傳三星HBM未通過輝達測試，官方回應

根據外媒報導，三星電子最新的高頻寬儲存器（HBM）晶片因發熱和功耗問題，尚未通過輝達（Nvidia）的測試。對此，三星電子表示，它正在“與各種全球合作夥伴順利進行測試以供應HBM”，以響應海外媒體報導稱其高頻寬記憶體（HBM） 尚未通過NVIDIA 的測試。三星電子指出，媒體的報導可能會損害公司的形象和信譽。

路透社報導，根據三位知情人士，這些問題影響三星的HBM3晶片（這是目前AI繪圖處理器（GPU）中使用最多的第四代HBM標準），以及這家韓國科技巨擘及其競爭對手今年推向市場的第五代HBM3E晶片。

三星提供聲明給路透說，HBM是一種客制化儲存器產品，需「根據客戶需求進行最佳化」，並補充說，三星正通過與客戶的密切合作來最佳化產品。該公司拒絕對特定客戶置評。

Nvidia謝絕評論。

Nvidia在全球AI應用GPU的市佔率大約是80%，滿足Nvidia的需求被視為HBM製造商未來成長的關鍵，聲譽或利潤皆然。

三位消息人士透露，三星去年開始一直努力想通過Nvidia對HBM3和HBM3E的測試。其中兩位透露，最近一次對三星8層和12層HBM3E晶片測試的失敗結果是在4月出爐。

這些問題是否易於解決，目前還不明朗。但三位消息人士說，未能達到Nvidia的要求標準，增加了業界和投資人的擔憂，三星可能在HBM方面進一步落後競爭對手SK海力士和美光科技。 （大話晶片）