第一、二、三、四代半導體材料各有利弊，在特定的應用場景中存在各自的比較優勢，但不可否認的是，中國在第一、二代半導體的發展中，無論是在宏觀層面的市場佔有率、企業佔位或在微觀層面的製備工藝、裝置製造等方面，中國與世界領先水準之間都存在著明顯的差距。 國內可能並且走在世界前沿的半導體材料或者能讓中國在半導體行業實現彎道超車並以此為契機助力中國經濟高品質發展的機會應該是對新型材料的研究與開拓，比如應用場景廣泛、波及產業眾多、產業佔位靠前的在功率、射頻等方面可以大放異彩的氧化鎵材料；其具備製備成本較低、相對環保、性價比更高、材料屬性優勢明顯、工藝製造精妙但成本相對較低優勢等特性。 在第三代半導體發展得如火如荼之際，氧化鎵、氮化鋁、鑽石等第四代半導體材料也開始受到關注。其中，氧化鎵( Ga2O3 )是國際普遍被關注並認可已開啟產業化的第四代半導體材料。 氧化鎵( Ga2O3 ) 在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優勢，此前被用於光伏領域的應用，直到2012年開始，業內對它更大的期待是用於功率器件，全球80 %的研究單位都在朝該方向發展。

隨著數位化、智慧化的時代到來，半導體產業的熱度不斷高漲。尤其是量子資訊和人工智慧等高科技領域的快速發展，推動了半導體以及多功能裝置技術的快速更新和迭代。為適應高性能、低成本的要求，業界將目光投向了第四代半導體，而最受矚目的莫過於氧化鎵。 憑藉一系列優異的材料特性，氧化鎵有望改變目前的復合半導體市場，讓國內的晶片廠商實現彎道超車。但氧化鎵材料仍面臨許多挑戰，本文就其優勢、挑戰和市場前景作了較為詳盡的闡述。 出口管制下的半導體關鍵原料 中國於2023年8月1日起，對半導體原料的鎵、鍺實施嚴格的出口限制。業界對此意見不一，許多人將此舉視為對荷蘭ASML公司加大光刻機出口限制的反應。然而，2022年8月美國在對中國的出口禁令中，也包括了一種高純度半導體材料－氧化鎵。美國商業部的工業安全管理局（BIS）宣佈對耐高溫耐高壓的四代半導體材料－氧化鎵和鑽石，還有專為3nm及以下晶片設計而生的ECAD軟體，都納入了出口管制範圍。