三位知情人士表示，晶片製造大廠 SK 海力士旗下的子公司 Solidigm 正考慮在美國建設一座 NAND 快閃記憶體晶片工廠，其中紐約州北部已成為熱門備選地點。

隨著人工智慧資料中心的大量投資耗盡了全球記憶體晶片的供應，華盛頓正極力推動半導體生產回流，這家韓國晶片製造商也面臨著來自川普政府要求其擴大美國製造業務的日益增大的壓力。

知情人士因此事尚未公開要求匿名。他們透露，擬建的這一項目與 SK 海力士此前同英特爾討論的“利用英特爾俄亥俄州工廠生產記憶體晶片”的計畫是相互獨立的。

SK 海力士表示：“子公司 Solidigm 正在評估各種選項以提升其業務競爭力，但目前尚未確定具體計畫。”

總部位於美國的 Solidigm未在非工作時間內回應路透社的置評請求。

在美國設廠將減少 Solidigm對其位於中國大連的唯一 NAND 生產基地（大連工廠）的依賴，同時有助於規避美國潛在的關稅政策以及對華晶片製造裝置出口限制的影響。

該擴張計畫出台之際，中國競爭對手正迅速擴大產能，以縮小與外國競爭者的技術差距。

不過，其中一位知情人士警告稱，目前尚未就 Solidigm 的赴美投資達成任何協議，關鍵的項目細節仍處於討論之中。

隨著華盛頓和首爾繼續就貿易與投資事務展開談判，SK 海力士可能會謹慎行事，因為在美國製造晶片的成本要高於韓國本土。

SK 海力士股價收盤上漲 6.4%，表現優於韓國綜合股價指數2.7%的漲幅。

當被問及美國要求韓國晶片製造商赴美建廠的壓力時，韓國總統李在明表示，首爾方面將尋求“在尊重企業意願的同時，維護韓國的國家利益”。

“這依然是一個存在爭議的議題，”他在周五補充道，但未展開說明。

知情人士之一指出，SK海力士通過其美國子公司生產 NAND 晶片面臨的政治阻力可能相對較小，因為該技術相比高頻寬記憶體（HBM）等先進 DRAM 產品，其戰略敏感度較低。

韓國政府已敦促 SK 海力士和競爭對手三星加快在韓國西南部建立新半導體產業叢集的計畫，該項目預計將吸引數千億美元的投資。

路透社本周報導稱，首爾方面潛在的反方向阻力可能會使 SK 海力士借助英特爾工廠生產 HBM 等先進記憶體晶片甚至傳統 DRAM 晶片的雄心變得複雜化。

美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）曾威脅稱，除非韓國和台灣企業承諾擴大在美生產，否則將對其徵收高達 100% 的關稅。

韓國晶片製造商目前夾在華盛頓和首爾之間受氣。兩國還在就韓國去年承諾向美國投資 3500 億美元以換取更低美國關稅的執行細節展開談判。

自2020年以90億美元從英特爾收購Solidigm以來，伴隨著 NAND 快閃記憶體市場的長期低迷，SK 海力士一直在應對該業務多年的虧損問題。

儘管赴美擴張有助於 SK海力士縮小與三星的市場份額差距並抵禦來自中國企業的競爭，但到新工廠投產時，市場需求將如何發展仍未可知。

上線新的半導體產能通常需要數年時間，而對前沿 AI 模型開發放緩的擔憂，為長期記憶體晶片的需求前景蒙上了一層陰影。

在上個月有媒體報導稱 Solidigm 正在探索規模約 5 兆韓元（約合 36 億美元）的 Pre-IPO 融資後，SK 海力士表示，公司正在考慮提升 Solidigm 競爭力的舉措。

該公司當時表示尚未做出任何決定。 (半導體芯聞)

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