重磅！三星與長江儲存合作

在NAND向400層以上邁進攻堅之際，三星做出了新的選擇。

韓媒報導，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用中國NAND製造商YMTC的專利技術，特別是在新的先進封裝技術「混合鍵合」方面。

YMTC是最早將混合鍵結應用於3D NAND的企業，因此在相關技術上擁有強大的專利累積。三星電子選擇透過與YMTC達成協議，而不是冒險規避專利，來化解未來可能出現的風險。

根據ZDNet Korea的報導，三星電子最近與YMTC簽署了3D NAND混合鍵結專利的授權協議。

V10 NAND首次應用混合鍵合

V10是三星電子計畫最早在今年下半年開始量產的下一代NAND。隨著NAND技術的不斷進步，儲存單元會逐漸垂直堆疊，V10預計將達到420到430層。

V10 NAND將採用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵結技術。

W2W混合鍵結是指將兩個矽片直接結合的封裝技術。這項技術省去了傳統晶片連接中所需的「凸點」（Bump），使得電路路徑變得更短，從而提高性能和散熱特性。特別是將整個矽片直接結合的W2W技術，也有助於提高生產效率。

過去，三星電子通常在單一矽片上佈置控制電路（Peripheral），然後在其上堆疊儲存單元，這種方式被稱為COP（Cell on Peripheral）。但當NAND堆疊超過400層時，底部的控制電路承受的壓力增加，會影響NAND的可靠性。

因此，三星電子決定在V10 NAND中採用將儲存單元和控制電路分別在不同矽片上製造，然後透過混合鍵結將它們合併的技術。

選擇“許可協議”而非規避

然而，這項計畫的實現面臨著主要來自現有海外企業的專利問題。 3D NAND的混合鍵合技術是中國最大NAND製造商YMTC在大約四年前首次應用的。 YMTC將這項技術命名為「Xtacking」。

在創業初期，YMTC透過與美國科技公司Xperi簽署授權協議獲得了混合鍵合技術的原始專利。隨後，YMTC也在NAND封裝技術方面建立了相當多的自主專利。

因此，三星電子與YMTC簽署了混合鍵合專利的授權協議。三星電子選擇透過達成共識來避免專利風險，而不是冒險規避，這項策略旨在加速技術開發的進程。然而，是否與Xperi等其他公司進行專利談判，目前尚未確認。

知情人士表示：「混合鍵合相關的技術專利，Xperi、YMTC和台積電TSMC三家公司幾乎擁有了大部分專利。三星電子也判斷，未來在V10、V11、V12等下一代NAND開發中，規避YMTC的專利幾乎不可能，因此選擇了簽署許可協議。」

對於三星來說，這項技術突破解決了下一代NAND開發中的「核心難題」。韓媒認為，但三星或面臨市場主導權喪失的風險，以及由於專利使用可能導致的技術依賴等憂慮。

SK海力士預計跟進

去年年底就有通報三星已成功開發出突破性的400層堆疊NAND快閃記憶體技術，並已開始將此技術轉移到大規模生產線。

這項進展可望超越前不久已宣布量產321層NAND的SK海力​​士。

目前，三星在全球NAND快閃記憶體市場市佔率為36.9%，面對SK海力士的競爭，三星的這項突破顯得格外重要。

SK海力士當然不甘於此，據傳也有可能與YMTC簽署專利協議。

先前，SK海力士副社長金春煥在2024年2月的“Semicon Korea 2024”大會上表示：“我們正在開發一種新平台，在400層級NAND產品中通過混合鍵合技術提高經濟性和量產性。”(芯榜+)