新一代HBM產品，更貴了。根據TrendForce集邦諮詢最新研究，HBM技術發展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產品進度。由於HBM4的I/O（輸入/輸出介面）數增加，複雜的晶片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能，皆推升了成本。鑑於HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計製造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。AI晶片領先廠商輝達於今年GTC大會亮相最新Rubin GPU，AMD則有MI400與之抗衡，上述產品都將搭載HBM4。由於需求強勁，TrendForce集邦諮詢預估2026年HBM市場總出貨量預計將突破30Billion Gb，HBM4的市佔率則隨著供應商持續放量而逐季提高，預計於2026年下半正式超越HBM3e系列產品，成為市場主流。至於供應商表現，預期SK hynix將以過半的市佔率穩居領導地位，Samsung與Micron（美光科技）仍待產品良率與產能表現進一步提升，才有機會在HBM4市場迎頭趕上。3月19日，韓國半導體供應商SK海力士宣佈推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，並在全球首次向主要客戶提供其樣品。SK海力士表示，公司將在下半年完成量產準備。HBM4屬於第六代HBM產品，輝達將是SK海力士的首個客戶，用於明年的Rubin架構資料中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E獲得認可的Advanced  MR-MUF工藝，從而在現有12層堆疊上達到了最大36GB容量，I/O介面速度達8Gbps，頻寬可提高至2TB/s。新工藝不但能控制晶片的翹曲現象，還有效提升了散熱性能，由此最大程度地提高了產品的穩定性。據SK海力士介紹，4月在台積電北美技術論壇上展示的16層堆疊HBM4具有高達 48 GB 的容量、2.0 TB/s 頻寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由台積電代工。SK  海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進行大規模生產，這意味著該工藝最早可能在今年年底整合到產品中。SK海力士已經穩固了Nvidia AI半導體“Blackwell”系列HBM3E的主要供應商地位，並且有望在全球率先供應預定於今年年底量產的下一代HBM4樣品，從而繼續保持領先地位。截至去年第四季度，HBM佔 SK 海力士 DRAM 總銷售額的 40% 以上。三星的HBM4開發工作正在按計畫進行，且於2025年下半年實現HBM4的量產，並預計2026年開始商業供應。據EBN報導，三星已經將混合鍵合技術引入到第六代HBM產品，也就是HBM4，早於競爭對手SK海力士。這不僅顯著改善了發熱問題，而且還明顯提升了I/O數量。隨著堆疊層數的增加，需要縮小晶片之間的間隙，引入混合鍵合技術可以縮小間隙，滿足需要更多垂直堆疊層數的HBM產品的生產。目前SK海力士採用的是MR-RUF技術，將半導體晶片附著在電路上，使用EMC（液態環氧樹脂模塑料）填充晶片之間或晶片與凸塊之間的間隙。相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技術，需要高溫高壓將材料固化再熔化，然後進行清洗。這個過程涉及2-3個步驟，而MR-RUF技術可以在不需要清洗的情況下一步完成整個過程。混合鍵合是一種3D整合技術，使用特殊材料填充和連接晶片，不需要凸塊。這種材料類似於液體或膠水，將提供散熱和晶片保護，從而實現更薄的整體晶片堆疊。與傳統的基於凸塊的堆疊相比，具有更低的電阻和電容、更高的密度、更好的熱性能、以及更薄的3D堆疊。不過混合鍵合技術現階段也存在一些問題，比如成本較高，所需的專用裝置比傳統封裝工具貴得多，並且需要更多的晶圓廠物理空間。這樣會影響資本效率，尤其是在晶圓廠佔地面積有限的情況下，這也是儲存器供應商謹慎行事的主要原因之一，因此SK海力士暫時也只是將混合鍵合作為備用工藝。當前，HBM4的市場需求強勁，被廣泛應用於AI、深度學習和高性能計算等領域。此前，輝達CEO黃仁勳曾要求SK海力士提前六個月供應HBM4晶片。此外，特斯拉最近也向SK海力士和三星電子錶達採購HBM4的意向，用於正在開發的AI資料中心及其自動駕駛汽車。而微軟、Meta向三星電子採購定製HBM4晶片。 (半導體產業縱橫)