尹志堯：未來五到十年，中微要覆蓋積體電路關鍵領域50%至60%裝置

8月2日，中微公司迎來成立20周年紀念日。同日，總投資15億元的中微臨港產業化基地項目正式落成啟用。

中微公司創始人、董事長兼總經理尹志堯致辭中表示，20年前，中微公司從一張白紙開始決心研發高端半導體裝置，為產業需求提供優質高效和低成本的解決方案。“過去的20年是全球數位時代大發展的20年，也是中國積體電路產業急起直追、國產化處理程序加速落地的20年。”

在尹志堯看來，“中微公司抓住了每一次技術更新的機遇，抓住了一次次政策改革的機遇。下一個20年，公司要實現新的跨越。”尹志堯稱，立志將中微公司打造成為“積體電路微觀加工裝置的百年企業”。

值得一提的是，中芯國際創始人張汝京、長江儲存董事長陳南翔在中微公司20周年慶典活動中露面並致辭。

▌20年曆程多裝置線突破發展

回顧中微公司二十年發展歷程，從尹志堯博士2004年歸國創立僅有15人團隊的中微，到如今，這家公司已逐漸成長為全球員工超過兩千人。同時，中微股份也從張江高科技園區內一間不起眼的辦公室，逐步發展為廠房和辦公樓面積即將達到45萬平方米的規模。

從2007年首台刻蝕裝置、薄膜裝置研製成功並運往國內客戶，到2024年，中微公司累計已有超5000個反應台在國內外130多條生產線實現量產和大規模重複性銷售。

尹志堯表示，半導體微觀加工裝置產業是數位產業的基礎。中微公司刻蝕機包括CCP高能電漿刻蝕機、ICP低能電漿刻蝕機。憑藉行業首創的刻蝕裝置雙台機技術，中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念，其刻蝕精度已達到100“皮米”以下水平，且產品具備刻蝕應用覆蓋豐富等優勢，可滿足90%以上的刻蝕應用需求，技術能力已覆蓋5納米及以下更先進水平。

MOCVD裝置方面，中微公司已在氮化鎵及LED裝置市場，取得具有優勢的佔有率。中微公司自推出第一代MOCVD裝置以來，不斷豐富產品線且快速升級迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基裝置領域，中微公司的市場佔有率居前，並持續開發用於氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件製造的MOCVD裝置。

在半導體薄膜沉積裝置領域，中微公司推出了Preforma Uniflex CW等新產品，獲得客戶重複性訂單並實現業務多元化發展。今年，中微公司計畫將推出超過10款新型薄膜沉積裝置，進一步擴大薄膜沉積領域產品覆蓋度。

此外，中微公司新開發的硅和鍺硅外延EPI裝置、晶圓邊緣Bevel刻蝕裝置等多款新產品，也會在近期投入市場驗證。

值得關注的是，整合產業鏈上下游相關資源也是中微公司面向未來發展的一項發力點，通過積極考慮投資和併購，推動該公司更快發展。中微公司預計，在未來的五到十年，將通過自主研發以及攜手行業合作夥伴，覆蓋積體電路關鍵領域50%至60%的裝置。

▌臨港產業化基地啟用

中微公司臨港產業化基地8月2日正式啟用，該基地佔地約157畝、總建築面積約18萬平方米，項目基礎建設總投資約15億元。

據瞭解，該項目配備行業先進實驗室、高標準潔淨室、先進生產車間及智能化立體倉庫等設施，可實現生產全程數位化、智能化管理，將能夠為該公司進一步強化生產能力、研發能力和科技創新水平提供支撐。

目前，位於上海滴水湖畔的中微臨港總部暨研發大樓也正在建設中，建成後佔地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產和研發基地總面積將達到約45萬平方米。

“首過往的二十年，中微公司實現了從一到十的進展。展望下一個二十年，我們要實現十到一百的跨越。”尹志堯博士表示，立志將中微公司打造成為半導體積體電路微觀加工裝置的百年企業，同時中微目標在2035年在規模和競爭力上成為全球第一流的半導體裝置公司。

尹志堯博士是1944年生人，今年已有80歲。他在現場表示，他對中微公司的發展前景有充分信心，同時期待20年後在慶祝中微公司40周年之時再相聚。

在8月2日的中微公司20周年慶上，中芯國際創始人張汝京、長江儲存董事長陳南翔出席活動，並作為中微公司的客戶或合作夥伴致辭。

張汝京回憶了中微公司創立前，自己鼓勵尹志堯博士回國創業，並在中微股份2007年推出第一台雙腔刻蝕裝置後中芯國際當即採購使用的經歷。

陳南翔發言稱，國內做半導體裝置的公司很多，在真正有創新力的企業中，中微公司是典型代表。“20年來中微公司也成就了國內半導體裝置產業，並為行業留下了許多難得的發現機遇。” (科創板日報)