華為“星光工程事業部”分離出去的。黑夜無法遮住滿天星光,新的凱旋即將到來!
其實早就傳聞國家在制裁後組建了聯合艦隊攻克高精半導體,但都沒有具體消息,大概意思就是以華為技術為主力,抽調其他相關行業公司力量協同研發,國家隊提供資金和所有資源供應。這個模式和造原子彈一樣一樣的,現在才知道叫“新凱來”。
新凱來半導體作為華為剝離出的"技術先鋒",其誕生標誌著中國半導體產業進入"舉國體制+市場化運作"的新階段。
這個承載著國家戰略使命的實體,正以"三駕馬車"模式破局:
技術攻堅方面,新凱來整合了海思半導體最核心的IP研發團隊,聚焦EUV光源系統、193nm浸沒式光刻機鏡頭組等28項"卡脖子"技術。
通過與中科院微電子所共建的"虹芯實驗室",成功在GAA電晶體結構設計上取得突破,將電晶體密度提升至台積電3nm工藝的85%水平。
產業協同層面,深圳國資不僅注入首期500億元產業基金,更聯動深創投、鯤鵬資本搭建"技術轉化平台"。
該平台已促成與中芯南方共建的12英吋晶圓中試線投產,實現14nm工藝良率從55%到78%的跨越式提升。
同時聯合比亞迪半導體打造車規級碳化矽功率模組生產線,預計2024年產能達30萬片/年。
在國際博弈維度,新凱來創造性地建構"技術平行線"策略:針對美國出口管制清單,同步推進三條技術路徑——基於國產DUV裝置的N+1工藝最佳化、中微半導體第五代ICP刻蝕機適配方案、以及上海微電子28nm光刻機量產驗證。
這種多執行緒攻關模式,使國產28nm晶片綜合成本較進口降低40%,良品率突破92%。
值得關注的是,新凱來首創的"人才飛地"計畫,通過在美國矽谷、瑞典隆德設立研發中心,以柔性引進方式匯聚87名頂尖專家。
其中ASML前光刻機研發副總裁Erik的加入,使得浸沒式光刻機光學系統建模周期縮短60%。這種"開放式創新"模式,在規避技術封鎖的同時實現了關鍵技術反哺。
面對美國商務部新增17項對華半導體限制措施,新凱來正加速推進"虹芯3.0"計畫,重點突破量子隧穿電晶體、存算一體架構等後摩爾技術。
據內部人士透露,其自主研發的3D堆疊晶片已通過華為Mate70系列工程機測試,性能較傳統架構提升2.3倍,功耗降低45%,有望在2025年形成具有全球競爭力的技術標準體系。
華為出高精尖人才,深圳國資出錢,國家突圍半導體卡脖子的新希望!上海半導體展,新星崛起,新凱來火爆出圈。
憋屈了四年,新凱來的工程師們科學家們辛苦了。
今年的半導體展新凱來出圈了,阿斯麥要徹底睡不著了。
中國再也不會看人臉色了,屬於中國自己的光刻機要來了。
中國雄起!中華民族偉大復興勢不可擋。
中國最後兩個短板:光刻機和男足,又攻克一個。 (洞察3C前沿)