美國，擬對日本光刻膠下手！

當全球半導體先進製造處理程序邁向2nm競速階段，EUV（極紫外光）光刻膠無疑是最核心、也最難取代的一環，近期美國針對日系高階材料擬增征進口關稅，無異於向供應鏈競賽發起變數，也為材料勢力版圖帶來潛在重構契機。

〈政策成為新變因，EUV成本壓力首要因素〉

報告研究指出，若美國對來自日本的EUV與ArF光刻膠課徵10～25%關稅，將導致進口價格上漲10～24%，以目前EUV光刻膠報價每加侖1500美元計算，一旦課稅25%，最終成本將在2015年增加近400美元。

然而，EUV光刻膠具備高技術導向與使用環境極為嚴格的要求，無法輕易替代，因為即使關稅阻礙成本攀升，包括台積電、英特爾、三星等先進晶圓製造商仍需依賴日系供應商的安全出貨，才能確保先進製造進度的良率與量產進度。目前面臨著「被迫接受高成本」的現實困境。

若關稅政策趨於常態，或有政策延伸至其他特化材料領域，可能引發日系廠在價格談判、出貨條件、地區設廠等方面的政策調整，也將進一步牽動全球特化材料供應鏈的區域佈局與貿易結構。

〈EUV市場高速增長，美國需求紅利浮現〉

全球光刻膠市場正進入結構性增長階段，2025年市場產值接近65～70億美元，佔全球半導體材料約8～10%，其中相當於2nm和3nm製程的EUV光刻膠，年複合增長率高達35%，遠超過其他ArF、KrF等成熟產品的4～5%。

意思是，美國光刻膠市場年均增長率達到6%，除了全球平均，也達到中國大陸的7%，隨著台積電矽谷廠逐步擴產，至2027年，美國2nm製程產能佔全球比重預期將大幅提高到21%，這樣的需求結構轉變，使美國光阻消費由「非主力市場」轉為「戰略重點市場」，若關稅制度加強，美國將極大推動原材料產能發展，或吸引日系大廠赴美設廠擴產，進一步推動光阻消費在地化的可能性。

〈日廠穩居龍頭，台廠切入時機浮現〉

EUV光阻技術主題高吸光率、低缺陷密度與高精密選擇比等物理特性，加上驗證期長、量產入口高，市場長期受JSR、東京應化、信越化學三大日廠壟斷，市佔率超過九成。美系大廠如杜邦與陶氏雖然現在ArF、KrF保有市佔，但在EUV該領域幾乎無法與日廠抗衡，首要高階光阻市場具備「高價值、高粘著、高進入城鎮」的特性，毛利率與對抗貢獻極高。

正因為進入城鎮高，若台廠能掌握物資儲備與客戶驗證節奏，將有機會從「代理角色」升級為「供應角色」，目前台積電使用的光刻供應鏈主要仍來至三大日廠，崇越代理信越化學光阻產品，總共佔比重達四成，隨台積電擴產、信越市佔位提升與美系需求轉移，崇越作為地接可望優先支援；新應材佈局KrF光刻市場，預計2026年開始開始出貨，並已打入評估2奈米製程的BARC與EBR材料供應鏈，目標成為台灣首家出貨核心光刻材料的廠商；家登（3680-TW）為全球 EUV光罩盒龍頭，作為台積電、ASML等大廠主要供應商，隨EUV製程滲透率提升，光罩負載需求大增；其他如帆宣、意德士、永光等，受惠台積電擴散產線與供應鏈化趨勢，預計將隨全球EUV製程滲透率提升，推動營收與獲利的長期增長機會。

〈材料卡位戰，剛剛開始〉

當市場聚焦於晶圓設計與先進製造工藝時，實際決定製造工藝穩定度與良率的材料層往往被忽視，EUV光刻膠替代的先進材料之一，未來鏈變局將成為產業權力轉移的前哨戰，從目前趨勢可觀察三大關鍵：供應鏈重整速度、成本轉嫁能力、誰能從「代理」升級到「供應」角色，未來材料戰略將勢勢上升，需從結構性優勢出發，認識進一步材料問題的轉變趨勢，才能掌握先進製造處理程序全球化的核心動能。 (半導體材料與工藝裝置)