根據最近剛結束的SEMICON China 2025上的權威見解，材料創新和供應鏈彈性將成為決定未來半導體競爭力的決定性因素。各國保護和控制關鍵材料的能力不僅將重塑全球半導體格局，還將決定未來幾年技術進步和工業領導力的步伐。工藝材料：打造原子級精度的“超級工廠”光刻膠和支援材料：全波長“組操作”北京科華 展示了其28nm KrF光刻膠溶液，實現了90°±0.5°的側壁垂直度和99.5%的良率，通過驗證 長江儲存（揚子儲存器科技有限公司)進行批次生產。南大光電 展示了其ArF光刻膠，在 中芯國際（中芯國際(SMIC)的14nm生產線，以及EUV前驅材料，形成了一個完整的生態系統 上海微電子裝置（SMEE）。徐州博康 展示了解析度突破1.5μm、金屬離子含量小於0.01ppb的i-line光刻膠，進入TSV封裝市場，並與 長電科技（JCET集團)。CMP材料：微米級“磨削革命”3M的TrizactTM拋光墊搭配無氟調理劑，在12英吋銅工藝中實現了小於0.5nm的表面粗糙度，減少了 65%。安集科技 推出了第三代氧化物CMP漿料，在 長江儲存（YMTC)的3D NAND工藝，碟形缺陷控制在±2nm範圍內，壽命延長 40%。鼎龍股份 拋光液加入劑純度達到99.999%，形成了一個閉環材料生態系統 江豐電子’超純銅靶，電阻降低15%。濕電子化學品和特種氣體：超純生態系統的“命脈江化微 開發了金屬離子含量小於0.1ppb的9N級電子硫酸，通過其再生系統實現95%的利用率，減少碳排放 40%。湖北興福電子 生產金屬離子含量小於0.05ppb的IC級磷酸（99.999%）和過氧化氫，經SEMI認證，適用於 中芯國際（中芯國際(SMIC)的28nm工藝。華特氣體 雜質低於0.1ppb的砷/磷通過ASML認證，支援高端光刻裝置。金宏氣體 超純氨水（9N+）支援 中微半導體（AMEC)的5nm蝕刻裝置，與 北方華創（NAURA)的離子注入器。源展新材料 提供雜質含量低於0.1ppm的液體硼/磷前體，支援 北方華創’離子注入器，實現14nm均勻性 ±3%。南大光電 HfO 2前體（純度99.9999%）將柵極缺陷密度降低到小於10 3 cm2 in 長鑫儲存（CXMT)的5nm工藝。微釜半導體 引入氮化矽薄膜沉積技術（均勻性±1.5%），適用於功率器件、儲存器和高級邏輯晶片，與公司簽署12英吋生產線驗證協議 長江儲存（YMTC)。包裝材料：推動“3D堆疊革命”先進的包裝粘合劑：使用“液體裝甲”增強3D堆疊”長電科技 0.05mm超細瀝青底部填充(Tg>150°C)在7nm 3D堆疊工藝中實現了99.5%的良率，展示了汽車級寬溫度範圍測試 (-40℃~150℃)。漢高 LCM 1000AG-1膠粘劑以50mm/s填充，空隙率低於0.5%,AI晶片FO-WLP效率提高30%。日東電工 該臨時粘合膠實現了低於5N/cm的剝離力，殘留物小於0.1μm，適用於12英吋TSV堆疊（翹曲<10μm），與3M的CMP焊盤形成了前端到後端協同。熱管理和密封：極端環境的“強化防禦賀利氏 燒結銀（Ag≥99.9%）實現了200W/m·K以上的熱導率，將HBM3模組的熱阻降低了40%，引起了AMD和NVIDIA的關注。世索科 推出無氟全氟彈性體（Tecnoflon®FFKM NFS），在300°C/-50°C循環試驗中實現了低於1×109 Pa·m3/s的洩漏率，首次在日本推出無PFAS技術ESG論壇。資騰科技 開發熱阻低於0.1°C·cm2/W的熱介面材料（TIMs），支援AI晶片液冷解決方案，並與三家計算公司簽訂合同。第三代半導體材料：推動“大尺寸SiC革命”天岳先進 展示了全系列6/8/12英吋SiC襯底，在12英吋高純度襯底上實現微管密度低於1cm2，支援 華為（華為)的800V EV平台。天科合達 8英吋光學級基板（透射率>95%）和12英吋散熱器基板瞄準AR眼鏡市場，P型6英吋基板推進汽車級驗證。浙江晶瑞 推出了其12英吋多晶SiC襯底和8英吋光學級錠，與 龍旗科技（龍馳科技（Longcheer Technology）計畫到2027年大規模生產智能眼鏡。純水一號六級超純水系統（電阻率18.2MΩ·cm,TOC<5ppb）涵蓋12英吋晶圓廠，與 中芯國際（SMIC）.清軟微視 Alpha系列缺陷檢測裝置（精度0.1μm）整合AI複檢軟體，提高客戶良率2%。材料生態：驅動裝置和材料之間的“連鎖反應”·裝置-材料協同：• 北方華創離子注入機 + 源展前驅體（14nm 均勻度±3%)• 中微刻蝕機 + 有研新材鉭靶（晶粒尺寸<50nm，壽命延長2倍）•新凱來 ALD 裝置 + 南大光電前驅體（5nm 缺陷密度<10 3 cm2)·符合ESG標準的材料：• 江化微再生系統（95% 試劑利用）• 世索科無氟橡膠（消除PFAS）• 3M 無氟修整器（無氟微調器)·2025年材料碳足跡白皮書顯示，每個工藝單元的碳排放量減少了47%。隨著光刻膠、CMP、封裝和第三代半導體材料的全面升級，中國半導體材料產業正在形成完整的裝備+材料+工藝生態系統，支援28nm至5nm先進工藝，賦能AI、5G、自動駕駛和可再生能源技術不斷重塑全球半導體產業格局。 (銳芯聞)