庫存，近期終端消費性電子訂單大增，帶動DDR3晶片需求爆發，因應客戶需求，華邦、鈀創向載板協力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢，市況回溫以及價格反轉之際，業者都在備貨迎接盛況。

不難發現有相當一部分半導體公司仍在DDR3市場發力，主要關注的市場仍是物聯網領域。

華邦的DDR3定價在第二季上漲了約10%，主要是2Gb 和4GbDDR3報價。因此，華邦正全力以赴推動DDR3規格DRAM市場的發展，位於高雄的工廠今年的產能已全面釋放​​，旨在抓住DDR3價格上漲這一有利的市場機會。據預測，華邦今年DDR3產品所帶來的DRAM總收入貢獻可望達到五成，以充分掌握轉接訂單所帶來的豐富商業機會。隨著製程技術升級至DDR3階段，該公司已加大對DDR3產能建置的投入力道。高雄工廠引進了先進的20奈米設備，產能正逐步釋放，未來可望成為華邦新製程DRAM產品的主要製造基地。

在中國大陸市場上，兆易創新也擁有多款DDR3產品。根據公司官網，兆易創新的利基型DDR3L相容於1.5V/1.35V電壓供電，讀寫速率為1866Mbps，最高可達2133Mbps，滿足主流應用需求。兆易創新擁有多款利基型DDR3L產品， 能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16數據接口，適應0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同溫度範圍的應用場景。

5月17日，鈀創公司​​董事長盧超群指出，在當前階段，市場正處於復甦進程之中，尤其在今年上半年。鈀創公司的其DDR3系列產品已進入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市場。業界普遍預期，2024年下半年市場活力將顯著增強，預計2025年，市場將維持持續成長的強勁勢頭，整體DRAM價格預計將恢復至疫情前水準。

02 DDR4的成熟期來了

正如所有產品一樣，DDR3終究會面臨市場的淘汰。

現實是，雖然DDR3價格開始上漲，但其市場的玩家依舊在做「虧本生意」。南亞科技、華邦電子、精英半導體記憶體科技（ESMT）等中國台灣記憶體公司在2024 年第一季仍處於虧損狀態。不過2024 年Q1的虧損有所收窄，ESMT的虧損（179 萬美元）在環比和年比上都有所收窄。

記憶體產品每兩到三年就會升級一次。由於全球重要記憶體供應商主要集中在DDR5 或HBM 記憶體上，利基Dram製造商將在今年從DDR4 獲得新的發展前景。 DDR4 目前正接近上一個DDR3階段的過渡，預計將促進價格和銷售的成長。據相關廠商表示，預計DDR4的出貨量將大幅攀升，晶片平均售價也將大幅攀升。

這意味著DDR4將接替DDR3現階段所在的利基市場。隨著三星、SK海力士停止生產DDR3，DDR3向DDR4 的轉變已經開始，據報中國台灣內存製造商將從2024 年開始優先考慮DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷售價格(ASP) 的組合將有助於他們今年的成長。

一些中國台灣的記憶體製造商正在考慮擴大產品範圍並開發2Gb DDR4 解決方案，以滿足客戶對更低密度和更低成本的需求。中國大陸廠商兆易創新也計劃推出8Gb DDR4 和LPDDR4 產品。

03 記憶體市場下半場

後端廠商對2024年第二季開始的記憶體產業訂單持樂觀預期。為因應記憶體價格上揚態勢，記憶體晶片製造商計畫終止減產措施，並逐步提升產能利用率，以增強獲利能力。關於上游供應增加對整體記憶體市場的影響，目前尚待進一步觀察。然而，據業內消息人士指出，記憶體後端企業普遍預期訂單量將有所成長。

市場顯示，在3D NAND領域的訂單成長預期將特別顯著，而DRAM領域的訂單成長動能也將從第二季開始顯現。據報道，SK海力士和美光科技已著手提升其產能利用率，特別是針對HBM和DDR5等高階DRAM產品（顯然是受AI帶動的伺服器領域成長）。

同時，消息人士稱，第一季記憶體產業整體的產能利用率已回升至80%以上水平，預計第二季將進一步升至90%以上。有媒體表示，主要NAND供應商Kioxia也將結束減產措施，其產能利用率亦將回升至90%以上。

供應鏈製造商的積極備貨正推動著記憶體市場的持續發展，進而促進了記憶體後端企業的銷售表現。多家中國台灣後端公司的業績在2月就出現了成長。茂茂科技2月綜合銷售額數據顯示，其銷售額達到新台幣17.8億元（約5,652萬美元），較去年同期成長23.64%，較上季成長4%。 ChipMOS也表示，在記憶體領域的銷售表現強勁，超越了顯示驅動IC（DDI）領域的銷售表現。儘管客戶目前仍主要下達短期訂單，但預計第一季的銷售額將實現環比成長。力成科技發布的2月合併銷售額數據顯示，其銷售額為新台幣58.8億元，季減3.86%，但年增12.6%。在2024年1至2月期間，其合併銷售額累計達到新台幣119.9億元，較去年同期成長17.3%。

然而根據快閃記憶體市場的數據，最新一週通路市場記憶體最新報價全面下跌，第二季過半，消費性儲存需求持續遇冷。值得注意的是，HBM產品產量的持續成長將對DRAM產品供應產生擠兌。 HBM、DDR與LPDDR5X在製程上有衝突，當生產相同bit量的產品時，HBM3E所需的晶圓量大約是DDR5的兩至三倍。由於HBM的生產過程也涉及TSV封裝技術，這使得HBM的生產週期較DDR5增加1.5至2個月。

隨著更多產能傾斜至伺服器市場，消費性終端可能面臨儲存資源結構性稀缺。在巨大的成本壓力之下，終端廠商可能會透過降低儲存配置來削減成本。 2024的下半場，DDR3和DDR4這些老將或許仍有一戰的機會。(半導體產業縱橫)