3D DRAM重大突破！科學家實現120層堆疊！

全球半導體儲存技術研發取得重大進展，科學家團隊採用先進沉積技術成功實現120層3D DRAM堆疊，這一突破標誌著下一代儲存器技術正逐步走向商業化應用。該技術將顯著提升儲存密度和能效比，為人工智慧、高性能計算等領域提供更強支撐。

據悉，此次突破的關鍵在於新型原子層沉積(ALD)和化學氣相沉積(CVD)技術的創新應用。研究團隊通過最佳化薄膜沉積工藝，成功解決了高層數堆疊中的應力控制和互連難題，使儲存單元間距縮小至10奈米以下，實現了單位面積儲存容量的大幅提升。

"120層堆疊是3D DRAM技術商業化的重要里程碑，"儲存器專家表示，"這項突破將使單晶片容量提升3倍以上，同時功耗降低40%。"目前，主流3D DRAM產品的堆疊層數在64-96層之間，120層技術將把儲存密度推升至新高度。

行業資料顯示，隨著AI和巨量資料應用爆發，全球DRAM市場需求持續增長。2024年第二季度，伺服器DRAM出貨量同比增長25%，預計120層3D DRAM量產後，將首先應用於資料中心和AI訓練伺服器等高性能場景。

值得注意的是，中國儲存晶片企業也在積極佈局3D DRAM技術。相關企業已建立研發團隊，在材料、工藝和裝置等環節持續投入。據悉，國內企業目前已完成64層3D DRAM技術驗證，96層產品正在研發中。

"儲存技術的創新周期正在縮短，"中國半導體行業協會專家指出，"3D堆疊將成為未來儲存晶片發展的主要方向。"根據國際半導體技術路線圖，到2026年，200層以上的3D DRAM產品有望實現量產。

市場分析機構Yole預測，3D DRAM市場規模將在2025年達到120億美元，年複合增長率超過30%。此次技術突破將加速新一代儲存器的商業化處理程序，為全球數位化轉型提供重要支撐。

業內人士表示，隨著堆疊層數不斷增加，材料、裝置和製程工藝都面臨新的挑戰。需要產業鏈上下游協同創新，共同推動儲存技術持續演進。 (晶片行業)