美伊衝突的餘波，沒繞開半導體產業。影響還在持續擴散，越來越多企業受波及。據TheElec報導，三星、SK海力士收到壞消息。日本供應商通知，光刻膠原料採購已中斷。業內人士透露，21日晚就接到相關消息。日本公司正開內部會議，23日將正式發通知。短缺的原料，是PGME和PGMEA兩種溶劑。它們的作用，是溶解其他物質的“幫手”。半導體產業鏈裡，很多材料都離不開它們。光刻膠、抗反射塗層，都需要這兩種溶劑。高頻寬儲存器的臨時粘合劑，也得靠它們。給三星、SK海力士供貨的日本企業不少。信越化學、TOK、JSR、富士膠片都在列。斷供的根源，還是美伊衝突引發的連鎖反應。日本40%的石腦油供應，依賴中東地區。荷姆茲海峽被封鎖，石腦油供應直接斷檔。石腦油是原油煉製的輕質油，用途極廣。高溫裂解後，能生產丙烯、乙烯等原料。價格漲得離譜，從每噸600美元飆到1190美元。這是4月初的現貨價，較封鎖前近乎翻倍。供應中斷後，日本裂解裝置開始減產。12座石腦油裂解裝置，6座已降低產能。丙烯供應跟著減少，連鎖反應就此爆發。環氧丙烷以丙烯為原料，產量受直接衝擊。而PGME和PGMEA，正是以環氧丙烷為原料。原料斷供，溶劑生產自然難以為繼。PGMEA價格已上漲40%-50%，壓力傳導下游。杜邦、陶氏、LG化學，都已發出提價通知。日本供應商也在想辦法，尋找替代管道。計畫從中國或韓國採購PGME和PGMEA。核心評估標準，是工藝變更（PCN）流程。對三星、SK海力士來說，麻煩才剛開始。它們必須重新評估生產工藝，耗時不短。通常需要一年時間，才能完成全部評估。光刻膠的驗證周期，更是漫長且嚴格。東方證券指出，要經過四大核心流程。PRS性能測試、STR小試、MSTR批次驗證，最後Release。光刻膠是配方型化學品，成分複雜。成膜樹脂佔比最高，決定其核心性能。解析度、耐刻蝕性，都靠成膜樹脂支撐。好在，國內企業正在加速突圍。聖泉集團G線/I線光刻膠用酚醛樹脂已量產。KrF光刻膠用PHS樹脂，進入市場匯入階段。八億時空的進展更亮眼，已實現噸級出貨。百噸級KrF光刻膠樹脂產線建成並量產。彤程新材部分光刻膠，已用自研樹脂商用。 (1 ic芯網)

“如果光刻機缺少了光刻膠，那麼光刻機就是一堆廢鐵。”2019年7月，日本單方面對韓國斷供光刻膠，直接導致三星7奈米EUV生產線停擺。時至今日，三星集團CEO仍心有餘悸。此後，三星深刻認識到光刻膠的戰略價值，開始在韓國推動半導體材料的自主化，尤其聚焦於EUV光刻膠的國產生產。經過兩年多的努力，2021年底，韓國東進半導體自主研發的EUV光刻膠產品終於通過三星電子的可靠性測試，實現重大突破。日韓在EUV光刻膠領域的博弈，揭示了兩個關鍵事實：第一，在半導體領域，實現全產業鏈自主極其困難——即便是全球第二大半導體強國韓國，也曾深陷“卡脖子”困境；第二，儘管挑戰巨大，但在光刻膠等關鍵環節實現自主生產勢在必行，唯有如此，才能最大程度擺脫受制於人的命運。這也正是國產光刻膠當前所面臨的挑戰與機遇。近期，中日關係緊張之際，日本築波大學教授、“中國問題全球研究所”所長遠藤譽在雅虎新聞撰文拋出驚人言論：日本只需重演2019年對韓斷供光刻膠的手段，便足以迫使中國“服軟”。自此，光刻膠成為無法迴避的焦點議題。多數人只知光刻機，卻不知光刻膠。然而，光刻膠的重要性絲毫不亞於光刻機。光刻膠，堪稱晶片的“光學底片”——底片若不行，再先進的光刻機也印不出高端晶片。它的核心作用，是將掩膜版上的電路圖案“複印”到矽片上。作為光刻工藝的核心材料，光刻膠能與光線發生反應，在晶片基材上形成所需的精密電路圖形。簡言之，光刻出的電路越精細，晶片性能就越強。晶片製造如同在晶圓上繪製一座宇宙級微縮城市，而光刻膠，正是那支決定城市精度的“神筆”。但光刻膠的應用遠不止於晶片製造。按下游領域劃分，主要包括PCB、面板和半導體三大類，每類又細分為多種品類。然而，無論那一類，國產化率普遍偏低。審視中國光刻膠產業地圖，這一現象尤為突出：·PCB光刻膠中的濕膜光刻膠，國產化率勉強過半；·面板光刻膠中的彩色與黑色光刻膠，國產替代率僅約5%；·半導體光刻膠中，KrF與ArF等高端品類，中國市佔率不足1%；更高端的EUV光刻膠尚處研發階段。以半導體光刻膠為例，按光源波長從長到短，可分為紫外寬譜（300–450nm）、G線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及EUV（13.5nm）等主要類型。從G線邁向EUV，波長每縮短一個數量級，都意味著一次材料科學的顛覆性躍遷。換句話說，我們剛剛在中低端“成熟製程”站穩腳跟，對手卻已站在“埃米級”下一代技術的起跑線上。儘管在晶片製造流程中，光刻膠常被比作“晶片的墨水”，但這一比喻遠不足以體現其高壁壘與高門檻。其技術難點貫穿配方設計、原材料控制、工藝驗證到量產穩定性，是一套全鏈條的系統性挑戰，亟需產業鏈上下游與產學研的深度協同，絕非短期可成。例如，光刻膠的核心在於高度保密的精密配方體系。不同曝光波長對應完全不同的配方，材料體系亦需隨之調整，難以通用。而要實現這些精密配方，離不開超高純度的關鍵原材料支撐。以高端光刻膠所需的樹脂與光敏劑為例，其純度要求極高，金屬離子雜質含量須控制在ppb（十億分之一）等級。換言之，即便給你配方，你也未必能用。更關鍵的是，長期以來，日本合成橡膠、東京應化、杜邦、信越化學、富士電子五大廠商壟斷全球85%的市場份額，其中日本四家合計佔比超70%。在EUV光刻膠領域，目前僅日本合成橡膠、東京應化與信越化學三家企業具備量產能力。據前瞻產業研究院資料，2019年全球光刻膠市場規模為82億美元，預計2026年將達123億美元，2019–2026年復合年增速約6%。別小看這一規模——一旦斷供，國內最先進的晶片產線將瞬間癱瘓。這是一塊我們必須奪回的戰略高地。19世紀初，人類發明鋼筆；20世紀初，鋼筆傳入中國；直到2017年，太鋼集團才實現筆尖鋼的自主突破。過去，鋼筆依賴進口時，我們尚可用鉛筆或圓珠筆替代；但在光刻膠這件事上，我們別無選擇，唯有迎難而上。更何況，高端光刻膠普遍存在保質期短、儲存條件苛刻的特點，通常僅有6至12個月有效期，幾乎不具備戰略囤積的可行性。在這座被技術、認證、供應鏈與裝置四大壁壘重重封鎖的堡壘中，突圍不僅需要企業自身努力，更離不開政策支援。早在“十二五”期間，中國就將《極大規模積體電路製造裝備及成套工藝》列為16個國家科技重大專項之一（即“02專項”），重點扶持國產光刻膠的研發與產業化，旨在降低對進口產品的依賴。十年耕耘，“02專項”結出碩果，催生了彤程新材(603650.SH)、南大光電(300346.SZ)、上海新陽(300236.SZ)、晶瑞電材(300655.SZ)為代表的“四小巨人”，逐步形成差異化佈局。如今，國內已有數十家企業涉足光刻膠領域，在短短數年內提升了國產化率，並探索出三條清晰路徑：一條是“農村包圍城市”的穩紮穩打路線。以容大感光(300576.SZ)為例，先在PCB光刻膠領域做到國內龍頭（市佔率領先），夯實資金與客戶基礎，再將利潤持續投入顯示面板與半導體光刻膠研發。策略明確，就是用成熟業務的現金流，滋養未來業務的野心。另一條是“收購破壁、重點突破”的併購路線。彤程新材通過收購北旭電子，一舉躍居國內顯示面板光刻膠第一大供應商，在部分頭部面板廠份額高達60%甚至100%。更令人矚目的是，其在半導體光刻膠領域殺出血路：KrF光刻膠國內市佔率超40%，並成為國內極少數能量產ArF光刻膠的企業之一。最後一條是“全線押注、生態作戰”的集團軍路線。以晶瑞電材為代表，不僅做光刻膠，還向上游延伸至關鍵原材料樹脂，橫向拓展超淨高純試劑。目前正與中石化合作，推進ArF光刻膠樹脂國產化，有望將材料成本降低15%以上。值得欣慰的是，根據陸續披露的2025年財報資料，上海新陽、晶瑞電材、彤程新材、南大光電均實現營業收入與歸母淨利潤雙增長。光刻膠國產替代並非一場速勝之戰。儘管距離中國玩家真正“上牌桌”仍有很長的路要走，但這已是良好的開端。中國晶片的終極突圍，始於為“神筆”研墨的那一刻。但必須承認：光刻膠是一個技術壁壘高、產業集中度高、寡頭壟斷嚴重的領域。相比美日韓數十年積累的半導體產業根基，作為後來者的我們基礎薄弱，“彎道超車”幾無可能，唯有死磕研發、縱深佈局，靠時間換取技術沉澱。短期內，這道鴻溝難以跨越；但長期看，“遇溝架橋”並非妄想。日本便是例證。回望歷史，日本在全球光刻膠市場佔據絕對主導地位，但其起步並不早。在後發劣勢下，最終逆襲成為行業霸主。復盤光刻膠產業轉移路徑，市場份額變遷背後是一套極其複雜的系統工程，涉及政策引導、產業協同與技術演進等多重因素。日本企業的成功，關鍵在於先以技術優勢建立行業地位，再逐步建構完整的產業生態，最終形成上下游分工明確、高度協同、緊密配合的體系。縱觀半導體產業發展史，每一次產業轉移都源於新興終端市場需求崛起、國家政策強力扶持，並結合區域經濟特點與產業分工深化，從而實現後來者趕超。為何光刻膠產業尚未如其他環節那樣，從美國轉移至日本、再轉向中國大陸？根本原因在於：發展光刻膠必須依託配套的光刻機技術與完整的產業鏈叢集。表面看，這是“膠”的戰爭；本質上，仍是“芯”的戰爭。一粒光刻膠的自主，始於一顆晶片的自主。所幸，中國半導體產業鏈正日益擰成一股繩。哈勃投資在光刻膠研發中扮演著不可忽視的角色——2021年向徐州博康注資3億元。巧合的是，徐州博康的組織模式與日企高度相似，垂直整合能力極強。自2006年起，徐州博康已在光刻膠領域深耕十餘年，實現了“單體—樹脂、光酸—光刻膠”的全產業鏈覆蓋。2012年，它成為國際巨頭JSR唯一的非本土供應商；2024年，成功攻克14奈米濕法光刻膠技術。與此同時，中芯國際、小米等企業正積極發揮“供應鏈鏈主”作用。此外，中資晶圓廠的快速崛起，也為國產光刻膠提供了廣闊的市場空間與寶貴的驗證匯入機會。據IC Views統計，2021年中國大陸半導體公司在產線建設上的總投資達1900億元，其中中芯國際在北京、上海、浙江、廣東、天津五地佈局，投資總額超760億元。未來，隨著中資晶圓廠持續推進供應鏈自主化，國產光刻膠將迎來確定性的替代窗口。至此，中國半導體光刻膠產業的自主化路徑已日漸清晰，整體可分三步走：第一步，在成熟製程中面向中資晶圓廠完成驗證匯入，逐步替代日美產品； 第二步，在新建先進產線中與中資晶圓廠協同研發，推動工藝向前靠攏；第三步，最終實現全產業鏈的自主可控。這場關於“膠”的戰爭，沒有硝煙，卻無比殘酷。令人鼓舞的是，AI爆發帶來的算力飢渴、全球晶圓廠擴產潮、5G與新能源汽車的晶片需求，正瘋狂拉動光刻膠市場。而中國在國產替代與自主研發上的決心，比以往任何時代都更加堅定。從政策到資本，從高校到工廠，一股破釜沉舟的力量正在集結。這條路註定漫長且燒錢，但這是別無選擇、必須打通的“生命線”。 (財經無忌)

前段時間，工信部部長李樂成宣佈：中國已成功攻克光刻膠專用玻璃瓶技術，徹底終結100%進口依賴歷史。很多人好奇，一個瓶子能有多大技術含量？還真有。這得從光刻膠說起。大家都知道，光刻機的工作原理，就是把指甲蓋大小的晶圓上，“刻”上幾十億個電路圖案。但是，晶圓本身是矽做的“石頭”，既不感光，也沒法直接被雷射“刻”出圖案。這個時候，就要用上光刻膠。簡單的說，就是先在晶圓表面均勻涂一層薄薄的光刻膠，光刻機的雷射按照事先設計的電路圖案照射光刻膠。光刻工藝流程被雷射照過後，光刻膠的性質發生改變，特別容易被洗掉，沒被照過的地方會留下來，在晶圓表面形成和電路圖案一模一樣的“膠膜花紋”。此時再用高密度電漿體順著“膠膜花紋”蝕刻晶圓，把剩下的光刻膠洗掉後，晶圓表面就出現了和電路圖案完全一致的凹槽，後續再往凹槽裡填金屬，就能形成導電的電路。打個比方，光刻機製造晶片，就像你在玻璃上刻一個“人”字，直接拿刻刀劃不僅費勁，還刻不出。在刻之前，先在玻璃上貼一張“人”字的剪紙，就好刻多了。光刻膠就是“剪紙”，是光刻機“雕刻”晶片電路的“畫筆墨水”。沒有光刻膠，光刻機的光束無法在晶圓上留下任何有效圖案，晶片製造就會中斷。可以說，光刻膠的特性，決定了光刻機的精度。如果光刻膠的解析度很低，無法清晰還原掩模上微小圖案，那麼，光刻機的製程再先進，再無用武之地。總結來說，光刻膠是一種極其敏感、高純度的化學液體，具有超高光敏性、極致純度、強化學活性、高揮發性等特性。這些特性，又對儲存光刻膠的瓶子提出了極高的要求。下面是一個光刻膠專用瓶。光刻膠專用瓶從外表看，瓶身採用近乎黑色的深棕色設計，作用是阻擋紫外線，隔絕自然光中的紫外成分，保護內部光刻膠的化學穩定性。頂部還設計了一個提手，方便工人在無塵環境中搬運，滿足潔淨操作要求。看不見的是，瓶子的材質為高純度中性硼矽玻璃。與我們生活中常用的玻璃瓶（鈉鈣玻璃、低硼矽玻璃）不同，中性硼矽玻璃含有極少的鈉、鉀等易遷移金屬離子，避免離子污染光刻膠。為了保險起見，瓶子內壁還會進行深度脫鹼、矽烷化鍍膜處理，形成5-10nm的緻密惰性層，既鎖住玻璃中的金屬離子，又避免光刻膠成分被瓶壁吸附。瓶蓋也有講究，通常採用PTFE密封圈+惰性橡膠墊+螺旋蓋的三重密封結構，徹底隔絕空氣和水汽，防止光刻膠氧化、水解，維持其粘度和成像性能穩定。光刻膠專用瓶看似是光刻膠的“容器”，實則是保障光刻膠性能穩定、晶片良率達標的關鍵一環。一旦儲存不善，即便是混入了一粒灰塵，就可能在光刻圖案上形成“亮點”或“暗點”缺陷，導致晶圓報廢。小小瓶子，大有講究。中國是全球最大的玻璃生產國，僅平板玻璃年總產量超10億重量箱，佔比50%以上。對中國企業來說，光刻膠專用瓶難在那裡？從生產角度看，光刻膠專用瓶確實有極高的技術門檻。僅拿所用的中性硼矽玻璃來說，全球前三大企業（肖特、康寧、NEG）就掌控了全球75%的產能。2024年中性硼矽玻璃主要國家及核心企業產量對比光刻膠專用瓶所需的工藝與核心裝置需要進口，也帶來了阻礙。在商言商，光刻膠專用瓶雖屬關鍵耗材，卻是典型的“小而精”細分市場，市場規模有限，對企業的吸引力本就不高。更為關鍵的是，這款專用瓶絕非普通包裝容器，而是與光刻膠配方、供膠系統、晶圓廠生產工藝深度耦合的核心配套件，圖案失真，直接衝擊晶圓良率。日本光刻膠巨頭推行“膠瓶一體”的強繫結銷售策略。更為重要的是，光刻膠專用瓶通常需與光刻膠配方、供膠系統、晶圓廠工藝深度適配。日本光刻膠巨頭正是看準這一點，推行“膠瓶一體”的銷售策略建構起“膠廠-瓶廠”深度協同的封閉供應鏈體系。客戶採購光刻膠必須同步選用其原裝專用瓶，專用瓶產能則優先供給體系內企業。非體系內的光刻膠企業，即便突破配方難關，也會因難以獲得穩定、合規的專用瓶供應而受限。非體系內的專用瓶企業，因缺乏與光刻膠配方、晶圓工藝的聯合驗證管道，更無從敲開上游供應鏈的大門。這一雙重壁壘，大幅抬高了新入局者的技術與市場門檻，直接壓降了投資回報預期，最終令不少企業望而卻步。此次光刻膠專用瓶國產化，既是國內玻璃企業攻堅克難的硬核成果，更是半導體產業鏈上下游協同攻關、補鏈強鏈的必然結果。專用瓶的國產化，讓國產光刻膠徹底走出“有膠無瓶”的困境；而半導體產業對高端專用瓶的剛性需求，又為本土企業提供了穩定的回報預期。從單點突破邁向系統突圍，中國半導體產業的正向循環，開始了！ (正解局)

對於上漲，有分析人士表示，主要驅動因素一方面源於市場對半導體光刻膠本土化替代的強預期；另一方面則得益於國內光刻膠產業鏈企業在產品技術上的突破與落地。12月1日午後，光刻膠概念異動拉升，截至收盤，光刻膠概念上漲超過2%，類股內57股上漲，華融化學、國風新材等漲停，容大感光、南大光電、彤程新材、恆坤新材、八億時空等漲幅居前，分別上漲17.86%、8.84%、7.70%、5.47%和3.92%。針對這一波市場行情的背後增長邏輯，有光刻膠上市公司董監高人士向《科創板日報》記者分析表示，主要驅動因素一方面源於市場對半導體光刻膠本土化替代的強預期；另一方面則得益於國內光刻膠產業鏈企業在產品技術上的突破，以及產業化落地處理程序的加速。《科創板日報》記者注意到，根據企業經營業務以及自身在投資者關係互動平台的披露，A股市場佈局半導體光刻膠業務的公司有上海新陽、南大光電、聚光科技等多家企業，這些公司中既有屬於半導體產業鏈上下游的公司，也有子公司或參股公司參與半導體光刻膠業務。▌多梯次光刻膠產品實現突破光刻膠的應用領域主要涵蓋半導體、面板產業和PCB等產業，主要用於光刻工藝中形成精細圖案。在半導體領域，由於涉及超精細圖案化、高解析度、高靈敏度等技術要求，技術含量最高，因此對光刻膠的要求也更高。根據全球市場調查機構QYResearch報告，光刻膠市場長期被東京應化、信越化學、日本合成橡膠（JSR）、富士膠片等國際巨頭壟斷。近期，中國加快半導體自主可控步伐，產業鏈上下游多個環節實現技術新突破。11月29日，容大感光在互動平台表示，公司部分光刻膠產品在關鍵性能指標上已實現對部分日系產品的替代，並已在部分客戶中實現批次應用。一位接近公司的行業內人士對《科創板日報》記者表示，容大感光目前佈局的主要是i線、g線等偏中低端但此前被海外市場壟斷的光刻膠產品，目前該公司研發、生產、銷售端都在積極推進相關工作。不過更高端的KrF系列光刻膠，目前該公司還沒有相關產品佈局。對於半導體光刻膠產品佈局，今日（12月1日），容大感光董秘辦人士表示，目前該公司KrF（248nm）光刻膠項目已完成了光刻機等核心裝置的配置工作，目前正積極開展相關產品的研發工作。“這台機器主要用於驗證和測試，不是生產用的。還處於研發階段。” 對於下一步量產計畫，容大感光董秘辦人士進一步表示。恆坤新材主要從事光刻材料和前驅體材料的研發、生產和銷售。根據11月2日華鑫證券研報內容，目前該公司ArF光刻膠已實現小批次銷售，SiARC、TopCoating等光刻材料和矽基、金屬基前驅體材料則已進入客戶驗證流程。談及公司產品對日產化學、美國杜邦、日本合成橡膠（JSR）等境外廠商同類產品的替代情況，恆坤新材董秘辦人士並未正面回應，僅表示“以公司後續資訊披露為準”。八億時空主要從事顯示用液晶材料、光刻膠樹脂原材料等領域的研發、生產和銷售，是國內為數不多具備半導體光刻膠上游原材料量產能力的企業之一。談及該公司百噸級半導體KrF光刻膠樹脂高自動化柔性/量產雙產線項目最新進展，今日，八億時空董秘辦人士表示，該項目已實現量產，其光刻膠樹脂材料核心客戶包括恆坤新材等光刻膠企業。“目前八億時空光刻膠樹脂已經間接切入中芯國際、華虹集團的終端供應鏈市場。”有市場人士對《科創板日報》記者補充稱。國內另外一家上市新材料企業國風新材今日股價漲停，報收8.39元/股。對於該公司在半導體光刻膠領域的佈局，國風新材董秘辦人士表示，該公司現在還沒有生產出光刻膠產品，目前佈局的 PSPI（光敏聚酰胺光刻膠）還在研發中；不過，公司已在實驗室製備出樣品。“目前產品定位是i線、g線還是更高端的ArF、KrF產品，尚未最終確定，要等到量產前結合市場情況評估確定。”國風新材董秘辦人士進一步表示。《科創板日報》記者注意到，在國內半導體光刻膠領域實現量產突破的企業還包括南大光電、彤程新材、晶瑞電材、華懋科技等，這些企業可在ArF、KrF、i線、g線等不同梯次產品上實現不同程度的量產、供貨等。可以說，國內企業在多梯次產品上的量產突破，為應對潛在供應鏈風險奠定了基礎。▌國內企業直面供應鏈不確定性光刻膠是光刻過程中最重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。銀河證券表示，“十五五”規劃重點聚焦關鍵核心技術領域的自主突破，裝置等領域是直接受益環節之一；而光刻膠作為半導體製造的核心耗材，其本土化替代需求將隨政策推進持續釋放，據市場三方機構資料統計，預計2025年光刻膠市場規模可達123億元。《科創板日報》記者注意到，近期多家相關企業通過互動回應、提前佈局等方式積極應對，在明確本土化替代的戰略機遇同時，也介紹了當前供應鏈現狀與應對舉措。11月28日，有投資者在互動易平台上向容大感光提問，近期國際關係緊張，請問公司光刻膠產品在功能和性能上能否替代日產相關產品，實現本土化替代？對此，容大感光回應稱，當前形勢下公司高度重視本土化替代所帶來的戰略機遇，並已制定相應的工作策略，主要包括加速產線建設、深化客戶合作、提升供應鏈韌性等，把握本土化替代機遇，推動光刻膠產業自主可控。久日新材在談及該公司光刻膠相關產品是否可以實現對海外巨頭產品的本土化替代時，該公司董秘辦人士今日表示，久日新材生產的光刻膠產品及光刻膠核心原材料重氮萘醌類光敏劑產品可實現本土化替代。“當下，對企業而言，做好業務、以不變應萬變才是核心。”國內一家量產光刻膠的生產企業董秘辦人士表示，不排除，日系光刻膠供應可能出現收緊的趨勢，但這種變化大機率不會是“突然全面斷供”的極端情況。不過，事件的實際影響需要結合更多因素綜合分析判斷。在應對舉措方面，國內另外一家半導體光刻膠企業董秘辦工作人員表示，如果真的出現供應鏈問題，公司有相應的應對方案。不過目前高端原材料確實還需要從日系供應商採購，但公司也在提前佈局、未雨綢繆。亦有光刻膠上游原材料上市公司高管則表示，生產光刻膠的原材料每家企業的來源不同，不過一旦出現海外市場斷供的情況，目前仍難以完全擺脫對日系原材料的依賴。“公司判斷，光刻膠斷供雖會對生產經營產生一定影響，但整體風險處於可控範圍。”國內一家從事光刻膠材料業務公司技術研發人員對《科創板日報》記者表示，目前該公司推進的大部分光刻膠本土化項目已在FAB產線完成全流程驗證，產品性能基本滿足現有工藝使用需求。 (科創日報)

12月1日，香港《亞洲時報》等主要外媒報導稱，"日本似乎已從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠的出貨"。儘管日本政府和企業並未正式宣佈此事，但日本和中國業界已普遍將其視為既定事實。有評價指出，此次措施的具體實施範圍已明確到佳能、尼康、三菱化學等具體企業名稱的程度。《亞洲時報》稱此次中斷是"中國擔憂的最壞情況"。當前半導體市場不僅限於 HBM，通用 DRAM需求也同時激增，正處於全面供應短缺的局面，這被認為是中國企業加速成長的時機。雖然 CXMT和SMIC基於政府支援擴大生產能力，與這一趨勢相吻合，但日本光刻膠出口中斷的情況被指直接動搖擴產計畫。若核心材料採購變得不穩定，中國儲存器的市場進入速度也可能受到影響這有可能引發全球供應鏈重組及整體價格結構的變化。另一方面，此次事件也被視為加劇了日本本土企業與中國之間的距離，同時反而強化了韓國與日本供應鏈聯絡更加緊密的趨勢。隨著日本對光刻膠的控制加大中國企業的採購不確定性，韓國企業愈發需要加強與日本中小企業的穩定合作結構，實際上兩國企業間的合作範圍也在擴大。有分析認為，隨著與日本的技術和材料聯絡加強，韓國更有可能在中國與日本之間確立為半導體供應鏈的核心軸。日本此舉被認為中日衝突加劇的背景下，影響已蔓延至半導體供應鏈的訊號。日本正通過限制其優勢領域——部件、材料向中國流入的方式加大施壓，而韓國業界也在密切關注，若此類衝突給中國半導體生產帶來變數，將對韓國企業產生何種影響。光刻膠是一種對光反應後化學性質發生變化的“感光物質”。特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段“光刻工藝”中被廣泛用作核心材料。塗覆在晶圓上後，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪製精細的電路圖案。日本在全球光刻膠市場佔據超過70%的份額，地位獨步天下。正因如此，當在政治、經濟領域與其他國家發生衝突時，日本政府最先拿出的施壓手段往往就是光刻膠。2019年將韓國從白名單(出口審查優待國)中排除時，日本在半導體領域最先封鎖的也正是光刻膠。有分析認為，近期展現活力的中國半導體產業整體也將失去活力。日本的感光劑出貨中斷被評價為讓中國連製造各種半導體的第一顆紐扣都無法扣上，更是如此。中芯國際等在全球市場份額中反彈的晶圓代工(半導體委託生產)，以及長鑫儲存等記憶體企業，預計都將受到不小的打擊。業界相關人士表示:“特別是記憶體，近期隨著 DRAM 價格的暴漲，長鑫儲存等中國企業正顯示出增建工廠、擴大產能的動向，但日本的出口限制措施也可能成為絆腳石。”日本對中國的半導體相關出口管制，可能從光刻膠開始逐步擴大範圍。據日本《日經新聞》報導，日本代表性半導體企業“鎧俠”最近已停止進口中國產的 DRAM等儲存器。公司一名高管解釋稱:“出於質量和安全方面的擔憂我們停止了進口。 (半導體材料與工藝裝置)

不少人曾認為，中國手持稀土這張王牌，便能在高端製造領域領先歐美。但現實是，日本也握有一張關鍵王牌──光刻膠，其技術優勢曾讓中國等多國難以追趕。尤其在中日關係複雜的當下，日本在光刻膠領域的絕對主導地位，更值得深入探討。資料顯示，日本在全球高階光刻膠市場佔有近90%的份額，連科技實力雄厚的美國也難以企及。瑞士銀行集團（UBS）曾評估，日本光刻膠企業的技術領先優勢至少能維持到2030年，這意味著未來數年全球半導體產業的命脈仍被日本深度影響。那麼，光刻膠究竟為何如此重要？日本憑何建立起這般壁壘？中國又如何突破封鎖？一、半導體的"隱形心臟"：光刻膠的核心價值要理解日本的技術優勢，首先需明確光刻膠的戰略意義。在半導體產業中，晶片是核心載體，而光刻膠則是晶片製造的"精密刻刀"－其解析度直接決定晶片的製程精度和性能上限。沒有光刻膠，晶片的電路輪廓無法精準刻畫，堪稱半導體產業的"隱形心臟"。除晶片製造外，光刻膠在液晶面板、印刷電路板等高端製造業同樣是不可或缺的關鍵原料。從技術演進史來看，光刻膠的早期研發完全由西方國家主導，中國錯失了最初的發展機會。 1826年，法德科學家先後發現物質的感光特性；1948年，美國提出光固化油墨專利；1949年，德國企業研發出全球首款紫外正性光刻膠。而彼時的中國正處於積貧積弱的階段，根本無力參與這一技術賽道的競爭。二、彎道超車：日本如何壟斷全球市場？令人意外的是，最初同樣落後的日本，卻透過系統性佈局實現了對歐美的彎道超車，最終建立起近乎壟斷的市場地位。這項成就的背後，是技術累積、政策扶持與產業協同的多重作用。1950-60年代，日本電子產業因國內需求激增而快速擴張，政府順勢推出扶持政策，全力推動半導體產業發展。其中，"VLSI項目"堪稱關鍵舉措－日本集結全國頂尖科研力量，集中突破高純度矽材料製備等核心技術，為光刻膠研發奠定了堅實基礎。憑藉紮實的技術積累，日本在半導體材料創新上逐漸反超歐美，擺脫了對外部技術的依賴。日本人對產品純度和品質的極致追求，更讓其在市場競爭中脫穎而出。一群半導體巨頭應運而生，形成了從原料到成品的完整產業鏈體系。與其他國家不同，日本光刻膠企業多在本土建構供應基地，配套設施和零件優先選用國產產品，形成了技術閉環。這種全產業鏈優勢，既降低了外部依賴風險，也提升了技術迭代效率。反觀其他國家，或因無法承受高昂的研發試錯成本而中途放棄，或因產業鏈不完整處處受制。客戶出於穩定性考慮，更傾向於選擇技術成熟、供應可靠的日本企業，進一步強化了日本的市場黏性。到西方國家幡然醒悟時，日本已牢牢掌控全球90%的高階光刻膠市場。三、嚴防死守：日本的市場保衛戰為鞏固壟斷地位，日本採取了"技術封鎖+產業鏈管控+市場干預"的多重策略，甚至不惜動用貿易手段維護優勢。 2019年的"日韓半導體貿易戰"便是典型案例－因歷史問題糾紛，日本政府突然對韓國實施半導體材料出口管控，光刻膠赫然在列。這項舉措直接重創韓國半導體產業，三星等巨頭陷入停產危機。被逼至絕境的韓國政府隨即加大研發投入，全力扶持本土光刻膠產業。經過數年攻堅，韓國企業最終突破技術封鎖，日本只好在2023年撤銷相關限制。這場貿易戰雖以韓國突破封鎖告終，卻也讓日本更加警覺技術外流，隨後甚至推動光刻膠巨頭企業國有化，進一步加強技術壁壘。四、中國破局：從"卡脖子"到技術突圍中國光刻膠產業的起步比日本晚了整整二十年，長期面臨"卡脖子」困境。 2022年，中國高階光刻膠國產化率不到5%，幾乎完全依賴日本進口。日本光刻膠巨頭JSR的CEO甚至曾嘲諷："即便給中國人完整的技術論文，他們也造不出EUV光刻膠。"這種嘲諷反而激發了中國科研人員的鬥志。國家層級加大資金扶持，科學研究團隊日以繼日攻關，中國光刻膠產業迎來加速突破。 2024年，國產光刻膠國產化率提升至10%，雖看似增幅不大，但在晶片這種精密製造領域，從"能用"到"好用"的每一步突破都意義重大。2025年以來，中國光刻膠產業更是捷報頻傳。 8月20日，浙江建成國內首條百噸級高端光刻膠樹脂生產線，實現了規模化、自主可控的生產突破；10月26日，《科技日報》報導，北京大學某教授團隊利用冷凍電子斷層掃描技術，發現了提升光刻精度的全新路徑。這些成果不僅標誌著中國在光刻膠領域擺脫了部分外部依賴，更建構自主創新的技術體系。結語：技術自主才是終極王牌在國際關係波詭雲譎的當下，高端技術就是國家競爭的"底牌"。日本的光刻膠壟斷曾是懸在中國半導體產業頭上的"達摩克利斯之劍"，但中國用持續的技術突破證明，任何技術壁壘都不是不可踰越的。目前，中國光刻膠產業雖仍與日本存在差距，但突破速度不斷加快。未來，隨著更多核心技術的突破和產業鏈的完善，中國不僅能徹底擺脫"卡脖子"困境，更有望在全球光刻膠市場佔據一席之地，將產業主動權牢牢掌握在自己手中。 （洞察3C前沿）

半個月前，高市早苗公開宣稱“台海有事就是日本有事”，直接引發中日關係緊張，導致雙邊關係在隨後兩周急劇惡化。面對中方的強烈反對，她在表示不會撤回涉台言論後，便長期保持沉默，未作任何回應。直至11月21日，高市早苗突然提及“戰略互惠”。據日本共同社及法新社綜合報導，高市早苗於周五在官邸接受媒體採訪時稱，推進日中戰略互惠關係的想法並未改變。然而，對於此前的涉台言論，她仍含糊其辭，僅表示“政府立場一貫”，並聲稱“需結合具體事態綜合判斷”，始終未對錯誤言論進行任何收回。此舉明顯仍在保留“武力介入台海”的暗示，與其口中所謂的“戰略互惠”完全相悖。高市早苗決定要與中國一槓到底，先從半導體開始！2025年11月前後，日本在對華光刻膠出口上限制管控動作頻頻，不斷加碼出口限制，限制措施升級：擬推出口配額與延長交貨周期：據瑞銀10月6日報告，高市早苗政府計畫對光刻膠等半導體關鍵材料實施出口配額制，2025年對華供應配額較2024年減少10%-15%，還要求信越化學、JSR等廠商將對華交貨周期從2 - 3個月延長至4 - 6個月。實施“三鎖政策”強化管控：10月9日，日本經濟產業省更新出口管制清單，對光刻膠實施“三鎖政策”，出口審批周期長達90天，產品保質期縮至6個月，禁止第三方轉口貿易。1.巨頭停供並撤出服務團隊：11月19日消息稱，佳能、三菱化學等日本巨頭終止向中國科技企業提供關鍵光刻膠耗材供應，撤出服務團隊並停止相關維修服務，或影響部分產線運轉。2.傳新增出口配額管控：11月15 - 16日有消息稱日本擬對華實施光刻膠出口配額，但未見到官方正式檔案。3.對日本企業影響：出口限制使日本廠商自身受損，2025年日本光刻膠對華銷量暴跌，日媒披露全年對華銷售額實際下降近47%，JSR光刻膠對華銷量驟降12%，不少日本相關企業中國市場收入大幅縮水。日企斷供光刻膠？抱歉，中國早把“飯碗”端穩了其實佳能、尼康們的斷供是啞巴吃黃連有苦說不出，一切都是高市早苗政府的要求，殺敵一千自損八百，自以為扼住了中國半導體的咽喉時，等來的或許不是預想中的慌亂——因為這一次，中國早已把光刻膠與光刻機的“飯碗”，穩穩端在了自己手裡。這場被日企定義的“咽喉戰”，更像一場自導自演的鬧劇：一些日本右翼他們以為斷供半導體材料，能夠卡住中國半導體的發展，中國早已突破自主的能力。他們篤定高端EUV光刻膠是“不可踰越的壁壘”，卻忽略了國內創造的能力，日前國產EUV膠的性能資料已無限逼近國際水準。所謂的“斷供”，不過是給國產替代按下了“加速機會·”——此前還在穩步推進的產能爬坡，如今直接切換“滿負荷模式”，目前國內晶圓廠的採購清單份額，國產光刻膠的佔比正以肉眼可見的速度攀升。至於尼康佳能光刻機維修服務的暫停？更像是給中國自主維護體系“送經驗”。從備件生產到遠端診斷系統，國內技術團隊早已完成了存量裝置的“逆向適配”，甚至能針對老舊機型給出更高效的維護方案。他們更不要小看中國的技術員，不管是開機的還是技術研發的，對於裝置的維護以及參數早就能夠獨立自主服務，所謂的高端無非你將系統上鎖密碼，畢竟採購裝置時候協議沒有這一項！就是日本工程師徹底從中國工廠消失，本土工程師技術員的扳手閉著眼就可以擰上了裝置的關鍵部件——曾經的“技術依賴”，如今成就了自主。日右翼政府大概忘了，中國半導體從來不是他們眼中“溫室裡產業”。從被卡脖子到自主破局，從跟跑到並跑，每一次外部的施壓，都是一次能力的“升級”。作為企業的佳能，尼康深知這次的損失巨大，作為聽“鬼”由命，不得不服從。這次斷供，砸疼的是他們自己的市場份額：失去中國這個最大的光刻膠需求方，日企的產能將陷入過剩，而中國的國產替代，正踩著斷供的“石頭”，站上全球半導體材料的新賽道。看誰會笑到最後，人們會看清：所謂“斷供”，不過是一場無關痛癢的小插曲——畢竟，能自己端穩飯碗的人，從不怕別人摔筷子。目前放眼望去，唯獨中國具備全面產業鏈的能力。只要我們巧妙地運用稀土這一戰略資源進行反制，日本在稀土方面對華的依賴度接近60%，而中重稀土的依賴度更是高達90%以上。一旦日本採取某些極端行動，中國完全有能力通過稀土出口管制來對其施加壓力，使其重新考慮自己的立場和行為。稀土作為一種重要的戰略資源，在現代工業、軍事和高科技領域都有著不可替代的作用。日本雖然在科技和經濟領域具有強大的實力，但在稀土資源上卻高度依賴中國。如果中國採取限制稀土出口的措施，無疑會對日本的產業鏈和經濟發展造成重大影響，從而迫使日本在決策時更加謹慎。 (洞察3C前沿)

一項常被視為生命科學利器的技術，正為晶片製造領域開啟新的微觀世界大門。01 北大團隊突破光刻膠難題光刻膠在顯影液中的行為堪稱半導體領域的“哥德巴赫猜想”——當光刻膠塗覆在矽片表面經歷曝光後，其分子在顯影液中的溶解過程直接決定電路圖形的精度，但液相環境下的分子快速運動使傳統觀測手段失效。在晶片製造的光刻環節中，工程師們長期面臨一個難以踰越的障礙：他們無法直接觀察光刻膠在顯影液中的行為。這個發生在液態環境中的微觀過程如同一個“黑匣子”，迫使產業界只能通過反覆試驗來最佳化工藝，特別是在7奈米及以下先進製程中，這已成為制約良率提升的關鍵瓶頸。日前，北京大學彭海琳教授團隊與合作者在《自然-通訊》發表的研究，成功打開了這個黑匣子。他們借助冷凍電子斷層掃描技術（cryo-ET），首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構，並據此開發出可將缺陷數量降低超過99%的產業化方案。光刻作為晶片製造的核心工藝，其本質是用超精密“投影儀”把設計好的電路圖案縮小後印在矽片上。其中，“顯影”步驟至關重要——通過顯影液溶解光刻膠的曝光區域，將電路圖案精確轉移到矽片上。這一液固介面反應直接決定了數以億計電晶體的形態與晶片的最終良率。傳統上，業界使用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡等技術研究光刻機理，但這些方法均無法直接觀測溶液中的光刻膠分子行為。液態環境的複雜性與動態特性，使得微觀過程難以被捕捉，導致人們對光刻膠聚合物的溶解機制、相互作用及缺陷形成機理等基本問題知之甚少。彭海琳教授指出：“在光刻膠顯影過程中，光刻膠的曝光區域會選擇性地溶解在顯影液的液膜中。液膜中光刻膠分子的吸附與纏結行為，是影響晶圓表面圖案缺陷形成的關鍵因素。”這些缺陷可直接影響晶片性能和良率，尤其是在先進製程中，圖案尺寸越小，缺陷的影響就越致命。02 冷凍電鏡的華麗轉身面對這一挑戰，研究團隊另闢蹊徑，將原本主要用於生命科學領域的冷凍電子斷層掃描技術引入半導體領域。這項技術的創新應用標誌著分析方法的重大突破。研究團隊設計了一套與光刻流程緊密結合的樣品製備方法。他們在晶圓上進行標準的光刻曝光後，將含有光刻膠聚合物的顯影液快速吸取到電鏡載網上，並在毫秒內將其急速冷凍至玻璃態。這種超快冷凍速度（>10^4 K/s）能瞬間“凍結”光刻膠在溶液中的真實構象，最大限度地保持其原生狀態。隨後，研究人員在冷凍電鏡下傾斜樣品，從-60°到+60°採集一系列傾斜角度下的二維投影圖像，通過電腦三維重構演算法，將這些二維圖像融合成一張解析度優於5奈米的三維檢視。這種方法一舉克服了傳統技術無法原位、三維、高解析度觀測的三大痛點。論文共同通訊作者高毅勤教授表示：“我們最終合成出一張解析度優於5奈米的微觀三維‘全景照片’，這為理解光刻膠分子行為提供了前所未有的視角。”03 顛覆發現介面吸附與奈米纏結的真相冷凍電鏡三維重構帶來了一系列顛覆性發現，挑戰了業界長期以來的認知。與傳統認為的“溶解後聚合物主要分散在液體內部”的觀點相反，三維圖像顯示大多數光刻膠聚合物傾向於吸附在氣液介面，而非分散在溶液體相中。這一現像在365奈米、248奈米和193奈米等多種光刻膠體系中均得到驗證。更令人驚訝的是，研究團隊首次在實空間直接觀測到了光刻膠聚合物的“凝聚纏結”行為。高解析度圖像顯示，這種纏結並非相互貫穿的“拓撲纏結”，而是聚合物鏈段局部平行排列，依靠較弱的范德華力或疏水相互作用結合。研究發現，吸附在氣液介面的聚合物更易發生纏結，形成平均尺寸約30奈米的團聚顆粒，其中尺寸超過40奈米的顆粒佔比高達約20%。這些“團聚顆粒”正是光刻缺陷的根源。在工業顯影過程中，由於化學放大光刻膠本身疏水性強，這些團聚體容易重新沉積到電路圖案上，造成“橋連”等致命缺陷。研究團隊通過缺陷表徵發現，一塊12英吋晶圓上的缺陷數量可高達6617個，這是大規模工業生產所無法接受的。這一發現直接指明了缺陷形成的機制，為解決方案的設計提供了方向。04 產業應用基於這些微觀發現，研究團隊提出了兩項簡潔高效且與現有半導體產線相容的解決方案：抑制纏結和介面捕獲。抑制纏結的策略建立在“凝聚纏結”具有弱相互作用且對溫度敏感的特性上。團隊通過適當提高光刻工藝中的曝光後烘烤溫度，有效地促使聚合物解纏結並分散，從源頭上減少了超大團聚體的生成。介面捕獲方法則是通過最佳化顯影工藝，讓晶圓表面始終保持連續液膜，使其可以帶走聚合物，避免其沉積在圖案上。兩種方案結合使用，效果極為顯著。彭海琳教授介紹：“實驗結果表明，12英吋晶圓表面的光刻膠殘留物引起的圖案缺陷被成功消除，缺陷數量降幅超過99%，且該方案具備極高的可靠性和重複性。”這一成果為先進製程晶片製造良率提升提供了切實可行的路徑。05 點評 半導體材料的自主創新之路光刻膠作為晶片製造的關鍵材料，長期被海外巨頭壟斷，嚴重制約著中國半導體產業的發展。北京大學團隊的這一突破，不僅為國產高端光刻膠的研發提供了科學依據，更標誌著中國在半導體材料基礎研究領域正走向世界前沿。從產業資料來看，中國光刻膠產業正處於快速發展階段：2023年市場規模達109.2億元，2024年突破114億元。與此同時，光刻機國產化處理程序也在加速，關鍵部件如准分子雷射器、光學鏡頭等已取得重要進展。北大團隊的這一基礎性突破，為中國半導體產業鏈的自主創新奠定了堅實基礎。而北京大學彭海琳教授團隊及其合作者的這項工作，不僅解決了半導體製造領域的具體技術難題，更展示了基礎科學研究對產業技術進步的深遠影響。通過創新性地將冷凍電鏡技術應用於材料科學領域，他們成功打開了液相環境下材料行為研究的"黑匣子"，為晶片製造乃至更廣泛的材料科學研究提供了新的視角和工具。 (壹零社)