17999的iPhone用了“更差”的快閃記憶體，但我覺得這是好事

托尼發現一個事兒，今年的新iPhone，起售價很有求生欲，但是頂配版的價格越來越離譜了。

就說今年iPhone 17 Pro Max的頂配提供了最高2TB的記憶體選項，價格來到了驚人的17999人民幣，是有史以來最貴的iPhone——相比1TB版本13999的售價，這多出來的1TB儲存價值4000塊！

這可是四千塊錢啊，且不論這四千能買幾塊2T的SSD，再加點甚至都能在某補貼平台買到iPhone 16了。

然而“貴”還不是最令人破防的事情——結合各種爆料以及我們從資深業內瞭解到的供應鏈消息，這次2TB版本的iPhone 17 Pro Max用的很可能是QLC（Quad-Level Cell）的NAND快閃記憶體。

相關的消息去年就有爆料：

換句話說，蘋果又在手機上實現了一次“世界第一”，並且2TB的容量只是一方面，重點是實現的方式：

沒有像以往其他手機廠商一樣，直接使用兩顆低容量的TLC快閃記憶體拼接成陣列（比如堅果R1使用兩顆512GB儲存顆粒組成了1TB），而是直接定製了單顆容量2TB的QLC快閃記憶體顆粒。

但是這下子，惹得很多討厭QLC快閃記憶體的小夥伴不開心了。

可能還有些朋友不瞭解QLC、也不知道為什麼大家對這個QLC有這麼大惡意，這裡托尼就給大家簡單介紹一下幾種NAND儲存單元類型的區別——一般來講常見的NAND儲存單元類型有SLC、MLC、TLC和QLC這幾種。

首先NAND快閃記憶體的基本原理都是“浮柵電晶體”，這裡我就不上課了，感興趣的差友們可以去B站up“愛上半導體”那裡瞭解一下，動畫做得非常直觀。

而今天大家只需要知道快閃記憶體儲存資料的原理，就是判斷某一個電晶體是不是形成通電的回路，通電or不通電分別代表0或者1，這也是最基礎的，SLC（Single-Level Cell）快閃記憶體的運作方式，通過儲存簡單的0或者1，每個儲存單元儲存1 bit資料。

下面MLC（Multi-Level Cell）則可以儲存2 bit資料，在二進制裡就是11、10、01和00；TLC則儲存3 bit資料，以此類推，我們今天的主角QLC則是一個儲存單元儲存4 bit資料。

也因為QLC每個單元能存更多bit，這讓單位容量的晶圓和封裝成本被攤薄，所以成本最低。

看似QLC性價比最高，應該最厲害是吧——但問題正是出在它存的東西多，也得要求更精細的電壓控制。

如果把SLC的浮柵電晶體比作水杯，我們往裡倒水，倒到上半杯是0，而下半杯是1，只有兩個狀態。所以我即便是手抖了也不要緊，只要倒個大概別人就會知道我表達的是0還是1。

而QLC因為儲存了4 bit資料，就相當於把水杯分成了16份，我手要是抖了、多倒了或者少倒了一點，就沒法正確表達我的意思了。

是的，QLC的電壓區間非常窄，所以容錯率很低，儲存和擦除都要更費勁，也就更慢。而NAND的寫入需要對浮柵電容充電放電，每次這樣循環都會損傷氧化層，所以相對而言QLC的使用壽命自然也就更低。

根據金士頓官方的科普文件，如果SLC的壽命是10萬次擦寫，MLC的壽命則為1萬次，TLC只剩下3000次，到了QLC這裡，就只剩下1000次擦寫了。

也正是因為QLC快閃記憶體顆粒的壽命明顯低於TLC，並且QLC本身讀寫速度相對也更慢的原因，很多使用者，特別是PC玩家們，並不待見QLC顆粒的固態硬碟。

成本低、性能差，果子你不厚道啊！我花大價錢買頂配，你就給我用這個玩意？

不過，講到這裡差友們也先別激動，托尼倒是覺得，蘋果用QLC快閃記憶體也沒啥太大的問題。

首先這壽命方面的問題大家就沒必要太過於擔心，因為從使用場景上考慮，也許你並不會反覆擦寫那麼多次。

不信的話我們來算一筆數學帳：咱們以一個1TB的QLC硬碟來舉例子，假設它的擦寫次數隻有1000次，那麼這塊硬碟累計可以寫入1000TB的資料，就算你每天都高強度玩手機，每天都能寫入200G這麼多，可以連續用5000天，也就是快14年。

而且單從這個公式來看，硬碟的容量越大壽命越高，果子這個2T的QLC硬碟理論上會有接近30年的使用壽命。

但是這裡不得不提到一個寫入放大係數的概念，因為寫入並不是“直接把資料寫到某個格子裡”，NAND快閃記憶體的特性必須要把整塊資料擦除，而不能單獨修改某個小單元，這樣一來，實際寫入到NAND的資料量就比使用者寫入的資料量要多。

但就算我們考慮到這個問題，並把這個係數假設成2.5（已經算相當高了），在每天200GB的寫入量下，2T的QLC快閃記憶體仍可以用11年之久。

所以說俺們普通使用者，完全沒必要擔心QLC的壽命問題，退一萬步講、再怎麼說，QLC的壽命在一台手機的生命周期裡也是妥妥的。

更別說現在大部分QLC都是採用的3D NAND堆疊，通俗點的比喻就是蓋房子，以前的2D NAND就是在平面上橫向蓋平房，而3D NAND就好比是平地起高樓，3D NAND QLC單元面積更大、電荷儲存更穩定，相比2D QLC壽命提升不少。

其次為瞭解決QLC娘胎裡帶的速度慢的問題，現在廣泛採用的一個方式是“SLC快取”。

它的原理是把一部分QLC的空間臨時當成SLC使，只存1 bit，所以這部分快取的寫入更快、更耐用。日常的一些檔案都可以存在這個SLC快取裡，然後再在後台慢慢刷到QLC裡面。

一種TLC的SLC快取，原理上跟QLC的SLC快取一致：

當然這個法子也有缺陷，SLC快取滿了之後就很容易掉速，但你只要不是長時間大檔案寫入一般不會有問題。

我知道肯定有朋友會說錄視訊，特別是ProRes Raw這種佔空間巨大的格式會不會有問題，但蘋果也不傻，畢竟是主打拍攝的Pro才給2T的記憶體，通過給足SLC快取或者多die平行寫入的方式都可以有效緩解，所以大夥兒也沒必要太擔心。

蘋果選2T QLC快閃記憶體還有一些客觀原因——大家可能已經注意到iPhone的主機板越來越小，整合度越來越高了，如果2T這麼大的容量還是用TLC堆疊die，硬碟的封裝會更厚，佔用的地方會更大，這或許也是更小一號iPhone 17 Pro沒法上2T的原因。

最後，托尼要說明這篇文章是藉著果果端出來的2T金儲存給大家整點小科普——

大家都喜歡便宜又好用的東西，但是QLC快閃記憶體作為用在手機上的新技術，我們也沒必要當成是什麼洪水猛獸，以後隨著供應鏈的成熟，別的廠家或許也會跟進，我們到時候可以用不變甚至更低的價格買到更大儲存的手機。

這是好事兒啊。 (虎嗅APP)