全球首顆！杭州半導體廠商發佈第四代半導體氧化鎵8英吋單晶！

2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)官宣發佈全球首顆第四代半導體氧化鎵8英吋單晶。鎵仁半導體採用完全自主創新的鑄造法成功實現8英吋氧化鎵單晶生長，並可加工出相應尺寸的晶圓襯底。這一成果，標誌著鎵仁半導體成為國際上首家掌握8英吋氧化鎵單晶生長技術的企業，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄，也創造了從2英吋到8英吋，每年升級一個尺寸的行業記錄。

鎵仁半導體指出，中國氧化鎵率先進入8英吋時代，具有深遠的產業意義。首先，8英吋氧化鎵能夠與現有矽基晶片廠的8英吋產線相容，這將會顯著加快其產業化應用的步伐；其次，氧化鎵襯底尺寸增大可提升其利用率，降低生產成本，提升生產效率；最後，中國率先突破8英吋技術壁壘，不僅標誌著中國在超寬禁帶半導體領域的技術進步，更為中國氧化鎵產業在全球半導體競爭中搶佔了先機，有力推動中國在全球半導體競爭格局中佔據優勢地位。

杭州鎵仁半導體有限公司成立於2022年9月，目前坐落於杭州市蕭山區，是一家專注於氧化鎵等寬禁帶半導體材料及裝置研發、生產和銷售的企業。該公司依託浙江大學矽及先進半導體材料全國重點實驗室、浙江大學杭州國際科創中心，已形成一支以中科院院士楊德仁為首席顧問的研發和生產團隊。其研發團隊開創了鑄造法氧化鎵單晶生長新技術，實現了8英吋單晶生長技術突破，成為國際首家掌握該技術的產業化公司，尺寸指標國際領先；實現了3英吋晶圓級單晶襯底的生產技術突破，為目前國際上已報導的最大尺寸；自主研發了VB法氧化鎵專用單晶生長裝置，不僅能夠滿足氧化鎵生長對高溫和高氧環境的需求，而且能夠進行全自動化晶體生長，減少了人工干預顯著提高了生產效率和晶體質量。

據悉，鑄造法是由浙江大學楊德仁院士團隊自主研發，用於生長氧化鎵單晶的新型熔體法技術。鑄造法具有以下顯著優勢，包括成本低、效率高、簡單可控、擁有完全自主智慧財產權等。鎵仁半導體氧化鎵鑄造法已逐步實現產業化，為下遊客戶提供大尺寸高品質的氧化鎵單晶襯底產品。目前，鎵仁半導體6英吋襯底已實現產品銷售出貨。

從2022年鎵仁半導體公司成立至今，鑄造法氧化鎵單晶尺寸實現了每年提升一代尺寸的高速發展，展現了自主創新的技術實力。2022年5月，成功生長2英吋氧化鎵單晶；2023年5月，成功生長4英吋氧化鎵單晶；2024年2月，成功生長6英吋氧化鎵單晶；2025年2月，鎵仁成功生長8英吋氧化鎵單晶。 (飆叔科技洞察)