【DeepSeek】致命一擊！顛覆全球HBM晶片產業，韓國半導體即將全面潰敗！

根據韓國科技評估與規劃研究院（KISTEP）2月23日發佈的一份調查報告指出，截至2024年，中國已在半導體技術的所有關鍵領域（ in all key areas）趕超韓國。

韓國媒體之所以得出如此悲觀的判斷，既是三星晶片代工被台積電長期壓制所致；更是由於曾以儲存晶片壟斷全球70%市場的韓國，如今卻深陷技術路徑依賴與生態斷層的泥潭。一場橫跨NAND、DRAM與HBM三大領域的產業地震已悄然爆發。

一、NAND：中國產能碾壓與技術顛覆

韓國三星與SK海力士曾長期主導全球NAND市場，但這一格局在2024年被徹底顛覆。長江儲存憑藉獨創的Xtacking架構，將3D NAND堆疊層數推至294層，較三星同類產品資料傳輸速度提升40%，晶片面積縮減25%，生產成本降低30%。反觀三星，其236層3D NAND因採用複雜的雙堆疊結構，良率不足50%，遠低於長江儲存的80%以上。

根據TrendForce最新消息，三星將從第10代V-NAND快閃記憶體開始，採用長江儲存的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND快閃記憶體，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江儲存進行專利協議的談判。三星、SK海力士之所以選擇與長江儲存合作，很大程度上是因為接下來的第11代和第12代V-NAND快閃記憶體都很難繞過長江儲存混合鍵合技術專利。

也就是說，長江儲存第五代3D TLC NAND快閃記憶體技術已經趕上甚至超過了全球主流儲存廠商，正在成為全球NAND快閃記憶體市場的有力競爭者。

與此同時，價格戰更是直擊韓國命脈。2025年1月，通用NAND晶片價格較兩年前暴跌47%，中國憑藉“國家大基金+地方產業叢集”的協同效應，以合肥長鑫、長江儲存、福建晉華為核心的“鐵三角”產能佔全球份額的35%，直接拉低全球均價。

反觀韓國則因環保政策與美國出口管制步履維艱——三星平澤工廠擴建計畫拖延兩年，SK海力士無錫工廠因EUV裝置受限無法升級。至2024年第四季度，中國儲存晶片全球份額從2022年的4%飆升至35%，而韓國雙雄合計份額從70%滑落至50%。

二、DRAM：消費市場疲軟

整個儲存晶片市場以DRAM記憶體、NAND Flash快閃記憶體兩類晶片為主，DRAM約佔60%，NAND佔40%。自從2022年下半年開始，手機、電腦等消費電子產品遇冷，儲存市場出現嚴重的供過於求，觸發儲存晶片價格暴跌，導致儲存廠商利潤腰斬、股價大跌。2023年至2024年上半年，行業公司不得不通過打折降價、主動減產消耗市場現有庫存等一系列手段“過冬”。

而DRAM市場曾是韓國半導體的“現金牛”，但2024年其結構性缺陷暴露無遺。消費電子需求持續低迷，DDR4記憶體價格較兩年前暴跌60%。三星與SK海力士被迫減產傳統DRAM，將產能轉向HBM等高附加值產品，但此舉導致消費級產品毛利率進一步下滑。

與此同時，隨著中國本土DRAM晶片廠商長鑫儲存的崛起，中國廠商開始更多的採用國產DRAM。中國買家擴大採用國產DRAM，這導致價格進一步環比下跌6%。資料顯示，2025年1月份，DDR4 8Gb批發價為每個1.75美元，4Gb產品價格為每個1.34美元，皆為連續第五個月下跌，創近兩年最大跌幅。

這也意味著，在傳統DRAM市場中國勢力正在迅速崛起，而作為傳統霸主的三星和Sk海力士正在節節敗退，於是只能將目光投向價值更高的HBM。

三、HBM：短暫繁榮與生態斷層的致命傷

空前火熱的人工智慧大爆發，帶動了HBM需求爆髮式增長。根據諮詢機構TrendForce的資料統計，在2023年時，HBM佔DRAM總產值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年佔比預計將超過30%。

表面看，HBM是韓國最後的護城河——SK海力士佔據全球53%的HBM市場份額，三星佔38%，兩者合計壟斷91%。2024年SK海力士營收同比增長102%，HBM3E量產進度領先全球，並向輝達批次供貨。但這一繁榮背後隱藏著致命危機：韓國HBM生態嚴重依賴外部技術標準與客戶繫結，而中國正通過全產業鏈協同發動降維打擊。

如以AI伺服器市場為例，輝達Blackwell晶片因設計缺陷推遲發佈，被迫改用HBM3E 12層堆疊方案，但中國寒武紀與華為已推出存算一體架構的HBM替代方案，能效比提升數倍。

與此同時，DeepSeek的橫空出世給予韓國HBM產業致命一擊。因為DeepSeek採用的H800 GPU，其性能僅為H100 GPU的一半的主要原因在於其HBM的頻寬降低。儘管H800使用與H100相同的80GB HBM3記憶體，但頻寬大約降低了16%。這表明，AI模型可以在較低規格的HBM支援下，依然實現較高的性能。如果越來越多的AI企業效仿DeepSeek，採用低成本、低規格的晶片來實現高性能的AI模型，那麼高端HBM的市場需求將受到更嚴重衝擊。這意味著，市場對HBM的需求預期發生了變化，高端HBM不再是剛需，反而是大家都去搶中低端HBM產品，而目前國產HBM2已有2-3家取得突破，正在逐步量產。

當然，更深遠的是，中國憑藉14億人口的數位化需求與每年千億級研發投入，將HBM與AI晶片、自動駕駛、雲端運算深度捆綁。就如摩根士丹利曾預警的：HBM供過於求風險，但真正的威脅來自中國技術標準定義權。

韓國在HBM領域的技術領先正被中國生態優勢蠶食。三星Exynos 2500晶片因3nm GAA製程良率僅20%而延期量產，其AI編譯器依賴ARM授權，Transformer模型推理效率落後中國寒武紀思元590晶片兩代。反觀中國，百度崑崙芯與華為昇騰910B已建構從演算法到硬體的閉環生態，直接定義了ISO/IEC國際AI晶片標準。同時，在2024年，中國《人工智慧晶片技術規範》成為ISO/IEC國際標準，而韓國K-AI標準仍困守本土。如此，一旦中國主導HBM4技術路線，韓國HBM賽道上現有優勢將瞬間瓦解。

因此，中國儲存企業的崛起、AI晶片生態的降維打擊，以及HBM賽道的結構性失衡，正將韓國半導體推向系統性崩潰的邊緣。

而韓國半導體的崩潰絕非單一技術失守，而是“重硬體輕生態”模式與“全產業鏈協同”模式的終極對決。當中國以市場需求牽引技術標準、以國產化裝置打破供應枷鎖時，韓國仍困守於儲存晶片的“舒適區”。從NAND的價格屠刀、DRAM的產能虹吸，到HBM的生態斷層，這場潰退早已註定——或許2025年，全球儲存半導體產業正在經歷一場靜默的權力更迭。 (飆叔科技洞察)