三星重金對抗SK海力士和台積電

人工智慧（AI）計算所需要的「高頻寬儲存器（HBM）」的市場正在快速擴大。韓國SK海力士領先，一直處於供不應求的狀態。為了在預計傳輸速度提高4成的新一代產品領域守住陣地，SK海力士將與台積電（TSMC）進行合作。開發落後的韓國三星電子則以資金為武器嘗試逆襲。

在7月25日的財報發佈會上，SK海力士的首席財務官（CFO）金祐賢表示：「AI半導體的開發速度正在加快。這對於作為行業領導者的我們來說，是一個有利的環境」。

SK當天公佈的2024年2季度（4月~6月）銷售額為16兆韓元，是去年同期的2.3倍。最終損益為盈利4兆韓元（去年同期為虧損2兆韓元），作為2季度銷售額創出6年來的新高。SK的HBM訂單已經排到了2025年。

HBM是一種通過堆疊臨時儲存資料的DRAM來提高儲存容量和資料傳輸速度的儲存器。它作為AI計算中使用的圖像處理半導體（GPU）的輔助角色，負責記錄計算過程。GPU與HBM之間的資料交換速度越快，AI的性能就越高。

SK的最尖端產品「HBM3E」，每個輸入輸出端子（引腳數）的資料傳輸速度為8Gbps。據說每秒可以處理230多部全高畫質電影。

三星是全球最大的儲存器廠商，在DRAM領域佔據42.3％全球市佔率。但在HBM領域，SK佔據52.5％市佔率，超過三星。

HBM的開發競爭圍繞這兩家公司展開。SK在2013年率先開發HBM，三星則從2015年開始正式開發。到2020年左右三星一度領先，但隨著SK在2023年8月開發出最尖端產品「HBM3E」，SK實現反超並進一步拉開了差距。

三星被指「過度執著於半導體的微細化」（美國的半導體商社）。半導體的性能隨著電路線寬微細化而提高。三星憑藉強大的資金實力持續追求微細化，但尖端產品的電路線寬已達到10奈米等級，技術開發的難度增大。

另一方面，SK則從堆疊DRAM的方法中找到了出路。該公司還率先與材料廠商建立關係。SK與日本NAMICS（位於新潟市）等公司共同開發出了生產最尖端產品不可或缺的封裝材料，並簽訂了獨家供應合同。

SK目前正在與台積電共同開發新一代HBM產品，目標是2025年開始量產。據稱，新一代產品的傳輸速度將提高4成。台積電正在為佔據GPU市場9成的美國輝達（NVIDIA）進行代工生產。SK通過與台積電合作，間接與輝達強化關係。

三星在取得輝達的最新AI半導體認證方面落後。美國摩根士丹利（Morgan Stanley）的Shawn Kim指出：「三星面臨市佔率下降的風險」。高盛的Giuni Lee預測稱：「未來2～3年，SK將在尖端HBM產品領域保持超過50％的份額」。

為了挽回局面，三星更換了半導體部門的一把手。該公司打破了年底宣佈高管人事安排的慣例，在2024年5月提前宣佈了人事任命。試圖通過不同尋常的人事安排來加強內部團結，同時三星也在與日本材料廠商積極建立關係。

HBM的更新換代速度很快。一般來說每更新一代產品，傳輸速度就會提高到1.5～2倍左右。因此，如果能搶在競爭對手前面推出尖端產品，就能在其他公司趕上之前獲得利潤。產品更新換代是扭轉勢力格局的良機。

精密堆疊微細半導體的技術難度越來越高，生產裝置也越來越貴。SK將在截至2028年底的5年裡進行103兆韓元裝置投資，其中8成將用於HBM的技術開發和量產。

三星也在提高HBM在總投資額中的佔比。2024年把HBM供應量增加到上年的4倍，2025年將進一步增加到2倍。

樂天證券經濟研究所的今中能夫指出：「自2024年下半年起，投資競爭將正式開始」。三星的總資產為497兆韓元，是SK的1.5倍。有觀點認為，三星擁有雄厚的資金實力，如果把資金運用到投資競爭中，三星將有望取勝。

HBM被認為已經開始開發未來2～3代的產品。美國美光科技也在尋找機會加入競爭。SK海力士能否保持領先地位？三星能否通過大規模投資迎頭趕上呢？以韓國兩家公司為中心的競爭將會持續下去。 (半導體行業觀察)