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在半導體行業,台積電與英特爾的製程技術競爭已進入白熱化階段。台積電的3nm(N3)和英特爾的18A(1.8nm級)工藝被視為下一代晶片製程的關鍵節點。本文結合最新行業資料和專家分析,從技術參數、性能表現、量產進度等角度深度對比兩大技術路線。
1. 電晶體密度
台積電3nm(N3)的電晶體密度約為 283MTx/mm²(每平方毫米百萬電晶體),而英特爾18A的密度為 195MTx/mm²,兩者相差約32%2。但需注意,台積電採用 FinFlex技術,可靈活組合高密度(HD)、高性能(HP)單元,而英特爾18A引入 RibbonFET(GAA架構) 和 PowerVia背部供電技術,最佳化了供電效率和散熱。
2. 工藝命名差異
英特爾的“18A”實為1.8nm級製程,對標台積電的2nm(N2)而非3nm。但根據行業換算,英特爾18A性能與台積電N3相當,部分指標接近N2。
1. 台積電3nm
2. 英特爾18A
1. 台積電3nm主導領域
2. 英特爾18A突破方向
1. 資料差異問題
不同機構測試標準不一。例如,TechInsights以台積電16nm為基準推算,可能低估英特爾18A的實際表現。
2. 成本挑戰
台積電3nm代工費用較5nm上漲20%,而英特爾18A需證明良率穩定性。
台積電3nm與英特爾18A的競爭本質是 “密度優先” vs “性能優先” 的技術路線之爭。短期內,台積電仍將主導移動端市場,而英特爾有望憑藉18A在PC和伺服器領域實現反超。未來2-3年,兩大巨頭的製程博弈將深刻影響全球半導體產業格局。 (SEMI半導體研究院)