晶片行業傳來重磅資料。據最新資料，今年前20天，號稱全球經濟“金絲雀”的韓國出口半導體總金額達107.3億美元，約合人民幣747億元，同比大幅增長超70%。昨晚，美股晶片股普漲，費城半導體指數漲3.18%，刷新歷史新高。當前的晶片市場，正經歷著一場前所未有的“漲價”風暴。這不是傳統的周期性回暖，而是一場由生成式AI浪潮驅動的結構性變局。據報導，DDR5記憶體顆粒現貨漲幅已超300%，甚至出現單條伺服器記憶體價格突破4萬元的奇觀。儲存巨頭們正以前所未有的議價能力，向市場宣告：高端產能已被AI鎖定，短缺成為當下的常態。這種熱度已迅速從產業鏈傳導至二級市場。作為晶片產業最鋒利的“矛”，晶片設計環節因其高毛利、輕資產、高彈性的特徵，成為當下熱門賽道。科創晶片設計ETF天弘(589070)所跟蹤的標的指數——科創晶片設計指數，年內13個交易日漲幅20.58%，成為市場領漲類股。01 186.68%！聚焦業績爆表的晶片指數從產業鏈角度看，晶片通常分為設計、製造、封測三大環節。其中，設計位於最上游，決定晶片的架構、性能、功耗以及最終應用場景。從全球產業歷程看，晶片設計往往是產業鏈中附加值最高、毛利率最集中的環節。以海外為例，輝達、AMD等公司並不直接參與製造，卻通過持續推出高性能晶片，佔據算力體系的核心位置。國內市場，正在經歷類似的結構變化。在外部高端晶片獲取難度上升、內部算力需求持續擴張的雙重背景下，自主晶片設計能力的重要性被不斷強化。需求並未減弱，反而更加集中地指向一個核心問題——能否形成穩定、可持續的本土供給能力。在算力需求持續放大的時代背景下，晶片設計環節的變化，也逐漸體現在經營資料中。算力需求的擴張，反映在了晶片設計企業的基本面中。以科創晶片設計ETF天弘(589070)跟蹤的上證科創板晶片設計主題指數為例，成份股去年前三季度營收同比增長34.27%，淨利潤同比增長186.68%，淨利潤增速斷層領先同類晶片指數。(本文內容均為客觀資料資訊羅列，不構成任何投資建議）02 20CM新工具！跟蹤市場上優質的晶片設計主題指數科創晶片設計ETF天弘(589070)標的指數的成份股全部來自科創板，單日漲跌幅上限為20%。相較於傳統寬基指數，其價格彈性更高，也更貼近科技成長類股的波動特徵。該指數高度聚焦晶片設計環節，是市場上純正設計主題指數，數字晶片設計佔比約76%，模擬晶片設計佔比約18%，覆蓋AI算力體系中的多個核心方向，包括計算晶片、儲存晶片以及關鍵模擬器件等。眾所周知，晶片設計處於產業鏈利潤分配的頂端。設計公司往往能通過技術溢價獲得更高的毛利回升。相比之下，製造端受資本開支和產能利用率波動影響較大，利潤傳導存在滯後性。在“AI算力自主”戰略下，設計端作為定義晶片架構的源頭，是突破關鍵技術瓶頸的重要環節。從盈利預期看，機構公開一致預期顯示，科創晶片設計ETF天弘(589070)所跟蹤的上證科創板晶片設計主題指數未來兩年的營收和淨利潤增速仍處於較高區間：2025年、2026年指數營收增長率預期分別為38.48%、31.33%，淨利潤增長率預期分別為247.70%、75.42%，整體高於多數同類晶片指數。從歷史表現看，2024年、2025年上證科創板晶片設計主題指數收益率分別為35.54%、60%，在同類晶片主題指數中表現相對突出。這些資料，並不指向短期走勢判斷，而是反映了算力需求擴張、國產替代推進與產業升級多重因素疊加後的階段性特徵。03 把晶片設計，放回更長的時代坐標中當下再討論晶片設計，已經很難只停留在單一行業層面。它所關聯的，不僅是某一細分賽道的景氣變化，更牽動著產業安全、技術路徑選擇，以及長期競爭力的建構方式。從“十五五”規劃對新質生產力的持續強調，到國產算力生態的逐步成形，中國晶片產業正處在一個必須穿越、無法迴避的關鍵階段。問題早已不再是“能不能替代”，而是“能否形成完整、可持續的能力體系”。在這一過程中，晶片設計處於極為關鍵的位置——它定義架構，決定性能，是整個產業鏈的重要環節。資本市場的作用，並非替代產業本身的判斷，而是在這一長期、複雜的演進過程中，提供一種可被理解、可被跟蹤的結構化觀察工具。跟蹤上證科創板晶片設計主題指數的科創晶片設計ETF天弘(589070)於1月23日上市，本質上正是產業演進與市場機制之間的一次銜接：一端，是持續深化的晶片設計能力；另一端，是以指數形式呈現的階段性表達。當算力逐漸演變為基礎設施，當晶片成為時代變數，市場所觀察到的，已不只是某一條賽道的漲跌，而是生產力底座正在發生的系統性變化。在外部環境方面，受貿易摩擦持續影響，高製程晶片及相關裝置的獲取難度不斷上升，上游半導體產業鏈的供給缺口，正倒逼自主可控處理程序加速推進。同時，在“信創”等政策的持續推動下，國內市場資源進一步向國產廠商集中，國產化替代進入加速階段。這一趨勢在核心計算晶片領域尤為明顯。根據Gartner與摩根士丹利的預測，中國雲端AI 晶片市場規模有望在2027年達到40億美元：其中，GPU作為當前AI算力的主力，其國產化率預計將從2023年的24%大幅提升至2027年的82%，在AI訓練與推理等關鍵環節，“卡脖子”問題有望得到階段性緩解。與此同時，隨著AI技術，尤其是AI Agent進入快速演進階段，CPU作為通用計算與任務調度的核心，其產業生態也正迎來關鍵拐點。AI Agent對CPU的需求呈現出明顯的乘數效應：一方面，智能體具備自主修復與反覆嘗試能力，使原本由人工等待造成的時間成本，轉化為持續、穩定的系統計算負載；另一方面，Agent呼叫工具的速度遠超人類個體，短時間內即可生成大量臨時處理程序。隨著智能體逐步普及，CPU所承受的算力壓力將呈幾何級數放大。因此，國產替代的推進正呈現出雙線平行的特徵：一方面，需要在已經出現突破窗口的GPU等專用算力晶片上持續鞏固優勢，實現從“可用”向“好用”的躍遷；另一方面，也必須在CPU等基礎通用晶片的自主設計上加快步伐，以匹配AI新階段對系統性算力的需求。圍繞計算晶片實現全面自主可控，正在成為行業內部逐漸凝聚的共識。這種變化，未必喧嘩，卻足夠深遠。 (ETF進化論)

1月22日， A股三大指數集體收漲，截至收盤，滬指漲0.14%，深成指漲0.5%，創業板指漲1.01%。滬深京三市成交額達到2.72兆，較昨日放量927億，連續第14個交易日突破2.5兆。盤面上，市場熱點快速輪動，全市場超3500隻個股上漲，逾90隻股票漲停。從類股來看，商業航天概念爆發，近二十隻成分股漲停，巨力索具2連板，順灝股份、中超控股、西部材料漲停。機器人概念反覆走強，福萊新材、毅昌科技漲停。油氣概念延續強勢，洲際油氣2連板。煤炭類股表現活躍，大有能源3天2板。PCB概念快速拉升，鵬鼎控股等多股漲停。下跌方面，保險、半導體、醫藥等類股跌幅居前，其中半導體類股流出金額超122億元，創新藥概念集體下挫，艾迪藥業、回盛生物大跌。貴金屬方面，早盤一度高位跳水的黃金、白銀集體反彈，現貨白銀截至發稿漲幅超1%，站上94美元/關口，此前一度跌超3%。現貨黃金站上4835美元/盎司。A股航天航空熱度重燃！可控核聚變多股漲停1月22日午後，航天科技集團類股走強，三角防務20cm漲停，航發科技、北摩高科漲停，航天動力、航天電子等多股走高。千億龍頭中國衛通尾盤拉升超8%。商業航天類股熱度重燃的背後，是國內外產業利多的密集催化。①據央視新聞，最近幾天，國內首個海上液體火箭發射回收試驗平台正在加緊建設，計畫在2月5日左右完成平台建設並開始偵錯演練。②此外，星河動力、星際榮耀、天兵科技3家商業航天企業更新了上市輔導進展，疊加藍箭航天IPO申請獲受理、中科宇航完成輔導備案，5家主營運載火箭的核心企業向“商業航天第一股”發起衝擊。③據證券時報，馬斯克加速推進SpaceX上市。此外，貝佐斯旗下太空公司藍色起源(Blue Origin)宣佈，將部署多達5408顆通訊衛星，打造一套全新的衛星網路服務。除了軍工和商業航天概念，可控核聚變概念股也集體走強。1月22日午後，浙富控股大幅拉升，股價在4分鐘內封住漲停板，漲停板封單一度超過200萬手。消息面上，據人民財訊，浙富控股旗下核心子公司——杭州浙富核電裝置有限公司在合肥CRAFT園區，與中國聚變工程示範堆（CFEDR）科研機構—合肥綜合性國家科學中心能源研究院正式簽署《中國聚變工程示範堆（CFEDR）超高熱負荷部件聯合研製合作協議》。根據協議內容，浙富核電將深度參與中國聚變工程示範堆（CFEDR）核心部件的研製工作，重點攻關面向電漿體的超高熱負荷部件。除浙富控股外，今日盤面上可控核聚變概念股大幅上漲的還有西部材料、雪人集團、哈焊華通、中國核建、中核科技等。其他熱門個股方面，AI應用大牛股利歐股份（002131.SZ）延續昨日行情再度跌停，封單金額再超100億元，報8.42元/股，總市值為570億元。A股大牛股國晟科技開盤跌停，午後該股打開跌停直線拉升，觸及漲停，上演“地天板”。截至收盤，該股封漲停，成交額超23億元。該股2025年10月以來累計漲幅仍超4倍。港股科網股、新消費股普漲，小鵬跌近4%港股方面，截至15:14，新消費概念股走高，截至發稿，泡泡瑪特(09992.HK)漲6%，布魯可(00325.HK)漲2%，老鋪黃金(06181.HK)漲1%。消息面上，泡泡瑪特1月21日以9649萬港元回購50萬股股份。這是公司本周內第二次回購公司股份，累計回購金額近3.5億港元。科網股普漲，百度、理想汽車大漲超3%，地平線機器人重挫5%，小鵬汽車跌超3%，暫領跌新能源車股。消息面上，1月22日，小鵬汽車宣佈推出全系7年低息分期購車方案。 (21世紀經濟報導)

當美國在2022年聯合日本、荷蘭實施尖端半導體裝置出口管制時，多數外國研究人員普遍認為中國高端儲存晶片產業將遭遇沉重打擊。然而三年後的今天，長江儲存為代表的國內企業不僅沒有倒下，反而在自主化的道路上走出了令人驚訝的速度——從被迫“自力更生”到建成首條全本土裝置產線，中國儲存晶片的逆境突圍揭示了一個被忽視的真相：技術封鎖往往催生出意想不到的產業韌性。2022年的裝置禁令像一道突如其來的閘門，切斷了中國儲存晶片企業獲取先進製造工具的管道。長江儲存作為國內領先者，彼時剛推出領先全球的232層3D NAND晶片，卻在擴產關鍵時刻遭遇美系裝置斷供。二期工廠產能從預期10萬片驟降至4萬多片，市場份額在2025年二季度一度跌破5%——這是制裁立竿見影的“陣痛期”。然而，困境往往孕育著轉折。企業被迫做出的戰略調整，反而加速了原本可能需要十年才能完成的供應鏈本土化處理程序。當應用材料、科磊等美國供應商退出後，長江儲存迅速轉向國內夥伴。北方華創的刻蝕裝置、中微半導體的薄膜沉積、上海微電子的光刻技術開始進入主流產線。這種“被迫聯姻”在短期內雖面臨工藝適配挑戰，卻為本土裝置商提供了寶貴的迭代機會。2023年荷蘭深紫外光刻機也被列入禁售名單後，長江儲存牽頭組建的中國國產裝置聯盟顯示出更強的戰略意義。這個覆蓋離子注入、化學機械拋光等關鍵環節的協作網路，不僅解決裝置“有無”問題，更通過聯合研發推動技術升級。2024年上半年，試驗線中國國產化率突破92%，北方華創單家企業就獲得超50億元訂單。值得注意的是，這種合作並非簡單的裝置採購，而是深度工藝協同。針對3D NAND高深寬比刻蝕的精度要求，裝置商與製造企業共同開展數百次聯合測試，最終形成自主工藝規範。2025年提交國際委員會審議的3D NAND中國國產整合標準，標誌著中國正從被動適配轉向主動參與規則制定。中國國產化率的提升並非以犧牲技術先進性為代價。長江儲存採用Xtacking 4.0架構，通過雙層堆疊實現294層等效密度，對裝置精度提出更高要求。本土裝置經過兩年密集迭代，已能支撐複雜工藝需求。2026年計畫推出的X5系列晶片將完全基於中國國產裝置開發，這既是技術驗證，也是市場宣言。更值得關注的是，2025年開始建設的第三工廠已規劃DRAM產線，顯示出從單一產品向全儲存品類拓展的雄心。2024年底，長江儲存全球市場份額回升至8%，看似不起眼的數字背後是結構性變化：其訂單拉動國內裝置市場規模將在2026年突破250億美元，北方華創等供應商的技術升級速度比預期快30%以上。這種“製造商—裝置商”協同創新模式，正在複製韓國半導體崛起期的產業聯動經驗。美國製裁的本意是延緩中國技術進步，卻客觀上催生了更完整的本土生態。當長江儲存2025年下半年試產全本土裝置產線時，一個悖論顯現。裝置禁運反而減少了中國企業對海外技術的路徑依賴。儘管在產量一致性和成本控制上仍面臨挑戰，但自主供應鏈的“學習曲線”正快速縮短。長江儲存2025年底起訴老美，不僅是法律抗爭，更是技術自信的體現。即便訴訟結果難料，這一姿態已向全球市場表明，中國企業不會被動接受技術隔離。從更宏觀視角看，AI與資料中心爆發的儲存需求，正創造新的市場窗口。中國本土產能若能在2026年實現15%市場份額目標，全球NAND供應格局將迎來深刻調整。 (W侃科技)

報告名稱：2026年展望：偏好人工智慧賽道（文末附全文PDF）一、雲AI主導全球半導體市場兆級擴張2026年全球前十雲廠商資本開支預計達6320億美元，推動AI半導體成為增長絕對引擎。報告測算，僅雲AI晶片市場規模2024-2029年複合增長率即達36%，定製ASIC更高達65%，將帶動整體半導體產業規模在2030年突破兆美元大關。AI相關收入佔台積電營收比重預計從2024年15%躍升至2029年40%以上。二、從訓練向推理需求結構性轉移月度Token處理量呈指數級增長（字節跳動、OpenAI等頭部廠商月處理量已超兆），推理計算需求增速遠超訓練。DeepSeek等低成本推理方案進一步刺激應用爆發，推動Cloud AI晶片中推理佔比從2024年40%提升至2026年50%以上。這一轉變要求晶片架構更注重能效比與成本最佳化。三、邊緣AI開啟第二增長曲線2023-2030年Edge AI半導體市場複合增長率預計達22%，總規模超千億美元。生成式AI向機器人、AI眼鏡、智能汽車、AI PC/手機等垂直領域擴散，但邊緣計算功耗與成本瓶頸仍待突破。報告指出，聯發科、高通等廠商在端側AI SoC的佈局將是關鍵勝負手。四、先進封裝成為AI算力絕對瓶頸台積電CoWoS產能將從2023年32K/月暴增至2026年125K/月，仍難滿足需求。CPO（光電共封裝）技術將在2026年實現2倍功耗降低、10倍延遲縮減，Broadcom、Arista等已啟動量產。3D堆疊的SoIC技術使晶片間互聯密度提升百倍，封裝環節價值量從傳統5%提升至AI晶片的25%以上。五、儲存器結構性短缺常態化HBM成為AI晶片性能最核心的物理限制。2026年HBM消耗量預計達32億Gb，佔DRAM總產能30%以上，供應高度集中於三星、海力士、美光三家。NOR Flash因AI裝置程式碼儲存需求也將進入供不應求周期，華邦電等利基型儲存廠商迎來量價齊升。六、中國AI生態加速"去美國化"DeepSeek低成本推理方案引爆國產AI需求，GPU自給率將從2024年34%提升至2027年50%以上。華為Ascend 910C性能對標輝達H20，CloudMatrix 384超算叢集已實現商用。但SMIC N+2工藝產能不足成為最大瓶頸，先進製程裝置進口在2025年下半年出現反彈但仍受長期限制。七、雲廠商自研ASIC形成"反輝達"聯盟Google TPU進入第6代、AWS Trainium 3/4迭代加速、Meta MTIA與Microsoft Maia規模商用，四大雲廠商2026年定製ASIC採購量將佔其AI晶片總需求的30%。無論GPU還是ASIC路線勝出，台積電作為核心代工廠將攫取90%以上AI晶片製造份額，形成"賣方市場"絕對話語權。八、供應鏈"AI優先"導致非AI晶片持續失血晶圓代工、封裝測試產能全面向AI晶片傾斜，成熟製程利用率和ASP持續承壓。台積電N3/N2先進製程價格年漲幅超15%，CoWoS成本轉嫁導致非AI晶片設計公司毛利率承壓3-5個百分點。技術通膨與需求替代效應下，傳統伺服器、消費電子晶片復甦將滯後至2026年下半年甚至更晚。 (TOP行業報告)

2026年1月以來中國商務部展開兩項對日的反制措施。第一個是加強兩用物項對日本出口管制，這個規定挺莫名其妙的，涵蓋上千種關鍵物資，包羅萬象，也不知道是要禁啥。看資料內容包括半導體產業核心材料如鎵、鍺、稀土、石墨、超硬材料等，以及光刻膠上游原料、專用積體電路晶片、高性能感測器等半導體相關物項。但是這些也只有原料鎵，我們中國有壟斷力，但是鎵前幾年我們早就管制了，這兩年小日本搞回收鎵，DOWA的回收鎵比中國的原料鎵成本還要低4成，這兩年國際上鎵的價格一直在下跌。鎵是卡不了日本。其他什麼光刻膠上游原材料，晶片，高性能感測器，小日本也不需要咱們，反而是我們需要他的。所以什麼兩用物質管制，到底管制啥完全沒法理解，有點不知所以。第二個管制是對原產於日本的進口二氯矽烷發起反傾銷立案調查。這個調查可能僅限於中國關注多點，日本媒體有報導但都是一筆帶過，也就是說這件事不是很重要。二氯矽烷也就是DCS，全世界很多企業在做，不只有日本，日本的信越跟日酸是全球前二，美國AP跟REC，法國法液空，德國林德，韓國，台灣都有廠家。我們中國也有好幾家生產Sih4的工廠，其中一家河南矽烷的裝置正是筆者在行業內的時候參與規劃設計的。可以算是中國矽烷自主的第一套裝置。DCS是西門子法生產矽片的副產品，中國的裝置以生產矽烷為主。全球半導體用的DCS一年一億多美元的銷售額，大約10億人民幣左右吧。信越是龍頭佔20多個點，全年DCS這個品類全球總銷量大約2億人民幣，對中國大陸的出貨佔全球2-3成，也就是中國的反傾銷調查，信越可能每年得損失4-6千萬的業績，日酸大概也得損失3千萬左右。這個反傾銷調查，如果最終成功，對整個日本的打擊大約是7-9千萬人民幣左右。為何我們非得針對DCS這個微不足道的玩意呢？筆者認為，針對信越殺雞儆猴的可能比較大，信越一直比較鷹派，好幾年前針對中國大陸的先進光刻膠就是新客戶不給報價的狀態。在JSR以及TOK在日本政府禁止下還想盡辦法賣給我們的時候，信越是主動不提供報價，主動不賣的廠家。我們搞DCS二氯矽烷的反傾銷，那信越一年得損失5-6千萬人民幣，雖然對營收超過千億人民幣，利潤2-3百億的信越沒啥影響但多多少少也能𫫇心一下信越。而且搞DCS，那JSR跟TOK這兩家一直透過第三方在賣的日本光刻膠廠家也不會受影響。DSC這個微不足道的東西，我能想到的大概是這原因，其實行業內估計沒有人會去想這事，屬於可以忽略不計的一件事，畢竟能供貨的也不只有日本，全世界太多供應商了。至於我們發起什麼兩用物質管制以及DCS反傾銷，從行業來看，屬於不知所以也不知道目的為何的操作，應該就是純政治意義的操作了。政治意義的話，可解讀的就多了，畢竟政治解讀，可以用任何角度且都沒有絕對的對錯，政治永遠都是公說公有理，婆說婆有理的兩條平行線。咱們這是講專業的半導體公眾號，啥國仇家恨那些就不浪費時間討論了。至於能否解讀出我們對日展開政治制裁，就代表我們的光刻膠已經不依賴，這種毫不相關的東西，只能算自己的意淫，或者那些以立場為歸，不講專業與技術的中文媒體的意淫。我們針對日本展開連別人都感覺莫名其妙的管制，直接掛鉤我們光刻膠不依賴了？ 中間缺乏太多需要證明的環節，所以這樣的猜測我只能說意淫。就跟我們中國幾年前對金屬鎵出口的管制，25年稀土出口的管制，對美國為首的西方發起反擊，我們這個反擊是因為我們有自己的光刻機了？我們敢反擊西方就代表我們不再需要進口裝置了？自然不是如此。反擊是一種表態，更是對未來談判籌碼的積累。比如這次對小日本的反制來說是忽略不計的，壓根打不到痛處，但我們表達態度了，日本自然是得掂量，我們總不能啥表示都沒，這方面國家職能部門一直拿些得很精準，該用多大力度，以及節奏掌控都非常得宜，這方面相信國家即可。但是用我們反制來聯想中國國產光刻膠不依賴了，就純屬不知所以的邏輯。至於光刻膠，一直都是檯面下運作的，在明面上日本早就對中限制先進製程的光刻膠，2023年5月，日本產經省已明確規定。但是我們還是一直能拿的到，這一切有一條明面上看不見的交易網路，這並不是我們能100%或者大部分能中國國產，那還是有點遠。光刻膠的影響目前中日事態演變繼續惡化下去光刻膠斷供確實是一個風險。不得不防，也不要心存僥倖。畢竟目前中國能維持光刻膠不斷供，是產業界透過無數人，無數企業，代理商如螞蟻搬家的力量去找到各式各樣的管道建立起來的。這個不斷供的機制也是建立在日本政府沒有從源頭強力管控的大原則之下才得以運行，如果日本政府強力稽核所有光刻膠企業的每一筆去向，違法者重罰，那局面會截然不同，所以一切都必須維持這種檯面下的恐怖平衡不能失控。我想一月以來商務部兩次對日不痛不養的反制，除了正式表達我們的立場以外，也是在克制不打破這個檯面下平衡的努力。斷供光刻膠是日本以技術影響外交的慣用手法，2019年對付韓國就是來這招。光刻膠一直是筆者與行業內擔心的事，它太重要了，中國國產化率又非常低，一但斷供那對中國先進製程是毀滅的打擊，但很可惜還是有很多人包含業記憶體在僥倖心理。要明白這事有多嚴重，首先還是得從光刻膠本身談起光刻膠有非常多種，PCB，面板，LED，先進封裝都要用到，但這些領域的光刻膠要求不高，主要還是線寬要求不高。半導體用光刻膠是最高等級，分類主要以曝光的光源波長也可以說光刻機來分1. G-line (436 nm)、i-line (365 nm)：對應0.25um以上的工藝。2. KrF (248 nm)：對應0.13~0.25um工藝。3. ArF (193 nm)ArF dry (乾式) : 0.11um~65nm工藝ArF immersion（浸沒式）：45nm~7nm4. EUV (13.5 nm)：7nm~2nm從曝光波長也就是光刻機種類來區分，針對不同的波長有不同的光刻膠，這屬於光刻膠的大分類。事實上不論那種波長的光刻膠，都不是單一種光刻膠，而是每種波長的光刻膠高達數十種甚至上百種。每種波長光刻膠之下，我們還能依照不同功能來區分比如正/負膠，line/space 以及 contact-hole 專用配方，topcoat / BARC（底抗反射塗層），顯影劑/去膠劑、以及不同硬掩膜（hard mask）材料 等。每一類都有專門配方。所以光刻膠不是「一個產品」，即便是同一波長，比如A膠他也會有多個用途/多種化學配方/多個 tone 與不同解析度-靈敏度 trade-off 取捨。光刻膠用在那？一顆先進製程晶片有大幾十層，大致可分為器件層，金屬層，介質層，接觸孔層，鈍化層等。把這些功能層加工出來，主要就是透過反覆的增材與減材的逐層加工，一層一層把晶片所有功能層做出來，整個過程可能會超過上百層幾千道的工序。我們以中國用DUVi光刻機＋SAQP四重曝光製作7nm的工藝為例，由於多重曝光會顯著增加 litho-step、mask 、以及所需的材料/處理步驟，最終整個加工步驟在120～130層左右。其中需要光罩做圖型定義的mask layer超40層，硬掩膜hard mask約20層，有些非關鍵層可以直接用光刻膠做軟掩膜，剩下有一半是不需要光刻的沉積層，離子注入層以及平坦化層等等。也就是說四重曝光的7nm晶片製程，需要用到光刻膠的超60層左右。這代表製作一顆7nm晶片需要60種光刻膠？事實上數量不是這麼算的，60層有很多是同一個SKU，而一個layer也不一定只用一種光刻膠。大類來說，這個7nm晶片製作過程需要用到 I膠，K膠，A膠以及浸沒式A膠，因為7nm晶片，在高層數金屬層也會用到i-line以及KrF這類成熟製程的光刻機。單單針對ArFi的光刻膠，就多達數十種，vendor必須推出多個不同配方以滿足不同的「解析度／靈敏度／線寬/孔徑/溶解特性/耐刻蝕性/熱穩定性／相容底層」的需求。比如，不同的正膠 L/S（line/space）配方、接觸孔（contact hole）最佳化配方、極高解析（低 LER）配方、低溶解度配方、低殘留配方、雙重圖形化/間接 patterning 專用配方、以及配合某些硬掩膜的專用配方等。每一種配方在化學組成，聚合物主體、PAG、溶劑、溶解抑製劑、加入劑等都會不同。目前全球主要光刻膠供應商，JSR、TOK、信越等對於 ArFi 都有數十款SKU以供選擇（按層、按用途、按曝光工具/資料窗）。而且上述每一家都有自己擅長的配方，比如否種功能用某家的良率會更好，整體來說目前ArFi光刻膠，信越的評價最好，良率最高。所有的ArFi膠有數十種，那製作一顆7nm晶片需要用到多少種呢？我們以M1/M2這樣的key metal layer用多曝製程來說，這會牽涉到不同的材料/塗層步驟，每一步都可能用不同配方，首先，第一道光刻（mandrel）用 ArFi 正膠（line/space 配方) ;刻蝕／形成 spacer，這牽涉到hard mask材料，而hard mask可能用不同的沉積材料/蝕刻配方。接下來用氧化或氮化層沉積，再做 spacer，然後再用stripper去除 mandrel；然後再做第二次光刻，如果是LELE，可能要另一種光刻膠或相同配方但不同曝光條件；上述的一個多重曝光工藝要用到許多的不同功能的光刻膠，但還遠不止與此，因為每一次coating塗膠前還得先涂一層BARC底部抗反射塗層。浸沒式光刻製程，coating之後，前烘完還得在光刻膠上涂一層topcoat用來保護光刻膠跟純水直接接觸。也就是說光刻膠塗膠之前跟之後分別還要再上一層特殊功能的膠。這也還沒完，每次曝光後的developer還得用顯影劑，刻蝕完之後還得用stripper去除殘留光刻膠還有清洗液。上述就是一個多重曝光需要用到光刻膠以及各種化學藥劑的過程，而上述的所有化學品，在14nm以下的先進製程中，所有品類目前的中國國產化率都非常低，對日本的依賴嚴重。即便門檻較低的顯影液或去膠液整體中國國產化率還不錯，但是針對先進製程的中國國產化率卻不到20%，ArFi光刻膠，BARC以及topcoat則更低都在10%以下。這些正是中國國產7nm晶片生產過程必須用到的化學品，沒有這些化學品，剛剛公佈的麒麟9030將沒辦法生產。更麻煩的是，一個做先進製程的fab，其前段與後段、所有層，會用到上百種不同的 resists / BARC / topcoat / stripper / developer 。這也是為什麼「替換光刻膠供應商」不是換一桶膠就能完成的原因，因為每個 layer 的相容性、曝光窗口process window、熱處理、黏著性、殘留物、與光刻機與塗膠顯影裝置高度繫結。也就是說用ASML的scanner配套TEL的Track，每一個 layer 用的 resists / BARC / topcoat / stripper / developer也是必須是固定Vendor與配方，研發能力強的Fab甚至會要求Vendor出獨特的配方，配套自家工藝。如果今天我們把ASML的scanner換成Nikon或者中國國產光刻機，那上述的所有化學品都要有跟著全換一遍相配套的配方。簡單說就是未來如果裝置換了，光刻膠與化學品也得跟著換相應的配方。所以一直有很多人關心中國國產光刻機進度，卻沒有人關心光刻製程中還有一大堆要配套的裝置與化學品甚至還有計算光刻等軟體，這是一整套的系統級工藝，每一項缺一不可。如此多環節配套且高度系統化的光刻工藝，確實大大增加了攻關難度。目前全球光刻膠的主力供應商為 JSR、TOK、信越、Fujifilm、DuPont、Merck、Sumitomo等大型化學廠，這些公司在配方、純度控制、批次穩定性、以及長期與Fab合作的認證生態方面非常成熟。其中JSR、TOK、信越為D3，幾乎壟斷全球高端光刻膠市場，D3的ArFi市佔約92%，EUV光刻膠更是達95%。D3對高端光刻膠的絕對壟斷，而且全部來自日本，這正是日本有恃無恐的底氣。從日韓摩擦的歷史經驗找契機2019年日本產經省宣佈對韓國的光刻膠，高純度氫氟酸，氟聚酰亞胺等三種對半導體行業至關重要的材料實施強力管控。瞭解當初日本對韓國斷供的來龍去脈，有助於我們對此事的深層次瞭解，它到底有啥影響以及如何應對2019年的起因是韓國在對日強硬派總統文在寅上台後，韓國法院判決日本三菱重工與新日鐵須向二戰強徵的韓國勞工賠償，而日本以1965年的『日韓請求權協定』已完全解決所有歷史賠償問題，認為韓國違反國際法。遂於2019年7月宣佈光刻膠在內的三種化學品對韓出口管制。日本管制的同時，2019年Q2～Q4三星因為光刻膠儲備不足，營收同比下滑3成以上，利潤暴跌53%。而業務多元化不如三星的海力士則更為慘烈，營收接近腰斬，利潤暴跌89%。2019年韓國半導體出口同比下滑27%，一個國家的最大支柱產業出口大跌，拖累當年韓國GDP增長接近1個百分點。韓國半導體行業被日本狠狠地上了一課。2019年11月韓國總統文在寅在曼谷東盟峰會期間主度呼籲雙方會談，12月正式雙方首腦會談之前，日本在斷供5個月之後，宣佈小幅度放寬對韓光刻膠管制，整個韓國半導體行業稍稍鬆了一口氣。2020年3月日本又首次批准向韓國出口EUV光刻膠，並特別允許三星獲得至少9個月用量的7/5nm EUV光刻膠，當時三星的7nm邏輯製程已經接近停擺。面對日本的斷供，韓國採取不卑不亢的軟硬兼施的策略，雖然是文在寅事先喊話日本要求會談，但日本也很好的反饋韓國，也就是雙方並沒有把事做絕，都留了一線。這裡面當然也有美國的強力斡旋，畢竟屬於盟友關係，所以日本當時是開了口子，韓國半導體也得到喘息機會。最終韓國在2023年提出第三方代償方案，由韓國政府設立公共賠償基金向韓國受害勞工賠付，等於是用韓國的錢還日本的債，最終日韓於2023年3月正式和解，日本正式解除對韓半導體材料管制。正因這段管制期間，韓國政府痛定思痛，舉國之力發展半導體材料，三星在2020-21年投資韓國14家材料企業，投入資金超3800億韓元。經過四年的努力，韓國光刻膠中國國產化率提升到15%左右，高純度HF自給率70%，氟聚酰亞胺則是聯合中國供應鏈把日本供應商打壓至30%以下。這段期間韓國光刻膠經過不斷努力突破了日本封鎖，成就了東進世美肯以及SK Materials兩家本土光刻膠公司。東進世美肯除了開發了ArFi光刻膠，更是成功開發出EUV光刻膠成為日本三巨頭以外的全球少數能做EUV光刻膠的企業。SK Materials除了ArFi光刻膠也開發出針對3D NAND高厚度KrF光刻膠。不過在韓國本土光刻膠廠商取得不錯的進展同時，我們看到韓國的光刻膠中國國產化率還是很低只有10～15％，這又是為何？兩家韓國光刻膠企業不是都能做ArFi光刻膠了嗎？真正的原因是這兩家是開發出了ArFi產品，但有產品不代表好用，文章開頭說了，這是一個極度龐大且繁瑣的系統工藝，涉及的品類以及配方太多，每一種又必須跟光刻機與塗膠顯影裝置搭配。所以即便韓國本土廠商開發出來相關產品，最終fab還是不太願意使用。這裡還有一個很大的原因，事實上日本只有5個月的時間是真正禁死的，這幾個月韓國半導體產出確實暴跌，但同年12月日本開了口子之後，韓國半導體工廠也開始恢復，務實的政治談判功不可沒。透過2019年日韓的半導體材料摩擦，我們可以清楚地看出所有對應關係與對半導體行業的影響。目前日本由比當初安倍更右的高市早苗領導，挑釁意味確實更高，如此一來，我們也很難保持戰略定力，該出手教訓還是得出手。可以預見，中國半導體產業尤其是先進製程將承受非常大的壓力，光刻膠正是這幾年來美國拉著日本荷蘭對華封鎖筆者最擔心的事。中國半導體行業對此也一直在努力，除了強力攻關，提升中國國產化率以外，也準備了很多辦法，不管檯面上還是檯面下，你想得到或你想不到的方法，中國無數從業者與貿易商都在看不見的層面上下功夫。但最終的關鍵還是日本到底有沒有留口子，跟當初的對韓國一樣，沒有把事情做絕，這是我們半導體行業是否能正常運轉的核心關鍵。中國國產光刻膠進度如何？我想，即便像當初韓國本土光刻膠廠家那般快速，只要沒有百分百中國國產化，那怕是90%中國國產，只有10％需要日本，那中國先進製程也可能幾個月之後停擺，因為少了10%也不行。實際上，目前的先進製程光刻膠中國國產化率不到10％，差距如此之大，談中國國產不中國國產都沒太大意義，因為1-2年短期根本不可能實現100%中國國產。針對性的全力攻關是目前唯一可行的辦法，主要針對可能被禁，也就是配合ASML光刻機多重曝光7nm製程所需的浸沒式A膠與相關的化學品，先縮小攻關品類，重點突破。其他不涉及先進製程的，比如28nm相關的材料，本來就不會禁，這些可以先放著，這樣一來是有可能在一兩年搭建起不怕日本斷供的供應鏈來。先針對ASML裝置的配套光刻膠化學品出來，能抱持產線運行，在開發中國國產光刻機配套的相關化學品，不同項目組同時進行。這是我們能目前能做的辦法。但在1-2年的短期維度上，光刻膠這件事的核心還是日本會不會禁死，這才是唯一關鍵，就跟當初韓國一樣，不會也沒有其他看點。 (Techcoffee)

為了實現穩定採購，日本汽車零部件工業協會計畫建設一套共享半導體資訊的系統。豐田、瑞薩電子等企業計畫參與。儘管中國廠商未參與其中，但該系統可覆蓋日本汽車製造商所需半導體的8～9成左右……豐田等日本汽車製造商將與國內外的半導體廠商在穩定採購方面展開合作，建立車載半導體相關資訊的共享機制。此舉將有助於更容易掌握半導體的生產地點，在遭遇經濟施壓、地震等不測情況時，實現替代採購。汽車產業形成了龐大的供應鏈，很難以把握全貌。在地緣政治風險不斷上升的背景下，各方將通過加強協作，力求將經濟影響降至最低。由豐田、本田等加入的日本汽車工業協會（自工會）以及日本汽車零部件工業協會主導，計畫於4月建設一套共享半導體資訊的系統。一般社團法人“汽車·蓄電池可追溯性推進中心”預計將負責具體營運。在半導體廠商方面，包括瑞薩電子、羅姆、德國英飛凌科技等在內的約20家國內外企業計畫參與。儘管中國廠商未參與其中，但該系統可覆蓋日本汽車製造商所需半導體的8～9成左右。半導體廠商將在系統中登記半導體的規格、投產時間以及產地等資訊。汽車製造商和零部件廠商則可通過系統進行查詢，掌握所需半導體的相關情況。這樣可以很容易識別出供應穩定性較低的半導體。系統將利用區塊鏈技術，防止半導體相關資訊洩露給其他汽車製造商。半導體被廣泛用於車載導航、電機等領域，是汽車生產不可或缺的關鍵零部件，在經濟安保層面也屬於重要物資。2022年前後，在新冠疫情影響下，全球性半導體短缺導致汽車減產現象接連發生。2025年，由於中國資本的安世半導體（Nexperia）停止出貨，本田和日產汽車被迫減產。由於半導體不足，本田2025財年（截至2026年3月）的營業利潤將被拉低1500億日元。汽車產業以整車製造商為頂端，由一級供應商、二級供應商等構成龐大的金字塔式結構。由於下游分包層級眾多，長期以來難以全面掌握各供應商的採購來源及整體供應鏈狀況。通過此次的新機制，企業將把握所需半導體的供應風險。一旦因經濟施壓、地震等原因出現無法出貨的情況，只要事先掌握生產地和規格等資訊，就可與半導體廠商協作，迅速實現替代採購。參與共享機制的半導體廠商今後還將繼續增加。如有需求，海外汽車製造商也可使用該系統。汽車行業的競爭重心正逐步轉向自動駕駛和人工智慧（AI）。決定競爭力的車載半導體，其重要性今後將進一步提升。根據日本電子資訊技術產業協會（JEITA）2024年公佈的預測，全球車載半導體的市場規模到2035年將達到約1594億美元，相比2025年的約861億美元，增長幅度超過8成。降低關鍵零部件的採購風險，有助於提升產業競爭力。 (日經中文網)

2025年，韓國各產業部門的境遇喜憂參半。受美國加征關稅和俄烏戰爭的影響，汽車和石化行業舉步維艱；而半導體、造船和國防等行業則因全球需求增長而蓬勃發展。我們將探討2026年影響全球經濟的關鍵因素，並預測各行業將受到的影響。[編者注]去年支撐韓國出口增長的是“半導體”行業。隨著人工智慧（AI）在全球範圍內的普及，以三星電子和SK海力士為首的儲存晶片需求激增，並進入繁榮期。半導體出口增長超過30%，抵消了石化和鋼鐵等傳統製造業的下滑。今年的前景更為光明。據韓國進出口銀行海外經濟研究所預測，韓國今年半導體出口額預計將同比增長11%，達到1880億美元（約合254兆韓元），連續第二年創下歷史新高。世界半導體貿易統計（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將比上年增長超過25%，達到約9750億美元。其中，儲存器市場預計將實現30%左右的增長，超過整體增速。在DRAM市場，三星電子和SK海力士合計佔據約70%的全球市場份額；在NAND快閃記憶體市場，兩家公司的市場份額合計約為50%。三星電子和SK海力士合併後的營業利潤預計將超過200兆韓元市場將儲存器機構領域的強勁勢頭稱為“超級周期”。美國銀行（BofA）將2026年定義為“類似於20世紀90年代繁榮時期的超級周期”，並預測全球DRAM收入將同比增長51%，NAND收入將同比增長45%，而DRAM的平均售價（ASP）將上漲33%，NAND的平均售價將上漲26%。隨著半導體行業全面進入超級周期，券商紛紛上調對三星電子和SK海力士的盈利預期。Kiwoom證券將三星電子今年的合併營業利潤預期上調至107.612兆韓元，比券商此前三個月的普遍預期83.242兆韓元高出29%以上。iM證券則將SK海力士今年的營業利潤預期上調至93.843兆韓元。在最樂觀的情況下，兩家公司的合併營業利潤將超過200兆韓元。在記憶體晶片市場，結構性供應短缺（供應無法滿足需求）正在加劇，導致價格大幅上漲。隨著人工智慧訓練和推理所必需的高頻寬記憶體（HBM）需求激增，整個記憶體市場的供應限制也隨之加劇，甚至連普通商品的價格也受到影響。市場研究公司TrendForce預測，第一季度通用DRAM合約價格將比上一季度上漲超過50%，NAND快閃記憶體價格也將繼續大幅上漲，主要集中在伺服器DRAM和企業級固態硬碟（SSD）領域。分析師表示，隨著人工智慧伺服器投資的增加和庫存的消耗，記憶體市場已進入典型的“賣方市場”。此外，在經歷了2018年過度擴張的後果之後，韓國國記憶體儲器企業一直保持著以盈利為導向的“有序擴張”策略。韓國進出口銀行高級研究員李美惠表示：“半導體企業保持著保守的投資策略，短期內難以擴大產能。由於產能優先用於HBM和高容量DDR5，因此為PC和移動裝置供應通用儲存器的能力有限。”她補充道：“除三星電子外，大多數DRAM製造商都因裝置安裝空間不足而受到擴張限制，因此即使到今年年底，儲存器短缺問題也難以得到解決。”HBM市場競爭日趨激烈……市場規模正在快速擴張在HBM市場，SK海力士與三星電子之間的競爭預計將進一步加劇。SK海力士目前處於領先地位，正積極推進其從HBM3E（第五代HBM）到下一代HBM4（第六代HBM）的產品路線圖，並迅速提高高附加值產品的佔比。現代汽車證券表示：“隨著DRAM價格的飆升，SK海力士有望成為全球DRAM製造商中盈利能力最強的公司。”三星電子已全面進入追趕階段。該公司自去年下半年起擴大了HBM3E的供應，今年則集中精力研發HBM4和HBM4E（第七代HBM），力圖憑藉下一代產品扭轉頹勢。在包括SK海力士和美國美光在內的三大全球儲存器製造商中，三星的產能最大，這也被視為其優勢之一，因為在未來儲存器價格上漲周期中，三星能夠獲得更大的營運槓桿。市場研究公司Omdia預測，隨著人工智慧加速器的普及，HBM市場將繼續保持高速增長，下一代HBM4的市場份額將從今年開始真正擴張。該公司還指出，HBM需求來源日益多元化是市場擴張的關鍵驅動因素。隨著大型科技公司推進專用積體電路（ASIC）戰略以減少對輝達圖形處理器（GPU）的依賴，Google的張量處理單元（TPU）、OpenAI的自主研發人工智慧晶片、亞馬遜的Trainium 3以及微軟的Maia 200等產品相繼問世。Kiwoom Securities 高級研究員 Park Yuak 表示：“三星電子已將 ASIC 作為其主要客戶，預計到 2026 年，其 HBM 出貨量將比上一年增長三倍以上。”他補充道：“第一季度，應用於主要 ASIC 晶片的 HBM 銷量將會增加；第二季度，用於輝達‘Rubin’晶片的 HBM4 出貨量將正式開始。”系統半導體和代工廠進入復甦階段……美國關稅是最大的變數有一種觀點認為，系統半導體和代工機構市場已經觸底反彈。市場研究公司Gartner預測，受人工智慧半導體市場增長的推動，今年全球系統半導體市場預計將比上年增長約10%。韓國在系統半導體市場的份額仍然維持在2%左右，但三星電子將在今年上半年發佈的Galaxy S26手機中搭載其Exynos應用處理器，以期重振競爭力。在晶圓代工（半導體代工）機構領域，三星也在努力從關鍵客戶那裡爭取訂單，以期實現復甦。截至去年第二季度，三星晶圓代工的全球市場份額為7.3%，遠落後於台積電。但業內人士表示，隨著3奈米工藝良率的趨於穩定，以人工智慧加速器和網路晶片為中心的新訂單正在逐步增加。尤其值得一提的是，計畫於今年投產的三星電子泰勒晶圓廠，正逐漸成為台積電之外的另一種選擇。投資銀行德意志銀行在最近的一份報告中表示：“隨著台積電先進工藝產能接近飽和，主要的無晶圓廠（晶片設計專家）公司正在尋求替代生產方案，以分散供應鏈風險。”報告還補充道：“在美國設有生產基地的代工廠中，三星電子被視為一個切實可行的替代方案。”今年半導體行業最大的外部變數被認為是美國的關稅政策。美國正在將半導體重新歸類為戰略產業，並暗示可能徵收高額關稅以擴大國內產能。業內普遍認為，對於已承諾在美國投資的國內企業而言，其相對影響可能有限。由於人工智慧伺服器記憶體的替代品有限，也有分析指出，成本負擔很可能會轉嫁給客戶。關稅因素預計對中長期投資策略和生產基地重塑的影響將大於對短期收益的影響。 (半導體行業觀察)

在全球科技博弈愈演愈烈的當下，半導體已不僅是產業問題，更成為大國戰略角力的核心戰場。近日，一位日本知名半導體材料企業高管在閉門會議上語出驚人：“中國雖宣稱突破7nm製程，但若沒有我們的光刻膠、高純氣體和關鍵化學品，整個晶片製造體系將在一周內停擺。”此言一出，彷彿要為日本在全球供應鏈中的“不可替代性”蓋上金印。然而，這番看似底氣十足的宣言，實則暴露了日本產業界一種根深蒂固的焦慮——他們害怕被取代，更害怕失去對中國這個全球最大半導體市場的控制權。不可否認，日本確實在半導體上游材料領域擁有深厚積累。從東京應化、信越化學到JSR，這些名字長期主導著高端光刻膠市場。資料顯示，截至2025年底，中國進口的ArF乾式與浸沒式光刻膠中，超過70%仍來自日本；在矽片、CMP拋光液、電子特氣等關鍵環節，日本企業的市佔率同樣居高不下。這種結構性優勢，讓部分日本企業滋生出一種“技術霸權”的幻覺——彷彿只要掐住材料閥門，就能扼住中國晶片產業的咽喉。但現實遠比想像複雜。日本的“材料霸主”地位，並非建立在絕對技術壟斷之上，而是依託於過去數十年形成的全球分工體系。而在這一體系中，中國早已不是被動接受者，而是日益重要的需求引擎與創新參與者。事實上，日本半導體材料出口對中國的依賴程度，遠超外界認知。2024年全年，日本對華半導體材料出口額佔其全球總出口的58%，部分細分品類甚至超過70%。這意味著，一旦日本真如某些政客或企業所願實施全面斷供，首當其衝受損的，將是自身企業的營收與研發循環能力。畢竟，沒有中國市場支撐，高昂的研發成本將難以為繼。更關鍵的是，中國並未坐以待斃。近年來，在“國產替代”戰略驅動下，本土材料企業正以驚人速度填補空白。南大光電的ArF光刻膠已通過中芯國際驗證並小批次供貨；安集科技的CMP拋光液在14nm及以下節點實現穩定量產；滬矽產業的300mm大矽片月產能突破30萬片，逐步替代進口；凱美特氣、金宏氣體等企業在高純氨、氟化物等電子特氣領域打破海外封鎖。這些進展或許尚未完全覆蓋最尖端的EUV材料，但在7nm及以上成熟與先進製程所需的關鍵材料上，中國已建構起“可用、可靠、可擴產”的本土供應網路。更重要的是，這種替代不是孤立的技術攻關，而是嵌入在中國龐大的製造生態、政策支援與資本投入之中的系統工程。日本高管口中的“塌陷論”，本質上是一種心理威懾，試圖用過去的供應鏈優勢嚇阻中國的自主創新步伐。但歷史早已證明，技術封鎖往往催生更強的反制動力。2019年日本對韓限供光刻膠，結果催生了韓國SK Materials的快速崛起；如今若對中國故技重施，只會加速鼎龍、晶瑞電材、彤程新材等中國企業的全球佈局。真正的產業安全，從來不是靠“卡脖子”維繫，而是靠開放合作與多元共存。日本若繼續沉溺於“材料霸權”的舊夢，忽視全球供應鏈正在向多極化、區域化重構的趨勢，終將錯失與中國共同塑造下一代半導體生態的歷史機遇。中國7nm不是終點，日本材料也不是永恆支柱。在這場沒有硝煙的科技長跑中，誰真正擁抱創新、尊重市場、敬畏合作，誰才能贏得未來。而那些妄圖以斷供為武器的人，終將發現——握刀的手，也會被刀鋒所傷。 (晶片研究室)