對於上漲，有分析人士表示，主要驅動因素一方面源於市場對半導體光刻膠本土化替代的強預期；另一方面則得益於國內光刻膠產業鏈企業在產品技術上的突破與落地。12月1日午後，光刻膠概念異動拉升，截至收盤，光刻膠概念上漲超過2%，類股內57股上漲，華融化學、國風新材等漲停，容大感光、南大光電、彤程新材、恆坤新材、八億時空等漲幅居前，分別上漲17.86%、8.84%、7.70%、5.47%和3.92%。針對這一波市場行情的背後增長邏輯，有光刻膠上市公司董監高人士向《科創板日報》記者分析表示，主要驅動因素一方面源於市場對半導體光刻膠本土化替代的強預期；另一方面則得益於國內光刻膠產業鏈企業在產品技術上的突破，以及產業化落地處理程序的加速。《科創板日報》記者注意到，根據企業經營業務以及自身在投資者關係互動平台的披露，A股市場佈局半導體光刻膠業務的公司有上海新陽、南大光電、聚光科技等多家企業，這些公司中既有屬於半導體產業鏈上下游的公司，也有子公司或參股公司參與半導體光刻膠業務。▌多梯次光刻膠產品實現突破光刻膠的應用領域主要涵蓋半導體、面板產業和PCB等產業，主要用於光刻工藝中形成精細圖案。在半導體領域，由於涉及超精細圖案化、高解析度、高靈敏度等技術要求，技術含量最高，因此對光刻膠的要求也更高。根據全球市場調查機構QYResearch報告，光刻膠市場長期被東京應化、信越化學、日本合成橡膠（JSR）、富士膠片等國際巨頭壟斷。近期，中國加快半導體自主可控步伐，產業鏈上下游多個環節實現技術新突破。11月29日，容大感光在互動平台表示，公司部分光刻膠產品在關鍵性能指標上已實現對部分日系產品的替代，並已在部分客戶中實現批次應用。一位接近公司的行業內人士對《科創板日報》記者表示，容大感光目前佈局的主要是i線、g線等偏中低端但此前被海外市場壟斷的光刻膠產品，目前該公司研發、生產、銷售端都在積極推進相關工作。不過更高端的KrF系列光刻膠，目前該公司還沒有相關產品佈局。對於半導體光刻膠產品佈局，今日（12月1日），容大感光董秘辦人士表示，目前該公司KrF（248nm）光刻膠項目已完成了光刻機等核心裝置的配置工作，目前正積極開展相關產品的研發工作。“這台機器主要用於驗證和測試，不是生產用的。還處於研發階段。” 對於下一步量產計畫，容大感光董秘辦人士進一步表示。恆坤新材主要從事光刻材料和前驅體材料的研發、生產和銷售。根據11月2日華鑫證券研報內容，目前該公司ArF光刻膠已實現小批次銷售，SiARC、TopCoating等光刻材料和矽基、金屬基前驅體材料則已進入客戶驗證流程。談及公司產品對日產化學、美國杜邦、日本合成橡膠（JSR）等境外廠商同類產品的替代情況，恆坤新材董秘辦人士並未正面回應，僅表示“以公司後續資訊披露為準”。八億時空主要從事顯示用液晶材料、光刻膠樹脂原材料等領域的研發、生產和銷售，是國內為數不多具備半導體光刻膠上游原材料量產能力的企業之一。談及該公司百噸級半導體KrF光刻膠樹脂高自動化柔性/量產雙產線項目最新進展，今日，八億時空董秘辦人士表示，該項目已實現量產，其光刻膠樹脂材料核心客戶包括恆坤新材等光刻膠企業。“目前八億時空光刻膠樹脂已經間接切入中芯國際、華虹集團的終端供應鏈市場。”有市場人士對《科創板日報》記者補充稱。國內另外一家上市新材料企業國風新材今日股價漲停，報收8.39元/股。對於該公司在半導體光刻膠領域的佈局，國風新材董秘辦人士表示，該公司現在還沒有生產出光刻膠產品，目前佈局的 PSPI（光敏聚酰胺光刻膠）還在研發中；不過，公司已在實驗室製備出樣品。“目前產品定位是i線、g線還是更高端的ArF、KrF產品，尚未最終確定，要等到量產前結合市場情況評估確定。”國風新材董秘辦人士進一步表示。《科創板日報》記者注意到，在國內半導體光刻膠領域實現量產突破的企業還包括南大光電、彤程新材、晶瑞電材、華懋科技等，這些企業可在ArF、KrF、i線、g線等不同梯次產品上實現不同程度的量產、供貨等。可以說，國內企業在多梯次產品上的量產突破，為應對潛在供應鏈風險奠定了基礎。▌國內企業直面供應鏈不確定性光刻膠是光刻過程中最重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。銀河證券表示，“十五五”規劃重點聚焦關鍵核心技術領域的自主突破，裝置等領域是直接受益環節之一；而光刻膠作為半導體製造的核心耗材，其本土化替代需求將隨政策推進持續釋放，據市場三方機構資料統計，預計2025年光刻膠市場規模可達123億元。《科創板日報》記者注意到，近期多家相關企業通過互動回應、提前佈局等方式積極應對，在明確本土化替代的戰略機遇同時，也介紹了當前供應鏈現狀與應對舉措。11月28日，有投資者在互動易平台上向容大感光提問，近期國際關係緊張，請問公司光刻膠產品在功能和性能上能否替代日產相關產品，實現本土化替代？對此，容大感光回應稱，當前形勢下公司高度重視本土化替代所帶來的戰略機遇，並已制定相應的工作策略，主要包括加速產線建設、深化客戶合作、提升供應鏈韌性等，把握本土化替代機遇，推動光刻膠產業自主可控。久日新材在談及該公司光刻膠相關產品是否可以實現對海外巨頭產品的本土化替代時，該公司董秘辦人士今日表示，久日新材生產的光刻膠產品及光刻膠核心原材料重氮萘醌類光敏劑產品可實現本土化替代。“當下，對企業而言，做好業務、以不變應萬變才是核心。”國內一家量產光刻膠的生產企業董秘辦人士表示，不排除，日系光刻膠供應可能出現收緊的趨勢，但這種變化大機率不會是“突然全面斷供”的極端情況。不過，事件的實際影響需要結合更多因素綜合分析判斷。在應對舉措方面，國內另外一家半導體光刻膠企業董秘辦工作人員表示，如果真的出現供應鏈問題，公司有相應的應對方案。不過目前高端原材料確實還需要從日系供應商採購，但公司也在提前佈局、未雨綢繆。亦有光刻膠上游原材料上市公司高管則表示，生產光刻膠的原材料每家企業的來源不同，不過一旦出現海外市場斷供的情況，目前仍難以完全擺脫對日系原材料的依賴。“公司判斷，光刻膠斷供雖會對生產經營產生一定影響，但整體風險處於可控範圍。”國內一家從事光刻膠材料業務公司技術研發人員對《科創板日報》記者表示，目前該公司推進的大部分光刻膠本土化項目已在FAB產線完成全流程驗證，產品性能基本滿足現有工藝使用需求。 (科創日報)

12月1日，香港《亞洲時報》等主要外媒報導稱，"日本似乎已從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠的出貨"。儘管日本政府和企業並未正式宣佈此事，但日本和中國業界已普遍將其視為既定事實。有評價指出，此次措施的具體實施範圍已明確到佳能、尼康、三菱化學等具體企業名稱的程度。《亞洲時報》稱此次中斷是"中國擔憂的最壞情況"。當前半導體市場不僅限於 HBM，通用 DRAM需求也同時激增，正處於全面供應短缺的局面，這被認為是中國企業加速成長的時機。雖然 CXMT和SMIC基於政府支援擴大生產能力，與這一趨勢相吻合，但日本光刻膠出口中斷的情況被指直接動搖擴產計畫。若核心材料採購變得不穩定，中國儲存器的市場進入速度也可能受到影響這有可能引發全球供應鏈重組及整體價格結構的變化。另一方面，此次事件也被視為加劇了日本本土企業與中國之間的距離，同時反而強化了韓國與日本供應鏈聯絡更加緊密的趨勢。隨著日本對光刻膠的控制加大中國企業的採購不確定性，韓國企業愈發需要加強與日本中小企業的穩定合作結構，實際上兩國企業間的合作範圍也在擴大。有分析認為，隨著與日本的技術和材料聯絡加強，韓國更有可能在中國與日本之間確立為半導體供應鏈的核心軸。日本此舉被認為中日衝突加劇的背景下，影響已蔓延至半導體供應鏈的訊號。日本正通過限制其優勢領域——部件、材料向中國流入的方式加大施壓，而韓國業界也在密切關注，若此類衝突給中國半導體生產帶來變數，將對韓國企業產生何種影響。光刻膠是一種對光反應後化學性質發生變化的“感光物質”。特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段“光刻工藝”中被廣泛用作核心材料。塗覆在晶圓上後，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪製精細的電路圖案。日本在全球光刻膠市場佔據超過70%的份額，地位獨步天下。正因如此，當在政治、經濟領域與其他國家發生衝突時，日本政府最先拿出的施壓手段往往就是光刻膠。2019年將韓國從白名單(出口審查優待國)中排除時，日本在半導體領域最先封鎖的也正是光刻膠。有分析認為，近期展現活力的中國半導體產業整體也將失去活力。日本的感光劑出貨中斷被評價為讓中國連製造各種半導體的第一顆紐扣都無法扣上，更是如此。中芯國際等在全球市場份額中反彈的晶圓代工(半導體委託生產)，以及長鑫儲存等記憶體企業，預計都將受到不小的打擊。業界相關人士表示:“特別是記憶體，近期隨著 DRAM 價格的暴漲，長鑫儲存等中國企業正顯示出增建工廠、擴大產能的動向，但日本的出口限制措施也可能成為絆腳石。”日本對中國的半導體相關出口管制，可能從光刻膠開始逐步擴大範圍。據日本《日經新聞》報導，日本代表性半導體企業“鎧俠”最近已停止進口中國產的 DRAM等儲存器。公司一名高管解釋稱:“出於質量和安全方面的擔憂我們停止了進口。 (半導體材料與工藝裝置)

不少人曾認為，中國手持稀土這張王牌，便能在高端製造領域領先歐美。但現實是，日本也握有一張關鍵王牌──光刻膠，其技術優勢曾讓中國等多國難以追趕。尤其在中日關係複雜的當下，日本在光刻膠領域的絕對主導地位，更值得深入探討。資料顯示，日本在全球高階光刻膠市場佔有近90%的份額，連科技實力雄厚的美國也難以企及。瑞士銀行集團（UBS）曾評估，日本光刻膠企業的技術領先優勢至少能維持到2030年，這意味著未來數年全球半導體產業的命脈仍被日本深度影響。那麼，光刻膠究竟為何如此重要？日本憑何建立起這般壁壘？中國又如何突破封鎖？一、半導體的"隱形心臟"：光刻膠的核心價值要理解日本的技術優勢，首先需明確光刻膠的戰略意義。在半導體產業中，晶片是核心載體，而光刻膠則是晶片製造的"精密刻刀"－其解析度直接決定晶片的製程精度和性能上限。沒有光刻膠，晶片的電路輪廓無法精準刻畫，堪稱半導體產業的"隱形心臟"。除晶片製造外，光刻膠在液晶面板、印刷電路板等高端製造業同樣是不可或缺的關鍵原料。從技術演進史來看，光刻膠的早期研發完全由西方國家主導，中國錯失了最初的發展機會。 1826年，法德科學家先後發現物質的感光特性；1948年，美國提出光固化油墨專利；1949年，德國企業研發出全球首款紫外正性光刻膠。而彼時的中國正處於積貧積弱的階段，根本無力參與這一技術賽道的競爭。二、彎道超車：日本如何壟斷全球市場？令人意外的是，最初同樣落後的日本，卻透過系統性佈局實現了對歐美的彎道超車，最終建立起近乎壟斷的市場地位。這項成就的背後，是技術累積、政策扶持與產業協同的多重作用。1950-60年代，日本電子產業因國內需求激增而快速擴張，政府順勢推出扶持政策，全力推動半導體產業發展。其中，"VLSI項目"堪稱關鍵舉措－日本集結全國頂尖科研力量，集中突破高純度矽材料製備等核心技術，為光刻膠研發奠定了堅實基礎。憑藉紮實的技術積累，日本在半導體材料創新上逐漸反超歐美，擺脫了對外部技術的依賴。日本人對產品純度和品質的極致追求，更讓其在市場競爭中脫穎而出。一群半導體巨頭應運而生，形成了從原料到成品的完整產業鏈體系。與其他國家不同，日本光刻膠企業多在本土建構供應基地，配套設施和零件優先選用國產產品，形成了技術閉環。這種全產業鏈優勢，既降低了外部依賴風險，也提升了技術迭代效率。反觀其他國家，或因無法承受高昂的研發試錯成本而中途放棄，或因產業鏈不完整處處受制。客戶出於穩定性考慮，更傾向於選擇技術成熟、供應可靠的日本企業，進一步強化了日本的市場黏性。到西方國家幡然醒悟時，日本已牢牢掌控全球90%的高階光刻膠市場。三、嚴防死守：日本的市場保衛戰為鞏固壟斷地位，日本採取了"技術封鎖+產業鏈管控+市場干預"的多重策略，甚至不惜動用貿易手段維護優勢。 2019年的"日韓半導體貿易戰"便是典型案例－因歷史問題糾紛，日本政府突然對韓國實施半導體材料出口管控，光刻膠赫然在列。這項舉措直接重創韓國半導體產業，三星等巨頭陷入停產危機。被逼至絕境的韓國政府隨即加大研發投入，全力扶持本土光刻膠產業。經過數年攻堅，韓國企業最終突破技術封鎖，日本只好在2023年撤銷相關限制。這場貿易戰雖以韓國突破封鎖告終，卻也讓日本更加警覺技術外流，隨後甚至推動光刻膠巨頭企業國有化，進一步加強技術壁壘。四、中國破局：從"卡脖子"到技術突圍中國光刻膠產業的起步比日本晚了整整二十年，長期面臨"卡脖子」困境。 2022年，中國高階光刻膠國產化率不到5%，幾乎完全依賴日本進口。日本光刻膠巨頭JSR的CEO甚至曾嘲諷："即便給中國人完整的技術論文，他們也造不出EUV光刻膠。"這種嘲諷反而激發了中國科研人員的鬥志。國家層級加大資金扶持，科學研究團隊日以繼日攻關，中國光刻膠產業迎來加速突破。 2024年，國產光刻膠國產化率提升至10%，雖看似增幅不大，但在晶片這種精密製造領域，從"能用"到"好用"的每一步突破都意義重大。2025年以來，中國光刻膠產業更是捷報頻傳。 8月20日，浙江建成國內首條百噸級高端光刻膠樹脂生產線，實現了規模化、自主可控的生產突破；10月26日，《科技日報》報導，北京大學某教授團隊利用冷凍電子斷層掃描技術，發現了提升光刻精度的全新路徑。這些成果不僅標誌著中國在光刻膠領域擺脫了部分外部依賴，更建構自主創新的技術體系。結語：技術自主才是終極王牌在國際關係波詭雲譎的當下，高端技術就是國家競爭的"底牌"。日本的光刻膠壟斷曾是懸在中國半導體產業頭上的"達摩克利斯之劍"，但中國用持續的技術突破證明，任何技術壁壘都不是不可踰越的。目前，中國光刻膠產業雖仍與日本存在差距，但突破速度不斷加快。未來，隨著更多核心技術的突破和產業鏈的完善，中國不僅能徹底擺脫"卡脖子"困境，更有望在全球光刻膠市場佔據一席之地，將產業主動權牢牢掌握在自己手中。 （洞察3C前沿）

半個月前，高市早苗公開宣稱“台海有事就是日本有事”，直接引發中日關係緊張，導致雙邊關係在隨後兩周急劇惡化。面對中方的強烈反對，她在表示不會撤回涉台言論後，便長期保持沉默，未作任何回應。直至11月21日，高市早苗突然提及“戰略互惠”。據日本共同社及法新社綜合報導，高市早苗於周五在官邸接受媒體採訪時稱，推進日中戰略互惠關係的想法並未改變。然而，對於此前的涉台言論，她仍含糊其辭，僅表示“政府立場一貫”，並聲稱“需結合具體事態綜合判斷”，始終未對錯誤言論進行任何收回。此舉明顯仍在保留“武力介入台海”的暗示，與其口中所謂的“戰略互惠”完全相悖。高市早苗決定要與中國一槓到底，先從半導體開始！2025年11月前後，日本在對華光刻膠出口上限制管控動作頻頻，不斷加碼出口限制，限制措施升級：擬推出口配額與延長交貨周期：據瑞銀10月6日報告，高市早苗政府計畫對光刻膠等半導體關鍵材料實施出口配額制，2025年對華供應配額較2024年減少10%-15%，還要求信越化學、JSR等廠商將對華交貨周期從2 - 3個月延長至4 - 6個月。實施“三鎖政策”強化管控：10月9日，日本經濟產業省更新出口管制清單，對光刻膠實施“三鎖政策”，出口審批周期長達90天，產品保質期縮至6個月，禁止第三方轉口貿易。1.巨頭停供並撤出服務團隊：11月19日消息稱，佳能、三菱化學等日本巨頭終止向中國科技企業提供關鍵光刻膠耗材供應，撤出服務團隊並停止相關維修服務，或影響部分產線運轉。2.傳新增出口配額管控：11月15 - 16日有消息稱日本擬對華實施光刻膠出口配額，但未見到官方正式檔案。3.對日本企業影響：出口限制使日本廠商自身受損，2025年日本光刻膠對華銷量暴跌，日媒披露全年對華銷售額實際下降近47%，JSR光刻膠對華銷量驟降12%，不少日本相關企業中國市場收入大幅縮水。日企斷供光刻膠？抱歉，中國早把“飯碗”端穩了其實佳能、尼康們的斷供是啞巴吃黃連有苦說不出，一切都是高市早苗政府的要求，殺敵一千自損八百，自以為扼住了中國半導體的咽喉時，等來的或許不是預想中的慌亂——因為這一次，中國早已把光刻膠與光刻機的“飯碗”，穩穩端在了自己手裡。這場被日企定義的“咽喉戰”，更像一場自導自演的鬧劇：一些日本右翼他們以為斷供半導體材料，能夠卡住中國半導體的發展，中國早已突破自主的能力。他們篤定高端EUV光刻膠是“不可踰越的壁壘”，卻忽略了國內創造的能力，日前國產EUV膠的性能資料已無限逼近國際水準。所謂的“斷供”，不過是給國產替代按下了“加速機會·”——此前還在穩步推進的產能爬坡，如今直接切換“滿負荷模式”，目前國內晶圓廠的採購清單份額，國產光刻膠的佔比正以肉眼可見的速度攀升。至於尼康佳能光刻機維修服務的暫停？更像是給中國自主維護體系“送經驗”。從備件生產到遠端診斷系統，國內技術團隊早已完成了存量裝置的“逆向適配”，甚至能針對老舊機型給出更高效的維護方案。他們更不要小看中國的技術員，不管是開機的還是技術研發的，對於裝置的維護以及參數早就能夠獨立自主服務，所謂的高端無非你將系統上鎖密碼，畢竟採購裝置時候協議沒有這一項！就是日本工程師徹底從中國工廠消失，本土工程師技術員的扳手閉著眼就可以擰上了裝置的關鍵部件——曾經的“技術依賴”，如今成就了自主。日右翼政府大概忘了，中國半導體從來不是他們眼中“溫室裡產業”。從被卡脖子到自主破局，從跟跑到並跑，每一次外部的施壓，都是一次能力的“升級”。作為企業的佳能，尼康深知這次的損失巨大，作為聽“鬼”由命，不得不服從。這次斷供，砸疼的是他們自己的市場份額：失去中國這個最大的光刻膠需求方，日企的產能將陷入過剩，而中國的國產替代，正踩著斷供的“石頭”，站上全球半導體材料的新賽道。看誰會笑到最後，人們會看清：所謂“斷供”，不過是一場無關痛癢的小插曲——畢竟，能自己端穩飯碗的人，從不怕別人摔筷子。目前放眼望去，唯獨中國具備全面產業鏈的能力。只要我們巧妙地運用稀土這一戰略資源進行反制，日本在稀土方面對華的依賴度接近60%，而中重稀土的依賴度更是高達90%以上。一旦日本採取某些極端行動，中國完全有能力通過稀土出口管制來對其施加壓力，使其重新考慮自己的立場和行為。稀土作為一種重要的戰略資源，在現代工業、軍事和高科技領域都有著不可替代的作用。日本雖然在科技和經濟領域具有強大的實力，但在稀土資源上卻高度依賴中國。如果中國採取限制稀土出口的措施，無疑會對日本的產業鏈和經濟發展造成重大影響，從而迫使日本在決策時更加謹慎。 (洞察3C前沿)

一項常被視為生命科學利器的技術，正為晶片製造領域開啟新的微觀世界大門。01 北大團隊突破光刻膠難題光刻膠在顯影液中的行為堪稱半導體領域的“哥德巴赫猜想”——當光刻膠塗覆在矽片表面經歷曝光後，其分子在顯影液中的溶解過程直接決定電路圖形的精度，但液相環境下的分子快速運動使傳統觀測手段失效。在晶片製造的光刻環節中，工程師們長期面臨一個難以踰越的障礙：他們無法直接觀察光刻膠在顯影液中的行為。這個發生在液態環境中的微觀過程如同一個“黑匣子”，迫使產業界只能通過反覆試驗來最佳化工藝，特別是在7奈米及以下先進製程中，這已成為制約良率提升的關鍵瓶頸。日前，北京大學彭海琳教授團隊與合作者在《自然-通訊》發表的研究，成功打開了這個黑匣子。他們借助冷凍電子斷層掃描技術（cryo-ET），首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構，並據此開發出可將缺陷數量降低超過99%的產業化方案。光刻作為晶片製造的核心工藝，其本質是用超精密“投影儀”把設計好的電路圖案縮小後印在矽片上。其中，“顯影”步驟至關重要——通過顯影液溶解光刻膠的曝光區域，將電路圖案精確轉移到矽片上。這一液固介面反應直接決定了數以億計電晶體的形態與晶片的最終良率。傳統上，業界使用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡等技術研究光刻機理，但這些方法均無法直接觀測溶液中的光刻膠分子行為。液態環境的複雜性與動態特性，使得微觀過程難以被捕捉，導致人們對光刻膠聚合物的溶解機制、相互作用及缺陷形成機理等基本問題知之甚少。彭海琳教授指出：“在光刻膠顯影過程中，光刻膠的曝光區域會選擇性地溶解在顯影液的液膜中。液膜中光刻膠分子的吸附與纏結行為，是影響晶圓表面圖案缺陷形成的關鍵因素。”這些缺陷可直接影響晶片性能和良率，尤其是在先進製程中，圖案尺寸越小，缺陷的影響就越致命。02 冷凍電鏡的華麗轉身面對這一挑戰，研究團隊另闢蹊徑，將原本主要用於生命科學領域的冷凍電子斷層掃描技術引入半導體領域。這項技術的創新應用標誌著分析方法的重大突破。研究團隊設計了一套與光刻流程緊密結合的樣品製備方法。他們在晶圓上進行標準的光刻曝光後，將含有光刻膠聚合物的顯影液快速吸取到電鏡載網上，並在毫秒內將其急速冷凍至玻璃態。這種超快冷凍速度（>10^4 K/s）能瞬間“凍結”光刻膠在溶液中的真實構象，最大限度地保持其原生狀態。隨後，研究人員在冷凍電鏡下傾斜樣品，從-60°到+60°採集一系列傾斜角度下的二維投影圖像，通過電腦三維重構演算法，將這些二維圖像融合成一張解析度優於5奈米的三維檢視。這種方法一舉克服了傳統技術無法原位、三維、高解析度觀測的三大痛點。論文共同通訊作者高毅勤教授表示：“我們最終合成出一張解析度優於5奈米的微觀三維‘全景照片’，這為理解光刻膠分子行為提供了前所未有的視角。”03 顛覆發現介面吸附與奈米纏結的真相冷凍電鏡三維重構帶來了一系列顛覆性發現，挑戰了業界長期以來的認知。與傳統認為的“溶解後聚合物主要分散在液體內部”的觀點相反，三維圖像顯示大多數光刻膠聚合物傾向於吸附在氣液介面，而非分散在溶液體相中。這一現像在365奈米、248奈米和193奈米等多種光刻膠體系中均得到驗證。更令人驚訝的是，研究團隊首次在實空間直接觀測到了光刻膠聚合物的“凝聚纏結”行為。高解析度圖像顯示，這種纏結並非相互貫穿的“拓撲纏結”，而是聚合物鏈段局部平行排列，依靠較弱的范德華力或疏水相互作用結合。研究發現，吸附在氣液介面的聚合物更易發生纏結，形成平均尺寸約30奈米的團聚顆粒，其中尺寸超過40奈米的顆粒佔比高達約20%。這些“團聚顆粒”正是光刻缺陷的根源。在工業顯影過程中，由於化學放大光刻膠本身疏水性強，這些團聚體容易重新沉積到電路圖案上，造成“橋連”等致命缺陷。研究團隊通過缺陷表徵發現，一塊12英吋晶圓上的缺陷數量可高達6617個，這是大規模工業生產所無法接受的。這一發現直接指明了缺陷形成的機制，為解決方案的設計提供了方向。04 產業應用基於這些微觀發現，研究團隊提出了兩項簡潔高效且與現有半導體產線相容的解決方案：抑制纏結和介面捕獲。抑制纏結的策略建立在“凝聚纏結”具有弱相互作用且對溫度敏感的特性上。團隊通過適當提高光刻工藝中的曝光後烘烤溫度，有效地促使聚合物解纏結並分散，從源頭上減少了超大團聚體的生成。介面捕獲方法則是通過最佳化顯影工藝，讓晶圓表面始終保持連續液膜，使其可以帶走聚合物，避免其沉積在圖案上。兩種方案結合使用，效果極為顯著。彭海琳教授介紹：“實驗結果表明，12英吋晶圓表面的光刻膠殘留物引起的圖案缺陷被成功消除，缺陷數量降幅超過99%，且該方案具備極高的可靠性和重複性。”這一成果為先進製程晶片製造良率提升提供了切實可行的路徑。05 點評 半導體材料的自主創新之路光刻膠作為晶片製造的關鍵材料，長期被海外巨頭壟斷，嚴重制約著中國半導體產業的發展。北京大學團隊的這一突破，不僅為國產高端光刻膠的研發提供了科學依據，更標誌著中國在半導體材料基礎研究領域正走向世界前沿。從產業資料來看，中國光刻膠產業正處於快速發展階段：2023年市場規模達109.2億元，2024年突破114億元。與此同時，光刻機國產化處理程序也在加速，關鍵部件如准分子雷射器、光學鏡頭等已取得重要進展。北大團隊的這一基礎性突破，為中國半導體產業鏈的自主創新奠定了堅實基礎。而北京大學彭海琳教授團隊及其合作者的這項工作，不僅解決了半導體製造領域的具體技術難題，更展示了基礎科學研究對產業技術進步的深遠影響。通過創新性地將冷凍電鏡技術應用於材料科學領域，他們成功打開了液相環境下材料行為研究的"黑匣子"，為晶片製造乃至更廣泛的材料科學研究提供了新的視角和工具。 (壹零社)

光刻技術是推動整合電路晶片製程工藝持續微縮的核心驅動力之一。近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者透過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、介面分佈與纏結行為，指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。相關論文近日刊發於《自然·通訊》。「顯影」是光刻的核心步驟之一，透過顯影液溶解光刻膠的曝光區域，將電路圖案精確轉移到矽片上。光刻膠如同刻畫電路的顏料，它在顯影液中的運動，直接決定電路畫得準不準、好不好，進而影響晶片良率。長期以來，光刻膠在顯影液中的微觀行為是“黑盒子”，工業界的工藝優化只能靠反複試錯，這成為製約7奈米及以下先進過程良率提升的關鍵瓶頸之一。為破解難題，研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術引入半導體領域。研究人員最終合成出一張解析度優於5奈米的微觀三維“全景照片”，一舉克服了傳統技術無法原位、三維、高解析度觀測的三大痛點。彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術為在原子/分子尺度上解析各類液相介面反應提供了強大工具。深入掌握液體中聚合物的結構與微觀行為，可推動先進製程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關鍵工藝的缺陷控制與良率提升。 （芯榜）

晶圓製造環節數百道工藝，每一層都離不開電子化學品的精準作用，電子化學品雖僅佔晶片總成本10%-20%，但直接影響晶片性能與良率，是中國半導體突破技術封鎖的核心環節。近期工業和資訊化部等七部門印發《石化化工行業穩增長工作方案（2025-2026年）》，明確提出聚焦積體電路等重點產業鏈需求，支援電子化學品等領域的關鍵產品攻關，行業“突圍戰”已悄然打響。01 國產電子化學品迎“爆發式增長窗口”2025年上半年，AI算力、資料中心、智能駕駛等終端需求不斷增強，推動全球半導體行業在2024年復甦基礎上繼續增長。美國半導體協會（SIA）資料顯示，2025年1-7月中國大陸半導體市場規模約為1135億美元，同比增長11.1%。在需求的帶動下，上游材料市場也迎來擴張期。TECHCET預測，2025年全球半導體材料市場規模將達700億美元，同比增長6%，並將在2029年突破870億美元。中國市場表現尤為搶眼，中商產業研究院預測，2025年中國關鍵電子材料市場規模有望達到1740.8億元，同比增長21.1%。這一增長得益於晶圓製造端的產能擴張。在AI高性能計算需求推動下，全球晶圓廠擴產加快，SEMI預測到2028年全球12英吋晶圓月產能將達到1110萬片，2024-2028年複合增長率約7%。更為關鍵的是，7nm及以下先進製程月產能預計由2024年的85萬片增至2028年的140萬片，複合增長率高達14%。這些先進製程對電子化學品的純度要求極為嚴苛，為技術領先的企業創造了巨大機遇。格隆匯研究院在2024年初發佈的半導體材料系列策略中明確指出：中國晶圓產能的快速擴張將帶動電子化學品需求呈現倍數級增長。我們當時提示，2025-2027年將是中國電子化學品企業實現技術突破和客戶匯入的黃金窗口期，這一判斷正在被當前產業資料所驗證。02 三大賽道引領產業增長，高端領域是關鍵電子化學品涵蓋領域廣，光刻膠、濕電子化學品、電子特氣三大賽道，算是產業增長的“主力軍”。每個賽道都有獨特的技術門檻，也對應著不同的國產替代空間。光刻膠被譽為半導體製造的“精密畫筆”，直接決定晶片電路的精度與密度，是三大賽道中技術門檻最高的領域。CEMIA（中國電子材料行業協會）預測，2025年中國大陸光刻膠市場呈“結構分化”：積體電路光刻膠規模68.02億元（同比增4.49%），雖增速慢，但長期被國外壟斷，替代空間最大；新型顯示、PCB光刻膠規模分別達67.13億元、43.84億元，國產化程度已較高。換句話說，現階段積體電路光刻膠更具潛力。如果說光刻膠是“畫筆”，濕電子化學品就是晶片的“專業清潔工”——負責晶圓清洗、蝕刻等關鍵工序，直接影響晶片良率。2025年中國大陸濕電子化學品總需求預計達468.5萬噸（同比增3.9%），其中高附加值領域增速亮眼：積體電路應用需求同比增23.1%（規模86.0億元），顯示面板應用需求同比增10.1%（規模80.1億元）。隨著7nm及以下先進製程擴產，濕電子化學品對純度、雜質控制要求更高，手握高端產品的企業將持續受益。電子特氣是半導體製造的“隱形氧氣”，廣泛用於離子注入、薄膜沉積等工藝，全球市場規模龐大。智研諮詢預測，2025年全球電子特氣規模達64億美元（同比增6.7%），中國大陸規模達279億元（同比增6.3%）。更值得關注的是，電子化學品應用正拓展至新領域：比如高純度電子級磷酸還能用於鋰電池正極材料製備，應用多元化不僅增強企業抗風險能力，更給行業增長添了新動力。03 耗材屬性加分，比半導體裝置更具韌性！從產業屬性看，電子化學品作為半導體製造的“核心耗材”，對比一次性採購的半導體裝置，有著更穩健、更可持續的商業模式。這一特性也進一步放大了行業的成長價值。半導體裝置是“重資產、長周期”採購品：晶圓廠按產能規劃一次性買裝置，單台裝置單價高（數千萬甚至上億元）、壽命長（5-10年），採購需求高度依賴下游擴產周期，一旦行業進入擴產淡季，裝置企業訂單易大幅波動，業績周期性強。而電子化學品是晶圓製造的“日常消耗品”：光刻膠、濕電子化學品、電子特氣，都要隨生產持續消耗、定期補充，只要晶圓廠正常生產，就會有穩定的耗材採購需求，不受短期擴產節奏波動的劇烈影響。這種“高頻復購”屬性，讓電子化學品企業有更穩定的營收結構與現金流。反映在業績上，安集科技、上海新陽等頭部耗材企業2025年上半年營收同比增長43.17%、35.67%；歸母淨利潤增速分別為60.53%、126.31%；盈利增速遠超營收，盡顯耗材業務“量價齊升”的韌性。而半導體裝置行業則易受單廠擴產節奏影響，業績波動更大。此外，耗材的“技術迭代粘性”更強：電子化學品企業一旦通過驗證進入晶圓廠供應鏈，後續更換供應商需重新開展複雜驗證（耗時6-12個月），還可能面臨良率波動風險。這種“繫結效應”不僅保障營收穩定，更給國產企業替代後鞏固份額提供了優勢。04 政策與技術雙輪驅動，國產替代進行時中國電子化學品的快速發展，離不開政策與技術的“雙輪驅動”：政策指明方向、提供保障，技術推動行業向高端化、綠色化進階，共同助力國產企業從“跟跑”向“並跑”甚至“領跑”轉變。2025年9月，工信部等七部門印發《石化化工行業穩增長工作方案（2025-2026年）》，明確“增強高端化供給”，聚焦積體電路、新能源等需求，支援電子化學品關鍵產品攻關，並以“揭榜掛帥”推動協同創新。這一政策將大幅加速電子化學品從“實驗室研發”到“規模化量產”的轉化。結合產業鏈調研，預計2026-2027年將有多個關鍵電子化學品實現國產化突破，進一步縮小與國際領先水平的差距。隨著半導體工藝向5nm、3nm甚至更先進節點邁進，電子化學品的技術方向也更清晰：1、高純化：雜質控制需達“ppt級”（兆分之一），EUV光刻技術更對光刻膠精度提新要求；2、功能化：為適配鈷、釕、低k電介質等新型材料，CMP研磨液、蝕刻後清洗劑需持續升級，滿足複雜工藝需求；3、綠色化：“雙碳”目標下，行業加速綠色轉型——比如電子級N-甲基吡咯烷酮（NMP，鋰電池電極關鍵溶劑），市場正開發先進回收技術降環境影響，契合全球可持續發展趨勢。QYResearch預測，2031年全球先進製程電子化學品銷售額將增至19.84億美元（年復合增7.0%），先進製程將持續成為行業增長核心動力。對於國產替代廠商而言，當前產業正迎來“需求擴張+技術突破+政策支援+耗材屬性加持”的四重利多。投資者可以重點關注這類企業：高端領域已實現客戶突破、研發投入持續、產能前瞻佈局。它們不僅是行業增長的受益者，更是中國半導體自主可控的“中堅力量”。這場決定半導體產業鏈命運的“破局戰”，勝負手或許就藏在這些看似不起眼的化學配方裡。 (格隆)

作為半導體工藝中不可缺少的材料，光刻膠在半導體製造中起到了至關重要的作用，是半導體領域的八大核心材料之一，對晶片製造成本的貢獻率高達12%。其重要性，僅次於大矽片和電子氣體，排名第三位。但目前全球高端半導體光刻膠市場主要被日本和美國公司壟斷，日本更是佔據全球80%的市場份額，處於絕對領先地位。但隨著積體電路工藝邁向7nm及以下節點，13.5nm波長的EUV光刻技術成為核心。然而，EUV光源存在反射損耗大、亮度低的固有缺陷，對光刻膠提出了嚴苛要求。現有主流技術面臨兩大瓶頸：其一，化學放大膠（CAR）：依賴多組分化學反應，易因擴散導致圖案模糊和隨機缺陷。其二、金屬氧化物膠（MOR）：金屬團簇尺寸不均，引入線邊緣粗糙度（LER），影響精度。因此，理想的EUV光刻膠至少需要滿足四大條件：高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子級均一性、最小化結構單元。根據7月24日清華大學官宣消息，清華大學化學系許華平教授團隊開發出一種基於聚碲氧烷的新型光刻膠。這個新發現不僅解決了現有EUV光刻膠的侷限性，還為下一代EUV光刻材料的發展指明了方向。具體來說，清華許華平團隊基於此前研發的聚碲氧烷材料，通過以下設計實現了兩大突破：其一、碲元素的高效吸收。碲（Te）具備除惰性氣體外最高的EUV吸收截面，吸收能力遠超傳統光刻膠中的碳、氧及鋅、鋯等金屬元素，顯著提升光子利用效率；同時，通過Te─O鍵直接嵌入高分子主鏈，形成單組分均質結構，避免多組分擴散缺陷。其二、主鏈斷裂顯影機制。Te─O鍵的低解離能特性使材料吸收EUV能量後直接發生主鏈斷裂，轉化為小分子寡聚體，誘導溶解度變化，實現正性顯影。該機制無需化學放大或後烘處理，簡化工藝流程並降低隨機噪聲。為更直觀展示新技術的優勢，對比一下PTeO光刻膠與傳統光刻膠在六大關鍵性能的對比資料，具體如下：也就是說，清華團隊通過一體化設計，將高吸收元素、主鏈斷裂機制和分子均一性整合於單組分材料，首次同時滿足理想光刻膠四大標準，為全球首創。不見如此，新技術還在缺陷控制上實現了突破，其分子級均質結構避免傳統膠的團簇尺寸分佈問題，從源頭降低隨機缺陷，提升晶片良率。當然，需要特別強調的是，目前清華團隊新的EUV光刻技術還處於實驗室階段，還需要一定的時間推動產線驗證以及後期量產等相關工作。但對於國產半導體產業而言，仍然具有重大的意思。眾所周知，目前全球90%高端光刻膠依賴日本企業（如JSR、信越化學），PTeO技術有望打破壟斷，助力中國半導體材料自主化。因此，清華團隊通過碲元素高吸收+主鏈斷裂顯影的創新設計，實現了EUV光刻膠在靈敏度、解析度和缺陷控制的跨越式突破。不僅為下一代半導體製造提供關鍵材料解決方案，也標誌著國產光刻膠領域高端領域的全新突破。 (飆叔科技洞察)