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北風窗
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出口暴漲116.6%!中國“新頂流”,全球爆單!
3D列印正在破圈,一邊走進商場,成為商場吸引客流的新業態,重塑商場招商邏輯;另一邊,紮根工廠車間,打破“只能打樣”的刻板印象,落地小批次柔性製造。與此同時,中國國產3D列印裝置還揚帆出海,在全球開闢微型製造新賽道。 01. 3D印表機佔據核心舖位成商場“新頂流” 在一二線城市的頂級商圈,核心舖位正在被一種新業態佔據——3D列印體驗店。一台台忙碌“列印”的機器,如今成了商場裡聚人氣的“新頂流”。在深圳灣萬象城的3D列印旗艦店,消費者在這裡可以用AI生成專屬模型,然後親眼看著自己的創意被一層層列印成實物。即便在工作日,門店依舊客流不斷。到訪人群裡,既有科技從業者專程考察裝置,也有外地遊客慕名打卡體驗。 一位北京遊客表示,家裡已經買了3D印表機,希望學習更多新的列印模式。店員表示,公司在北上廣深等地的商場裡已經累計開了11家門店,半年來累計停留的客流量已經破百萬人次,單月客流量已破10萬人次。
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#3D列印
#消費科技
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北風窗
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騰訊北京要造一個直徑30米的“熱辣滾燙”球體
鵝廠在北京上新一顆直徑30米的球形幕牆,顏值拉滿,看著熱辣滾燙! 這是一份屬於建築師的浪漫構想,想要讓這份光影理想完整落地,離不開多方的精密協同。 從創意草圖到發光球體,每一道曲面、每一塊模組,都是設計、技術、製造與現場的默契配合,方能讓這個“熱辣滾燙”的建築想像,穩穩矗立,綻放完整的光影魅力,讓我們拭目以待吧! 01. 其他類似球形項目
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RexAA
2026/11/09
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台積電否認!
據The Information近期報導,台積電正應輝達的要求探索3D DRAM的生產,因為人工智慧硬體需求的激增導致全球DRAM供應緊張,價格上漲。 如果該提議最終實現,台積電將獲得一項新的業務,儘管這項業務也容易受到周期性風險的影響,但同時也可能大幅提升其在人工智慧供應鏈中的地位。而台積電方面則表示,公司是一家純粹的邏輯晶片代工廠,並計畫繼續專注於邏輯晶片代工廠業務,這實際上否認了該報導。 台積電發言人告訴Tom's Hardware:“請注意,台積電始終專注於我們的核心業務,即專業的積體電路代工。我們的使命是成為未來多年全球邏輯積體電路行業值得信賴的技術和產能提供商。” 儘管台積電否認了這一消息,但據《The Information》援引兩位知情人士的消息稱,台積電已開始著手準備3D DRAM的生產計畫,這是應其最大客戶輝達的要求而採取的措施。據悉,該計畫由台積電負責先進封裝業務的副總裁、前美光台灣業務負責人許國進負責。此舉正值記憶體短缺問題日益嚴重之際,記憶體已從一種普通商品轉變為一種戰略資產,其供應狀況可能決定一家公司能否按時向客戶交付產品。 儘管台積電在為客戶封裝系統級封裝(SiP)的過程中與DRAM生產商密切合作,但該公司缺乏生產DRAM(更不用說3D DRAM)的專業知識和產能。同時,考慮到即使對於主要的記憶體器製造商而言,3D DRAM的普及也需要數年時間,因此,推行3D DRAM戰略至少在未來五年內無法解決記憶體器短缺問題。
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#台積電
#3D DRAM
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2026/11/08
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台積電進軍3D DRAM?
11月6日消息,據外媒《The Information》報導稱,晶圓代工大廠台積電近期已開始規劃3D DRAM的生產方案,而推動這一決策的直接力量來自其最大客戶輝達(Nvidia)。AI算力競賽引發的記憶體短缺與價格飆升,正迫使輝達尋找傳統記憶體三巨頭之外的供應路徑,而台積電被推到了台前。 若計畫落地,台積電將從邏輯晶片代工與先進封裝,進一步切入由三星、SK海力士與美光長期把持的記憶體製造領域。但綜合現有資訊來看,這更像一場以技術儲備為底牌、以客戶壓力為催化劑、以2029年為時間錨點的長期博弈,而非迫在眉睫的產線投資。 輝達的焦慮,台積電的選項 報導援引兩名知情人士透露,台積電正考慮拓展業務至先進記憶體晶片製造領域,並已應其最大客戶輝達的要求,開始啟動了對3D DRAM生產可行性的評估。此舉將有望使台積電未來在AI硬體供應鏈中佔據更大份額。
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CoinWire
2026/11/04
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2D時代於2027年 CES畫下句點-Visual半導體攜手 INCERGO推出跨六大產品類的GF3D™ 沉浸式裸視 3D技術
加州弗里蒙特 — Visual Semiconductor, Inc.(VSI)與 INCERGO 將於 2027 年 CES 大會上展示 GF3D™沉浸式裸視 3D 技術。VSI 認為 GF3D 是自電視從黑白轉向彩色以來,在觀看體驗方面最重大的突破。 1月6日至9日於拉斯維加斯期間,蒞臨拉斯維加斯會議中心(LVCC)中央展廳24539號攤位的訪客,將透過六大產品類別見證娛樂體驗的全新蛻變: •電視 •FreeRange 滾動顯示器
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美股艾大叔
2026/10/30
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英特爾先進晶片供電技術:PowerVIA背面供電、HV-IVR整合穩壓器、Coax MIL磁性電感、SuperMIM電容與Foveros三維整合!
🔷從傳統PDN到PowerVIA背面供電,解析高性能處理器供電架構演進 🔷聚焦HV-IVR、磁性電感、高密度電容與Foveros三維整合關鍵技術 系統分析了高性能微處理器面臨的供電挑戰,並介紹了英特爾圍繞片上整合電壓調節器(IVR)、完全片上整合電壓調節器(FIVR)、高壓IVR、PowerVIA背面供電、SuperMIM高密度電容、Coax MIL同軸磁性電感以及Foveros三維封裝開展的技術創新。 隨著摩爾定律進入後Dennard縮放時代,處理器性能提升越來越受到供電網路阻抗、瞬態壓降、互連損耗和功率密度的限制。未來高性能處理器的供電架構,需要從傳統主機板級集中式電壓轉換,逐步向高效率、高功率密度、靠近計算負載的分佈式整合供電演進,並通過先進封裝與三維異構整合進一步最佳化供電路徑。
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2026/10/27
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先進封裝進入3D整合時代:TSV矽通孔、銅互連、CMP與新型材料成為關鍵技術!
🔷從2.5D矽中介層到3D晶片堆疊,全面解析TSV垂直互連技術路線 🔷深矽刻蝕、銅電鍍、CMP與碳奈米管、石墨烯材料技術深度剖析 文件圍繞TSV矽通孔、2.5D/3D先進封裝、銅互連、碳奈米管(CNT)、石墨烯奈米帶(GNR)、訊號完整性以及熱機械可靠性展開系統研究。 隨著傳統二維晶片互連在頻寬、功耗、互連密度和訊號傳輸距離方面逐漸面臨瓶頸,TSV矽通孔成為實現三維晶片堆疊和高密度垂直互連的重要技術。然而,TSV的性能不僅取決於通孔尺寸和製造工藝,更受到填充材料、電氣寄生參數、熱機械應力、絕緣襯層以及相鄰通孔串擾的共同影響。未來高性能TSV設計需要從材料、結構、工藝和電路建模多個維度協同最佳化。
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北風窗
2026/10/26
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3D視覺技術切入具身智能,Sensing4D AI成長潛力幾何?
隨著人工智慧、數字孿生和具身智能產業持續發展,三維視覺技術正從傳統的建模與可視化工具,逐步向機器人感知、虛擬模擬及智能決策等場景延伸。 近日,Sensing4D AI Ltd向SEC遞交上市申請,公司以3D重建和AI驅動的綜合3D解決方案為核心,擬赴美國納斯達克上市。 從招股書披露的財務資料來看,公司近年來收入增長較快,淨利潤同步提升,已體現出一定的商業化能力。在人工智慧應用持續拓展、具身智能逐漸成為行業關注焦點的背景下,Sensing4D AI能否憑藉業績增長與3D視覺技術積累打開新的發展空間,並將行業機遇轉化為可持續的商業回報? 業績增長提速 收入結構與研發投入考驗增長成色
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