在PC硬體市場，“買新不買舊”是不少人的準則，但近期這一規律正被暴漲的記憶體價格打破。由於近期DDR5記憶體價格翻了數倍，組裝新一代平台的成本急劇攀升，這導致大量消費者開始“開倒車”，重返更加成熟、性價比更高的DDR4陣營，從而直接推高了AMD AM4老平台的銷量。德國知名零售商Mindfactory的資料顯示，AM4 CPU銷量正在快速攀升，僅在過去兩周內，AM4 CPU的銷量佔比就從24%暴增至34%，幾乎佔據了三分之一的CPU銷售份額。與此同時，原本佔據主導地位的AM5 CPU，其銷量份額從兩周前的70%下降至如今的不足60%，整體銷售榜單中，AM4平台的銳龍5000系列CPU共有三款進入前十名，而在前二十名中更是佔據了九個席位。在美國亞馬遜的CPU銷售榜單上，AM4平台同樣展現出強勁的勢頭，共有四款CPU進入前十名，前二十名中則有九款AM4 CPU。最令人意外的是，發佈已久的銳龍5 3600竟然衝到了亞馬遜CPU暢銷榜的第6位。甚至如果不是AMD此前停產了5800X3D和5700X3D等處理器，老平台銷量可能甚至與現在的7800X3D和9800X3D叫板。就在這個記憶體漲價關頭，當地時間12月24日上午10時02分左右，韓國京畿道華城市的三星電子華城工廠內一座研究樓發生火災。消防部門在接報後迅速出動30台裝置及77名人員趕往現場，並於10時23分將火徹底撲滅。火災期間，約120人被緊急疏散。目前，韓國警方與消防部門正在對起火原因展開調查。公開資料顯示，三星華城工廠是三星電子在韓國的重要半導體製造基地，主要負責生產DRAM顆粒與NAND Flash儲存晶片。值得關注的是，當前全球儲存晶片正經歷近年來最顯著的價格上漲周期。自今年9月以來，相關現貨價格累計漲幅已超過300%。多位消費電子企業負責人及儲存行業專家指出，這一趨勢將推動2026年手機、電腦等主要消費電子產品的價格進一步上漲。面對暴漲的價格，多家日本PC商店因無法維持成本及庫存，被迫宣佈暫停接受新訂單，目前至少有三家商店已經採取了暫停訂單的措施，並行布了延遲交貨的預警。這些商店原本就依賴於穩定的零部件供應和價格，但如今，記憶體和儲存的短缺以及價格的劇烈波動，使得他們現有訂單都難以履行，更不用說接受新的預訂了。首先是Sycom，其於12月16日至19日暫時關閉了其網站的訂單系統，儘管隨後重新開放，但交付時間預計將比以往更長。緊接著是TSUKUMO，旗下的G-Gear和eX.computer兩大整機品牌已全面停止接單，並宣佈2025年餘下的日子裡不再接受訂單。Mouse Computer於12月23日發佈聲明，宣佈包括NEXTGEAR、G-TUNE及DAIV在內的所有主力PC品牌從即日起至2026年1月4日暫停銷售。Mouse Computer坦言，此舉是為了維持對現有客戶的服務質量，不過更令玩家心碎的消息是，當恢復預定時，迎接消費者的將是上調後的“新價格”。(硬體世界)

對於PC DIY玩家而言，過去幾個月可能是近十年來最糟糕的時刻。DDR4和DDR5記憶體價格不斷飆升，固態硬碟在悄然跟漲，甚至顯示卡廠商也在密謀漲價，組裝電腦成本每天都在變得昂貴，一部分人選擇繼續等待，一部分人選擇降配省錢，也有一部分人無奈選擇高價買入。但更壞的消息已經出現，美光科技宣佈，將在2026年2月底前全面關閉旗下營運了29年的Crucial消費品牌業務，這個曾經在DIY市場上以物美價廉的原廠品牌，正式退出歷史舞台。這一決定並非突然。美光首席商務官Sumit Sadana直言不諱地指出；“AI驅動的資料中心增長引發了對儲存器的需求激增。美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務，以改善對更大規模、戰略性客戶的供應和支援。”在三大原廠之一的美光看來，消費級記憶體和SSD處於自己產品組合中利潤率最低的一端，需要在高度波動、價格競爭激烈的市場中掙扎。相比之下，資料中心和企業級產品能鎖定長期合同、更高的平均售價和更可預測的需求。除此之外，目前AI基礎設施對儲存晶圓的需求早已達到了前所未有的程度，這意味著每一片分配給消費產品的晶圓，都會造成超大規模資料中心客戶或企業合同的交付延誤。而即便是縮減規模的消費業務，仍需要最低限度的供應鏈支援，包括產品開發、韌體驗證、合規測試、銷售團隊、零售關係和全球保修營運，這些固定成本在產量縮減時幾乎不會下降。不止是美光，三星和海力士也是如此，對於這些巨頭來說，完全關閉消費業務、釋放產能和研發資源用於HBM4/HBM4E、企業級固態硬碟和高密度伺服器記憶體模組，似乎就是最理智的戰略選擇。美光，打響HBM突圍戰在宣佈退出消費市場的同時，美光正在日本西部籌劃一場規模空前的產業佈局。據知情人士透露，美光將投資1.5萬億日元（約96億美元）在廣島東廣島市建設下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片生產廠。這座新工廠計畫於2026年5月開工建設，目標是在2028年左右開始出貨HBM晶片。日本經濟產業省將為該項目提供高達5000億日元的補貼。這將是美光自2019年以來建設的首座新工廠，也被定位為世界上最先進的HBM晶片生產基地之一。時機的選擇耐人尋味。今年5月，美光已在廣島工廠首次引入極紫外光刻（EUV）系統用於大規模生產——這是生產先進晶片所需的最昂貴製造裝置。而隨著美中對抗加劇以及台灣地緣政治風險上升，美光此前集中在台灣的先進HBM晶片生產正面臨供應鏈多元化的壓力。日本新廠的建設，不僅能為美光確保關鍵的HBM產能，也使日本能夠在國內獲得AI晶片的核心元件供應。這座工廠預計將幫助美光追趕在HBM技術領域保持領先的韓國SK海力士。然而，美光在HBM競賽中的處境依然嚴峻。根據JPMorgan資料，2024年SK海力士佔據55%的HBM市場份額，三星佔40%，而美光僅有5%。匯豐銀行的資料顯示，美光每月晶圓級HBM晶片產能約5.5萬片，僅為三星（15萬片）和SK海力士（16萬片）的三分之一。更糟糕的是，韓媒報導稱美光的HBM4產品難以滿足輝達嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新設計晶片架構。如果屬實，這將導致量產計畫延遲長達9個月，HBM4上市時間推遲到2026年，並使其無法按時完成輝達訂單。業內人士指出："美光目前甚至難以滿足輝達的訂單量，在結構上根本無法同時滿足GoogleASIC客戶的大規模需求。"這也解釋了為何在GoogleTPU供應鏈中，美光實際上已經退出——產能限制使其無法同時服務多個大客戶，最終韓國企業在規模經濟競爭中佔據了上風。此次關閉 Crucial 品牌、在日本大手筆擴產，是美光為扭轉其在 HBM 競爭中產能落後局面改採取的關鍵舉措。消費級業務的收縮，意味著更多資本、裝置與技術人力可以投入到 HBM 這條高增長賽道。顯而易見，這一決策展現了美光對下一階段競爭格局的清晰判斷。SK海力士，從逆襲到壟斷SK海力士的HBM之路是一部逆襲史。在2016年的Hot Chips研討會上，當美光工程師尖銳批評HBM、力推混合記憶體立方體（HMC）時，SK海力士的演講者只是低調介紹HBM3計畫，並暗諷“即使是小玩家也能從大玩家手中搶走糖果”。那時很少有人能想像，這個在HBM2市場遭遇挫折、內部士氣低落的公司，會在幾年後佔據全球HBM市場62%的份額。轉折點是HBM2E，SK海力士認識到HBM需要與傳統DRAM完全不同的開發方法——必須嚴格遵守客戶時間表和規格，否則什麼也賣不出去。公司組建了跨職能任務小組，高層強調組織敏捷性和跨團隊協調，並在封裝技術上做出關鍵改變——從熱壓縮非導電膜轉向批次回流模塑底部填充，顯著提升了工藝效率和散熱性能。另一個優勢是定製化能力。雖然HBM遵循JEDEC標準，但每個客戶都有獨特要求。SK海力士堅持“客戶永遠是對的”原則，根據需求調整設計。在即將到來的 HBM4 競爭中，海力士同樣將“定製化”視為制勝的關鍵方向。日前，SK 海力士發佈了“全端式 AI 記憶體創造者（full-stack AI memory creator）”願景，以應對這一市場變化。其意圖不僅是提供標準化記憶體產品，而是從 AI 半導體的設計階段就與客戶協同，共同打造“定製化產品”，並提升整體結果。本月 5 日，SK 海力士開放了新一批社招崗位，面向“定製記憶體設計（custom memory design）”領域招募專家。崗位將開放到 15 日，涉及HBM電路設計、物理設計和數字設計。尤其是在“客戶定製化產品”相關的數字設計體系方面，SK 海力士重點招募擁有 RTL 設計、前端和後端經驗的資深工程師。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 數字設計體系的職責包括“與客戶溝通需求、編寫詳細規格”，並補充說明“團隊將在客戶需求基礎上開展 RTL 設計，並與相關部門共同定義 IP（智慧財產權模組）的行為規範”。除了數字設計體系，SK 海力士在其他社招崗位中也強調“客戶定製能力”。例如，HBM 電路設計體系被定義為“與全球頂尖 AI 客戶協作，主導 HBM 技術的組織”；而物理設計體系則“基於代工廠工藝設計套件（PDK）和 EDA 工具，負責實現全定製設計”。值得關注的是，在12月4日發佈的“2026 年組織架構調整與高管任命”中，SK 海力士同樣將重點放在擴大定製記憶體業務上。公司為定製（Tailored）HBM 封裝新設立了良率與質量專責組織，稱這是“為及時應對定製化記憶體市場擴張而做出的調整”。同時，公司也將加強與正在自研 AI 晶片的全球科技巨頭的接觸。SK 海力士計畫在美洲設立 HBM 技術專責組織，以便為客戶提供更及時的技術支援。此外，還將組建“全球基礎設施”組織，加強全球製造競爭力，包括在美國印第安納州建設先進封裝工廠。在美國、中國、日本等關鍵地區，公司將設立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才並強化系統研究能力，同時新設“Intelligence Hub”這一以客戶為中心的矩陣式組織，將客戶、技術和市場資訊整合到一個 AI 系統中，為客戶提供“超預期價值”。SK 海力士所瞄準的“定製化記憶體”已經在行業中逐步顯現。一個典型案例是輝達最近公佈、目標於 2026 年量產的下一代 AI 半導體平台 Rubin。該平台採用 HBM4（第 6 代）作為 GPU 記憶體，CPU 採用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理最佳化的加速器 CPX 則搭載 GDDR7（圖形 DRAM）。一位半導體行業人士指出：“傳統那種把 DRAM 和 NAND 統一掛在 CPU 上的記憶體架構正在瓦解，行業正轉向‘按功能最佳化的記憶體架構’。能否掌握與之匹配的設計與製造能力，正在成為未來競爭力的關鍵分水嶺。”此外，還值得關注的是SK海力士2026年的擴張策略。韓媒報導稱，SK海力士明年除積極擴產HBM外，也將全力擴充通用DRAM產能。HBM新增產能主要集中在本季度竣工投產的清州M15X晶圓廠，而通用DRAM新產能將來自清州M8、利川M10、M14、M16等現有晶圓廠。其預計，SK海力士的通用DRAM產能將在2026年擴大至每月7萬片晶圓，但實際上有望通過進一步擴產提前達到月投片量10萬的2027年目標。韓媒還爆料稱，SK海力士與輝達談判中佔據上風，成功將HBM4價格上調超過50%，單價約500美元以上，預期明年營業利潤可能突破70萬億韓元。雖然SK海力士回應稱此為“不實消息”，但市場普遍認為HBM4毛利率約達60%，若維持今年水準，HBM業務明年將創造約25萬億韓元營業利潤。對於已在市場中佔據領先地位的海力士而言，強化定製化與持續擴產是一套穩健可靠的雙線策略：一方面通過深度定製鎖定客戶，另一方面以更大的產能承接需求，整體競爭態勢幾乎立於不敗。三星，絕地翻盤對三星電子而言，2024 年第二季度無疑是災難性的。Counterpoint Research 資料顯示，其 HBM 市場份額從去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不僅落後於 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行業第三。然而，Google TPU 生態系統的擴張為三星提供了強勁的反擊窗口。TPU 是Google與博通合作打造的 AI 加速晶片，每顆晶片整合 6 至 8 顆 HBM。目前，三星和 SK 海力士是Google TPU 的核心 HBM 供應商，今年雙方大致平分了Google的供應份額，甚至部分月份三星略佔優勢。韓國券商分析師預測：“Google第七代 TPU 將在今年採用 HBM3E，明年第八代產品將升級至 HBM4。三星明年對Google的供應量將是今年的兩倍以上。”分析人士普遍認為，隨著三星產能快速擴張，明年的競爭格局很可能發生逆轉。事實上，三星近期實現的反超已經開始顯現。根據來自韓國業內的最新消息，三星電子的 HBM 月產能已提升至 17 萬片（按晶圓投入計），超過 SK 海力士的 16 萬片，重新奪回行業第一的位置。分析認為，這一成績來自三星去年下半年以來持續推進的“刮骨式改革”——包括大規模將通用 DRAM 產線轉換為 HBM 產線、集中攻克良率瓶頸，以及研發體系的全面調整。三星電子在領導層層面也同步推進激進改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召開高管會議，正式確認 DS（半導體）部門的組織重組：原 HBM 開發團隊被併入 DRAM 開發實驗室的設計團隊，由副總裁孫英洙出任負責人。這次重組正是副會長全英賢（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任後強力推動 HBM 戰略的延續。事實上，全英賢上任僅兩個月便成立了 HBM 開發團隊，並將先進封裝（AVP）業務團隊調整為直屬管理架構。在新的組織體系下，三星計畫加速下一代 HBM4／HBM4E 的開發。目前，三星已向客戶交付 HBM4 樣品，預計近期將通過關鍵的質量認證。同時，三星在向Google TPU大規模供應 HBM 方面也獲得突破性進展。業內人士指出：“三星加強與輝達、AMD、OpenAI 等全球科技巨頭的合作後，已經獲得一定程度的 HBM4 相關技術驗證，因此將原應急性質的團隊併入常規組織，以提高效率並準備在明年全面擴大市佔率。”在組織重整之外，三星真正的底氣依舊在於產能、規模與 IDM 綜合能力。匯豐銀行資料顯示，截至今年底，三星 HBM 月產能約為 15 萬片，並預計在 2027 年提升到 19 萬片。根據韓國業內最新資料，這一數字已提前增長至 17 萬片。三星正在加速將平澤園區的部分 DRAM 產線（P3、P4）轉換為用於生產 1c（10nm 級、第六代）DRAM 的 HBM 產線，也已經著手推動平澤 P5 廠房建設，以應對新一輪儲存超級週期。隨著定製化 HBM 時代全面來臨，三星的 IDM 一體化優勢將被進一步放大。SK 海力士選擇與台積電組建 One Team 聯盟，利用台積電邏輯工藝生產關鍵 base die，以突破瓶頸；而三星則亮出其王牌——從設計、DRAM、邏輯、到封裝全部自研自造的 turnkey（交鑰匙）模式，依託自家代工工藝生產 HBM 的邏輯層，以在效率、時程與成本上形成整體優勢。HBM 的利潤空間也讓競爭更加激烈。由於 HBM 單價是傳統 DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 總收入中的佔比今年將從去年的 8% 躍升至超過 20%。隨著三星重新奪回 HBM 產能第一的位置，並持續搶佔市場份額，其營業利潤率預計將明顯改善。尤其在全球大型科技公司（如Google、亞馬遜、Meta）加速開發自有 AI 加速器、並提出多樣化的定製化 HBM4E 需求時，三星憑藉其快速響應能力、設計整合能力和自有代工工藝，正在掌握越來越多的主動權。據悉，三星已完成 HBM4 的開發，並在展會上首次公開展示實物，預計將在 2025 年第四季度上市。量產計畫基於 10nm 級 1c DRAM 工藝，目標是在速度與能效上取得領先。作為 HBM4 量產關鍵的邏輯層良率已提升至 90%，DRAM 堆疊單元良率也突破量產門檻。相比美光與 SK 海力士，三星的體量既是負擔也是底牌：規模龐大導致動作不夠靈活，卻也為其提供了更強的資源調度與技術整合能力。而隨著 AI 巨頭加速自研加速器、對定製化 HBM 的需求激增，擁有全端 IDM 能力的三星，反而具備了在下一輪競爭中掀起格局重排的潛力。結語美光砍掉29年消費品牌豪擲96億美元，SK海力士大刀闊斧重組押注定製化，三星憑藉GoogleTPU訂單完成絕地反擊——儲存產業正經歷一場空前的戰略分化。這場變局的本質，是AI時代對儲存技術範式的徹底重構。HBM已不僅是一款產品，更像征著產業邏輯的全面轉向：從規模化量產轉向精準定製，從價格血戰轉向技術壁壘，從多元供應轉向戰略深度繫結。在這場轉型中，消費市場淪為配角，傳統DRAM價格暴漲，PC供應鏈承壓——這些都是AI基礎設施狂吸儲存資源的連鎖反應。而那些在HBM賽道掉隊、產能捉襟見肘的玩家，都將面臨被邊緣化的宿命。可以說，儲存行業的遊戲規則已被徹底改寫。群雄逐鹿，鹿死誰手，一切尚未可知。 (半導體行業觀察)

11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會上，長鑫儲存發佈了DDR5和LPDDR5X兩大產品系列。其中，DDR5產品最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，並配套推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM和TFF MRDIMM等七種模組產品，應用場景覆蓋伺服器、工作站及個人電腦。與此同時，長鑫儲存還推出了LPDDR5X產品線，其最高速率可達10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，並提供從12GB到32GB的多種容量方案，進一步豐富了其在移動儲存領域的佈局，也就是說，長鑫儲存終於殺出來了。此次發佈標誌著中國國產DRAM晶片在技術參數上已接近國際主流水平，但長鑫儲存在全球市場份額方面仍處於追趕階段，並面臨國際巨頭的壟斷和供應鏈限制等壓力。目前，長鑫儲存正通過快速擴產來提升市場地位。據Trendforce資料顯示，到2025年底，該公司產能將達到30萬片/月，同比增長近50%。Counterpoint資料顯示，長鑫儲存今年DRAM出貨量同比增長50%，市場份額預計將從一季度的6%提升至四季度的8%。在細分市場方面，長鑫儲存DDR5市場份額預計從一季度不足1%上升至年底的7%，LPDDR5市場份額從0.5%增至9%。長鑫儲存相關負責人表示，DRAM需求的增長對市場供給和價格產生了較大影響，中國需要穩定的中國國產DRAM產能供應，通過產能擴張和規模效應來減少對海外廠商的依賴。全球DRAM市場集中度較高，三星、海力士、美光三家企業合計市佔率超過90%。根據興業證券研報分析，儲存晶片具有大宗商品屬性，價格呈現周期性波動特徵。近期，儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，DDR5現貨平均價格從9月底的7.676美元升至11月初的20.938美元，同時DDR4和NAND合約平均價格在9月也環比上漲了11%。因此，三星電子在11月調整了部分儲存晶片的價格，較9月漲幅最高達60%。SanDisk也在11月將NAND Flash合約價上調了50%，並預測NAND供需緊張狀況或將持續至2026年底。交銀國際研報進一步指出，DRAM價格強勢將至少延續至2026年三季度。長城證券分析認為，此次價格上漲主要源於頭部廠商對供應的調控以及AI需求推動產能向高階工藝轉移，導致傳統消費級儲存產能受到擠壓。值得注意的是，長鑫儲存的母公司——長鑫科技集團，其上市處理程序正在積極推進中。中國證監會官網10月發佈的資訊顯示，長鑫科技的上市輔導狀態已變更為“輔導工作完成”。此次輔導由中金公司與中信建投共同負責，從7月啟動輔導到完成，歷時約3個月。根據2024年3月的戰略融資情況，長鑫科技的估值約為1400億元。天眼查資訊顯示，長鑫科技成立於2016年，註冊資本約601.93億元，其股東包括基石資本、阿里巴巴等知名機構。具體來看，合肥清輝集電企業管理合夥企業、合肥長鑫積體電路以及國家積體電路產業投資基金二期位列前三大股東，持股比例分別為24.32%、12.43%和9.80%。與此同時，兆易創新與長鑫科技保持著密切的合作關係。兆易創新董事長朱一明曾擔任長鑫儲存首席執行官，並現任長鑫科技董事長。2024年3月，兆易創新更是以15億元參與了長鑫科技的新一輪融資，本輪融資投前估值約1399.82億元，增資價格為2.61元/每一元註冊資本。本輪融資包括合肥長鑫積體電路、合肥產投壹號股權投資合夥企業、建信金融資產投資等多名投資人，融資規模合計108億元。此外，兆易創新自2019年起便與長鑫集團開展DRAM業務合作，從長鑫儲存等子公司採購代工生產的DRAM產品，並在2025年度預計達成1.61億美元的交易額度。中信證券指出，DRAM市場目前仍由韓美廠商佔據主導地位，但長鑫儲存的技術正在加速追趕。其產能在2024年實現了翻倍增長，未來若成功上市，有望進一步推動擴產，並逐步提升裝置中國國產化率。在這樣的背景下，長鑫儲存已推出多款商用DRAM產品，應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月，長鑫儲存宣佈量產LPDDR5X產品。其中8533Mbps和9600Mbps速率產品已於5月實現量產，而10667Mbps速率產品也已啟動客戶送樣。現如今，長鑫儲存依託中國大陸的成本和規模優勢，在技術迭代與產品佈局方面正逐步縮小與國際廠商的差距。 (AI硅基未來)

據外媒報導，在中國廠商長鑫儲存在 IC China 正式發佈最新 DDR5 和 LPDDR5X 產品後， 韓國媒體Business Korea 援引專家觀點分析認為，儲存晶片領域，中國與韓國的差距正在拉平之中。Business Korea 報導稱：長鑫儲存的 DDR5 最高速率達 8,000Mbps、最高顆粒容量 24Gb，性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早時，市場曾出現由中國企業生產的少量 DDR5 產品，但這次是長鑫儲存作為代表，首度正式展示實際產品。韓國半導體產業人士指出，長鑫儲存展示 DRAM 性能值得關注，其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps，比上一代產品（6,400 Mbps）提升 25%，在技術路線上至少已追上韓國 DRAM 公司。長鑫儲存的性能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器。Business Korea 還引述日經及研調機構 Counterpoint Research 的資料稱，長鑫儲存第三季 DRAM 市佔率達 8%，排名第四。在 NAND 部分，另一家中國廠商長江儲存第三季市佔率為 13%。長鑫儲存 DRAM 月產能為 27 萬片，約三星（64 萬片）和 SK 海力士（51 萬片）的 42–53%。外界預期，長鑫儲存全面量產 DDR5 與 LPDDR5X 有望降低儲存器熱潮的強度，但也將衝擊韓國公司在中國的銷售。Business Korea 報導指出：以去年為例，韓國兩間公司在中國的總銷售額為 87 兆 3,000 億韓圜（1億韓元大約為50萬人民幣，即接近4300億元人民幣），約佔兩家公司合計總銷售額的 23.7%。由於美國封鎖 EUV 等關鍵裝置出口中國，中國廠商技術發展有所受限，但與韓國在通用 DRAM 市場的技術差距約不到一年。長鑫儲存內部人士表示，新產品將成為替代方案，降低對海外公司的依賴。Business Korea 認為，隨著 2030 年迎來 3D DRAM 時代，競爭關係可能又會出現變數。3D DRAM 是將儲存晶片單元向上堆迭的產品，當 3D DRAM 時代來臨時，對 EUV 曝光裝置的需求將下降，這可能成為中國廠商超車的機會。韓國中國經濟與金融研究院院長 Jeon Byeong-seo 認為，如果五年後能商業化不需 EUV 的製程技術，目前的技術差距可能瞬間縮小。首爾大學材料科學與工程系 Hwang Cheol-seong 教授也表示，單看儲存晶片技術水平，韓國與中國的差距幾乎已經消失。當不需要 EUV 曝光裝置的 3D DRAM 時代在五年後到來時，中國將進一步崛起。 (芯聞眼)

當長鑫儲存在 IC China 2025 展會上亮出 8000Mbps 速率、24Gb 容量的 DDR5 新品，不僅以 “速率提升 25%、容量突破常規” 的性能指標躋身國際第一梯隊，更在全球儲存晶片漲價潮與技術壟斷的雙重背景下，撕開了一條中國國產替代的關鍵缺口。這款覆蓋伺服器、PC 全場景的產品，與其說是一次技術發佈，不如說是中國半導體產業在核心賽道對全球巨頭的正式宣戰，標誌著 DRAM 領域 “韓美主導” 的格局開始出現鬆動。新品的核心突破，在於精準擊中了當前市場的供需痛點與技術瓶頸。從性能維度看，8000Mbps 速率已遠超 6400Mbps 的行業主流基準，直接滿足 AI 訓練、雲端運算等高算力場景對低延遲、高頻寬的剛需 —— 在 AI 推理任務中，這種性能躍升可使並行請求處理效率提升 30% 以上。而 24Gb 大容量顆粒的推出更具戰略價值，能讓資料中心在不增加物理插槽的前提下實現記憶體擴容，完美匹配 Open AI、阿里雲等巨頭對大模型載入能力的迫切需求。更關鍵的是，這款產品同步覆蓋伺服器與 PC 終端，形成全場景佈局，這與三星、美光當前側重高端伺服器市場的策略形成差異化競爭。在全球儲存市場 “量價齊升” 的特殊周期下，長鑫的突破更顯及時。當前三大巨頭壟斷全球 90% 以上的 DRAM 產能，為應對此前行業下行周期，三星、美光等自 2024 年起持續減產，SK 海力士甚至將 30% 晶圓產能轉向高利潤的 HBM 產品。供給收縮疊加 AI 驅動的需求爆發，直接引發價格失控：DDR4 價格年內飆升 300%，DDR5 現貨一周暴漲 25%，SK 海力士 HBM4 報價較前代上漲超 50%。長鑫此時放量高端 DDR5，不僅能緩解中國 “卡脖子” 困境，更能通過產能補充打破巨頭的價格操控 ——Counterpoint 預測其 DDR5 市場份額將從年初不足 1% 躍升至年底 7%，成為制衡市場的關鍵力量。更深層的意義在於，這款產品推動中國國產儲存生態從 “單點突破” 走向 “系統協同”。此前 DDR5 在中國普及受阻，核心癥結在於 CPU、主機板等配套生態滯後於國際 —— 英特爾 2022 年就要求至強處理器必須搭配 DDR5，而中國資料中心仍大量沿用 DDR4 平台。長鑫新品的發佈將形成 “技術牽引效應”：其與中國國產 CPU 廠商的適配測試已進入收尾階段，配合華為鯤鵬、海光資訊等平台的推廣，有望加速中國算力基礎設施的 DDR5 升級處理程序。這種生態協同至關重要，在金融高頻交易、5G 基站等場景中，全端中國國產化的 DDR5 方案可將資料傳輸延遲降低 40%，顯著提升核心系統競爭力。但在樂觀預期背後，長鑫仍需突破三重挑戰。首先是產能爬坡壓力，當前其 DRAM 產能雖較 2024 年翻倍，但相較於三星單廠百萬片的月產能仍有差距，短期內難以完全滿足中國需求。其次是生態壁壘突破，輝達 GPU 與三星 DDR5 的深度最佳化已形成使用者習慣，長鑫需通過相容性測試與性能認證建立信任。最後是專利風險，全球儲存巨頭手握數萬項核心專利，如何在自主研發與專利規避間找到平衡，將決定其全球化處理程序的順暢度。從全球產業格局看，長鑫的突破恰逢 “百年未有之變局”。日本市場正陷入 “股債匯三殺” 的流動性危機，而韓國半導體則面臨外資撤離壓力，全球科技產業鏈正經歷深刻重構。長鑫此時的技術躍升，不僅為中國在儲存領域爭取到話語權，更能吸引全球資本向中國國產供應鏈傾斜 —— 中信證券指出，長鑫上市後有望拉動裝置、封測等產業鏈環節中國國產化率提升，形成千億級市場機遇。長鑫儲存的 DDR5 新品，是中國國產晶片產業的里程碑式突破。它不僅用 8000Mbps 的速率證明了中國企業的技術實力，更在全球儲存市場的亂局中注入了穩定性力量。對於中國而言，這是擺脫外資依賴、建構自主算力底座的關鍵一步；對於全球市場而言，這是打破壟斷、重構產業生態的重要變數。在 AI 算力競爭白熱化的今天，儲存作為 “算力糧倉” 的戰略價值日益凸顯，長鑫的突圍，正是中國科技產業從 “跟跑” 向 “並跑” 跨越的生動註腳。 (A股資訊圈)

周末，儲存晶片領域傳來一則好消息！11月23日，在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb。同時，長鑫儲存還在現場展示了最高速率10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端記憶體。多家行業媒體稱，上述兩大產品系列速率、容量雙維度均位居業界第一梯隊，標誌著國產儲存晶片具備與國際一線大廠同台競技的技術實力。長鑫儲存發佈DDR5記憶體新品據長鑫儲存官網消息，在11月23日開幕的第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China）上，長鑫儲存以“雙芯共振，5力全開”為主題，首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線最新產品。長鑫儲存發佈了最新的DDR5產品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，並推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產品，覆蓋伺服器、工作站及個人電腦等全場景領域，滿足各領域的高端市場需求。長鑫儲存同台展出了近期發佈的LPDDR5X產品，該系列針對移動市場旗艦產品，最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16Gb，並涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多種封裝解決方案。長鑫儲存表示，公司通過DDR與LPDDR雙線創新突破，將進一步豐富全球儲存晶片的供給，為下遊客戶創造多元價值選擇。長鑫儲存將持續深耕技術迭代，精準響應市場需求，以自主實力引領產業生態協同升級。公開資料顯示，長鑫儲存是一家一體化儲存器製造公司，專注於動態隨機存取儲存晶片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售。長鑫儲存總部位於安徽合肥，在國內外擁有多個研發中心和分支機構。長鑫儲存已推出多款DRAM商用產品，廣泛應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。今年10月 ，長鑫儲存宣佈已量產LPDDR5X產品。當時，長鑫儲存在IEEE 2025 ASICON會議上分享了LPDDR5X產品的最新進展。目前，長鑫儲存LPDDR5X的產品陣容包括顆粒、晶片及模組等形態。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個容量點。晶片形態提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個容量點的解決方案。模組形態的LPCAMM產品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時相容LPDDR5。長鑫儲存透露，目前，8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產品已於今年5月量產，10667Mbps速率的產品已經啟動客戶送樣。儲存晶片價格持續上漲最近幾個月，全球儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料，近期主要儲存原廠陸續暫停DDR5合約報價，DDR5（16Gb）現貨平均價格已從9月底的7.676美元升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合約平均價格也在9月環比上漲11%。儲存廠SanDisk（閃迪）在11月將NAND Flash合約價上調50%，公司在11月公佈強勁業績的同時，預測NAND供不應求的趨勢或將持續到2026年年底。另外，有消息稱，受全球人工智慧資料中心建設熱潮影響，三星電子11月大幅上調部分儲存晶片價格，較9月份漲幅最高達60%。作為全球最大的儲存晶片製造商，三星曾在10月決定推遲正式公佈供應合同定價——通常情況下，該公司每月都會公佈定價細節，此次漲價正是在此之後。路透社指出，這些主要應用於伺服器的儲存晶片價格飆升，可能進一步加劇大型企業在擴建資料中心基礎設施過程中面臨的壓力，同時也可能推高智慧型手機、電腦等其他終端產品的製造成本——此類晶片亦被廣泛用於上述裝置中。日前，交銀國際發佈研報，維持對儲存價格將繼續堅挺的判斷，認為DRAM的強勁價格將至少延續至2026年三季度，並預計NAND價格將繼續保持強勁到至少2026年三季度（之前預計為2026年上半年）。同時，交銀國際認為，儲存價格的上漲或將繼續令智慧型手機、消費電子等公司的利潤水平承壓。長城證券表示，此次NAND Flash的價格大幅增長，一方面源於頭部儲存廠商通過主動調控供應來扭轉此前因供過於求導致的價格低迷局面，從而提升盈利能力；另一方面，受AI對儲存容量需求急速攀升的影響，儲存廠商將更多產能轉向更高階的工藝，造成傳統消費級儲存產能受到擠壓。根據Omdia的年度NAND快閃記憶體產量資料，三星電子已將今年的NAND晶圓產量目標下調至約472萬片，較去年的507萬片減少約7%。鎧俠也將年產量從去年的480萬片調減至469萬片。Omdia預計，三星和鎧俠的減產趨勢將持續到明年。SK海力士的NAND產量已從去年的約201萬片降至約180萬片，降幅約10%；美光也採取保守的供應策略，將其最大NAND生產基地新加坡Fab 7工廠的產量維持在約30萬片的較低水平。根據閃迪的最新業績會，該公司指出，NAND需求顯著超過供應，這一態勢自2025年起已顯現，並將持續貫穿整個2026年日歷年，甚至可能延續至2027年及以後。公司預計2026年資料中心市場的位元需求將同比增長40%以上，增長主要源於客戶在資料中心和邊緣側尋求更高的AI推理能力，對解決AI推理儲存問題的創新方案需求激增。此外，已有客戶主動尋求長期供應保障，部分已開始洽談2027年供貨協議，因此，受益AI需求持續旺盛，儲存高景氣度有望延續至2027年。 (券商中國)

全球儲存晶片市場正經歷一場劇烈的供需震盪。全球最大的記憶體晶片製造商三星電子本月大幅上調了部分儲存晶片價格，漲幅最高達60%。這一急劇調整源於全球競相建設人工智慧資料中心所引發的供應短缺，其影響已從伺服器製造商蔓延至智慧型手機和PC等消費電子領域。根據供應鏈消息，三星11月份的32GB DDR5記憶體模組合約價已從9月的149美元躍升至239美元。16GB和128GB DDR5產品的價格也上漲約50%，分別達到135美元和1194美元；64GB和96GB模組的漲幅則超過30%。半導體分銷商Fusion Worldwide總裁Tobey Gonneman表示，許多大型伺服器製造商和資料中心建設商已接受無法獲得足夠產品的事實，當前支付的價格溢價“極其誇張”。此次價格飆升的背後是AI基礎設施建設對記憶體需求的爆炸式增長。AI伺服器算力叢集的DRAM容量通常是傳統CPU伺服器的4-8倍，許多單機配置已超過1TB，並且正快速向性能更優的DDR5遷移。與此同時，儲存巨頭們將大量產能轉移至更先進的HBM（高頻寬記憶體）以滿足AI加速器的需求，這進一步擠佔了DDR5的產能。晶片短缺已引發產業鏈的連鎖反應。中國最大的晶圓代工廠中芯國際表示，儲存晶片短缺導致客戶推遲其他類型晶片的訂單。小米等智慧型手機製造商也警告，記憶體價格上漲推高了手機製造成本。行業內部出現了恐慌性搶購，部分供應商明年的NAND快閃記憶體供貨量已被搶訂一空。對於三星而言，此次短缺反而成為其業績的轉折點。由於在先進AI晶片領域進展相對滯後，三星此前利潤增長一直遜於競爭對手。KB證券研究主管Jeff Kim指出，三星向AI晶片轉型的步伐較慢，使其在記憶體領域相比SK海力士和美光等競爭對手擁有更強的定價主導權。市場分析機構TrendForce分析師Ellie Wang預計，三星在第四季度的合約價格漲幅可能達40%至50%，高於行業平均的30%。她表示，三星對價格上漲充滿信心，主要原因是需求非常強勁，客戶正在與供應商簽訂覆蓋2026年甚至2027年的長期協議。摩根士丹利等機構認為，儲存行業已進入“超級周期”。與此前由消費電子驅動、價格敏感的周期不同，本輪需求來自為建構AI算力基礎設施而競賽的資料中心和雲服務巨頭，價格敏感度降至最低。分析師預測，這種供應緊張局面可能持續至2026年，甚至延續到2027年。業內專家指出，伺服器製造商可考慮採用CXL（Compute Express Link）記憶體擴展技術，通過記憶體分層和壓縮來降低對DDR5價格波動的依賴。隨著CPU廠商紛紛增加CXL功能，該技術正逐漸成為應對記憶體價格波動的新策略。這場由AI革命引發的儲存晶片危機，正重塑全球半導體供應鏈的生態。隨著各大科技公司持續加碼AI基礎設施，儲存晶片市場的供需平衡短期內難以恢復，高企的價格可能成為全球數位化轉型處理程序中的新常態。 (晶片行業)

在全球半導體晶片市場，記憶體晶片是一個非常特殊的存在，用量大，是僅次於處理器晶片的第二大品類；但一直被三星、SK海力士、美光以及西部資料等少數國際巨頭所壟斷，中國市場也不例外。 如根據中國海關資料，2024年度中國海關的晶片（積體電路）進口金額27499億元，與去年相比，增長了11.8% 。其中最大類別的是“處理器及控製器”，金額為13719億元；其次就是進口“儲存器”7000億左右，佔據全部進口額的四分之一左右。 但隨著近期國產記憶體晶片技術的持續突破，以及國產儲存廠商的崛起，國產記憶體晶片也迎來了全面反攻的時代。 根據TechInsights最新消息，國產快閃記憶體巨頭長江存儲已開始出貨其第五代3D NAND記憶體晶片，該晶片共有294層，有232個有效層。