2026年的半導體圈，正在上演一場現實版的“搶椅子”遊戲。而攪動這場戰局的核心變數，正是AI引爆的儲存需求。01 邏輯變了！儲存廠成EUV大買家在這一輪遊戲中，光刻機便是這把“椅子”。近日，儲存晶片大廠SK海力士宣佈將在2027年12月31日前向荷蘭ASML採購價值11.95兆韓元（約79.7億美元）的極紫外光（EUV）光刻機，旨在應對日益增長的記憶體晶片需求。該交易已作為正式披露檔案提交給韓國監管機構，並成為近年來ASML客戶公開的最大一筆EUV光刻機採購訂單。根據預計，SK海力士採購的這些EUV光刻機將主要用於先進DRAM晶片和HBM晶片的生產。主要會部署在兩個晶圓廠：一個是SK海力士位於龍仁的新晶圓廠，該晶圓廠計畫於2027年2月投產；另一個則是位於清州的M15X工廠，該晶圓廠專門用於生產高頻寬記憶體晶片。伯恩斯坦公司的分析師戴維·道則預計，SK海力士的這份訂單將使得其在兩年內新增約30台EUV光刻機。這略高於其之前預測的SK海力士兩年內將採購26台EUV光刻機的數量。無獨有偶，儲存龍頭三星也傳出了大舉採購光刻機的動作。韓國媒體Sedaily援引知情人士的消息報導稱，三星電子已確定向光刻機大廠ASML和佳能訂購了約70台光刻機，總金額高達10兆韓元（約67億美元），其中包含20台EUV光刻裝置。不過三星方面隨後回應稱，該消息並不屬實，公司至今尚未作出相關決策。儘管三星的採購傳聞未得到證實，但這一消息本身就折射出當前半導體行業對光刻機的迫切需求。02 決戰1c節點的勝負手，壓給光刻機在探究三星、SK海力士兩大儲存龍頭大舉採購EUV光刻機的戰略邏輯前，需先系統梳理五大核心影響因素，這些因素直接決定了兩家企業的採購規模、節奏及行業後續格局：第一，兩大巨頭當前EUV光刻機保有量。第二，兩家公司1c DRAM現有產能基數、2026年底規劃產能的落地路徑及產能爬坡節奏。第三，不同生產製造能力帶來的市場競爭力差異。第四，ASML的EUV產能供給能力、交付周期及現有訂單積壓情況，能否匹配兩大龍頭的擴產需求。第五，是否需要警惕2028年產能集中釋放導致的過剩風險？以下是關於上述五點的具體分析：儲存雙雄EUV光刻機保有量日前，調研機構BOFA公佈了2021到2025年為止的EUV光刻機數量，如下所示：如圖所示，三星的EUV 光刻機持有量已超過SK海力士的兩倍，這一裝置數量優勢直接對應到產能層面——在儲存晶片製造中，光刻機部署密度是先進製程產能釋放的核心約束條件，而多層EUV光刻更是10nm級以下工藝量產的核心前提。2026年作為全球DRAM行業的“1c節點爆發年”，這場製程微縮競賽已全面邁入第六代10nm級1cDRAM時代，成為AI算力爆發背景下高端記憶體供給的核心戰場。當下，三星和SK海力士都已釋放擴產1c DRAM的核心資訊。1c DRAM現有產能基數根據規劃，三星1c DRAM產能將在2025年第四季度率先達到每月6萬片產能，2026年第二季度再新增8萬片產能，並於2026年第四季進一步擴增6萬片，屆時整體月產能達到20萬片。具體的時間節點以裝置完成安裝為基準，目標是在上述各個階段具備立即量產條件。知情人士指出：“三星將在明年底前持續強化1c DRAM 的供給能力，意在提前卡位下一代市場。”SK海力士方面，據韓國媒體報導，SK海力士計畫2026年將1c DRAM月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。據悉，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。擴產後的1c DRAM將主要用於滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，該公司正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。分析指出，相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。HBM是3D堆疊+系統級整合方案，需通過TSV矽通孔、超薄減薄、多層鍵合及CoWoS等先進封裝技術，將多顆DRAM Die與基片垂直整合，技術鏈路極複雜。1cDRAM則是DRAM製程的迭代升級，核心是通過4F²單元架構、EUV曝光最佳化實現單Die密度提升與良率改善，無需重構產線，直接復用現有DRAM成熟產線即可量產。相較於HBM，1c DRAM 主打通用化、規模化供給，是AI伺服器、移動終端的核心基礎，同時也是 HBM4/HBM4E 的最佳核心片。SK 海力士已明確，將基於第六代 10nm 級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 記憶體。三星同樣在推進相關佈局，其研發的 12 層堆疊（12-Hi）、16 層堆疊（16-Hi）HBM4 產品，均會採用 1c DRAM 技術。三星在2026年2月宣佈，已率先達成HBM4的量產，並向全球最大AI晶片公司輝達發貨。 該HBM4將搭載於輝達最新Rubin GPU中。市場預計，Rubin GPU將於2026年下半年正式出貨，以供應給Google、亞馬遜等美國科技大廠，並帶來超過1兆美元的市場規模。與此同時，三星也在配合Rubin GPU上市節奏，擴大華城H3 工廠17線，以及平澤P3、P4 工廠的HBM4 產能。去年9月，SK海力士完成HBM4開發，但隨後在去年12月，SK海力士宣佈HBM4的量產已推遲至2026年3月或4月，HBM4產能大幅擴張的時間也進行了靈活調整。SK海力士決定至少在2026年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM產品中最高的產量佔比。據悉，SK海力士在與輝達討論2026年HBM的產量時，大幅增加了HBM3E的產量。不同生產製造能力帶來的市場競爭力差異2025年第一季度，SK海力士佔據了全球DRAM市場36%的份額，略高於三星電子的34%和美光的25%。這也是SK海力士自1983年成立以來首次在全球儲存器市場佔據主導地位。隨後在2025年第三季度，三星電子DRAM銷售額達到139.42億美元，環比增長29.6%，市場份額回升至34.8%，重新奪回行業榜首。同期SK海力士以137.9億美元的銷售額位居第二，市場份額為34.4%，與三星電子的差距僅為0.4個百分點。三星電子業績的反彈，得益於是製造端兩大關鍵能力的集中釋放：一是HBM 高端產能的快速爬坡與精準交付。該公司第三季度HBM位單元出貨量環比激增85%，主要由於開始向輝達交付第五代HBM3E產品。二是通用 DRAM 產能的彈性調控與價格主導力。人工智慧資料中心對記憶體需求的爆發式增長，導致PC和智慧型手機等消費級IT裝置的DRAM供應趨緊，進一步推高了產品價格。ASML的EUV產能供給能力反過來思考，SK 海力士敲定 30 台 EUV 訂單、三星或可能採購 20 台的情況下，ASML 的產能能否跟上？在此之前，先來看一組 ASML 歷年光刻機的出貨量資料。上圖可見，2023年、2024年、2025年，ASML的EUV光刻裝置數量分別為53台、44台和48台。從這組資料中，首先能捕捉到兩個核心資訊：一是ASML的EUV年出貨量始終維持在40-55台的區間，產能釋放呈現“緩慢線性增長”的特徵，並未出現爆發式提升——這與EUV裝置的製造複雜度直接相關，一台EUV整合超過12萬個高精度零部件，依賴德國蔡司的光學系統、美國Cymer的極紫外光源等全球獨家供應商，任何一個環節的產能瓶頸都會限制整體出貨。二是2024年出貨量較2023年有所下滑，2025年雖有回升但未突破2023年峰值，這背後既有ASML產能調整的因素，也反映出前兩年行業擴產潮後，部分企業進入產能消化期，而2025年的回升則與AI驅動下高端儲存、先進邏輯晶片的需求復甦直接相關。SK海力士的採購計畫具備明確的產能落地支撐。上文提到，這批裝置將分別部署在清州M15X工廠和在建的龍仁半導體叢集，其中龍仁基地的首座潔淨室啟用時間已從2027年5月提前至2027年2月，與裝置交付節奏高度匹配。若三星也計畫採購20台EUV，且同樣計畫在2027年底前交付，那麼SK海力士與三星的訂單合計將達到50台，佔ASML兩年產能的一半以上，這將大幅擠壓台積電、英特爾等其他頭部客戶的產能配額。還需注意的是，日前ASML在財報中寫道，截至2025年底，公司積壓在手訂單達388億歐元，其中EUV系統積壓訂單達255億歐元，佔比65%。其中或許包含SK海力士的已下訂單，因此倘若三星和SK海力士均在當下向ASML追加大量EUV訂單，短期內也難以獲得充足的產能配額。2028年，產能過剩？據韓國媒體報導，三星內部預計本輪儲存短缺將於2028年前後趨於緩解，並據此校準投資節奏，以避免重蹈過度擴張的覆轍。與此同時，SK海力士亦多次公開表態，將以實際需求而非樂觀預期作為擴產依據。然而EUV光刻機的產能存在硬約束，當下不搶購，未來幾年將徹底失去高端賽道的競爭力。因此，三星與SK海力士當下大量採購EUV光刻機，與警惕2028年產能過剩並不矛盾。警惕2028年過剩，是著眼於遠期的風險防控；而現在搶購EUV，則是應對近期市場剛需、應對行業競爭、推進產品結構升級的必然選擇。03 DRAM技術下一步，該搶什麼？長期以來，DRAM的密度提升高度依賴於製程微縮，這使得對EUV等高端光刻機的投入成為剛性需求。隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數不斷增加，目前主流產品已超過 300 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這種技術路徑的轉變，意味著廠商對光刻精度的極致追求將有所放緩，進而削弱對EUV光刻機的需求。相應的對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，比如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。因此，半導體製造的未來重點，或將從單純依靠光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜關鍵的刻蝕與薄膜沉積工藝。DRAM 對光刻機的依賴程度，也將明顯低於當前水平。 (半導體產業縱橫)

本文作者：塞巴斯蒂安·馬拉比是美國外交關係委員會的高級研究員，著有《無限機器：德米斯·哈薩比斯、DeepMind 和超級智能的探索》一書。他與他人共同主持了美國外交關係委員會的播客節目“溢出效應”。2022年，拜登政府試圖通過限制向中國提供尖端半導體來遏制中國在人工智慧領域的發展。川普總統略微放鬆了這項政策，但並未提出明確的替代方案。但晶片出口管制已經失敗。中國的科技產業過於發達，無法阻止其開發強大的人工智慧。美國在追求一個不可能的目標時，錯失了一個機會，那就是嘗試一個聽起來異想天開，但在我最近一次中國之行後，我認為這個目標更為現實：美國應該與中國談判達成一項全球人工智慧安全協議，對這項技術施加普遍的限制。這項技術可以造福人類，但如果落入不法分子手中，也會造成巨大的危害。美國人工智慧科學家過去常說，競爭對手能否快速跟進無關緊要。他們認為，“智能爆炸”即將到來。人工智慧系統很快就能將升級寫入自身程式碼：人工智慧會創造出更優秀的人工智慧；更優秀的人工智慧又會創造出更優秀的人工智慧；遞迴式的自我改進將使性能飛速提升。率先達到所謂“奇點”的國家將成為人工智慧競賽的贏家，即便快速跟進者只落後領先者幾個月。在拜登政府實施晶片控制三年半之後，人工智慧已經開始生成程式碼進行自我升級。承諾的反饋循環已經啟動。但領先模型的加速發展並不能決定人工智慧競賽的最終贏家。人工智慧的部署才是關鍵。要變革經濟和軍隊，人工智慧必須融入業務流程和武器系統。尖端模型的強大功能必須轉化為實際應用。結論是，中美兩國在人工智慧競賽中大致勢均力敵。中國頂尖的人工智慧模型可能比美國落後幾個月，但在工業應用領域，中國似乎處於領先地位。像華為和海康威視這樣的公司正在推出人工智慧系統，用於對高速列車進行維護檢查、管理採礦作業以及掃描水樣以評估污染情況。最近，我在深圳附近的華為園區體驗了一輛自動駕駛汽車。副駕駛座上的裝置為我按摩背部，方向盤的操控也堪稱完美。支援晶片管制的人仍然堅持認為，即使只是略微減緩中國人工智慧的發展速度也值得追求。如果中國是一個強大的對手，那麼想像一下，如果取消晶片管制，它會變得多麼強大。但是，這些管制並沒有帶來限制中國人工智慧發展的預期效果，因此值得考慮其代價。我的中國之行讓我確信，代價太高了。拜登政府做出了一項戰略選擇，優先遏制中國的發展，而不是解決其他擔憂。另一種選擇是對中國說：你們是科技超級大國，我們也是科技超級大國。讓我們攜手合作，確保人工智慧不會落入流氓國家和恐怖分子之手。其目標本應是建立一項類似於1968年《不擴散核武器條約》的人工智慧保障機制，要求所有使用人工智慧的國家簽署保障措施。拜登團隊原本認為中國不會在這類事情上合作。但與北京、上海、深圳和杭州的十幾位人工智慧領域領軍人物的對話讓我清楚地認識到，中國精英階層確實非常重視人工智慧安全。我拜訪了一家知名科技公司，該公司建構並分發人工智慧基礎模型。目前，該模型是開放原始碼的，這意味著使用者可以隨意下載和修改。如果使用者指示人工智慧發起網路攻擊，任何人都無能為力。但這家科技公司的首席執行長卻做出了一個驚人的坦白：隨著人工智慧變得越來越強大，繼續將其開源簡直是瘋了。他補充說，你不會開源核武器吧？在我的訪問期間，圍繞先進人工智慧模型OpenClaw的爭議凸顯了人們對人工智慧安全性的日益關注。大量中國普通民眾下載了這款數字助手，渴望體驗功能強大的AI代理。這種熱情似乎印證了中國對創新的熱愛遠勝於恐懼。但研究人員和行業領袖告訴我，他們對此感到震驚。一位著名的商學院教授告訴我，OpenClaw會讓你的電腦“裸露”。假設美中對話是可能的。西方不應陷入自我實現的宿命論。冷戰期間，美國曾多次通過從對抗轉向緩和來維護自身利益：《不擴散核武器條約》的簽署距離古巴導彈危機僅六年。現在正是回顧這段歷史的好時機。 (invest wallstreet)

台股今天再度寫下強勢的一頁，不只看到指數創高，更看到資金重新回到權值核心，帶動盤面氣氛快速升溫，大漲背後到底是哪一股資金在推動、哪些族群開始接棒、哪些個股又正在高檔進行換手，當市場進入創高階段，節奏往往比方向更重要，看懂盤面內部結構，才有機會在接下來的輪動中站對位置。〈指數創高不只看漲幅，更要看資金流向〉今日台股加權指數大漲逾2%，成交量放大至9717億元，改寫歷史新高，盤勢明顯由大型權值股領軍上攻，從結構來看，這次推升加權指數的主要力量，來自外資在台幣強升帶動下積極回補權值股，櫃買指數呈現開高走低，代表內資主力在中小型股高位階有順勢調節，其中台積電(2330-TW)扮演盤面重要指標，也讓市場對本週法說會前的走勢增添想像空間。〈漲多族群修正正常，低基期族群開始補漲〉智霖老師透過盤中買賣盤數據觀察，今天市場追價資金與獲利賣壓同步擴大，創高過程中伴隨健康換手，先前已累積不小漲幅的低軌衛星與光通訊族群，今日進入估值修正並不意外，這不是多頭結構被破壞，而是漲多之後正常的整理。相對之下，記憶體與伺服器代工等先前經過回測整理的族群，今天開始出現低基期補漲力道，顯示市場資金並沒有退場，只是資金正在不同主流之間移動，指數創高之下的賣壓調節，未必是風險，很多時候反而是下一波輪動的前兆。〈免費下載【陳智霖分析師APP】，掌握第一手盤勢資訊與信用籌碼名單〉APP選股會員每月僅限額招收，名額有限，每週都會提供最新「信用籌碼疑慮名單」，邀請您點選連結下載【陳智霖分析師APP】：https://lihi.cc/zwrii〈操作重點回到基本面，掌握有實力的主流股〉當外資主導權值高價股表現時，接下來真正值得鎖定的，中小型股的操作重點就更要回到基本面，像ASIC指標股世芯-KY(3661-TW)，先前跌破頸線後完成洗盤，近期連續拉出紅K，重新站回整理區間，後續只要基本面數據持續發酵，仍有機會成為盤面聚焦重心。散熱指標雙鴻(3324-TW)在族群震盪後也展開反彈，長線趨勢並沒有改變。至於半導體廠務、PCB、記憶體與晶圓廠擴廠相關概念，受惠產業需求延續，波段行情還有延續空間。雖然昨日融資大增70億元要稍微留意，但以目前融資市值比約3.5倍來看，仍屬可控範圍內，本週四台積電(2330-TW)法說會登場前，權值股仍有撐盤空間，若指數接下來適度休息，資金也有機會回流中小型股，現階段持股水位偏高的投資人，還是要適時調節部分獲利部位，保留資金靈活性，才有機會在下一輪資金輪動中，清清楚楚、明明白白地掌握新的佈局節奏。邀請投資人下載【陳智霖分析師APP】，即時資訊都會在APP內第一時間分享，每週也會更新信用籌碼疑慮名單，幫你避開風險、鎖定機會。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)https://youtu.be/0n7j1FDA-2E〈立即填表體驗諮詢陳智霖分析師會員服務〉忠實粉絲請先完成填表申請，體驗每週精選操作名單、盤中到價盤中通知與即時策略更新。跟著我們卡位「五路財神」，面對震盪行情，理性分析與數據判斷是關鍵，立即填表跟上專業：https://lihi.cc/RFzlE錢進熱線02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師 / 凱旭投顧

3月下旬，寒武紀的股價跌破千元大關，悲觀情緒在市場中蔓延——國產半導體難道不行了？進入4月後，半導體類股走出了反彈行情，而摩根士丹利也在此時發佈研究報告，堅定看好中國半導體行業。大摩在研報中寫道：“2028年，中國半導體自給率，預計將從2025年的24.3%，躍升至32%，這不是單點突破，而是系統升級。”大摩判斷，中國半導體正在進入加速超車期。裝置、製造、設計全線突圍，未來三年，將是國產半導體最關鍵的逆襲窗口。Part.01 自給率增速史上最快過去很多年，國產晶片自給率一直緩慢爬坡。但這一次，邏輯徹底變了。大摩給出明確預測：2025年中國半導體自給率24.3%，2028年將直接跳升至32%。三年提升近8個百分點，堪稱近年來最陡峭的增長曲線。支撐這一判斷的是實打實的資料：2025年中國本土晶片企業總營收530億美元，同比大漲22%。中國市場佔全球晶片需求的27%，龐大內需+供應鏈成熟，讓自給率進入不可逆的上升通道。這不是概念，不是預期，是已經發生、還將加速發生的產業大趨勢。Part.02 最大爆點：AI GPU徹底爆發如果說國產晶片有一個突破口，那一定是AI GPU。大摩研報明確表示，2025年就是中國AI GPU的元年。銷售額狂飆至130億美元，同比直接翻倍。市場空間從190億美元暴增到320億美元，7nm–10nm工藝良率持續突破，量產能力大幅提升。而最具標誌性的訊號，是MiniMax等頭部AI廠商，已經開始批次使用國產AI GPU。這意味著，國產GPU不再是實驗室樣品，而是真正進入AI算力核心供應鏈，承接推理端爆發式需求。國內晶圓廠全力配合產能釋放，AI晶片從設計到量產的閉環已經跑通。大摩大膽預測：2030年中國AI晶片市場規模將衝到670億美元，先由國企與政務需求打底，再由商用場景引爆長周期增長。Part.03 最穩基本盤：儲存晶片AI負責爆發力，儲存負責基本盤。兩大國產儲存龍頭，正在改寫全球半導體格局。大摩統計了2025年全球儲存晶片產能佔比：長鑫儲存（DRAM）：8.5%（從5.6%大幅提升）長江儲存（NAND）：12.6%（從7.4%跨越式增長）擴產節奏更是火力拉滿：2026年，長鑫新增60萬片/月等效8英吋產能，長江儲存新增25萬片/月等效8英吋產能。標準化儲存晶片自給率提升，最能直接拉動整體自給率上行，同時帶動裝置、材料、製造全鏈條吃滿訂單，成為國產替代最硬的底氣。Part.04 重磅訊號：海外裝置不香了晶片自主，第一步就是裝置自主。現在，最強烈的拐點訊號已經出現：海外裝置進口集體暴跌。2026年2月，中國半導體裝置進口額同比大降24%，三個月移動平均增速-15%，連續兩個月負增長。從各國進口資料來看，美國-54%、荷蘭-13%、韓國-70%、日本-39%、新加坡-9%。五大裝置強國對華出口全線收縮，背後是國產裝置滲透率快速提升。北方華創、中微公司、盛美半導體等，正在成熟製程、儲存產線大規模替代，卡脖子環節一個接一個被攻破。Part.05 製造端托底：AI晶片產能有保障光有設計和需求不夠，製造能力才是量產底氣。大摩表示，國內晶圓廠迎來雙重突破，一是成熟製程持續擴產，支撐MCU、功率器件、模擬晶片上車。二是12nm以下先進製程穩步提升，專門適配AI GPU量產。中芯國際、華虹半導體成為AI國產化核心代工支柱，把國內晶片設計公司的圖紙，變成可以大規模出貨的產品。此外，汽車電子需求爆發，進一步帶動MCU、功率半導體自給率穩步走高。雖然模擬晶片受海外價格戰短期承壓，但長期替代趨勢不改。Part.06 大摩點名四大方向龍頭大摩在報告中明確看好四大領域，全是國產替代核心受益主線：晶圓代工—中芯國際、華虹半導體：AI晶片代工核心平台半導體裝置—北方華創、中微公司、盛美半導體：裝置替代最核心標的晶片設計—瀾起科技（高性能計算）、兆易創新（儲存相關）：長邏輯最順。功率半導體/SiC—車規需求爆發，賽道持續高景氣。Part.07 關鍵判斷：國產半導體黃金三年開啟總結這份報告，大摩核心觀點非常清晰：中國半導體自給率提速，不是單點突破，是系統升級。AI GPU提供最強彈性，儲存晶片提供最穩支撐，裝置與製造築牢底層底座，三大力量共振，把自給率推上新高。未來三年，是國產晶片從“能用”到“好用”、從“可用”到“市佔率第一”的關鍵期。AI商業化落地進度，將決定這一波國產替代的最終高度。一場由技術、產能、需求共同驅動的半導體大浪潮，已經正式啟動。 (智通財經APP)

隨著人工智慧與大語言模型對高性能、低功耗晶片的需求激增，傳統矽基電晶體微縮逼近物理極限，二維半導體材料被視為後摩爾時代的重要候選技術。中國科學家近日在二維半導體晶圓級生長領域取得重要進展，開發出生長速度提升1000倍的新方法，為產業應用奠定基礎。然而，技術路線中“缺p型”材料的瓶頸，仍是制約亞5奈米節點二維晶片發展的核心難題。二維半導體通過摻雜可形成n型（電子導電）和p型（空穴導電）兩種材料，二者需配對構成電晶體。當前，二硫化鉬、二硒化鉬等n型二維半導體較為豐富，但高性能且穩定的p型二維半導體極為稀缺。國防科技大學研究員朱夢劍在《科技日報》的報導中指出：“晶片中的電晶體需要n型和p型材料配對工作。高性能p型材料的缺乏，已成為亞5奈米節點二維半導體發展的關鍵瓶頸，也是國際科技前沿的激烈競爭領域。”二維半導體具有原子級厚度、無懸掛鍵表面和優異的柵控能力，可在極短溝道長度下抑制短溝道效應，有望延續摩爾定律。此次中國團隊在生長速率上的突破，為大規模、低成本製備高品質二維晶圓提供了可行路徑。然而，從材料生長到器件整合，仍需解決p型摻雜穩定性、金屬-半導體接觸電阻等一系列工程難題。業內專家表示，若能在p型材料上取得同步突破，中國有望在下一代晶片技術競爭中佔據有利位置。 (晶片行業)

盤面震盪加大、消息面也不平靜，很多投資人不知道現在該積極還是保守，真正重要的從來不是一天的漲跌，而是資金正在往哪裡移動、主流族群是否仍在延續。從今天盤面的細節來看，市場並沒有因為雜音而失去方向，反而更清楚透露出接下來的操作主軸。〈量縮震盪屬正常換手，盤面主導權仍在多方〉今日台股成交量7788億元，屬於高檔量縮整理格局，雖然盤中震盪劇烈，但從買賣盤數據來看，整體結構其實仍在改善，創高過程中伴隨獲利了結賣壓，本來就是健康的換手現象，相較之下，櫃買指數持續創高更具代表性，說明目前盤面並非全面熄火，而是資金進一步集中到中小型股與題材股身上，強勢股數量持續擴散，也再次印證智霖老師所說，現在就是標準的個股表現行情，現階段看盤不能只盯著指數高低，更要看誰在創高、誰在轉強，因為真正有機會的地方，往往已經在個股上先行表態。〈外資短線觀望，市場焦點回到法說與基本面〉週末國際談判不順，使油價反彈、美元回升，新台幣面臨一定貶值壓力，也讓外資今天買盤略為收斂，不過市場對戰事消息的反應其實已逐漸鈍化，開始重新聚焦在企業基本面與接下來的重要法說題材。本週最大焦點無疑是台積電(2330-TW)法說會，法人普遍預期內容不會太差，加上台積電(2330-TW)3月營收與首季表現都相當突出，也讓市場對半導體與AI需求延續抱持正向看法，根據歷史經驗，法說會前市場偏多解讀的機率不低，但後續仍要冷靜觀察是否出現利多不漲的訊號。〈免費下載【陳智霖分析師APP】，掌握第一手盤勢資訊與信用籌碼名單〉APP選股會員每月僅限額招收，名額有限，每週都會提供最新「信用籌碼疑慮名單」，邀請您點選連結下載【陳智霖分析師APP】：https://lihi.cc/zwrii〈主流族群輪動加快，操作重點在節奏與配置〉先前回檔至季線附近的封測指標股重新轉強，盤中大漲並站回所有均線，代表籌碼已完成換手，後續仍有續攻空間，受惠半導體需求帶動的廠務概念股，也在3月營收表現下同步轉強，具備再挑戰波段高點的條件。另一方面，上週分享的股王概念股今日開低走高，拉出月線破底翻型態，低價光通訊族群雖然盤中一度拉回，但關鍵結構並未遭到破壞，短線依舊值得正向看待，至於ASIC核心持股世芯-KY(3661-TW)，目前已連續上漲並穩穩站回整理平台，市場對其後續營運發酵仍有期待。在基本面維持正向、內資主導個股輪動的環境下，操作上要把長短線持股分開看待，短線獲利部位可適度調節、保留資金彈性，長線核心持股則可續抱，跟著主流趨勢穩健應對。邀請投資人下載【陳智霖分析師APP】，即時資訊都會在APP內第一時間分享，每週也會更新信用籌碼疑慮名單，幫你避開風險、鎖定機會。最新影音(請點影音上方標題至Youtube收視品質會更佳)https://youtu.be/4--y5ZUZF54〈立即填表體驗諮詢陳智霖分析師會員服務〉忠實粉絲請先完成填表申請，體驗每週精選操作名單、盤中到價盤中通知與即時策略更新。跟著我們卡位「五路財神」，面對震盪行情，理性分析與數據判斷是關鍵，立即填表跟上專業：https://lihi.cc/RFzlE錢進熱線02-2653-8299，立即邁向系統依據的股票操作。文章來源：陳智霖分析師 / 凱旭投顧

01 前沿導讀據科技日報發佈新聞指出，美國議員提出的MATCH法案在多個維度全面升級對中國晶片產業的制裁打壓。其核心推動者查克·舒默以及約翰·穆勒納爾認為，此前美國的制裁措施要比盟友國更加嚴格，這導致中國企業趁機大量採購盟友國企業的先進製造裝置。MATCH法案將會對盟友國提出管制要求，荷蘭、日本等國需要在150天內對齊美國的出口管制標準，不然美國將會對盟友國的企業動用“外國直接產品規則”，強制性叫停具有美國技術的裝置出口。02 四條規定MATCH法案包含以下四條規定：1、確定相關國家企業無法自主製造的半導體裝置清單。2、禁止向相關國家繼續提供製造裝置和相關技術，對此前已出售的裝置實施售後方面的限制。3、將中芯國際、華虹集團、長鑫儲存、長江儲存、華為這5家中國企業所需的所有晶片裝置列入受管制清單中。4、確保出口管制的統一性，要求盟友國在150天內對其美國的出口管制標準，否則美國將啟動“外國直接產品規則”。此次法案來勢洶洶，不但將5家中國科技巨頭劃入全面出口管制的清單當中，而且還要求盟友國在150天內把出口管制標準與美國對齊，對中國企業實施更加全面的出口管制。在這5家中國企業當中，中芯國際與華虹集團是晶圓製造工廠，並且這兩家是中國大陸地區規模最大、技術儲備最足、資源投入最多的本土晶圓廠，可以代表中國大陸地區最先進的晶片製造技術。而長鑫儲存與長江儲存則是中國最大的兩家儲存晶片製造商，長鑫儲存負責DRAM記憶體製造，長江儲存負責NAND快閃記憶體製造。這兩家儲存晶片製造商均已經掌握了較為先進的自主技術，大幅度縮短了與國際企業的技術差距，而且依靠國內手機品牌的支援，兩家企業均實現了自主晶片的商業化發展。華為則是美國製裁清單的“老使用者”，從2018年開始，美國就一直在對華為進行限制，先禁止華為使用美國供應鏈設計晶片，隨後又禁止台積電給華為代工晶片，最後則是切斷國際供應鏈與華為的合作。雖然華為只是一個民營企業，但是其橫跨了通訊、晶片設計、終端產品銷售等多個業務類股，甚至還佈局自主作業系統與ai產業。從產業規模上面來看，華為有一種“中國版英特爾”的發展趨勢。這5家企業分別代表了中國在晶圓製造、儲存晶片製造、晶片設計這3個領域中的門面，MATCH法案對這幾家中國門面企業實施完全體的出口管制，相當於給中國半導體產業的“七吋”位置來了一拳，危機感十足。03 法案影響此前美國制定的出口管制都是有明確的技術標準，比如禁止那些製造18nm DRAM記憶體晶片、14nm及以下邏輯晶片、128層及以上NAND快閃記憶體晶片所需的裝置出口。這些制裁標準都是卡在了先進晶片與成熟晶片的分界點，只是限制了中國企業先進晶片的發展，並沒有限制中國企業繼續採購製造成熟晶片所需的裝置。而此次MATCH法案則是將制裁範圍從當初的先進節點擴大至成熟節點，以上5家中國企業無論是發展先進晶片還是發展成熟晶片，均不允許繼續採購海外的製造裝置。法案重點針對的進口裝置有兩個，一個是老生常談的ASML光刻機，另一個是日本東京電子製造的刻蝕機。ASML雖然總部位於歐洲荷蘭，但是其背後與美國資本高度繫結。1997年，ASML加入美國政府和英特爾主導的EUV LLC技術聯盟，攻克EUV製造技術。2001年，ASML收購美國矽谷集團，將美國的光刻機技術納入麾下。2013年，在韓國公平交易委員會、日本公平交易委員會、美國司法部的共同批准下，ASML收購了光源供應商美國Cymer公司。Cymer是ASML DUV光刻機和EUV光刻機的獨家光源供應商，雖然ASML是一家歐洲企業，但是其製造光刻機所需的技術零件與美國資本深度融合，這也是美國可以對荷蘭政府施壓，禁止ASML出口給中國光刻機的主要原因。而日本東京電子對華出口的重點裝置是搭配光刻機使用的刻蝕機，尤其是低溫刻蝕機裝置。低溫刻蝕機可以搭配特定的光刻膠材料實現更加優秀的高深寬比結構，被廣泛應用於製造高堆疊層數的3D NAND快閃記憶體晶片。該裝置可以實現400層甚至是1000層的快閃記憶體顆粒堆疊，其製造效率要比傳統刻蝕機提高了2倍-4倍左右。低溫刻蝕機主要的應用場景就是提升快閃記憶體晶片的製造效率，同時繼續提升快閃記憶體晶片的顆粒堆疊密度，以實現更高水平的儲存速率。SK海力士、三星、鎧俠等日本儲存器製造商，均已經開始使用東京電子的低溫刻蝕機對下一代3D NAND快閃記憶體晶片進行技術評估。低溫刻蝕機屬於是面向未來的產業裝置，含金量相當於中國企業在2018年採購的EUV光刻機，也是美國此次MATCH法案重點針對的裝置。MATCH法案還要求分析中國自主裝置的發展情況，將中國企業可以自主製造以及無法自主製造的裝置羅列出來。對於中國企業可以製造出來的自主可控裝置，美國政府不對同類型的海外裝置實施管制，而那些中國企業暫時無法製造的裝置，美國政府則會大力限制。在上個月結束的上海半導體展會當中，許多中國企業均在展會中亮出了自家推出的自主晶片裝置。只有少部分中國國產裝置達到了國際先進水平，支援5nm節點的晶片製造，大部分裝置的技術水平處於中端層面，正在向高端裝置進發。中國國產裝置可以滿足28nm及以上節點的晶片製造，而14nm及以下晶片需要海外裝置的輔助，這也讓部分歐洲企業以及日本企業從中獲利。此次MATCH法案強迫盟友國家的企業對齊美國的管制標準，這必然會讓那些依靠中國市場獲得經濟增長的企業遭到嚴重損失，從而影響全球產業鏈彼此依賴的合作關係。 (逍遙漠)