EUV試產傳聞引爆漲停潮！光刻機整機未落地，產業鏈已“開卷”

01. 國產替代情緒集中釋放

華為EUV光刻機傳聞疊加美方擬取消裝置豁免，先進製程再遭封鎖預期，市場情緒在產業變局與中國國產突圍交點處爆發。

02. 光刻機不是單點突破，而是系統博弈

從光源、物鏡到雙工件台，EUV光刻機是材料、光學、控制、演算法協同的極限挑戰，真正拼的是全端能力與全鏈閉環

03. 鏈條協同初見成型，整機落地不再遙遠

上下游從核心零部件到驗證工廠，已經逐步顯露出一條具備實操性的產業鏈輪廓。誰在其中、站在那一環，市場早已開始下注。

6月23日，光刻機概念股集體大漲，類股整體漲幅超3%。波長光電、茂萊光學、炬光科技等多隻個股封上漲停。

據爆料，華為聯合產業鏈自研的國產EUV光刻機已在東莞松山湖無塵車間完成偵錯並進入試產。

其採用的極紫外光源源自哈工大的放電電漿體（DPP）技術，功耗低、且繞開ASML專利壁壘。

儘管尚未官方披露，但市場對其訊號意義的解讀已遠超技術驗證本身。

就在這一傳聞發酵前後，美國方面也傳出新動作——計畫撤銷三星、台積電、SK海力士等在華工廠此前獲得的晶片製造裝置豁免權。

一旦落地，意味著全球幾大晶圓製造巨頭在中國的產能將面臨裝置升級、維護上的新一輪技術封鎖。

這將直接影響28nm及以下產線的正常運轉，從而逼近中國晶片製造的“咽喉”。

表面看，這是一則“國產EUV光刻機試產”的傳聞引發資金追捧；但背後，是一系列國內外變數交織下，對“自主可控”情緒的集中釋放。

光刻機有多關鍵？ 決定晶片製程上限的“核心變數”

在晶片製造工藝中，光刻環節承擔了最核心的一道工序：

把晶圓上的圖形刻出來。它的精度與效率，直接決定了晶片的整合度、能耗與良率

而先進製程（7nm及以下）之所以先進，根源就在於使用了極紫外（EUV）光刻。

EUV光刻的核心在於兩個變數：

• 光源波長極短，僅13.5nm，比傳統193nm深紫外（DUV）縮短一個數量級，能打出更細的線路；
• 成像方式徹底變革：採用多組反射鏡成像，完全拋棄透鏡，對反射率、潔淨度和能量控制提出極致要求；

所以EUV不是“DUV的升級”，而是從光源、成像、真空環境、掩膜材料到控制軟體的一次“系統性躍遷”。

目前，全球僅ASML一家能量產EUV裝置，其上游核心部件涉及蔡司光學反射鏡、Cymer光源、PI精密工件台等，幾乎都是不可替代的歐美壟斷資源。

也正因如此，自2019年起，中國即被禁止進口EUV機台，即使是部分DUV高端型號，也需多輪審批。

換句話說，EUV不僅是先進製程的“開啟鑰匙”，也是中美科技博弈的“高壓閥門”。

不光是一台機器 是一整條系統能力的總和

過去幾年，中國在光刻機領域不斷攻堅，但公眾視野中的關注往往聚焦於“整機裝置”。

而真正卡脖子的，其實是三個關鍵詞：光源、物鏡、雙工件台。

1. 光源：從Cymer依賴到國產自研路線

193nm准分子雷射是DUV的主流光源，過去主要依賴美國Cymer和日本Gigaphoton。

近年來，科益虹源等國內企業陸續打通了193nm光源的全流程能力，部分已實現對下游晶圓廠供貨，標誌著DUV光源國產化初步完成。

而EUV光源則是“煉丹級難度”：

• 採用高頻CO₂雷射轟擊錫微滴產生電漿體；
• 要在微米尺度精準擊中高速移動目標；
• 收集並聚焦13.5nm波長的極紫外線，還不能被吸收；

傳聞中的華為原型機選擇了放電電漿體（DPP）+固體雷射器路線，繞過了ASML專利。這種“換道超車”的思路，從原理上規避了技術封鎖，倘若工程化驗證成功會為國內EUV系統開闢了全新路線。

2. 物鏡：反射鏡才是真正的“命門”

在EUV系統中，傳統透鏡無法使用，全部依賴多組反射鏡來完成成像。

這些反射鏡對表面平整度的要求接近“原子級”——誤差需控制在0.1奈米以內，併疊加40層以上的反射塗層。

目前，蔡司是唯一可批次提供EUV反射鏡的企業。

中國雖在超精密光學加工上已有積累（如國望光學、福晶科技等），但整體仍處於“驗證樣機→量產爬坡”階段。

物鏡不是“誰能打磨”，而是“誰能量產並控制良率”，這是現階段最難踰越的環節之一。

3. 雙工件台：從能刻到快刻的核心

單塊晶圓的光刻需要多個圖形層疊加，曝光、對準、傳輸需無縫銜接。

ASML的EUV採用雙工件台：一個曝光，另一個預對準，切換隻需數毫秒，確保了每小時200+片的產出效率。

這一技術的本質是：

• 精密控制系統：需即時檢測並修正位移誤差；
• 超低震動平台：通過氣浮+磁懸浮系統減震；
• 軟體演算法與硬體協同最佳化；

目前，國內在這一塊已有“模組級突破”跡象，如華卓精科團隊聯合清華開發的雙台階平台初步完成樣機測試，但距離整機並聯、工業化運行，還有可見鴻溝。

光刻機產業鏈，不止是誰做得多而是“誰能串得起來”

國產化的關鍵不止於技術突破，而在於能否“從突破走向閉環”，串起光刻機的上下游全鏈條協作。

我們可以將產業鏈劃分為四層結構：

第一層：極小圈裝置整機（系統整合）

• 主體是上海微電子（SMEE），當前已推出90nm浸沒式光刻機，目標28nm。
• 張江高科、東方明珠、上海電氣通過持股參與其控制體系，是整機預期的重要放大器。
• 此外，奧普光電作為長春光機所旗下公司，也被市場視為整機路徑的潛在延伸。

第二層：三大核心子系統（核心裝置部件）

• 光源：炬光科技（雷射器）、波長光電（光束控制）、科益虹源（准分子光源）。
• 光學系統：茂萊光學、國望光學、福晶科技。
• 精密運動/測控系統：華卓精科、北方華創旗下團隊。
• 同時，蘇大維格、騰景科技、晶方科技等企業在定位光柵、合分束器、微結構光學件等模組環節提供配套，是國產光刻系統中的重要補足。

第三層：配套材料與耗材

• 光刻膠：北京科華、強力新材、南大光電，部分ArF膠已實現進口替代。
• 掩膜版：清溢光電、亞翔整合。
• 鍍膜/腔體材料：中芯國際、安集科技等存在交叉合作。
• 溫控系統：海立股份、同飛股份。
• 潔淨與清洗系統：藍英裝備、美埃科技、國林科技。
• 配套化學品方面，揚帆新材提供高純清洗液與電子級酸類，是光刻工藝的基礎材料保障之一。

第四層：下游晶圓廠驗證與匯入

• 包括中芯國際、華虹半導體、粵芯、合肥晶合整合等，既是國產裝置驗證場，也是裝置訂單釋放的重要管道。

要強調的是：這是一條需“鏈條協同”的產業邏輯，而非“拼圖式”成功。

結語：

這一次，市場的反應不只是對一個傳聞的情緒波動，而是對一個產業體系開始“轉正”的集體註腳。

國產替代的處理程序，不是某一家企業的勝利，而是技術路徑選擇與生態能力培育共同作用的結果

我們期待這一處理程序不斷提速，早日實現關鍵領域的全面自主可控。 (財經三句半)