華為正式測試國產EUV光刻機！200億專項資金加持，中國光刻機正在加速崛起！

東莞松山湖畔的華為工廠裡，一台刻著“中國製造”的龐然大物正在全速運轉。 它投射出的極紫外光束精準落在晶圓上，刻畫出僅有頭髮絲萬分之一細的電路。

這不是ASML的機器，而是華為聯合國內產業鏈自主研發的EUV光刻機。 現場工程師透露，其核心光源效率已達3.42%，距離國際頂尖水平僅差“最後一公里”。

在華為東莞基地的無塵車間內，首台國產極紫外（EUV）光刻機已完成裝機偵錯，進入晶片試生產流程。

測試資料顯示，該裝置每小時可處理250片晶圓，超越ASML同等級裝置的195片產能。 其核心光源採用哈工大研發的雷射誘導放電電漿體（LDP）技術，能量轉換效率達到ASML方案的2.25倍，裝置體積卻縮小了30%。

一位參與測試的工程師描述：“當13.5奈米波長的紫色光束首次穿透晶圓時，整個車間爆發出掌聲，這意味著我們真正握住了晶片製造的‘光劍’。 ”

與ASML的二氧化碳雷射轟擊技術不同，中國團隊選擇了“換道超車”策略。 哈工大開發的放電電漿體極紫外光源（DPP）採用固體脈衝雷射器，直接將電能轉化為電漿體輻射，省去了複雜的雷射放大環節。

這使得裝置功耗降低40%，成本僅為進口裝置的1/3。 更關鍵的是，該技術完全繞開ASML的LPP（雷射電漿體）專利壁壘。

荷蘭ASML內部報告曾評估：“中國至少需要十年突破EUV”，但華為聯合實驗室僅用18個月就將光源技術從實驗室推進到產線。

國家“十四五”專項規劃為光刻機研發注入超200億元資金，重點攻堅光學鏡頭、雷射光源等核心部件。

上海臨港迅速建成光刻機產業園，聚集科益虹源、國望光學等30余家上下游企業。 其中，科益虹源的光源技術已實現穩定輸出，國望光學的物鏡系統精度達0.2奈米級，超越ASML採用的德國蔡司鏡頭。

當全球聚焦7nm以下制程時，華為選擇了一條務實路徑：用多重曝光技術將成熟裝置性能壓榨到極致。

通過與中芯國際合作開發的“自對準多重圖案化（SAQP）”技術，在現有DUV光刻機上實現等效3nm晶片製造。

實測顯示，搭載該技術的Mate 70晶片採用14nm工藝疊加3D堆疊封裝，性能逼近5nm晶片水平，遊戲影格率穩定性反超驍龍8 Gen3晶片15%。 網友戲稱這波操作為“用樂高搭出殲-20”。

2025年第一季度其訂單量暴跌50%，DUV光刻機庫存積壓嚴重。 荷蘭政府已悄然放寬對華光刻機零部件出口限制，ASML CEO罕見承認：“中國正在用我們從未想像過的方式追趕。 ”

三星主動聯絡中科院尋求光源技術合作，日本東京電子則緊急下調探針台價格40%，此前中芯國際採用國產探針台後，晶片檢測良率突破92%，直接威脅日企壟斷地位。

北京科華化工的國產光刻膠良率達85%，打破日本JSR壟斷；凱美特氣的光刻氣獲ASML認證；新萊新材真空管道技術打入國際供應鏈。

但精密軸承、高透光鏡片等“卡脖子”環節仍需攻堅。上海微電子工程師坦言：“造出光刻機只是拿到入場券，讓中芯國際穩定量產7nm才是真正打破魔咒。 ”

目前哈工大正在最佳化光源穩定性，清華團隊則全力攻關光刻膠純度，每一個0.1%的良率提升，都在改寫全球晶片版圖的分界。 (走向科學)