過去三十年，全球儲存產業版圖完成了一次殘酷而徹底的權力更替。20世紀80–90年代，日本企業幾乎壟斷DRAM市場；進入21世紀後，這一王座被韓國廠商奪走，並由此建立起橫跨技術、規模與資本的長期統治。今天，HBM 成為 AI 算力體系中最稀缺、最賺錢的核心器件之一，韓國廠商坐享紅利，而日本卻基本缺席。然而，就在大家以為日本儲存已經“躺平”時，一家極具野心的本土企業正浮出水面。被韓國改寫的儲存史日本曾是DRAM的代名詞。上世紀 80 年代，日本的幾家儲存企業合計佔據全球 DRAM 市場過半份額。DRAM幾乎等同於日本半導體工業的名片。當時的日本，正處在製造業全球擴張的巔峰期。汽車、家電、精密儀器、機床、消費電子幾乎在所有工業品門類中都具備國際競爭力，而半導體則是這套工業體系中技術密度最高、附加值最高的一環。在此我們再來老生常談下，日本是如何成為DRAM霸主的。1970–80 年代，日本政府通過 MITI（通產省）主導了一系列國家級半導體聯合研發計畫：包括超大規模積體電路（VLSI）國家項目、企業之間共享基礎工藝成果、大企業聯合高校與研究機構協同推進。這套體系催生出一批在工藝、材料、裝置、製造管理上極為成熟的公司：如NEC、東芝、日立、富士通等企業。在1980年代中後期，日本廠商一度佔據全球DRAM市場50%以上份額。日本模式的核心特徵可以概括為三點：第一，工藝導向。日本廠商非常強調製程細節、器件可靠性與長期良率穩定，而不是單純追求“最小節點”。第二，製造紀律。極端重視良率曲線爬坡速度、裝置穩定性、產線一致性。第三，產業協同。材料、裝置、晶圓製造、封測之間形成高度黏合的國內產業鏈。在那個階段，DRAM的競爭本質上是：誰能更快、更穩定地把工藝做到量產良率。日本對此具有天然優勢。日本為何會失去 DRAM 王座？轉折點出現在1990年代。這一時期，日本經濟泡沫破裂，企業進入長期資產負債表修復期，資本開支趨於保守。與此同時，DRAM行業發生了結構性變化：市場開始走向周期性強波動，產品逐漸標準化、同質化，而且價格競爭愈發激烈。DRAM 從技術溢價型產品，逐步變成高資本開支+高周期波動+低毛利容忍度的重資產行業。這對日本企業極為不利，因為日本企業普遍追求穩健回報，難以接受長期虧損換規模，更偏向“盈利性製造”，而非“戰略性虧損擴張”。再加上美國對日本半導體實施貿易限制，日本廠商在對美出口上承受額外壓力，進一步削弱了擴張能力。結果是，日本廠商在1990年代逐步退出DRAM主戰場，將資源轉向邏輯晶片、MCU、功率器件、感測器等領域。而韓國後來居上，靠的是另一套邏輯：以三星為代表，韓國政府與財閥集團形成了高度繫結的產業推進機制。首先在國家層面，長期將半導體視為戰略產業，提供低息貸款、稅收優惠、土地支援；企業層面，也能夠接受長期虧損周期，用激進資本投入換規模，以市佔率優先替代利潤優先。1997年亞洲金融危機後，這一策略被進一步強化。三星逆周期擴產 DRAM，通過價格戰淘汰對手。最終，日系廠商幾乎全部退出 DRAM 主流市場。隨後，SK hynix（前現代半導體）在2010 年代中期崛起，全球DRAM市場已經成為三星和SK海力士的天下，其餘廠商僅存邊緣份額。進入 AI 時代後，這一優勢被進一步放大。高性能計算對記憶體提出極高頻寬、極低延遲、極高容量三項核心需求。HBM（High Bandwidth Memory）正是在這種需求下成為關鍵器件。HBM的特點是：多層 DRAM Die 堆疊，與GPU / AI 加速器進行近封裝，單顆價值顯著高於普通 DRAM。對於早已在 DRAM 堆疊、封裝、良率控制方面積累深厚經驗的韓國廠商而言，這是天然優勢延伸。因此，韓國廠商迅速佔據HBM主導地位，高端GPU幾乎離不開其供貨，自然吃到AI紅利，產業話語權進一步集中。而日本的問題在於，既沒有DRAM主流產能，也沒有HBM技術積累，更沒有大規模資本投放能力。在當前 HBM 產業鏈中，日本的存在感幾乎只體現在材料、裝置零部件、部分封裝工藝，但在“產品層面”，幾乎缺席。對於日本而言，真正擔憂的可能並不是韓國賺了多少錢，而是在新一輪計算範式變革中，日本是否將徹底失去對“核心器件形態”的定義權。日本儲存的反擊在這樣的大背景下，一家名為SAIMEMORY的記憶體公司於2026年2月初浮出水面。SAIMEMORY成立於2024年12 月，2025 年6月開始營運，是軟銀旗下子公司，但此前一直保持低調。直到 2026年2月，在英特爾舉辦的Intel Connection Japan 2026 活動上首次公開亮相。2026年2月3日，軟銀公司宣佈，其全資子公司SAIMEMORY公司於 2026 年 2 月 2 日與英特爾簽署合作協議，以推進Z-Angle Memory (ZAM) 的商業化。ZAM的命名來自Z軸，意味著晶片沿垂直方向進行軸向堆疊，而非僅僅在平面層疊。其理論優勢包括：更短的資料通路、更均勻的熱擴散路徑、更高的可擴展層數、更低單位頻寬功耗，本質上，這是一次從2.5D 堆疊向真正3D結構記憶體演進的嘗試。當前主流高頻寬記憶體的結構，本質仍是Die在平面方向堆疊，通過TSV等方式互連，但由於功率和散熱的限制，目前這種結構的16層已經接近其極限，預計最大層數將在20層左右。英特爾在該項目中，並非單純“戰略投資人”。其關鍵貢獻來自：下一代 DRAM 鍵合（NGDB, Next-Gen DRAM Bonding），美國能源部支援的先進儲存技術（AMT）項目基礎，英特爾院士、政府技術 CTO Joshua Freeman 表示：傳統記憶體架構無法滿足 AI 需求，NGDB 定義了一種全新的方法。該公司將利用由美國能源部和國家核安全管理局管理、並通過桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利弗莫爾國家實驗室及洛斯阿拉莫斯國家實驗室實施的“先進儲存技術（AMT）計畫”中，英特爾已完成的“下一代 DRAM 鍵合（NGDB）倡議”所驗證的底層技術及專業知識。SAIMEMORY計畫在2027財年（截至2028年3月31日）開發出原型產品，並爭取在 2029 財年實現商業化，為此將持續推進創新儲存架構和製造技術的研究。再來說說軟銀的算盤，軟銀正在押注一條可能跳過HBM世代的新型記憶體路線，軟銀是在為AI基礎設施準備“自有記憶體”。軟銀正在變成一家AI基礎設施資本營運商。軟銀已表態在 2027財年原型機完成前投入約30億日元，這是一筆期權型投資：成功，則掌握下一代記憶體入口；失敗，損失可控。在儲存領域，日本採取了“曲線救國”的策略，通過結構性創新，尋找架構級躍遷，來避開正面規模戰爭。從市場環境來看，記憶體的稀缺也給了日本窗口期。目前，AI資料中心消耗了大多數的記憶體，據TrendForce資料，2026年全球生產的記憶體中，約70%將被資料中心消耗。三星與SK hynix 均警告短缺可能持續到2027年。而且行業的共識是，AI資料中心消耗的記憶體佔比快速上升，未來幾年記憶體供需還將處於緊張。只要ZAM能在功耗/頻寬/成本某一維度顯著優於 HBM，那怕只佔據小眾市場，也有商業生存空間。日本不止押注記憶體經歷過 DRAM 被韓國全面超越、先進邏輯製程被台積電和三星壟斷之後，日本產業界其實已經形成了高度一致的共識：日本不可能再複製 80–90 年代那種橫掃式的半導體霸權。無論是資本體量、產業規模，還是風險承受能力，日本都很難與中美正面避險。於是，日本近幾年的半導體戰略出現了一個明顯轉向：從追求“做大做全”，轉向確保在若干決定未來走向的關鍵技術節點上擁有席位。第一，最具象徵意義的，是 Rapidus 的出現。Rapidus 並不是一家按照傳統商業邏輯成立的代工廠，而更像是一家“國家能力型公司”，股東陣容橫跨汽車、電子、通訊、網際網路與半導體。專攻2nm先進製程，日本不是幻想在先進製程上打敗台積電，而是要避免出現一種局面：日本在最先進邏輯晶片製造領域，完全沒有自己的“技術落腳點”。因此，Rapidus 與 IBM 的合作，以及與 ASML 的裝置繫結，本質上就是在用國家力量換一張“先進製程入場券”。第二，在代工領域，日本通過巨額補貼成功引入台積電 (TSMC) 在熊本建設 JASM 一廠及二廠，與 Sony、Denso 合作。一廠（成熟/中階製程）已開業，二廠將引入 6/7nm 先進製程。儘量實現本土化製造，保障供應鏈安全，這樣也能更好的讓日本的裝置和材料廠商能夠與最頂尖的代工流程現場貼合。第三，在先進封裝方面，日本正在籌劃Chiplet（芯粒）時代的入場券。Intel與日本 14 家主要供應商（如 Ibiden、Resonon 等）組建了名為 "SATAS" 的研究小組，共同開發後端封裝技術。日本在光刻膠（JSR、東京應化）、封裝基板（Ibiden）和切片裝置（DISCO）等細分領域擁有壟斷性優勢，這是日本在先進封裝領域的籌碼。第四，在 AI 加速器方向，日本企業的態度同樣非常克制。幾乎沒有日本公司公開宣稱要打造通用 GPU 來挑戰 NVIDIA。日本目前已經形成了一個由老牌巨頭轉型、頂尖實驗室孵化、以及垂直領域初創公司構成的 AI 晶片矩陣。PFN是日本目前估值最高的 AI 初創公司，也是日本 AI 晶片自主化的核心力量。於2016年啟動了第一代MN-Core處理器的研發，目前已經研發了兩代。2026 年，PFN 已開始部署其最新一代 MN-Core L1000，並正與世嘉（SEGA）等公司合作，將 AI 晶片的能力從高性能計算（HPC）擴展到更廣泛的工業和遊戲渲染領域。來源：PFN官網MN-Core 是為深度學習裡的矩陣計算量身定做的晶片架構，在設計時，它刻意去掉了通用 CPU/GPU 中大量複雜的控制邏輯。MN-Core 的硬體架構中大量整合了專門用於矩陣運算的單元（MAU），用於高效執行乘加等核心操作。整個架構採用的是 SIMD（單指令、多資料）思路：即同一條指令，同時驅動大量資料平行計算，而且不支援複雜的條件分支。在更高一級結構上，MN-Core 把計算資源組織成“矩陣運算塊（MAB）”，每個MAB由：4 個處理器單元（PE）和1 個矩陣運算單元（MAU）組成，並採用分層結構進行組合。從效果上看，這種架構既保持了硬體的高度專用性，又通過層級化和多模式支援，保留了一定的程式設計靈活性，非常適合神經網路中大規模、規則化的矩陣計算任務。MN-core與傳統傳統通用處理器架構的對比（來源：PFN官網）EdgeCortix是一家邊緣 AI 領域的黑馬，總部位於東京，成立於 2019 年 7 月，其理念是採用軟體優先的方法，從零開始設計 AI 專用處理器架構。專注於“邊緣端”AI 推理晶片，其核心產品是SAKURA-II 系列 AI 協處理器，採用名為 DNA（Dynamic Neural Accelerator，動態神經加速器）的架構。2026 年 1 月，其 SAKURA-II 晶片通過了 NASA 的抗輻射測試，被驗證可用於月球任務和軌道衛星。SAKURA-II 支援 Llama 2、Stable Diffusion、DETR 和 ViT 等數十億參數模型，典型功耗僅為 8W，滿足視覺、語言、音訊等眾多應用領域中各種邊緣生成式人工智慧應用的需求。SAKURA-II 晶片（圖源：EdgeCortix）日本 AI 泰斗松尾豐教授的實驗室孵化了一批初創公司，雖然它們大多做軟體，但正在通過 AI-SoC (系統級晶片) 的形式向底層滲透。如 EQUES 等公司，正在與半導體設計廠合作，將特定的視覺識別演算法直接固化在晶片中。日本老牌晶片巨頭正緊跟 AI 浪潮，通過“精準卡位”實現戰略轉型。索尼（Sony）憑藉感測器優勢深耕視覺AI晶片；瑞薩通過車載 AI MPU，穩固汽車半導體版圖；富士通（Fujitsu）則依託超級電腦基因，持續拓展高性能 AI 計算晶片。它們正試圖在 AI 的細分垂直領域構築新的壁壘。結語回過頭看，日本正在做的，與其說是對韓國的“復仇”，不如說是對自身產業命運的一次再下注。日本已經不再試圖在 DRAM 產能規模上複製三星與 SK hynix 的成功，也不再幻想在通用 GPU 賽道正面挑戰 NVIDIA。取而代之的，是一套更冷靜、也更現實的路線：在先進邏輯製程上，保住起點；在先進封裝上，掌握形態；在 AI 晶片上，進入系統；在儲存領域，押注架構躍遷。這場賭局的結局，或許還要很多年才能見分曉。但至少，日本已經重新坐回了牌桌。 (半導體行業觀察)

國外主流海外券商機構均推出了各自的儲存行業分析模型，對儲存產品價格、銷售額、出貨量、廠商市場份額、產能及資本開支等核心指標進行定期更新與跟蹤。這篇文章來看看美銀於 1 月 31 日發佈的模型更新內容。美銀將全球 DRAM/NAND 銷售額預測上調 25%美銀對 2026 年的預測較此前版本的核心調整包括：動態隨機存取記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND）平均銷售價格（ASP）上調 20% 以上；儲存位出貨量增速小幅提升；3）資本開支（capex）增加，主要由 HBM 擴產及基礎設施投資（晶圓廠土建、電力配套等）驅動；HBM 市場規模進一步擴大，一方面源於美國大型科技企業需求走強，另一方面得益於三星 HBM4 產品量產爬坡進展順利；受 DRAM 供應短缺及儲存成本高企影響，原始裝置製造商（OEM）下調產量，但得益於 AI 伺服器需求持續穩健增長，該因素對整體儲存需求的影響仍較為有限；儲存行業的多年增長周期（超級周期）具備可持續性，但美銀預計 2026 年第二季度至下半年 ASP 將維持穩定，2027 年則會出現低於 10% 的價格回呼。整體來看，在 ASP 上漲 50%-60% 的支撐下，美銀預計全球 DRAM、NAND 銷售額將從 2025 年的 1340 億美元、810 億美元，分別增至 2026 年的 2620 億美元、1470 億美元，同比增幅分別達 95%、82%。DRAM 現貨價格自 2025 年 9 月以來首次走弱本周，DRAM 現貨價格在過去 4-5 個月的持續上漲行情後終於出現走弱。目前將此視為行業硬著陸的早期訊號仍為時尚早，但多家 OEM 已表示，按當前現貨價格計算的 DRAM 成本，已超過其低端個人電腦、智慧型手機、平板電腦的產品售價。通常情況下，DRAM 成本佔產品售價的比例應低於 10%。儘管如此，部分記憶體模組廠商表示，若 DDR4 或 DDR5 價格回落至 20-30 美元區間，無論容量（8Gb 或 16Gb）或規格（DDR4 或 DDR5），均有較強的追加採購意願。目前，兩類 DRAM 產品單價已突破 30 美元：16Gb DDR5 與 8Gb DDR4，而 16Gb DDR4 單價則處於 70 美元以上區間。美銀認為，當前頭部一級 OEM 獲取的合約價格仍維持在每 GB 10-20 美元水平，現貨價格與合約價格仍存在較大價差，因此現貨價格料將向合約價格水平回歸。值得關注的是，受 2025 年上半年減產的滯後效應影響，NAND 現貨供應持續緊張，本周 NAND 現貨價格進一步上漲（1Tb、512Gb 規格漲幅達 5%-6%）。我們節選部分重要圖表呈現如下：美銀預計，即便 2024 年、2025 年全球 DRAM 銷售額已分別實現 86%、52% 的同比增長，2026 年預期仍將大幅增長 95%；核心驅動因素為 SK 海力士的 HBM 業務及平均銷售價格（ASP）強勢反彈（同比 + 65%）。2025 年 NAND 銷售額僅實現低個位數增長，而在平均銷售價格（ASP）同比上漲 53% 的驅動下，預計 2026 年 NAND 銷售額將同比增長 82%美銀將 DRAM 及 NAND 銷售額預期上調 20%-25%，主要因近期價格上漲後，美銀上調了平均銷售價格（ASP）預期（2026-2027 年 DRAM ASP 為 6 美元；NAND ASP 為 3.5-4.0 美元）美銀採用自下而上的分析方法，該方法基於儲存行業三大廠商的過往業績表現與長期發展規劃；預計 2026-2027 年，SK 海力士在 HBM 領域的主導地位將持續保持；假設三星（按 HBM 銷售額口徑計算）市場份額為 20% 左右，而 SK 海力士則佔據 50% 以上的 HBM 市場份額。報告還統計了中國公司CXMT和YMTC的Capex情況... (傅里葉的貓)

有個事，可能超出很多人的認知：現在，全國的垃圾焚燒廠竟然發愁：垃圾不夠燒的！從“垃圾圍城”到“垃圾不夠燒”，這不只是一個環保逆襲的故事。答案也沒那麼簡單。最近很多媒體，不約而同關注到了深圳羅湖區的這座垃圾山，沉睡了二十多年的玉龍垃圾填埋場。11.69萬平方米的超大綠色天幕下，多台挖掘機有序工作著，對這座沉睡近30年、海拔110米、高差達46米的垃圾山，進行精準“解剖”。這也是目前全國體量最大、全量開挖的垃圾環境修復治理工程。這座填埋場建於1983年，1997年停用，2005年底實施封場，曾是深圳市最早、最大的生活垃圾填埋場之一，累計填埋垃圾超過410萬噸，大約有250萬立方米，差不多2.5個“鳥巢”那麼大。臭氣、蚊蠅、滲濾液污染……在當年，在城市快速擴張的年代，焚燒技術尚未成熟，填埋是唯一的選擇，這座填埋場是不得已的存在。直到2019年，深圳南山二期、寶安三期、龍崗三大能源生態園提前投產運行，全市新增垃圾焚燒處理能力1.03萬噸/日，總設計焚燒能力達到1.8萬噸/日，最高可達2萬噸/日。深圳在全國一線城市中率先實現分類後的生活垃圾全量焚燒。於是，對玉龍填埋場的“存量垃圾治理工程”，也被提上了日程。2024年7月，這場總投資21.7億元，史無前例的“搬山”行動正式啟動。工程的核心是“開挖篩分”——將二十多年前填埋的垃圾重新挖出來，通過精細篩分，把可燃物送往焚燒廠，把惰性物質製成環保建材，把滲濾液進行無害化處理。玉龍項目預計將在2026年底前完成全部治理工作，屆時這片土地將被改造成城市公園和發展用地。項目的意義，已經遠不止“消除一座垃圾山”。它代表著中國垃圾處理理念的根本轉變：從“填埋了事”到“資源循環”，從“眼不見為淨”到“徹底治理”。2010年，導演王久良用一部《垃圾圍城》，揭開了北京的“傷疤”。他用GPS定位和航拍，記錄下北京五環、六環周邊400多座垃圾場的分佈圖。當時的資料觸目驚心：北京每天約產生3萬噸生活垃圾，而處理能力只有2萬噸，缺口高達1萬噸。這些處理不了的垃圾，只能“暫且”堆放在城市周邊，形成一座座“垃圾場”、“垃圾山”。王久良說，他在東六環的一個垃圾場，就看到垃圾焚燒後天空濃煙瀰漫，200多隻綿羊還在垃圾裡翻果皮、菜葉子還有肯德基的薯片吃。羊吃垃圾，人再吃羊。表面上，垃圾被丟得很遠，但實際上它還會回到人體內，通過空氣、通過水分，通過食物。紀錄片播出後，整個社會震驚不已。但這也成了一個改變的契機，北京市政府迅速行動，投入100億元啟動垃圾處理設施建設，關閉了周邊的非正規垃圾場，新建了多座現代化焚燒廠。可以說，這100億的投入，拉開了中國垃圾焚燒產業快速發展的序幕。2012年，國家發改委出台《關於完善垃圾焚燒發電價格政策的通知》，明確垃圾焚燒發電上網電價為每千瓦時0.65元，遠高於燃煤發電基準價。符合條件的垃圾焚燒發電項目，在企業所得稅和增值稅方面有可觀的優惠。什麼努力，都比不上把“煩惱”變成一樁“好買賣”。環保企業通常和地方政府簽訂25至30年的特許經營權合作，相關的政府部門按約定的價格向項目公司支付垃圾處理費（通常150元/噸），項目公司出售垃圾焚燒過程中產生的電力、蒸汽、熱水甚至是爐渣等。在特許經營權期滿後，公司將有關基礎設施移交給特許經營權授予方。垃圾焚燒發電廠的工藝流程圖 圖源：綠色動力環保集團政策紅利疊加城鎮化加速，竟然迎來了垃圾焚燒產業的黃金十年。2005年，全國只有67座垃圾焚燒廠；到2023年，這個數字飆升到1010座，還催生出光大環境、瀚藍環境、三峰環境、綠色動力等20多家上市公司。焚燒處理能力從不足3萬噸/日，增長到111萬噸/日，增長了近40倍。小浴缸變成游泳池，於是焚燒在生活垃圾處理中的佔比，從9.8%躍升至82.5%，填埋則從85.2%驟降至7.5%。這是不得了的革命，中國對於城鄉生活垃圾的處理模式，徹底轉向了以“焚燒”為主。審美調性再一上來，垃圾焚燒廠一個個還成了各地的地標。但萬萬沒想到，“垃圾不夠燒”的問題竟來得如此之快。這算不算“幸福的煩惱”呢？2024年，陝西西咸新區的一座焚燒廠傳出消息：設計日處理能力3000噸，實際進廠垃圾只有1800噸，產能利用率不足60%。根據E20研究院的監測資料，2024年全國垃圾焚燒廠的平均產能利用率只有60%左右，107座焚燒爐在當年停運超過半年。更令人意外的是，一些地區甚至出現了“搶垃圾”的現象。華東某省的多座焚燒廠，為了爭奪有限的垃圾資源，不惜降低垃圾處理費報價，甚至出現“零元中標”的極端案例。從“垃圾圍城”到“垃圾不夠燒”，只用了十五年。這背後，產能過剩、垃圾分類和國補退坡，都不同程度地起到了作用。垃圾焚燒產業也開始經歷一場深刻的洗牌。部分垃圾焚燒類上市企業的業務資料 圖源：每日經濟新聞但這是否意味著，至少中國的垃圾問題已經徹底解決了？其實沒這麼簡單，生活垃圾只是冰山一角，真正的挑戰還在後面。2.6億噸生活垃圾，聽起來是一個龐大的數字。但如果把視野放大到整個固體廢物領域，這個數字只佔2.4%。有官方統計，中國每年產生的固體廢物總量超過110億噸，包括工業固體廢物、建築垃圾、生活垃圾、農業固體廢物、危險廢物等固體廢物。生活垃圾只是其中很小的一塊。根據《全國固體廢物污染環境防治資訊發佈情況研究報告（2024年）》，315座城市2023年共產生93.2億噸固體廢物，排名前四的類別分別是：工業固體廢物38億噸，佔比40.8%；建築垃圾24.1億噸，佔比25.9%；農業固體廢物25.8億噸，佔比27.7%；危險廢物約1.0億噸，佔比1.07%。那處理了多少呢？金屬、玻璃、紙制廢物，可以直接回收，這一點我們熟悉。海南省昌江黎族自治縣石碌鐵礦自1957年復產以來，產生約3億噸尾礦渣圖源：新華社但一般工業固體廢物中，尾礦、粉煤灰、煤矸石、冶煉廢渣和爐渣是主要種類，合計佔產生總量的62.5%（基於納入統計的城市資料），處置量只有7.8億噸，大部分還沒有被有效處置。這才是現在冰山之下的一顆顆定時炸彈。比如2025年3月，央視報導多家企業，將煤矸石直接傾倒於山溝、河岸，有的距村莊僅百米。事發後，企業被責令停產整改，責任人也被追究刑事責任，但生態的修復卻不是一朝一夕的事情，代價巨大。再說建築垃圾，每年約35億-40億噸，但資源化利用率很低，絕大部分被簡單填埋或堆放。這部分主要是工程渣土、工程泥漿、工程垃圾、拆除垃圾、裝修垃圾等，2023年資源化利用量為8.6億噸，垃圾填埋量為7.6億噸。在北京、上海等一線城市，建築垃圾的處置費用已經漲到每噸100-200元，但仍然供不應求。一些施工單位為了節省成本，選擇非法傾倒，由此引發的環境問題也是層出不窮。至於農業固體廢物，同樣也不容忽視。報告稱，2023全年農作物秸稈產生量為6.2億噸，有5.1億噸能被回收利用。但每到秋收季節，能不能焚燒秸稈，有沒有更環保且廉價的處理方式？至今仍是社會爭論的熱點。畜禽糞污產生量為19.6億噸，能有18.3億噸被資源利用，這是很好的肥料，相對還好。但還有幾個數字，就顯得不太樂觀了。廢棄農用薄膜回收量為156.9萬噸，利用量為59.2萬噸，處置量為36.5萬噸；廢棄農藥包裝物回收量為7.9萬噸，處置量為4.7萬噸。總之，農村地區更分散，環境更脆弱，對垃圾處置的成本更加敏感，這些農業廢棄物如果處理不當，會造成嚴重的面源污染（無固定、集中的排放口的污染）。貴州省貴陽市開陽縣龍崗鎮大水塘村水稻秸稈堆砌著圖源：貴陽網還有危險廢物，雖然總量相對較小，但處理難度最大、風險最高。全國1億多噸危險廢物中，包括廢酸、廢鹼、廢有機溶劑、含重金屬污泥等，處理成本動輒每噸數千元，一些特殊類別甚至高達每噸上萬元。這就是中國固體廢物的真實圖景：生活垃圾不夠燒了，但工業固廢、建築垃圾、農業廢棄物、危險廢物的處理，仍然任重道遠。110億噸固體廢物，每一噸都必須找到出路。幸運的是，面對110億噸固體廢物的挑戰，中國正在探索一條全新的道路。前不久，《固體廢物綜合治理行動計畫》印發。這是中國首個針對全品類固體廢物的國家級行動計畫。按照減量化、資源化、無害化的原則，系統推進和重點攻堅，加快補齊短板弱項，是要把固廢問題全面解決。計畫提出了明確的目標：2024年底前停用的填埋場，除有後續使用計畫的外，原則上到2027年全部完成封場治理。到2027年，全國“無廢城市”建設比例將達到60%；到2035年，將實現“無廢城市”全覆蓋。到2030年，大宗固體廢棄物年綜合利用量達到45億噸，主要再生資源年循環利用量達到5.1億噸，固體廢物綜合治理能力和水平顯著提升。這目標夠不夠清晰？我們國家做事的行動力，你相信不相信？關鍵時間節點與量化目標其中，“無廢城市”不是沒有廢物，而是通過源頭減量、資源化利用、無害化處置，實現固體廢物的“近零填埋”。這個目標聽起來遙遠，但已經有城市走在前面。開頭提到的深圳，正是全國首批“無廢城市”試點之一，也是目前推進最快的城市。除了前面提到的玉龍存量垃圾治理，在深圳龍崗，一座名為“能源生態園”的設施直接顛覆了人們對垃圾處理的認知——那是集“產、學、宣、研、游”於一體的綜合園區，就是一座夢幻般的花園。放眼全國在建築垃圾處理方面，北京、上海等城市已經建成多座資源化處理設施，將建築垃圾破碎、篩分後，製成再生骨料、再生磚等建材產品。北京大興的一座建築垃圾資源化處理廠，年處理能力達到100萬噸，資源化利用率超過95%。在工業固廢處理方面，水泥窯協同處置正在成為主流技術路線，同時處理工業固廢、污泥、危險廢物等多種廢棄物，實現“變廢為寶”。根據中國水泥協會的資料，全國已有超過200條水泥生產線具備協同處置能力，年處理固廢超過3000萬噸。在農業廢棄物處理方面，秸稈綜合利用率已經從十年前的不足60%提升到目前的88%以上。秸稈還田、秸稈飼料、秸稈發電、秸稈制板材，多元化的利用路徑正在形成。這些探索的共同特點是：不再把廢物當作“負擔”，而是當作“資源”。從“末端處理”到“全鏈條治理”，從“被動應對”到“主動規劃”，中國的固體廢物管理正在經歷一場深刻的變革。當然，110億噸固體廢物，不是一朝一夕能夠解決的。但方向已經明確，路徑已經清晰。當年《垃圾圍城》帶來的震撼，轉化成行動的力量，今天“變革”仍在持續上演。這才是對子孫後代負責的可持續發展之路。 (虎嗅APP)

📊 記憶體漲價潮：2026年Q1的供需博弈與產業重構時間線：2026年1月，TrendForce發佈最新市場分析報告💰 價格走勢：全線上漲成定局📈 核心資料2026年第一季度，記憶體市場呈現全品類漲價態勢。供應商戰略性轉向伺服器應用市場，導致消費級產品供應收緊，價格承壓上行。TrendForce的報告揭示了一個清晰的產業邏輯：利潤在那裡，產能就流向那裡。當前AI伺服器對高頻寬記憶體（HBM）和DDR5的需求持續爆發，記憶體製造商正在進行一場激進的產能重新分配。這不是簡單的供需失衡，而是一次由技術迭代驅動的產業鏈重構。🎯 供應商策略：押注伺服器賽道💡 戰略洞察三星、SK海力士、美光等頭部廠商正在將更多晶圓產能分配給伺服器DRAM和企業級SSD。這種資源傾斜不僅是短期市場反應，更是對未來5年AI基礎設施建設浪潮的提前佈局。這裡存在一個矛盾點：消費電子市場並未完全復甦，PC和智慧型手機出貨量增長乏力，但記憶體價格卻在上漲。傳統的"需求拉動價格"邏輯在此失效，取而代之的是供應端的主動調控。製造商通過削減消費級產品供應來維持價格，同時將高毛利的伺服器產品作為核心增長引擎。⚠️ 市場影響：消費者承壓🚨 價格警示對於計畫升級電腦或購買儲存裝置的消費者來說，2026年上半年不是好時機。DDR4/DDR5記憶體條、消費級SSD的價格在第一季度預計上漲8-12%，部分高端型號漲幅可能達到15%。金句時刻：當供應商開始談論"結構性最佳化"時，消費者的錢包就該緊一緊了。這輪漲價的特殊之處在於，它不是周期性的供需波動，而是產業結構性轉型的副產品。AI訓練叢集每增加一個機櫃，就意味著數百GB的HBM需求，而這些產能原本可以生產數千條消費級記憶體條。選擇題已經做完，代價由消費市場承擔。🔍 深層邏輯：技術代際的剪刀差🧠 產業思考當前記憶體市場正在經歷一次罕見的"雙軌制"：一邊是AI伺服器對尖端製程和高性能產品的瘋狂吞噬，另一邊是消費市場對成熟製程產品的溫和需求。兩者的利潤率差距正在撕裂傳統的產能分配模式。三星在2025年下半年將HBM3E產能提升了40%，SK海力士更是將部分DDR4產線直接改造為HBM專用線。這不是簡單的產能轉換，而是一次押注未來的豪賭。問題在於，當AI泡沫一旦遇冷，這些高度專業化的產能能否快速回歸消費市場？歷史告訴我們，產能調整的滯後性往往會放大市場波動。📉 歷史對照：2018年的教訓回顧2017-2018年的記憶體漲價周期，同樣是供應商削減產能導致價格飆升，但彼時的驅動力是智慧型手機換機潮。當需求見頂後，2019年價格迅速崩盤，部分產品跌幅超過50%。本輪周期的不同之處在於AI需求的持續性存疑——如果大模型訓練放緩，或者推理晶片效率提升導致記憶體需求下降，供應商的產能押注可能面臨巨大風險。💼 企業應對：成本轉嫁與庫存策略📦 實操建議對於企業採購：建議在Q1結束前鎖定全年伺服器記憶體需求，避免Q2-Q3可能出現的進一步漲價。對於個人使用者：如非剛需，可等待2026年下半年觀察市場走向。如果AI需求降溫，價格可能出現回呼。OEM廠商已經開始行動。多家PC品牌在2025年底提前囤積了3-6個月的記憶體庫存，試圖避險漲價風險。但這種策略也有代價：一旦價格反轉，庫存減值損失將直接侵蝕利潤。市場參與者都在玩一場高風險的預期遊戲。🌐 全球視角：地緣政治的隱形變數🌍 風險提示美國對華半導體出口管制的持續升級，可能進一步扭曲全球記憶體供應鏈。中國本土記憶體廠商（如長江儲存、長鑫儲存）的產能爬坡速度，將成為影響全球價格走勢的關鍵變數。如果中國廠商在2026年實現DDR5和NAND Flash的大規模量產，可能對韓國和美國供應商形成價格壓力。但目前來看，技術代差仍然明顯，短期內難以撼動三星、SK海力士的市場主導地位。地緣政治正在將記憶體市場從純粹的經濟博弈，推向更加複雜的國家戰略競爭。🎲 終極問題：泡沫還是趨勢？核心矛盾在於：AI對算力的需求是真實的，但這種需求的增長曲線是否足夠陡峭到支撐當前的產能投資？OpenAI、Google、Meta們在瘋狂採購GPU和記憶體，但如果AGI進展不及預期，或者監管壓力加大，這些需求可能在18-24個月內急劇萎縮。歷史不會重複，但總是押著相同的韻腳。2000年的網際網路泡沫、2008年的金融危機，每一次技術革命的敘事高潮期，都伴隨著產能過剩和價格崩盤的風險。記憶體廠商這次能否避免重蹈覆轍？答案可能要到2027年才能揭曉。📌 實用策略矩陣最後一句話：在資本主義的棋盤上，消費者永遠是最後買單的那一方。但聰明的玩家會學會看懂棋局，選擇不在高位接盤。 (芯在說)

最近，不少晶片設計公司在晶圓廠那裡吃到了“閉門羹”，不少晶圓廠反饋：部分成熟工藝的產能已經開始不好投片。然而，這並非傳統意義上“缺芯”的簡單回歸，而是 AI 溢出效應引發的一場深刻連鎖反應。AI 不只搶走先進製程與先進封裝的資源，也通過電源與功率鏈條把壓力傳導到成熟節點：資料中心功耗暴漲，帶動 PMIC、功率器件、驅動等需求持續抬升，而這類晶片往往依賴 8 英吋或成熟製程產能；當供給側又出現縮減時，成熟工藝自然更容易出現投片變難、利用率拉滿、價格修復的連鎖反應。此外，AI催動的儲存市場回暖，正通過 NOR Flash 等基礎器件的漲價，進一步抬高 MCU 與各類模組的綜合成本。而近段時間，晶圓廠的一些動作也是暗流湧動。台積電、三星加速收縮 8 英吋舊產線，矽片廠擴產12英吋，力積電賣掉最先進的12英吋新廠。。。一系列看似分散的事件，背後其實指向同一個趨勢——2026 年的半導體格局，早已不再是簡單的周期波動，而是一場關乎生存的產能重構。理解這場重構的第一把鑰匙，就是從一個看似“過時”的主角開始：8 英吋。8英吋，巨頭退場，利弊如何？在 8 英吋晶圓的歷史坐標上，2026 年註定是一個分水嶺。台積電與三星這兩家執掌全球製程牛耳的巨頭，正不約而同地選擇關掉一些8英吋晶圓廠。台積電在 2025 年 8 月對外表示，將在未來兩年內逐步淘汰 6 英吋晶圓製造業務，並繼續整合其 8 英吋晶圓生產能力以提升效率。目前台積電在台灣仍擁有一座 6 英吋晶圓廠與四座 8 英吋晶圓廠用於成熟節點晶片製造。TrendForce 援引台媒資訊稱，台積電 8 英吋 Fab 5 預計將在 2027 年底前後停止生產，同時 6 英吋 Fab 2 也將在 2027 年停產。三星方面也出現類似動作。據報導，三星計畫關停韓國器興（Giheung）的 8 英吋 S7 廠，時間窗口落在 2026 年下半年，對應產能減少約 5 萬片/月。需要強調的是，這並非“三星全面退出 8 英吋”——器興仍有 S6、S8 等產線繼續運轉。但 The Elec 的資訊指出，S7 下線後三星 8 英吋月產能將從約 25 萬片降至 20 萬片以下，且其 8 英吋產線當前利用率約 70%，這為關停舊線提供了現實基礎。那麼，為什麼兩家公司都在“退休”8 英吋？背後並不是成熟工藝沒有需求，而是一場基於經濟性與平台遷移的深度考量：第一，經濟帳越來越不划算。在同樣的廠房、人力與維護成本下，12 英吋晶圓能產出更多 die，也更容易實現規模化與自動化；而 8 英吋裝置老化、維護成本高、折舊壓力重，利潤空間天然更薄。TrendForce 的判斷也指出：當關鍵產品持續向 12 英吋遷移後，8 英吋繼續大規模運行會越來越不經濟。第二，產品平台在遷移。以 CMOS 圖像感測器（CIS）與顯示驅動（DDI）為代表的品類，正在加速向 12 英吋平台轉移。三星 8 英吋利用率僅約 70%，其中一個重要原因正是 CIS/DDI 等產品“轉場”。一旦這些體量型產品離開，8 英吋的產品結構就更趨邊緣化，關停與整併也隨之發生。第三，AI 虹吸效應： 在算力競賽面前，資本是趨利的。巨頭們正將每一分預算和每一位工程師都投入到回報率更高的先進製程與先進封裝（如 CoWoS）中。在巨頭的資源圖譜裡，8 英吋的優先順序必然會往後排。具有諷刺意味的是，巨頭的退休恰逢需求的復甦。AI 並不只存在於雲端算力，它帶動的電源管理（PMIC）與功率器件需求呈指數級增長。這種需求結構性上行撞上供給側硬收縮直接導致了 8 英吋產能的供需天平失衡。巨頭的撤退，為留守者留下了豐厚的遺產。最直接的就是利用率上行和漲價。隨著台積電和三星兩家大廠均縮減8英吋，TrendForce 估算全球8英吋供給在 2026 年同比下降約 2.4%，同時全球平均利用率可能從 2025 年的 75–80% 升至 85–90%。巨頭們去賺 AI 的“快錢”，而成熟工藝的定價權，交到了剩下的玩家手中。據TrendForce的報導，部分晶圓代工廠已通知客戶，計畫漲價 5%–20%，且不同於2025 年只漲部分平台，這輪可能更廣泛。那麼誰會受益？短期來看，最有可能承接外溢訂單的是二線廠與區域型玩家：例如韓國 DB HiTek 這類擅長 8 英吋高混合小批次（PMIC/DDI 等）產能的廠商，可能吃到一波“訂單回流”；部分中國大陸的 8 英吋產能也將從中分得紅利。中期來看，8 英吋並不會消失，但它的角色會改變：從過去的規模化主力，逐步變成一個更貴、更專用、更高混合度的產能池；而承接主流規模化製造的，將是 12 英吋成熟工藝平台。12 英吋升艙，成熟工藝進入大生產時代無論 8 英吋需求再旺，成熟工藝走向 12 英吋幾乎已是不可逆的趨勢。TI Sherman 的投產，是這一趨勢的標誌性事件。TI 位於德州 Sherman 的最新 12 英吋晶圓製造基地已於去年 8 月開始投產，從破土到投產約三年半。這座工廠的意義不在於“又多一條產線”，而在於它把模擬晶片競爭的底層邏輯，從產品與管道進一步推進到製造規模與成本結構：當巨頭能以更高利用率、更高自動化在 300mm 上跑成熟產品時，傳統模擬市場的成本地板會被重新定義。更有意思的是，12 英吋擴張並不只發生在製造端，上游矽片也在同步加碼。2026 年 1 月，GlobalWafers（環球晶圓）公開表態籌備德州工廠二期擴張。300mm 矽片屬於資本開支大、回收周期長的上游環節，上游敢在這個時間點談“二期”，往往意味著兩件事：一是客戶需求存在更強的確定性（至少在簽約、承諾或長期合作層面），二是對本地供給鏈長期成長性的判斷。換句話說，當上游材料與下游製造在同一區域形成“滾動擴張”，產能遷移會更快、更堅決，並對仍依賴 8 英吋、且擴產彈性弱的玩家形成持續壓力。但 300mm 並不等於“天然勝利”。另一邊，力積電（Powerchip）賣廠的選擇，恰恰揭示了 12 英吋時代的殘酷一面。2026 年 1 月，美光與力積電（PSMC）簽署 LOI，以18億美元現金收購台灣苗栗銅鑼 P5 廠區。這背後體現了二線廠商在周期波動與巨頭夾擊下的典型生存策略：現金流優先，擺脫低利用率下的重資產壓力。這座 P5 工廠是力積電耗資巨大建立的，據外媒報導，P5工廠的月最大產能為5萬片晶圓，但目前僅安裝了月產能約8000片的裝置，產能利用率僅約為20%。二線廠商最怕“折舊黑洞”。每年幾十億的裝置折舊足以吞噬掉 8 英吋線帶來的所有利潤。此時賣廠不僅可以一次性回籠現金、改善財務彈性，更重要的是，把長期的重資產負擔從報表中剝離出去。這筆交易不只是賣廠，雙方公告明確提到：美光將與力積電建立長期合作關係，包含 DRAM 先進封裝相關晶圓製造等合作方向。換句話說，力積電通過出售昂貴但低效率的資產，換取與全球 DRAM 龍頭的長期繫結，從賣產能升級為參與更高價值鏈的協作。這揭示了二線晶圓代工廠的宿命：在12英吋成熟產能加速擴張的時代，如果缺乏自有產品牽引與穩定利用率支撐，12 英吋產能本身並不天然等價於競爭力；相反，它可能成為財務與經營壓力的放大器。而力積電的選擇，更像是一種理性的騰挪——用資產置換彈性，用合作置換產業位置。對美光來說：這是一次用現金換時間、換產能、換供應鏈位置的戰略收購——目標是把 2027 以後 DRAM/HBM 時代的供給權抓在自己手裡。收購完成後，美光將接管 P5，並分階段匯入裝置、爬坡 DRAM 生產，預計 2027 年下半年開始產生“有意義的 DRAM 晶圓產出”。相比從零建廠：土建、潔淨室、環評、水電、人才、配套，時間線至少拉長 3–5 年。成熟工藝退潮中的中國機會：接住 8 英吋，押注 12 英吋台積電與三星逐步收縮 8 英吋產能，本質上是一場成熟工藝供給側的“退潮”——但對中國大陸晶圓廠而言，這反而打開了一個極其寶貴的窗口期：承接 8 英吋存量市場的再分配。隨著三星 S7 等舊線關停推進、8 英吋整體供給進入負增長，全球功率與模擬鏈條的可用產能變得更稀缺，海外客戶開始更集中地尋找替代產能，大陸頭部玩家由此獲得更強的訂單承接能力與議價空間。華虹 8 英吋長期維持 110%+ 的高負荷運行，中芯亦在成熟工藝周期裡實現價格修復——這說明所謂“8 英吋退出”，並非需求消失，而是供給格局重排，為大陸廠商帶來一輪難得的盈利彈性與客戶匯入機會。但真正決定勝負的還是12英吋：誰能把 8 英吋窗口轉化為 12 英吋特色工藝的規模化遷移能力，誰才有資格在下一輪成熟工藝周期中掌握成本曲線與客戶粘性。中芯北京/深圳、華虹無錫二期等 12 英吋擴產，其核心目標並不是簡單“加產能”，而是讓車規 IGBT、PMIC、BCD/HV 等原本依賴 8 英吋的關鍵品類完成“升艙”，用更大晶圓面積、更高自動化和更穩定的良率爬坡，把成熟工藝競爭從“搶存量訂單”帶入“重塑成本結構”的新階段。然而機會的另一面，是更尖銳的雙重擠壓：一是時間壓力——必須在8英吋紅利退潮之前完成12英吋特色工藝的良率與認證爬坡，否則訂單窗口轉瞬即逝；二是供應鏈壓力——在關鍵裝置、材料（尤其是 12 英吋矽片）仍受外部約束的現實下，擴產不再是“想擴就能擴”，供給安全將直接決定產能上限。同時，TI 等巨頭用 12 英吋成熟工藝規模化“捲成本”的趨勢，也在不斷拉低行業成本地板，逼迫大陸廠商不能停留在 8 英吋的價格競爭，而必須走向更高價值的特色工藝、平台化遷移與交付可靠性競爭。因此，中國大陸晶圓廠的破局策略應當更清醒：8 英吋要吃紅利，但不能戀戰；真正該押注的是 12 英吋特色工藝的“升艙遷移工程”——以 8 英吋高利用率作為現金流支撐與客戶入口，用長期框架鎖定遷移路徑，優先攻克可複製的 BCD/HV、功率與車規外圍組合，同時把關鍵材料與裝置約束前置到產能規劃之中，通過平台標準化與國產替代平行，把“窗口期訂單”轉化為“長期能力”。換句話說，這輪 8 英吋退出給大陸廠商帶來的，不只是訂單外溢，更是一張進入 12 英吋成熟工藝新秩序的門票。結語這場由 AI 巨浪引發的產能重構中，我們正目睹一場全球半導體版圖的“大交棒”：一是玩家的交棒，台積電與三星等巨頭正決絕地撤離成熟製程紅海，將 8 英吋的存量訂單與定價特權，移交給更具規模韌性的中國本土晶圓廠與中型代工廠；二是尺寸的交棒：成熟工藝正經歷從 8 英吋向 12 英吋的“升艙”質變，效率與成本的代際差，正在對舊有模式進行一場徹底的降維打擊；三是地理的交棒：產業重心正從過去三十年分散的全球化協作，加速交棒給以德州、亞利桑那為代表的本土製造簇群，供應鏈的安全感正在被物理距離重新定義。半導體歷史證明，每一輪產能告急的背後，都隱藏著生產力的殘酷迭代。對於身處變局中的廠商而言，2026 年的開端是一道分水嶺：巨頭們正在通過剝離與兼併封鎖未來的競爭高地；二線玩家在資產騰挪的陣痛中尋找生存縫隙；而大陸廠商則在升艙的賽道上，以前所未有的速度與時間賽跑。 (半導體行業觀察)

2026年將是儲存巨頭又一個里程碑之年，而這場躍遷的核心賭注，落在了HBM4身上。SK海力士在2025年財報會上宣佈，其HBM4已於9月完成開發並啟動量產，2026年全面放量；三星在2026年新年致詞中直言：“我們的HBM4展現了真正的差異化競爭力，甚至有客戶感慨：Samsung is back。（三星回來了）”；美光則在2025年9月的電話會議中確認：HBM4將於2026年Q2正式量產出貨，下半年進入產能爬坡。HBM4的量產衝刺，已在2026年初正式啟程。01. HBM4，亮相截至目前，美光、三星和SK海力士均已通過不同活動展示了各自的HBM4產品。SK海力士：16層堆疊 + MR-MUF + 台積電邏輯晶片SK海力士正式展示了其新一代HBM4高頻寬記憶體，採用16層堆疊、容量達48GB。相比此前推出的12層36GB版本（曾以11.7Gbps的速率創下行業紀錄），新器件在容量和頻寬上均有明顯提升，整體頻寬突破2TB/s。MR-MUF的優勢實現16層堆疊的同時，還要滿足JEDEC對HBM封裝總高度不超過775微米的要求，這對製造工藝提出了極高挑戰。SK 海力士的一大亮點是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術：通過將單顆DRAM晶圓減薄至僅30微米，並在一次回流焊過程中完成多層晶片的垂直互連，既提升了整合密度，也增強了結構穩定性。SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是，與台積電合作將12奈米邏輯晶片整合到HBM4晶片的基礎晶片中，作為HBM4堆疊的控制邏輯或“大腦”。三星：1c DRAM + 混合鍵合 + 全流程自研與SK海力士和台積電合作生產HBM4邏輯晶片不同，三星是在自家4nm工藝上生產邏輯晶片，並且在同一廠區內完成3D封裝。三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM、邏輯晶片製造及3D封裝全鏈條的HBM4供應商。封裝技術上，三星未採用MR-MUF，而是加速推進混合鍵合技術；同時，三星在HBM4 的另一個突破在於選擇採用1c DRAM工藝技術。三星的HBM3和HBM3e都是基於1a奈米製程的DRAM，到了HBM4採用1c DRAM工藝技術以形成對SK海力士的競爭優勢。（SK海力士、美光目前仍採用1b DRAM工藝）。三星電子內情的相關人士透露，三星電子1c DRAM良率已接近60%，超過盈虧平衡點，為量產奠定基礎。2025年底，三星已完成HBM4的量產準備認證（PRA），產品達到內部量產標準，正加速推進進入輝達供應鏈的處理程序。在博通主持的技術性測試中，三星HBM4運行速度達到中低段11Gb/s水平，表現位列三大儲存廠商之首。此外，三星計畫在2月舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上發佈一款更高性能的HBM4晶片。其首款36GB HBM4頻寬為2.4TB/s，新款產品頻寬預計將達3.3TB/s，較上一代提升37.5%。美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地晶片 + 台積電邏輯晶片美光財報美光CEO桑傑·梅赫羅特拉在2025財年第四季度及全年財報中證實，公司新一代HBM4記憶體將於2026年推出，多項性能指標超越JEDEC基礎規範。美光12層堆疊的HBM4正按計畫推進，以支援客戶平台的擴展。近期，美光已向客戶交付HBM4樣品，其頻寬超過2.8TB/s，資料速率突破11Gb/s，處於行業領先水平。美光科技聲稱，新款HBM4產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手。美光CEO表示：“我們成熟的1b DRAM、創新且節能的HBM4設計、自主研發的先進CMOS基地晶片以及先進的封裝技術，是成就這款一流產品的關鍵所在。”值得一提的是，美光的HBM4E將與台積電合作生產邏輯晶片（對，和SK海力士類似），計畫會在2027年上市。02. 產能格局，分化加劇主要DRAM供應商的DRAM晶圓加工能力（月產量，單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產量，單位：千片）。所有資料截至年底。來源：2025年FMS會議論文集，TrendForce據TrendForce預測，預計到2025年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片，SK海力士54.5萬片，美光科技34萬片。其中，採用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片，佔DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片，佔28%；美光5.5萬片，佔16%。預計到2026年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片，同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片，同比增長5.5萬片；美光36萬片，同比增長2萬片。其中，SK海力士的產能增長尤為顯著。SK海力士採取“HBM3E+HBM4”雙代平行策略，在鞏固當前市場優勢的同時，全力衝刺下一代產品。目前已鎖定2026年全部DRAM與NAND產能的客戶需求，預計全年DRAM出貨量同比增長超20%，管理層判斷HBM供應緊張局面將持續至2027年。美光對HBM市場的長期前景保持高度樂觀。其CEO在2025年底業績電話會上表示，預計2025年至2028年全球HBM總潛在市場（TAM）復合年增長率（CAGR）約為40%，規模將從350億美元增至1000億美元。為抓住這一窗口期，美光計畫今年將其HBM4產能提升至每月1.5萬片晶圓。面對AI驅動的爆發性需求，三大廠商正以前所未有的力度推進產能建設。03. 全球佈局加速我們梳理一下各家儲存大廠的製造基地佈局。SK 海力士SK 海力士目前在全球設有多個半導體生產基地，主要分佈在韓國、中國和美國，從分佈來看，最尖端的HBM和先進製程DRAM集中在韓國，成熟DRAM依賴中國無錫廠支撐，而美國工廠主攻先進封裝。重點來看韓國這邊，SK海力士在利川有三家工廠：M10、M14和M16。M10工廠聚焦基礎DRAM和HBM晶圓製造，2025年完成產線改造（M10F），承擔HBM記憶體封裝任務；M14工廠與M16廠協同擴產，最新建成於2021年的M16工廠主要專注於生產DRAM產品。在韓國清州地區，SK 海力士有M15工廠，主攻NAND快閃記憶體製造，是清州園區的核心生產設施。配套還有M15X工廠，是M15擴建計畫的一部分，生產HBM，2025年Q4投產，總投資20兆韓元。最新進展顯示，SK海力士已將M15X的量產時間從原定的2026年6月大幅提前至2026年2月，初期月產能約1萬片，目標到2026年底提升至5.5萬–6萬片。該廠將同時生產HBM3E與HBM4，並已通過1b DRAM工藝認證。值得注意的是，M15X還將為下一代HBM4E鋪路，未來將匯入10nm級第六代（1c）DRAM技術。此外，在清州地區SK海力士今年會投資19兆韓元，建設一個P&T7工廠。主要面向HBM等AI記憶體的需求的先進封裝後端晶圓廠。這個晶圓廠佔地面積7萬坪（約合 23.14 萬平方米），計畫於 2026 年 4 月開工建設，預計於2027 年底竣工。其將與SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圓廠構成有機整體。更長遠看，SK海力士在京畿道龍仁市啟動了規模空前的龍仁半導體叢集項目，規劃四座大型晶圓廠，總投資高達600兆韓元。首座工廠已於2025年2月動工，預計2027年5月投產。在美國方面，SK 海力士在印第安納州準備建設一個先進封裝中心，投資38.7億美元，負責半導體產品的封裝和測試，計畫於2028年下半年開始營運。在中國有兩家工廠，一家在無錫、一家在重慶。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一，佔其全球DRAM總產量的30%–40%。目前該廠12英吋晶圓月產能達18萬–19萬片，已升級至1a工藝。三星三星在美國和韓國都有工廠。韓國這邊，華城工廠位於京畿道華城市，是三星在韓國的重要儲存晶片生產基地，主要生產DRAM和NAND Flash儲存晶片。器興（Giheung）工廠是三星早期建立的晶圓廠，主要生產成熟工藝節點的儲存晶片及相關半導體產品，支援從350奈米到8奈米的工藝，為三星儲存業務提供基礎產能支援。平澤工廠是三星儲存業務的戰略核心。該基地已建成P1至P4晶圓廠，並正在重啟P5建設（預計2028年投產）。其中，P4工廠被明確指定用於1c DRAM的量產，計畫用於HBM4等高端儲存產品。同時，三星在美國有奧斯汀和泰勒晶圓廠，奧斯汀主要生產65nm至14nm邏輯晶片，產品應用於移動裝置、通訊等領域；泰勒專注於先進製程晶片生產，準備生產特斯拉AI6晶片（預計基於2nm工藝）。據韓國《每日經濟新聞》報導，輝達團隊已訪問三星，通報了HBM4系統級封裝（SiP）的測試結果。結果顯示，三星HBM4在運行速度與功耗效率兩大核心指標上，表現優於所有競爭對手。“與HBM3E時期不同，我們在HBM4開發上處於領先地位，”一位三星內部人士表示。據悉，三星正綜合評估平澤P4產線的擴產進度與交付能力，計畫於2026年第一季度敲定最終供應合同，並於第二季度啟動正式量產交付。美光前兩天，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia在接受採訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”Bhatia在最新的講話中指出，用於人工智慧加速器的HBM（高頻寬儲存）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域，例如智慧型手機和個人電腦，出現巨大的供給缺口”。在HBM的巨大需求下，美光同樣也在瘋狂擴產。美光的HBM工廠分佈在新加坡、日本、美國，其中大多都是新建工廠。去年年初，美光就在新加坡投資70億美元，準備建設一家專門的HBM先進封裝工廠。這個工廠原計畫是2026年開始營運，並且從2027年開始擴大美光的先進封裝總產能。後來，美光又宣佈在日本建廣島工廠，這家則是專門生產HBM晶片。工廠在2025年5月正式動工，預計2028年左右實現HBM晶片的規模化出貨。該工廠將採用先進製程技術，是美光自2019年以來規劃的首個新生產基地。當然，日本政府說要給美光的新工廠提供最多5,360億日元的補貼（約合人民幣259億元）。之前，美光承諾將其40%的DRAM製造產能轉移到美國本土。在美國，美光投資了1000億美元建設的大型晶圓廠綜合體，規劃四座晶圓廠，其中兩座已動工，預計2030年開始投產。今年1月，美光在紐約州奧農多加縣為其晶圓廠舉行正式開工儀式。之前美光還宣佈，還會在自家總部的愛達荷州博伊西市建設第二座記憶體製造工廠，提升美國國內半導體生產和研發能力。從新建工廠來看，處理程序在明後年才能實現投產。面對當下的生產需求，美光決定直接買工廠。也就是最近宣佈的，以18億美元現金收購力積電苗栗銅鑼P5晶圓廠，交易預計於2026年第二季完成。在銅鑼廠之前，美光已收購AUO台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為Wafer Probe（晶圓測試）、Metallization （金屬化）、HBM TSV等各項用途。此外，美光還規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM Metallization。值得一提的是，雖然SK海力士和美光都在積極擴張產能，但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎。據TrendForce預測，預計到2026年底，三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平，為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片，達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片，達到10萬片。 (半導體產業縱橫)

可控核聚變作為被譽為“終極能源”的前沿技術，其商業化處理程序正從科學研究向工程實踐加速邁進，成為全球能源革命與科技競爭的戰略焦點。全球可控核聚變產業已進入投資爆發期與技術路線競速期，中國在磁約束托卡馬克技術領域實現部分領跑，但在工程化整合、產業生態建構等方面仍存短板。未來需通過強化基礎研究、完善產業鏈協同、最佳化政策資本支援等舉措，推動產業從科研驗證邁向商業化應用，搶佔未來能源主導權。一、全球可控核聚變產業發展狀況可控核聚變憑藉能量密度高、清潔無污染、燃料資源豐富等核心優勢，已成為全球能源轉型的戰略方向。當前，全球產業發展呈現“政策驅動強化、資本加速湧入、技術路線多元、工程化處理程序提速”的總體態勢，近四十個國家正在推進聚變計畫，運行、在建或規劃中的聚變裝置超160座，一場關乎未來能源主導權的全球競賽已全面展開。（一）全球產業發展核心態勢1. 投資規模爆發式增長：據聚變工業協會（FIA）《全球核聚變領域投資》報告，過去五年全球聚變行業總投資額從2021年的19億美元飆升至2025年10月的141億美元，其中美國私營企業融資佔比超70%，紅杉資本、高瓴資本等頭部機構紛紛入局，形成“基礎科研投入+商業資本主導”的雙輪驅動格局。2. 技術路線多元競速：全球形成磁約束、慣性約束、磁慣性約束三條主流技術路線平行發展的格局。磁約束路線因可持續運行能力強、成熟度高，成為多國優先佈局方向；慣性約束路線在淨能量增益突破上取得關鍵進展；磁慣性約束路線則憑藉裝置小型化優勢，成為私營企業創新熱點。3. 工程化與商業化處理程序提速：國際熱核聚變實驗堆（ITER）項目2025年保持“計畫與執行100%匹配”的最佳績效，為2028年前完成初始階段目標奠定基礎；美國、英國等國私營企業通過簽訂售電協議繫結商業目標，推動技術研發從“科研導向”轉向“訂單驅動”，如CFS與Google、Helion與微軟的合作，將商業化時間表提前至2030年前。4. 國際協作與競爭並存：ITER項目建構了全球首個跨國聚變供應鏈體系，推動關鍵技術與知識共享，但同時，各國圍繞技術標準制定、產業鏈主導權的競爭日趨激烈，美國聯合日韓建構技術標準聯盟，中國則通過技術輸出提升國際話語權。（二）全球主要知名公司發展狀況、技術實力及發展路線當前全球可控核聚變領域的核心玩家分為兩類：一類是依託國家科研力量的傳統能源與裝備巨頭，另一類是憑藉技術創新崛起的私營科技企業，兩類主體在技術路線選擇與商業化路徑上形成互補與競爭。1. 美國 Commonwealth Fusion Systems（CFS）發展狀況：成立於2018年，由麻省理工學院（MIT）衍生而來，是全球高溫超導磁約束聚變領域的領軍企業，累計融資超30億美元，投資方包括Google、比爾·蓋茲突破能源基金等。2025年與義大利埃尼集團簽訂價值超10億美元的售電協議，鎖定商業化收益預期。技術實力：核心優勢在於高溫超導磁體技術，研發的磁體磁場強度達20特斯拉，是ITER裝置的1.5倍，可實現裝置體積縮小90%、成本降低70%；其緊湊型托卡馬克裝置SPARC的電漿體約束性能模擬資料優於現有主流裝置。發展路線：聚焦高溫超導磁約束路線，計畫2026年啟動SPARC裝置電漿體實驗，2030年建成首座商用聚變電站，實現50MW電力並網；通過與羅爾斯·羅伊斯等企業合作，拓展歐洲、亞洲市場，推動技術標準化與產業鏈全球化。2. 美國 Helion Energy發展狀況：全球磁慣性約束聚變技術的代表企業，成立於2013年，累計融資超5億美元，2024年與微軟簽訂全球首個商用聚變電力採購協議，承諾2028年向微軟資料中心提供50MW連續聚變電力。其首座商用聚變電廠“獵戶座”已破土動工，標誌著磁慣性路線進入工程化驗證階段。技術實力：突破傳統磁約束與慣性約束的技術邊界，採用“磁場壓縮電漿體”原理，裝置可實現脈衝式發電，單次脈衝能量輸出達100MJ；研發的氘-氚燃料循環系統，可降低對外部燃料供應的依賴，提升能源利用效率。發展路線：堅持磁慣性約束技術路線，以“小型化、低成本、快速迭代”為核心策略，先通過脈衝式裝置驗證技術可行性，再逐步過渡到連續運行的商用堆；重點面向資料中心、工業製造等高能耗場景，打造定製化能源解決方案。3. 英國 Tokamak Energy發展狀況：歐洲磁約束聚變領域的核心企業，成立於2009年，累計融資超2億美元，2025年完成新一輪融資後，公佈2034年建成試驗工廠的時間表。公司深度參與歐盟聚變計畫，與歐洲原子能共同體、勞斯萊斯等機建構立緊密合作。技術實力：專注於球形托卡馬克技術，研發的ST40裝置實現1500萬攝氏度電漿體運行，驗證了球形裝置的高約束效率；在高溫超導磁體小型化方面取得突破，其研發的磁體系統可適配不同規模的聚變裝置，相容性優勢顯著。發展路線：以球形托卡馬克技術為核心，走“實驗堆-示範堆-商用堆”階梯式發展路徑，2030年前完成示範堆建設，驗證能量增益與穩定運行能力；依託歐洲產業鏈優勢，推動核心部件國產化與區域供應鏈整合。4. 傳統能源與裝備巨頭除創新型企業外，傳統能源與裝備巨頭通過技術合作與產業鏈佈局深度參與聚變產業。法國阿海琺集團（Areva）在氚儲存合金、氚滲透阻擋層材料領域全球領先，為ITER項目提供關鍵燃料循環部件；德國林德集團是全球低溫冷卻系統的核心供應商，其氦製冷機技術保障超導磁體在-269℃環境下穩定運行；美國通用原子則在電漿體加熱系統領域佔據技術優勢，為多個國際聚變項目提供電子迴旋共振加熱裝置。推薦公司創始人趙玉琦老師的一本書：《邊界：商業模式創新》。本著作作者趙玉琦老師，知名產業分析專家，資深商業模式架構導師，產業跨年演講開拓者。本著作《邊界》立足產業前沿，通過商業模式創新的系統闡述和實盤操作的精品案例分析，為現代商業模式創新提供新範式。二、中國可控核聚變產業發展現狀中國可控核聚變產業發展呈現“國家戰略引領、科研實力雄厚、產業鏈逐步完善、民營力量崛起”的特點，在磁約束托卡馬克技術領域實現從跟跑向並跑乃至部分領跑的跨越，形成“國家隊+民營企業”協同發展的產業生態，正加速從科研驗證向工程化應用轉型。（一）國內產業發展核心態勢1. 政策強力驅動：《中共中央關於制定國民經濟和社會發展第十五個五年規劃的建議》明確提出“推動核聚變能等成為新的經濟增長點”，國家原子能機構、科技部等部門出台專項政策，設立核聚變能源發展專項基金，建構分級分類監管框架，為產業發展提供政策保障與制度支撐。2. 科研突破引領：國內全超導托卡馬克裝置EAST（東方超環）創造1億攝氏度1066秒穩態長脈衝高約束模電漿體運行的世界紀錄，較ITER設計標準提升顯著；“中國環流三號”實現原子核溫度1.17億攝氏度、電子溫度1.6億攝氏度的“雙億度”運行，挺進燃燒實驗階段；新一代緊湊型聚變能實驗裝置（BEST）穩步推進，計畫2027年底建成，2030年實現全球首次聚變能發電演示。3. 產業鏈日趨完善：形成從上游核心材料、中游關鍵裝置到下游裝置建設的完整產業鏈雛形，核心部件國產化率超80%。合肥科學島建成全球最大超導磁體動態測試系統，為工程堆研發提供關鍵資料支援；中核集團牽頭成立中國聚變能源有限公司，統籌全產業鏈佈局。4. 民營資本崛起：民營企業成為技術多元化的重要推手，新奧集團、能量奇點、星環聚能等企業在球形環、高溫超導磁體、重複重聯等細分領域取得突破，形成與國家隊“錯位發展、協同互補”的格局。2025年國內可控核聚變領域超百億資金加速湧入，民營企業融資規模快速增長。（二）國內主要知名公司發展現狀、技術實力及發展路線國內可控核聚變企業主要分為兩類：一類是依託央企背景的產業鏈核心企業，聚焦關鍵材料與裝置的工程化應用；另一類是民營創新企業，專注於技術路線創新與裝置小型化研發，兩類企業共同推動產業發展。1. 西部超導（688122）發展現狀：國內超導材料領域龍頭企業，深耕核聚變超導材料研發與生產，是國內唯一能批次供應核聚變級超導材料的企業。公司深度參與ITER項目，通過ITER認證成為核心超導材料供應商；2025年超導材料營收增長35%，其中核聚變相關業務佔比10%，業務規模穩步擴大。技術實力：核心產品鈮鈦超導帶材性能達到國際先進水平，滿足托卡馬克裝置磁體對強磁場、高載流能力的要求；在鈮三錫超導材料研發上取得突破，為下一代聚變裝置提供技術儲備；建立完整的超導材料檢測與驗證體系，保障產品穩定性與可靠性。發展路線：聚焦低溫超導材料的工程化量產，同時佈局高溫超導材料研發；深度繫結國內EAST、BEST、CFETR等重大項目，拓展國際市場；通過技術迭代降低材料成本，提升在全球聚變供應鏈中的份額。2. 應流股份（603308）發展現狀：高端核電鑄件領域領軍企業，專注於核聚變關鍵裝置鑄件研發與製造。公司是國內唯一能生產ITER項目真空室鑄件的企業，也是全球少數具備該能力的廠商；2025年拿到合肥小型核聚變示範堆真空室鑄件訂單，金額約5億元，實現從科研配套向工程化應用的跨越。技術實力：突破真空室、偏濾器等關鍵部件的精密鑄造技術，解決高溫、耐輻照、高精度的技術難題；建立先進的鑄件檢測技術體系，保障鑄件內部質量與尺寸精度；具備大型複雜鑄件的一體化製造能力，滿足聚變裝置對核心部件的嚴苛要求。發展路線：聚焦核聚變核心裝置鑄件的工程化與規模化生產，拓展真空室、偏濾器、包層等關鍵部件市場；加強與國內外聚變項目的深度合作，完善鑄件生產工藝與質量控制體系；推動高端鑄件技術國產化，降低對進口依賴。3. 星環聚能發展現狀：國內民營聚變領域領軍企業，成立於2021年，累計完成兩輪數億元融資，正在推進A輪融資。公司建構“運行一代、建設一代、研發一代”的技術迭代體系，SUNIST-2裝置穩定運行，NTST裝置建設順利，CTRFR-1裝置研發有序推進。技術實力：核心優勢在於重複重聯與高溫超導技術融合，推動裝置小型化與快速迭代；研發的磁體系統實現高磁場強度與高穩定性，為小型化聚變裝置提供核心支撐；在電漿體控制技術上取得突破，提升裝置運行效率與穩定性。發展路線：聚焦重複重聯技術路線，以裝置小型化、低成本化為核心目標；計畫2028年前後完成CTRFR-1裝置工程驗證，2032年前後建成商業示範堆；面向工業供熱、資料中心供電等場景，提供定製化聚變能源解決方案。4. 能量奇點發展現狀：民營聚變創新企業，專注於高溫超導磁約束技術研發，成立以來獲得多輪融資，投資方包括紅杉資本、高瓴資本等。公司研發的“經天磁體”實現21.7特斯拉的峰值磁場強度，刷新國內高溫超導磁體磁場強度紀錄。技術實力：在高溫超導磁體設計、製造與測試領域取得核心突破，磁體磁場強度與穩定性達到國際先進水平；建構高效的電漿體約束與加熱系統，提升裝置能量增益潛力；具備小型化聚變裝置的整體設計與整合能力。發展路線：以高溫超導磁約束技術為核心，走“小型化、快速迭代”的發展路徑；優先驗證技術可行性，再推進工程化與商業化應用；聚焦分佈式能源場景，打造低成本聚變能源系統。三、可控核聚變產業鏈全景分析可控核聚變產業鏈分為上游核心材料與基礎器件層、中游核心裝置與系統整合層、下游裝置建設與應用層三個環節，各環節技術壁壘高，產業鏈集中度高，核心企業多為各細分領域龍頭。上游是產業基石，決定技術上限；中游是產業樞紐，價值量高度集中；下游是需求終端，主導商業化方向。（一）上游：核心材料與基礎器件層上游環節主要包括超導材料、耐極端環境材料、燃料與增殖材料、基礎器件與耗材四大類，是聚變裝置建設的核心基礎，技術壁壘極高，佔裝置總成本的30%-40%。1. 超導材料作用：磁約束裝置的核心材料，用於製造超導磁體產生強磁場，約束上億度的電漿體，佔裝置成本的15%-20%。分為低溫超導材料與高溫超導材料兩類，低溫超導材料成熟度高，廣泛應用於現有裝置；高溫超導材料性能更優，是下一代裝置的核心方向。代表性企業及發展現狀：（1）西部超導（688122）：國內低溫超導材料龍頭，鈮鈦超導帶材實現批次供應，通過ITER認證，應用於EAST與ITER項目，2025年相關業務營收穩步增長。（2）永鼎股份（600105）：國內高溫超導材料領軍企業，東部超導實現YBCO帶材量產，建立完整的高溫超導材料生產線，為小型化聚變裝置提供材料支撐。（3）國際企業：美國SuperPower、日本住友、德國ATK，分別在高溫超導帶材、低溫超導材料領域佔據國際市場主導地位，技術成熟度與量產能力領先。2. 耐極端環境材料作用：用於製造聚變裝置的第一壁、偏濾器、真空室等核心部件，需承受上億攝氏度高溫、強中子輻照與電漿體沖刷，是保障裝置穩定運行的關鍵。主要包括鎢基材料、低活化鋼等。代表性企業及發展現狀：（1）安泰科技（000969）：國內鎢基材料龍頭，壟斷ITER項目鎢基部件供應，高純度鎢、鎢銅合金產品性能達到國際標準，應用於多個國內聚變裝置。（2）楚江新材（002171）：耐輻照材料突破者，研發的鎢銅合金、鉬合金通過EAST裝置長期測試，2026年將小批次供應合肥示範堆，填補國內技術空白。（3）國際企業：德國Plansee（鎢基材料全球領先）、日本JAEA（低活化鋼研發領先）、歐洲原子能共同體（低活化鋼標準化）。3. 燃料與增殖材料作用：提供核聚變燃料（氘、氚）並實現氚自持循環，氚在自然界存量極少，需通過鋰基材料增殖，是實現聚變能源持續供應的核心。主要包括鋰同位素材料、氚相關材料。代表性企業及發展現狀：（1）中礦資源（002738）：國內高純度鋰-6提純龍頭，鋰-6純度＞99.995%，符合核聚變使用標準，為國內聚變項目提供氚增殖原料。（2）天齊鋰業（002466）：全球鋰資源龍頭，高純度碳酸鋰純度達99.999%，成為中核集團氚增殖材料指定原料供應商，2026年相關訂單約2000噸。（3）國際企業：美國Chemours（鋰同位素提純）、俄羅斯國家原子能公司（鋰資源與氚增殖材料）、法國阿海琺集團（氚儲存材料）。4. 基礎器件與耗材作用：保障聚變裝置正常運行的輔助器件，包括特種閥門、泵體、絕緣材料等，需滿足低溫、耐輻照、高真空等嚴苛環境要求。代表性企業及發展現狀：（1）中核科技（000777）：國核心電閥門龍頭，壟斷國核心聚變科研裝置閥門供應，產品滿足高溫、高壓、強輻射環境要求，2026年拿到合肥示範堆閥門系統訂單。（2）漢鐘精機（002158）：國內真空泵龍頭，乾式螺桿真空泵在國核心聚變科研裝置市場佔有率超60%，2025年為合肥示範堆提供全套真空系統裝置，訂單約1.2億元。（3）國際企業：美國Swagelok（特種閥門）、德國陶瓷技術集團（絕緣材料）。（二）中游：核心裝置與系統整合層中游環節是產業鏈的核心樞紐，負責聚變裝置核心裝置的製造與系統整合，價值量佔裝置總成本的40%-50%，主要包括磁約束系統、電漿體加熱與診斷系統、真空與冷卻系統、核心部件製造與系統整合四大類。1. 磁約束系統作用：磁約束裝置的核心系統，包括超導磁體、磁體電源與控制系統，用於產生強約束磁場，將電漿體限制在指定空間內，是磁約束路線的核心競爭力。代表性企業及發展現狀：（1）中國科學院電漿體物理研究所：國內磁約束系統研發核心機構，主導EAST、BEST裝置磁約束系統設計與整合，技術水平國際領先。（2）許繼電氣（000400）：脈衝電源核心玩家，佔國核心聚變科研裝置脈衝電源市場80%以上份額，為EAST裝置、合肥先進光源提供脈衝電源，2026年中標中核集團核聚變示範堆脈衝電源系統訂單，金額約3億元。（3）國際企業：美國CFS（高溫超導磁體系統）、瑞士ABB（磁體電源與控制系統）。2. 電漿體加熱與診斷系統作用：將電漿體加熱到上億度的聚變反應溫度，並即時監測電漿體狀態，保障反應穩定進行。主要包括電子迴旋共振加熱（ECRH）、中性束注入（NBI）系統及中子探測器、光譜儀等診斷裝置。代表性企業及發展現狀：（1）國電南瑞（600406）：加熱與控制系統技術先鋒，研發的10MW射頻加熱系統應用於EAST裝置，反應堆控制系統被國內多個核聚變科研平台採用，是控制環節核心技術提供商。（2）國光電氣（688776）：ITER項目核心供應商，佔據ITER項目60%偏濾器份額，在中性束注入系統研發上取得突破，技術水平國際先進。（3）國際企業：日本NIFS（加熱系統）、美國通用原子（ECRH系統）、德國KIT研究所（診斷裝置）。3. 真空與冷卻系統作用：維持聚變裝置的超高真空環境（10⁻⁷Pa級），保障電漿體穩定存在；為超導磁體提供-269℃的低溫環境，保障磁體正常運行。主要包括真空室、分子泵、氦製冷機等裝置。代表性企業及發展現狀：（1）合鍛智能（603011）：真空室製造核心企業，參與BEST項目真空室製造，具備大型真空室一體化成型能力，技術水平國內領先。（2）雪人股份（002639）：低溫冷卻系統領軍企業，研發的-269℃氦螺桿壓縮機滿足超導磁體冷卻要求，為國內多個聚變項目提供冷卻裝置。（3）國際企業：德國林德集團（氦製冷機）、美國Pfeiffer Vacuum（真空裝置）。4. 核心部件製造與系統整合作用：負責聚變裝置核心部件的精密製造與整體系統整合，是保障裝置性能的關鍵環節，技術壁壘極高。代表性企業及發展現狀：（1）中國核建（601611）：ITER主機安裝主導企業，具備大型聚變裝置的施工總包與維運技術儲備，參與國內多個聚變項目的建設與整合。（2）東方電氣（600875）：CFETR裝置總包企業，負責聚變裝置核心裝置的整合與偵錯，研發的50MW聚變發電機組為商業化應用提供技術儲備。（3）國際企業：法國法馬通（系統整合）、日本東芝（核心部件製造）。（三）下游：裝置建設與應用層下游環節是產業鏈的需求終端，分為實驗堆與示範堆建設、配套服務與維運、未來商業化應用三大類，當前以實驗堆與示範堆建設為主，未來商業化應用市場空間廣闊。1. 實驗堆與示範堆建設作用：驗證聚變技術的科學可行性與工程可靠性，是商業化的基礎。主要包括國際合作項目與各國自主項目。代表性項目及參與企業：（1）ITER項目：國際熱核聚變實驗堆，由中、美、歐、日等多國聯合參與，中國核建負責主機安裝，西部超導、應流股份等提供核心部件。（2）中國CFETR項目：聚變工程實驗堆，目標2035年建成示範堆，由中國科學院電漿體物理研究所主導，東方電氣、中核集團等參與裝置總包與建設。（3）美國SPARC項目：CFS公司主導的緊湊型托卡馬克項目，羅爾斯·羅伊斯參與裝置製造，Google提供資金與技術支援。2. 配套服務與維運作用：為聚變裝置提供維運服務、模擬設計等配套支援，保障裝置長期穩定運行。代表性企業及發展現狀：（1）中國核建：具備聚變裝置維運技術儲備，為國內實驗堆提供裝置檢修、材料更換等服務。（2）中國科學技術大學：開發聚變專用模擬平台，為裝置設計與運行參數最佳化提供模擬支援。（3）國際企業：法國EDF集團（維運服務）、ANSYS（通用模擬軟體）。3. 未來商業化應用作用：聚變能源的最終應用場景，包括聚變電站、工業供熱、氫燃料生產、空間能源等，市場空間兆級。潛在參與企業：（1）中國核電：佈局聚變電站營運儲備，為未來商業化營運積累經驗。（2）寶豐能源：探索綠氫耦合聚變能源生產，佈局未來工業能源替代場景。（3）航天科技集團：研究聚變能源在空間探索中的應用，佈局深空能源系統。 (迪普戰略研究所)

行業主要上市公司：機器人(300024)、華中數控(300161)、埃夫特(688165)、美的集團(000333)、亞威股份(002559)、遠光軟體(002063)、科大智能(300222)、智雲股份(300097)、東土科技(300353)、華工科技(000988)、科遠智慧(002380)本文核心資料：智能製造行業市場規模、智能製造區域競爭狀況行業概況1、定義根據2016年12月8日工業和資訊化部和財政部發佈的《智能製造發展規劃(2016-2020年)》的定義，智能製造(Intelligent  Manufacturing，IM)是基於新一代資訊通訊技術與先進製造技術深度融合，貫穿於設計、生產、管理、服務等製造活動的各個環節，具有自感知、自學習、自決策、自執行、自適應等功能的新型生產方式。智能製造技術已成為世界製造業發展的客觀趨勢，世界上主要工業發達國家正在大力推廣和應用。發展智能製造既符合中國製造業發展的內在要求，也是重塑中國製造業新優勢，實現轉型升級的必然選擇。2、產業鏈剖析從產業的產業鏈上下游來分析，中國智能製造行業的產業鏈上遊行業主要為基礎硬體、感知層次的相關硬體產品、智能製造裝備和工業軟體;而中遊行業則是智能製造裝備供應商和智能製造解決方案提供商等系統整合服務提供商;下游領域主要為市場需求方，包括了交通裝備、電子資訊、生物醫藥等行業。行業發展歷程自從德國提出了“工業4.0”戰略之後，各國開始大力發展製造業，中國於2015年頒布的《中國製造2025》可以視為中國版本的“工業4.0”。隨後，國家層面陸續出台了多個配套的實施指南、行動指南和發展規劃指南，頂層設計已基本完成，全面轉入實施階段。發展至今，國內製造業的自動化生產線佈局已經逐漸成熟，部分企業開始打通裝置間的資訊壁壘，實現全廠級的自動化生產。在“工業4.0”(智能化)方面，國內正在開展應用示範，中國工業製造正迎來智能化轉型升級的發展高潮。行業政策背景製造業是中國立國之本、興國之器、強國之基。作為製造業大國，中國十分重視國內製造業的轉型升級。隨著5G、巨量資料等新一代通訊與資訊技術的不斷發展，智能製造已經成為中國製造業轉型發展的重點方向之一。近年來中國智能製造行業相關政策彙總如下：行業發展現狀1、大部分企業處於智能製造一級及以下水平根據智能製造評估評價公共服務平台資料顯示，截至2025年1月，中國58%的製造企業處於一級及以下水平，達到二級、三級的製造企業分別佔比為25%以及11%，四級及以上製造企業佔比達6%。多數企業仍處於智能化轉型初期，龍頭企業智能化成效顯著，帶動行業整體水平穩步提升。2、菸草製品業智能製造應用較為成熟從下游應用領域來看，截至2025年1月，菸草製品業，電腦、通訊和其它電子裝置製造業，汽車製造業，酒、飲料和精製茶製造業等行業的智能製造成熟度水平位居全國前列，領先行業智能製造成熟度等級分佈如下：3、巨量資料、人工智慧、物聯網等技術應用較多根據數字產業創新研究中心等發佈的《2024中國企業數位化轉型案例研究報告》，在企業數位化轉型過程中的技術應用上，巨量資料、人工智慧、物聯網技術應用相對較多，其次是雲端運算、移動網際網路，區塊鏈技術應用較少。在場景應用上，企業在數字服務方面的應用佔比最高，其次是數字行政、數字生產、數字財務等業務場景也積極推動數位化轉型。行業競爭格局1、區域競爭：江蘇省智能製造成熟度相對較高在工業和資訊化部、國家市場監督管理總局的指導下，國家標準《智能製造能力成熟度模型》(GB/T39116-2020)於2021年5月正式發佈實施，目前已在全國大部分區域開展標準應用推廣工作，包括在31個行業大類、31個省市自治區中開展了智能製造能力成熟度自診斷工作，為瞭解產業發展現狀提供了重要參考。從區域參與度來看，江蘇、山東、上海、安徽等地區積極落地，其中江蘇有超過1萬家參加自診斷，湖南、安徽均有4000餘家企業參與，河南有3000餘家企業參與，山東、廣東自診斷企業數量均超過2000家。2、企業競爭：海爾、比亞迪與福耀玻璃名列三甲在2023年中國數位化年會暨法國里昂商學院全球商業智能論壇上，法國里昂商學院攜手每日經濟新聞，共同發佈了《2023年中國智能製造百強榜暨中國智能製造發展與趨勢白皮書》，海爾、比亞迪和福耀玻璃位列今年百強榜前三位。其中，海爾集團已連續五年蟬聯榜首，而比亞迪此次與其並列第一。緊隨其後的是華為、富士康等。從TOP10企業所屬行業來看，電腦、通訊和其他電子裝置製造業行業企業最多，其次是鐵路、船舶、航空航天和其他運輸裝置製造企業、汽車製造企業等。行業發展前景及趨勢分析1、2025年70%的規上製造企業實現數位化與網路化根據工信部公佈的《“十四五”智能製造發展規劃》，“十四五”及未來相當長一段時期，推進智能製造，要立足製造本質，緊扣智能特徵，以工藝、裝備為核心，以資料為基礎，依託製造單元、車間、工廠、供應鏈等載體，建構虛實融合、知識驅動、動態最佳化、安全高效、綠色低碳的智能製造系統，推動製造業實現數位化轉型、網路化協同、智能化變革。2、中國智能製造核心技術發展突破方向根據工信部資料，近幾年國內智能製造行業技術發展重點突破方向如下：(前瞻經濟學人)