7000億！長江儲存出貨294層快閃記憶體晶片，中國記憶體晶片全面反攻！

在全球半導體晶片市場，記憶體晶片是一個非常特殊的存在，用量大，是僅次於處理器晶片的第二大品類；但一直被三星、SK海力士、美光以及西部資料等少數國際巨頭所壟斷，中國市場也不例外。

如根據中國海關資料，2024年度中國海關的晶片（積體電路）進口金額27499億元，與去年相比，增長了11.8% 。其中最大類別的是“處理器及控製器”，金額為13719億元；其次就是進口“儲存器”7000億左右，佔據全部進口額的四分之一左右。

但隨著近期國產記憶體晶片技術的持續突破，以及國產儲存廠商的崛起，國產記憶體晶片也迎來了全面反攻的時代。

根據TechInsights最新消息，國產快閃記憶體巨頭長江存儲已開始出貨其第五代3D NAND記憶體晶片，該晶片共有294層，有232個有效層。

據瞭解長江存儲最新的3d NAND記憶體晶片的位元密度接近每平方毫米20Gb（19.8 Gb/mm²），與SK海力士目前的主流產品相當，接近鎧俠/西部資料的最新產品。也就是說，長江存儲最新的記憶體晶片不僅已經追上市場主流產品，基本上擺脫了美國製裁的影響；其量產第五代NAND產品，讓產品密度迭代走上了正軌。

尤其值得注意的是，此次長江存儲新晶片採用的是Xtacking 4.0架構和三級單元(TLC) 設計。儘管尚未揭露介面速度等詳細效能指標，上述參數與主要競爭對手的架構類型相符。

當然，在全球NAND技術上，SK海力士和三星依然走在前面。據說在技術方面，SK海力士已經成功量產了321層NAND快閃記憶體，市場也一直傳言即將推出321層的晶片。另外，根據媒體科技媒體消息三星已成功開發了400層堆疊NAND快閃記憶體技術，並計畫於2025年下半年開始量產。

相較於SK海力士和三星，長江存儲於快閃記憶體技術儲備正快速追趕之中，據說長江存儲的Xtacking 5.0架構已基本開發完成，不久將來使用Xtacking 5.0架構及技術，即可與SK海力士的321層晶片相匹敵，甚至實現某種程度的超越。

同樣的另一家國產記憶體晶片的龍頭——長鑫存儲，其於剛剛推出了國產DDR5第七代記憶體，打破了三星、SK與美光在DDR5上的壟斷。

根據業內人士的判斷，國產DDR5的工藝，或在17.5nm左右，和三星等主流國際大廠的水平，雖然有差距，但也差距不大了。

根據數位部落客拆解國產DDR5後的資訊：國產DDR5晶片的尺寸為8.25×8.25毫米，面積68.06平方毫米，比三星最新的DDR5產品，大了40%左右，但和三星第一代DDR5，以及美光、SK海力士的第一代DDR5尺寸差不太多。

這意味著，目前國產DDR5產品在技術上確實已經不輸給國際頂尖水準了，雖然較它們最先進的產品，還會有一點點差距，但或許很快就能夠追上。

另外，值得特別一提的是，隨著人工智慧浪潮的興起，以及AI應用的急劇增長，推動了全球HBM記憶體晶片的高歌猛進。目前根據市場消息已經有三家國產半導體廠商投產，分別是：長鑫儲存、武漢新芯以及通富微電。詳細參看：擋不住！中國攻克HBM2記憶體；已有三家廠商投產！

因此，雖然過去的一年進口了將近7,000億的記憶體晶片，但隨著國產半導體產業鏈的不斷推進，以及國產先進製程技術的突破和良率的提升，國產記憶體晶片正在形成集體突破的態勢，或許2025年將是國產記憶體晶片全面反攻的一年。 （飆叔科技洞察）