2月27日，台灣儲存器模組行業傳來突發消息。SK海力士正式通知，新年後DDR5儲存器顆粒將加價40%。昨日，已有部分儲存器模組廠商緊急暫停對外報價，等待成本重新核算。台灣《PCDIY!》資深記者Rose Lee的判斷，更是讓整個裝機圈心頭一緊。這次漲價來得毫無預兆。儲存器模組業者2月27日確認，SK海力士的調價通知已正式下達。漲幅高達40%，直接鎖定新年後DDR5顆粒的供貨價格。消息傳出當天，多家模組廠立刻暫停報價。他們需要重新測算成本，避免在漲價節點出現虧損。此前市場普遍認為，第一波漲價已進入尾聲，沒想到第二波來得更快更猛。Rose Lee的預測，刷新了市場對漲幅的認知。她明確表示，新一波漲價會“一浪接一浪”，且節奏極快。當前DDR5主流32GB規格，價格約在新台幣1萬元級距。按照40%的成本加價傳導，終端價格將直衝新台幣2萬元大關。這意味著，主流消費級記憶體的價格，將在短時間內實現翻倍。對普通裝機使用者而言，這個價格已經超出了常規預算。市場並非沒有緩衝空間。全球店家、盤商和代理商，此前在低價期囤積了不少庫存。不少散戶和DIY玩家，也趁價格低位入手了備用記憶體。這些平價庫存，確實能延緩終端價格上漲的速度。但Rose Lee強調，成本加價40%的影響不可逆。一旦平價庫存消化完畢，新成本的產品上架，價格必然沖上新高。SK海力士此前表態，全球儲存器產業已徹底轉向賣方市場。行業整體庫存僅剩約4周，供需關係嚴重失衡。AI伺服器對DRAM的海量需求，持續擠佔消費級產能。新年後是PC行業的傳統備貨季，原廠選擇此時提價，精準卡位市場節奏。定價權牢牢掌握在頭部原廠手中，模組廠和終端市場只能被動接受。首當其衝的是DIY裝機黨和普通升級使用者。32GB DDR5若突破2萬台幣，裝機成本將大幅飆升。不少使用者的升級計畫，可能會直接擱置。儲存器模組廠商夾在中間，壓力最大。上游成本暴漲，下游議價能力弱，利潤空間被持續壓縮。品牌PC廠商也無法倖免，惠普已預警，今年記憶體儲存成本佔比將接近翻倍。 (1 ic芯網)

2月26日消息，據外媒報導，部分DDR5記憶體開始降價了！德國幾款 DDR5 記憶體產品的價格似乎已從 1 月份的峰值回落。顯然，天價阻礙了人們購買產品，反過來又導致價格略有回落。價格跟蹤機構表示，愛國者、Crucial、金士頓和海盜船等熱門 OEM 廠商的 DDR5 記憶體套件價格均已從 1 月份的峰值明顯回落，但顯然仍遠遠高於去年的價格。從目前的市場情況來看，即使是輕微的下降也足以讓玩家鬆一口氣了。以美國為例，Crucial 32 GB DDR5-6400 套件目前在亞馬遜的售價約為 360 美元。與 2025 年 12 月的歷史高點相比，美國的價格似乎也穩定了不少。有網友一直在追蹤32GB DDR5記憶體套裝在歐洲的價格，給出了一條奇怪的曲線。去年9月和之前，價格一直很穩定，大約95-100歐元，之後一路飆漲，到上個月已經高達430-470歐元。但在最近，價格開始下探了，來到了370-420歐元左右。亞馬遜資料顯示，海盜船32GB DDR5-6000由2月初480歐元降至425歐元，金士頓同規格由1月初550歐元降至463歐元。該回落僅出現在部分產品及管道，整體仍處高位，國內多數DDR5價格亦持續高企。不過，這只是從價格峰值上稍有回落，並不代表整個行業降溫了。 (國芯網)

但願吧PCPartPicker的資料顯示DDR4和DDR5記憶體價格近期漲勢放緩，表現出穩定性。但分析師指出，這並非供應短缺結束，而是經銷商為了在農曆新年前提高現金流、回籠資金，選擇在此時拋售庫存，導致價格暫時回落。近期飽受記憶體漲價之苦的玩家可能發現，DDR4 和 DDR5 記憶體的價格走勢似乎在過去幾天“冷靜”了下來。然而，科技媒體WCCFTech今日發佈預警稱：千萬不要被這種表面的平穩所迷惑，記憶體市場的“至暗時刻”遠未結束。通過追蹤 PCPartPicker 等平台的價格資料可以發現，DDR4 和 DDR5 記憶體的漲幅確實出現了“抹平”跡象。但分析師twi@jukan05 指出，這並非因為記憶體缺貨問題得到瞭解決，而是受到農曆新年的影響。隨著農曆新年的臨近，管道商和經銷商為了改善現金流、回籠資金，正在通過降低價格或減少溢價的方式加快庫存周轉。換句話說，現在的價格平穩更多是分銷環節的“甩貨”行為，而非上游供應端的降價。與零售端短暫的“溫和”不同，上游供應鏈傳出的訊號極為嚴峻。由於全球 AI 基礎設施建設對 HBM（高頻寬記憶體）、DDR5 以及 LPDDR5 的需求幾近瘋狂，三星、SK 海力士和美光等巨頭已將產能重心傾斜。此前有報導稱，記憶體供應商在談新一季度的 DRAM 合約時，報價漲幅甚至達到了驚人的 125%。在這種“賣方市場”下，供應商不僅不再讓步，甚至在合同中硬性寫入了調價條款，以確保利潤最大化。受到記憶體供應短缺的影響，已有部分 PC 硬體的發佈被迫推遲或變相漲價。分析指出，隨著 AI 算力需求的持續擴容，2026 年記憶體價格預計將維持上行通道。消費者最為關心的，莫過於到底什麼時候能用到原價記憶體。這就不得不談到前段時間我已經寫過好幾遍的文章，關於當前是國產儲存崛起的最佳時機。目前已知，專注於NAND技術的廠商實際上在兩年前已開始進行DRAM技術的研發，也就是說在明年，我們能看到的不僅僅是只有一家國產記憶體大廠。因此，當時間線拉到2027年，預計最快在明年第二季度，我們能看到記憶體熱度的急劇下降，而隨著新勢力的進場，國際記憶體市場也將進入新一輪洗牌。 (AMP實驗室)

美光是全球最大的記憶體製造商之一，在人工智慧（AI）和消費級市場均憑藉行業領先的產品佔據主導地位。隨著AI領域對DRAM（動態隨機存取儲存器）模組的需求激增，有一種觀點認為記憶體供應商應對此局面負責。近日，美光行銷、移動及客戶端業務部門副總裁克里斯托弗·穆爾在接受採訪時介紹了記憶體短缺的相關情況。儘管投入巨大，記憶體短缺2028年前難有改善對於美光為何退出了“英睿達（Crucial）”消費級業務，記憶體供應商是否更傾向於服務AI領域而忽視消費者？穆爾的回應如下：  “首先，我希望幫助大家理解，至少從我們的角度來看，這種認知可能並不完全精準。我從不希望指手畫腳或否定他人的想法，但我們的立場是始終致力於為全球消費者提供支援，只是換了不同的管道。我們在客戶端和移動市場仍保有相當規模的業務，同時也在為資料中心客戶提供服務。”“當前，資料中心的總體潛在市場（TAM）正以驚人的速度增長，作為企業，我們也希望助力這一市場的發展。”  美光表示，其原始裝置製造商（OEM）消費級管道佔據了公司市場份額的很大一部分。可能有部分使用者對此並不瞭解：美光直接向戴爾、華碩等整合商供應LPDDR5等記憶體模組，這些製造商隨後會將這些模組重新封裝到自己的產品設計中。穆爾稱，儘管退出英睿達業務給外界造成了“美光拋棄消費者”的印象，但實際上，這家美國製造商通過OEM模式仍在消費級供應鏈中佔據重要地位。穆爾表示，美光與所有PC品牌都保持著記憶體模組供應合作，但目前無法忽視來自AI領域的需求。美光及其他廠商紛紛佈局AI行業的核心原因是，DRAM製造商的總體潛在市場（TAM）正快速擴張，從商業角度而言，美光無法忽視這一領域日益增長的需求。“目前，各類資料中心正在加速建設，企業級或資料中心業務的總體潛在市場（TAM）佔比不斷提升——過去是30%、35%，後來達到40%，如今已增至50%、60%，整個市場對儲存容量的需求遠超以往。而整個行業都面臨供應短缺的問題，這一點值得大家理解。”  “這並非美光一家的問題，而是全行業的挑戰。我們與同行及競爭對手都在盡力滿足這些領域的需求，但供應總量確實無法覆蓋所有需求，這是一個非常遺憾的局面。但我認為至關重要的是，大家要知道我們仍在服務消費級市場。”在訪談中，穆爾強調AI領域的重要性不容忽視，但與此同時，美光也在盡最大努力滿足消費者需求。不幸的是，DRAM需求的突然激增導致了短缺，讓美光等企業幾乎沒有時間調整供應鏈。為何工廠擴建無法短期內解決記憶體短缺談及產能擴張，這絕非簡單地在供應鏈中添置新裝置就能增加DRAM產量。美光表示，當前短缺問題的核心癥結在於需要解決記憶體模組的容量多樣性需求——簡單來說，若蘋果同時需要8GB、12GB和16GB的模組，美光就必須切換裝置以滿足不同產出要求，這會導致產能下降。在AI熱潮興起前，供應商別無選擇，只能滿足各類定製需求，但如今市場格局已發生變化。“大家可以想像一下：如果一家工廠的多台裝置都在生產某一種晶片，之後卻不得不停止這些裝置，轉而生產另一種晶片，產出量必然會減少。實際情況雖更為複雜，但這是最通俗易懂的解釋。目前我們正在努力減少晶片的生產種類，儘可能降低差異化產品的數量，以最大化產能。同時，我們也在與客戶溝通協作。”“我們會告訴客戶：‘我們理解你們過去希望將記憶體從12GB升級到16GB，或從16GB升級到24GB，但這類頻繁調整會導致我們的產能下降。’因此，我們正與客戶合作，力求需求穩定，從而實現供應穩定，進而最大化產能。”  這一表述也印證了此前的報導——筆記型電腦和智慧型手機製造商目前正考慮限制記憶體配置選項。對美光而言，這是短期內確保穩定產能利用率的最佳解決方案。更重要的是，在AI熱潮下，鑑於客戶對計算能力的要求，DRAM代際切換的需求比以往任何時候都更為迫切，這意味著美光需要更頻繁地調整新裝置和生產機制。穆爾表示，美光的工廠擴建計畫要到2028年才能產生實質性效果。因為工廠建設和客戶認證需要大量時間，且AI客戶對技術和產能利用率的要求極高，新建工廠的流程變得更為複雜。“相關擴建計畫確實在推進中。但要大幅提升儲存容量產出，需要更多潔淨室空間，而這需要耗費大量時間。三年前，美光在愛達荷州的ID1工廠破土動工，原計畫2027年底投產，現已提前至2027年年中。但即便如此，在完成所有資質認證、客戶驗收、裝置偵錯及全面投產等工作後，要實現真正有意義的產出，還得等到2028年。”記憶體製造商們正爭相建設新的生產線，但流程限制最終迫使他們將時間表推遲多個季度。這意味著對普通消費者而言，DRAM短缺可能還會持續相當長一段時間，至少在AI需求開始回落之前難以緩解。美光與中國市場中國的長鑫儲存（CXMT）推出了DDR5解決方案，並計畫進行大規模首次公開募股（IPO）。長鑫儲存是全球第四大DRAM製造商，據報導其具備擴大DRAM產量的充足資源，因此有消息稱惠普可能會將長鑫儲存的記憶體模組整合到其消費級產品中。在被問及美光是否認為中國供應商會搶佔其在消費級市場的份額。穆爾表示，美光歡迎來自全球任何地區的競爭。“中國本土的供應能力多年來一直在逐步提升，這些廠商在其專注的市場領域表現出色。”“他們並非覆蓋所有市場，但在目標領域做得非常好。在我看來，競爭能讓我們變得更強大——我一直秉持這一觀點。如果遇到競爭，我們需要挺身而出、積極應對、精益求精。因此，我歡迎來自任何地區的競爭，無論其源自何處。這只會讓我們公司變得更好，也能幫助我們更優質地服務客戶。”美光表態明確，記憶體短缺前路漫漫 我們與美光的訪談聚焦於記憶體短缺的核心問題，尤其是從消費級市場的角度出發。綜合討論內容可以得出一個明確結論：DRAM短缺短期內不會消失。無論是供應商、原始裝置製造商（OEM）還是供應鏈中的其他環節，都處於困境之中，可供選擇的解決方案寥寥無幾。  與所有供應商一樣，美光正通過工廠擴建、DRAM工藝升級和供應鏈最佳化等措施來確保穩定供應，但這些努力的“成果”還需要很長時間才能惠及普通消費者。 (半導縱橫)

在PC硬體市場，“買新不買舊”是不少人的準則，但近期這一規律正被暴漲的記憶體價格打破。由於近期DDR5記憶體價格翻了數倍，組裝新一代平台的成本急劇攀升，這導致大量消費者開始“開倒車”，重返更加成熟、性價比更高的DDR4陣營，從而直接推高了AMD AM4老平台的銷量。德國知名零售商Mindfactory的資料顯示，AM4 CPU銷量正在快速攀升，僅在過去兩周內，AM4 CPU的銷量佔比就從24%暴增至34%，幾乎佔據了三分之一的CPU銷售份額。與此同時，原本佔據主導地位的AM5 CPU，其銷量份額從兩周前的70%下降至如今的不足60%，整體銷售榜單中，AM4平台的銳龍5000系列CPU共有三款進入前十名，而在前二十名中更是佔據了九個席位。在美國亞馬遜的CPU銷售榜單上，AM4平台同樣展現出強勁的勢頭，共有四款CPU進入前十名，前二十名中則有九款AM4 CPU。最令人意外的是，發佈已久的銳龍5 3600竟然衝到了亞馬遜CPU暢銷榜的第6位。甚至如果不是AMD此前停產了5800X3D和5700X3D等處理器，老平台銷量可能甚至與現在的7800X3D和9800X3D叫板。就在這個記憶體漲價關頭，當地時間12月24日上午10時02分左右，韓國京畿道華城市的三星電子華城工廠內一座研究樓發生火災。消防部門在接報後迅速出動30台裝置及77名人員趕往現場，並於10時23分將火徹底撲滅。火災期間，約120人被緊急疏散。目前，韓國警方與消防部門正在對起火原因展開調查。公開資料顯示，三星華城工廠是三星電子在韓國的重要半導體製造基地，主要負責生產DRAM顆粒與NAND Flash儲存晶片。值得關注的是，當前全球儲存晶片正經歷近年來最顯著的價格上漲周期。自今年9月以來，相關現貨價格累計漲幅已超過300%。多位消費電子企業負責人及儲存行業專家指出，這一趨勢將推動2026年手機、電腦等主要消費電子產品的價格進一步上漲。面對暴漲的價格，多家日本PC商店因無法維持成本及庫存，被迫宣佈暫停接受新訂單，目前至少有三家商店已經採取了暫停訂單的措施，並行布了延遲交貨的預警。這些商店原本就依賴於穩定的零部件供應和價格，但如今，記憶體和儲存的短缺以及價格的劇烈波動，使得他們現有訂單都難以履行，更不用說接受新的預訂了。首先是Sycom，其於12月16日至19日暫時關閉了其網站的訂單系統，儘管隨後重新開放，但交付時間預計將比以往更長。緊接著是TSUKUMO，旗下的G-Gear和eX.computer兩大整機品牌已全面停止接單，並宣佈2025年餘下的日子裡不再接受訂單。Mouse Computer於12月23日發佈聲明，宣佈包括NEXTGEAR、G-TUNE及DAIV在內的所有主力PC品牌從即日起至2026年1月4日暫停銷售。Mouse Computer坦言，此舉是為了維持對現有客戶的服務質量，不過更令玩家心碎的消息是，當恢復預定時，迎接消費者的將是上調後的“新價格”。(硬體世界)

對於PC DIY玩家而言，過去幾個月可能是近十年來最糟糕的時刻。DDR4和DDR5記憶體價格不斷飆升，固態硬碟在悄然跟漲，甚至顯示卡廠商也在密謀漲價，組裝電腦成本每天都在變得昂貴，一部分人選擇繼續等待，一部分人選擇降配省錢，也有一部分人無奈選擇高價買入。但更壞的消息已經出現，美光科技宣佈，將在2026年2月底前全面關閉旗下營運了29年的Crucial消費品牌業務，這個曾經在DIY市場上以物美價廉的原廠品牌，正式退出歷史舞台。這一決定並非突然。美光首席商務官Sumit Sadana直言不諱地指出；“AI驅動的資料中心增長引發了對儲存器的需求激增。美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務，以改善對更大規模、戰略性客戶的供應和支援。”在三大原廠之一的美光看來，消費級記憶體和SSD處於自己產品組合中利潤率最低的一端，需要在高度波動、價格競爭激烈的市場中掙扎。相比之下，資料中心和企業級產品能鎖定長期合同、更高的平均售價和更可預測的需求。除此之外，目前AI基礎設施對儲存晶圓的需求早已達到了前所未有的程度，這意味著每一片分配給消費產品的晶圓，都會造成超大規模資料中心客戶或企業合同的交付延誤。而即便是縮減規模的消費業務，仍需要最低限度的供應鏈支援，包括產品開發、韌體驗證、合規測試、銷售團隊、零售關係和全球保修營運，這些固定成本在產量縮減時幾乎不會下降。不止是美光，三星和海力士也是如此，對於這些巨頭來說，完全關閉消費業務、釋放產能和研發資源用於HBM4/HBM4E、企業級固態硬碟和高密度伺服器記憶體模組，似乎就是最理智的戰略選擇。美光，打響HBM突圍戰在宣佈退出消費市場的同時，美光正在日本西部籌劃一場規模空前的產業佈局。據知情人士透露，美光將投資1.5萬億日元（約96億美元）在廣島東廣島市建設下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片生產廠。這座新工廠計畫於2026年5月開工建設，目標是在2028年左右開始出貨HBM晶片。日本經濟產業省將為該項目提供高達5000億日元的補貼。這將是美光自2019年以來建設的首座新工廠，也被定位為世界上最先進的HBM晶片生產基地之一。時機的選擇耐人尋味。今年5月，美光已在廣島工廠首次引入極紫外光刻（EUV）系統用於大規模生產——這是生產先進晶片所需的最昂貴製造裝置。而隨著美中對抗加劇以及台灣地緣政治風險上升，美光此前集中在台灣的先進HBM晶片生產正面臨供應鏈多元化的壓力。日本新廠的建設，不僅能為美光確保關鍵的HBM產能，也使日本能夠在國內獲得AI晶片的核心元件供應。這座工廠預計將幫助美光追趕在HBM技術領域保持領先的韓國SK海力士。然而，美光在HBM競賽中的處境依然嚴峻。根據JPMorgan資料，2024年SK海力士佔據55%的HBM市場份額，三星佔40%，而美光僅有5%。匯豐銀行的資料顯示，美光每月晶圓級HBM晶片產能約5.5萬片，僅為三星（15萬片）和SK海力士（16萬片）的三分之一。更糟糕的是，韓媒報導稱美光的HBM4產品難以滿足輝達嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新設計晶片架構。如果屬實，這將導致量產計畫延遲長達9個月，HBM4上市時間推遲到2026年，並使其無法按時完成輝達訂單。業內人士指出："美光目前甚至難以滿足輝達的訂單量，在結構上根本無法同時滿足GoogleASIC客戶的大規模需求。"這也解釋了為何在GoogleTPU供應鏈中，美光實際上已經退出——產能限制使其無法同時服務多個大客戶，最終韓國企業在規模經濟競爭中佔據了上風。此次關閉 Crucial 品牌、在日本大手筆擴產，是美光為扭轉其在 HBM 競爭中產能落後局面改採取的關鍵舉措。消費級業務的收縮，意味著更多資本、裝置與技術人力可以投入到 HBM 這條高增長賽道。顯而易見，這一決策展現了美光對下一階段競爭格局的清晰判斷。SK海力士，從逆襲到壟斷SK海力士的HBM之路是一部逆襲史。在2016年的Hot Chips研討會上，當美光工程師尖銳批評HBM、力推混合記憶體立方體（HMC）時，SK海力士的演講者只是低調介紹HBM3計畫，並暗諷“即使是小玩家也能從大玩家手中搶走糖果”。那時很少有人能想像，這個在HBM2市場遭遇挫折、內部士氣低落的公司，會在幾年後佔據全球HBM市場62%的份額。轉折點是HBM2E，SK海力士認識到HBM需要與傳統DRAM完全不同的開發方法——必須嚴格遵守客戶時間表和規格，否則什麼也賣不出去。公司組建了跨職能任務小組，高層強調組織敏捷性和跨團隊協調，並在封裝技術上做出關鍵改變——從熱壓縮非導電膜轉向批次回流模塑底部填充，顯著提升了工藝效率和散熱性能。另一個優勢是定製化能力。雖然HBM遵循JEDEC標準，但每個客戶都有獨特要求。SK海力士堅持“客戶永遠是對的”原則，根據需求調整設計。在即將到來的 HBM4 競爭中，海力士同樣將“定製化”視為制勝的關鍵方向。日前，SK 海力士發佈了“全端式 AI 記憶體創造者（full-stack AI memory creator）”願景，以應對這一市場變化。其意圖不僅是提供標準化記憶體產品，而是從 AI 半導體的設計階段就與客戶協同，共同打造“定製化產品”，並提升整體結果。本月 5 日，SK 海力士開放了新一批社招崗位，面向“定製記憶體設計（custom memory design）”領域招募專家。崗位將開放到 15 日，涉及HBM電路設計、物理設計和數字設計。尤其是在“客戶定製化產品”相關的數字設計體系方面，SK 海力士重點招募擁有 RTL 設計、前端和後端經驗的資深工程師。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 數字設計體系的職責包括“與客戶溝通需求、編寫詳細規格”，並補充說明“團隊將在客戶需求基礎上開展 RTL 設計，並與相關部門共同定義 IP（智慧財產權模組）的行為規範”。除了數字設計體系，SK 海力士在其他社招崗位中也強調“客戶定製能力”。例如，HBM 電路設計體系被定義為“與全球頂尖 AI 客戶協作，主導 HBM 技術的組織”；而物理設計體系則“基於代工廠工藝設計套件（PDK）和 EDA 工具，負責實現全定製設計”。值得關注的是，在12月4日發佈的“2026 年組織架構調整與高管任命”中，SK 海力士同樣將重點放在擴大定製記憶體業務上。公司為定製（Tailored）HBM 封裝新設立了良率與質量專責組織，稱這是“為及時應對定製化記憶體市場擴張而做出的調整”。同時，公司也將加強與正在自研 AI 晶片的全球科技巨頭的接觸。SK 海力士計畫在美洲設立 HBM 技術專責組織，以便為客戶提供更及時的技術支援。此外，還將組建“全球基礎設施”組織，加強全球製造競爭力，包括在美國印第安納州建設先進封裝工廠。在美國、中國、日本等關鍵地區，公司將設立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才並強化系統研究能力，同時新設“Intelligence Hub”這一以客戶為中心的矩陣式組織，將客戶、技術和市場資訊整合到一個 AI 系統中，為客戶提供“超預期價值”。SK 海力士所瞄準的“定製化記憶體”已經在行業中逐步顯現。一個典型案例是輝達最近公佈、目標於 2026 年量產的下一代 AI 半導體平台 Rubin。該平台採用 HBM4（第 6 代）作為 GPU 記憶體，CPU 採用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理最佳化的加速器 CPX 則搭載 GDDR7（圖形 DRAM）。一位半導體行業人士指出：“傳統那種把 DRAM 和 NAND 統一掛在 CPU 上的記憶體架構正在瓦解，行業正轉向‘按功能最佳化的記憶體架構’。能否掌握與之匹配的設計與製造能力，正在成為未來競爭力的關鍵分水嶺。”此外，還值得關注的是SK海力士2026年的擴張策略。韓媒報導稱，SK海力士明年除積極擴產HBM外，也將全力擴充通用DRAM產能。HBM新增產能主要集中在本季度竣工投產的清州M15X晶圓廠，而通用DRAM新產能將來自清州M8、利川M10、M14、M16等現有晶圓廠。其預計，SK海力士的通用DRAM產能將在2026年擴大至每月7萬片晶圓，但實際上有望通過進一步擴產提前達到月投片量10萬的2027年目標。韓媒還爆料稱，SK海力士與輝達談判中佔據上風，成功將HBM4價格上調超過50%，單價約500美元以上，預期明年營業利潤可能突破70萬億韓元。雖然SK海力士回應稱此為“不實消息”，但市場普遍認為HBM4毛利率約達60%，若維持今年水準，HBM業務明年將創造約25萬億韓元營業利潤。對於已在市場中佔據領先地位的海力士而言，強化定製化與持續擴產是一套穩健可靠的雙線策略：一方面通過深度定製鎖定客戶，另一方面以更大的產能承接需求，整體競爭態勢幾乎立於不敗。三星，絕地翻盤對三星電子而言，2024 年第二季度無疑是災難性的。Counterpoint Research 資料顯示，其 HBM 市場份額從去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不僅落後於 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行業第三。然而，Google TPU 生態系統的擴張為三星提供了強勁的反擊窗口。TPU 是Google與博通合作打造的 AI 加速晶片，每顆晶片整合 6 至 8 顆 HBM。目前，三星和 SK 海力士是Google TPU 的核心 HBM 供應商，今年雙方大致平分了Google的供應份額，甚至部分月份三星略佔優勢。韓國券商分析師預測：“Google第七代 TPU 將在今年採用 HBM3E，明年第八代產品將升級至 HBM4。三星明年對Google的供應量將是今年的兩倍以上。”分析人士普遍認為，隨著三星產能快速擴張，明年的競爭格局很可能發生逆轉。事實上，三星近期實現的反超已經開始顯現。根據來自韓國業內的最新消息，三星電子的 HBM 月產能已提升至 17 萬片（按晶圓投入計），超過 SK 海力士的 16 萬片，重新奪回行業第一的位置。分析認為，這一成績來自三星去年下半年以來持續推進的“刮骨式改革”——包括大規模將通用 DRAM 產線轉換為 HBM 產線、集中攻克良率瓶頸，以及研發體系的全面調整。三星電子在領導層層面也同步推進激進改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召開高管會議，正式確認 DS（半導體）部門的組織重組：原 HBM 開發團隊被併入 DRAM 開發實驗室的設計團隊，由副總裁孫英洙出任負責人。這次重組正是副會長全英賢（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任後強力推動 HBM 戰略的延續。事實上，全英賢上任僅兩個月便成立了 HBM 開發團隊，並將先進封裝（AVP）業務團隊調整為直屬管理架構。在新的組織體系下，三星計畫加速下一代 HBM4／HBM4E 的開發。目前，三星已向客戶交付 HBM4 樣品，預計近期將通過關鍵的質量認證。同時，三星在向Google TPU大規模供應 HBM 方面也獲得突破性進展。業內人士指出：“三星加強與輝達、AMD、OpenAI 等全球科技巨頭的合作後，已經獲得一定程度的 HBM4 相關技術驗證，因此將原應急性質的團隊併入常規組織，以提高效率並準備在明年全面擴大市佔率。”在組織重整之外，三星真正的底氣依舊在於產能、規模與 IDM 綜合能力。匯豐銀行資料顯示，截至今年底，三星 HBM 月產能約為 15 萬片，並預計在 2027 年提升到 19 萬片。根據韓國業內最新資料，這一數字已提前增長至 17 萬片。三星正在加速將平澤園區的部分 DRAM 產線（P3、P4）轉換為用於生產 1c（10nm 級、第六代）DRAM 的 HBM 產線，也已經著手推動平澤 P5 廠房建設，以應對新一輪儲存超級週期。隨著定製化 HBM 時代全面來臨，三星的 IDM 一體化優勢將被進一步放大。SK 海力士選擇與台積電組建 One Team 聯盟，利用台積電邏輯工藝生產關鍵 base die，以突破瓶頸；而三星則亮出其王牌——從設計、DRAM、邏輯、到封裝全部自研自造的 turnkey（交鑰匙）模式，依託自家代工工藝生產 HBM 的邏輯層，以在效率、時程與成本上形成整體優勢。HBM 的利潤空間也讓競爭更加激烈。由於 HBM 單價是傳統 DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 總收入中的佔比今年將從去年的 8% 躍升至超過 20%。隨著三星重新奪回 HBM 產能第一的位置，並持續搶佔市場份額，其營業利潤率預計將明顯改善。尤其在全球大型科技公司（如Google、亞馬遜、Meta）加速開發自有 AI 加速器、並提出多樣化的定製化 HBM4E 需求時，三星憑藉其快速響應能力、設計整合能力和自有代工工藝，正在掌握越來越多的主動權。據悉，三星已完成 HBM4 的開發，並在展會上首次公開展示實物，預計將在 2025 年第四季度上市。量產計畫基於 10nm 級 1c DRAM 工藝，目標是在速度與能效上取得領先。作為 HBM4 量產關鍵的邏輯層良率已提升至 90%，DRAM 堆疊單元良率也突破量產門檻。相比美光與 SK 海力士，三星的體量既是負擔也是底牌：規模龐大導致動作不夠靈活，卻也為其提供了更強的資源調度與技術整合能力。而隨著 AI 巨頭加速自研加速器、對定製化 HBM 的需求激增，擁有全端 IDM 能力的三星，反而具備了在下一輪競爭中掀起格局重排的潛力。結語美光砍掉29年消費品牌豪擲96億美元，SK海力士大刀闊斧重組押注定製化，三星憑藉GoogleTPU訂單完成絕地反擊——儲存產業正經歷一場空前的戰略分化。這場變局的本質，是AI時代對儲存技術範式的徹底重構。HBM已不僅是一款產品，更像征著產業邏輯的全面轉向：從規模化量產轉向精準定製，從價格血戰轉向技術壁壘，從多元供應轉向戰略深度繫結。在這場轉型中，消費市場淪為配角，傳統DRAM價格暴漲，PC供應鏈承壓——這些都是AI基礎設施狂吸儲存資源的連鎖反應。而那些在HBM賽道掉隊、產能捉襟見肘的玩家，都將面臨被邊緣化的宿命。可以說，儲存行業的遊戲規則已被徹底改寫。群雄逐鹿，鹿死誰手，一切尚未可知。 (半導體行業觀察)