不久前，有媒體報導三星和SK 海力士最終將永久關閉各自的DDR3 生產線，兩家韓國儲存製造商可能在今年下半年停止向市場供應DDR3 記憶體。隨後市場傳出DDR3產品漲價的消息。兩家公司做出這項改變的理由並不難理解，AI火熱的當下，相關記憶體供不應求。為了利潤率，搶佔未來十年的市場，儲存巨頭們發力HBM和DDR5等產品也不難理解。 SK海力士的HBM供應在2024年和2025年大部分時間都已售罄，這導致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）內存類型的價格明年預計上漲5%至10%。有媒體預測，到2025年，由於強烈的HBM需求，HBM市佔率將增加一倍以上，從2023年的2%成長到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5記憶體也受到HBM需求的影響，據報道，其價格將上漲20%，因為前三大儲存製造商將生產重點轉向HBM。至於伺服器和個人電腦市場，早就不再使用DDR3了。 01 DDR3 真的垂暮了嗎？ DDR3於2007 年首次推出，已問世17年。相對於DDR2，DDR3 在邏輯Bank 數量上，起步為8 個且為未來16 個做準備（DDR2 只有4Bank 和8Bank 設計）。在封裝方面，接腳增加，有特定封裝規格且必須環保（8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝），與DDR2 的多種封裝規格不同。在突發長度上，預取為8bit 導致突發傳輸週期固定為8，也增加新模式且禁止突發中斷操作，比DDR2 更靈活。在定址時序上，CL 週期提升且範圍不同，附加延遲設計變化，也新增寫入延遲參數，DDR2 的CL 範圍與之不同。在新增功能上，具備重置功能可停止操作節約電力，以及新增ZQ 校準功能自動校驗相關電阻值，這是DDR2 所沒有的。

2011年9月，英特爾開發者論壇（IDF）的最後一天，英特爾首席技術長賈斯汀-拉特納（Justin Rattner）在長達一小時的演講中，抽出了大約一分鐘的時間介紹了一項革命性的技術－HMC（Hybrid Memory Cube，混合記憶體立方體）。 這項技術由美光和英特爾共同合作開發，雖然被一筆帶過，但它的重要性，其實並不比處理器架構迭代要差多少，因為這是內存產業又一次的革命，有望徹底解決過往DDR3所面臨的頻寬問題。 實際上，早在IDF開始前的8月，美光研究員兼首席技術專家Thomas Pawlowski就在Hot Chips 上詳細介紹了HMC，當時雖然沒有透露與英特爾的合作，但他表示，HMC是一種三維集成電路創新，它超越了三星等公司展示的處理器-記憶體晶片堆疊技術，是一種全新的記憶體-處理器介面架構。 對美光來說，HMC就是反殺三星海力士兩大韓廠最有力的武器。