中國半導體技術取得重大突破

9月 11日【芯榜】消息，國家電投所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核技術（功率晶片質子輻照）研發中心，完成首批氫離子注入性能最佳化晶片產品客戶交付。

氫離子注入是半導體晶圓製造中僅次於光刻的重要環節，在積體電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品製造過程中起著關鍵作用。

氫離子注入關鍵技術要點：產生氫離子束--注入氫離子--形成氦氣泡與剝離

1、精確控制：氫離子注入的劑量、能量和深度需精確控制，以確保達到預期的材料改性效果。

2、真空環境：注入過程通常在高真空環境下進行，以避免雜質污染和減少離子散射。

3、材料相容性：氫離子注入技術適用於多種材料，包括半導體材料、金屬、陶瓷等，但具體效果可能因材料而異。

4、後續處理：注入後可能需要進行退火等後續處理，以消除注入過程中產生的缺陷並穩定材料性能。

技術壁壘的突破與國產化的里程碑

國家電投旗下的核力創芯科技有限公司成功完成了首批氫離子注入性能最佳化晶片產品的客戶交付，這一成就標誌著中國在半導體製造領域取得了重大技術突破。

氫離子注入作為半導體晶圓製造中僅次於光刻的關鍵環節，其核心技術及裝備工藝的掌握對於提升中國半導體產業的整體水平至關重要。

長期以來，該領域的技術及裝備被國外壟斷，嚴重制約了中國半導體產業的高端化發展。核力創芯的技術突破，不僅打破了這一僵局，更補全了中國半導體產業鏈中缺失的重要一環，為半導體離子注入裝置和工藝的全面國產替代奠定了堅實基礎。

自主創新的力量

核力創芯在面臨外國關鍵技術及裝備封鎖的嚴峻挑戰下，堅持自力更生、自主創新的道路，用不到三年的時間，突破了多項關鍵技術壁壘，實現了100%自主技術和100%裝備國產化。這一成就不僅彰顯了中國科技工作者的智慧和勇氣，也為中國半導體產業的自主發展樹立了新的標竿。

首批交付的晶片產品經過嚴格的工藝及可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得了使用者的高度評價。展望未來，隨著核力創芯等企業的持續創新和發展，中國半導體產業有望實現更加快速和高品質的發展，為全球半導體產業的格局帶來深遠影響。

關於國家電投

國家電投，全稱國家電力投資集團有限公司，是中央直接管理的特大型國有重要骨幹企業，成立於2015年5月29日。該公司由中國電力投資集團公司與國家核電技術有限公司合併重組而成，肩負著保障國家能源安全的重要使命。國家電投總資產規模龐大，發電品類齊全，是中國第一家擁有光伏發電、風電、核電、水電、煤電、氣電、生物質發電等全部發電類型的能源企業。其清潔能源裝機佔比高，致力於綠色低碳發展，已成為全球最大的光伏發電、新能源發電、清潔能源發電企業之一。此外，國家電投還積極承擔科技創新責任，推動煤電聯營、水光互補等產業融合模式，為全球清潔能源發展貢獻力量。 (芯榜+)