Intel 3 製程詳解：效能比Intel 4 提升18%！

6月20日消息，據Tom's hard ware報道，當地時間週三，處理器大廠英特爾宣布其3nm 級製程工藝技術“Intel 3”已在兩個工廠投入大批量生產，並提供了有關新的製程節點更多細節資訊。

根據介紹，Intel 3 帶來了更高的性能和更高的電晶體密度，並支援1.2V 電壓，相較於Intel 4 採用了更多的EUV步驟，帶來了18%的性能提升，適用於超高性能應用。此節點面向英特爾自己的產品以及代工客戶。它也將在未來幾年內也將推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多個演進版本。

英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez 表示：「我們基於Intel 3 流程的處理器正在美國俄勒岡州工廠和愛爾蘭工廠進行大批量生產，其中就包括最近推出的面向伺服器的Xeon 6 'Sierra Forest'和' Granite Rapids'處理器。

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英特爾一直將其Intel 3 製程製程定位於資料中心應用，這些應用需要透過改進的電晶體（與Intel 4 相比）、具有降低的電晶體通孔電阻的供電電路以及設計協同優化來實現尖端性能。此製程節點支援<0.6V 低壓、以及>1.3V 高壓以實現最大負載。

在性能方面，英特爾承諾，與Intel 4 相比，Intel 3將在相同功率和電晶體密度下實現18% 的性能提升，這個提升幅度已經是比較大了。要知道台積電N3製程相比N3也只提升了15%左右。

雖然Intel 3的Contacted Poly Pitch（接觸孔的多晶矽閘極間距）、Fin Pitch、M0間距參數基本上一致，晶片設計人員針對Intel 3 使用了240nm 高效能和210nm 高密度庫的組合，另外M2間距和M4間距均減少了2nm，從而提升了整體的密度和性能。

此外，英特爾客戶可以在三種金屬堆疊之間進行選擇：14 層（成本優化）、18 層（性能和成本之間的最佳平衡）以及21 層（性能更高）。

目前，英特爾將使用其3nm 級製程技術來製造其Xeon 6 處理器資料中心處理器。最終，英特爾代工廠也將利用該生產節點為其它客戶製造資料中心級一類的高效能處理器。

另外，如前面所指出的，除了基礎版的Intel 3程，英特爾還將提供支援矽通孔並可用作基礎晶片的Intel 3-T。後續英特爾也將為晶片組和儲存應用提供功能增強型Intel 3-E。此外還有效能增強型Intel 3-PT，增加了9um間距TSV和混合鍵合，對晶體管堆疊技術進行最佳化，據說Intel 3-PT可以再度實現5%的效能提升，可以用於各種工作負載，例如AI/HPC 和通用計算。（芯智訊）