三巨頭爭相擴產 近期，三星電子、SK海力士、美光科技集中公佈大規模擴產計畫，投資重點集中在HBM、伺服器DRAM與企業級NAND快閃記憶體。 三巨頭一再強調新增產能大多鎖定雲廠商長期訂單，而且產能建設周期較長，晶圓廠從土建、裝置搬入偵錯到良率爬坡，需要兩三年甚至四五年時間，同時AI記憶體需求激增，所以短期內供不應求的局面不會改變。 8月13日，SK集團會長崔泰源接受CNBC專訪時更是提出了“記憶體荒”的概念。他預測，2027年缺口最為突出，緊張局面或將延續至2030年。他對記憶體價格的暴漲表示抱歉，但也表示無奈，供應短缺實在太嚴重了。

據航美報導，韓國國記憶體器企業正加大對中國NAND快閃記憶體生產基地的投資。三星電子已敲定今明兩年在國內投資建設最先進的NAND快閃記憶體轉換工廠的計畫。SK海力士也計畫從今年下半年到明年，確保每月3萬片晶圓的產能。 據業內人士24日透露，三星電子和SK海力士計畫明年在中國積極推進NAND快閃記憶體大規模生產線的設施投資。 自今年上半年以來，三星電子一直在其位於中國西安的X2生產線上進行V9 NAND快閃記憶體的改造投資。三星電子的V9 NAND快閃記憶體是一款採用280個堆疊單元的先進產品，預計每月產能可達4萬至5萬片晶圓。 據報導，三星電子正在敲定追加投資計畫，以加強其晶圓廠的V9 NAND快閃記憶體產能。該計畫的核心是引進額外的蝕刻工藝裝置，而蝕刻工藝是NAND快閃記憶體製造的關鍵環節。

TrendForce公佈的2026年第二季度資料顯示，美光NAND收入達到118.5億美元，環比增長99.2%，市場份額由第一季度的13.9%升至15.1%不僅創下前五大廠商中最快的收入增速，也超過鎧俠，升至全球第三。 2026年第二季度全球NAND快閃記憶體前五大廠商營收排名，三星230.593億美元環比增70.7%份額29.3%居首，SK海力士集團142.729億美元環比增89.5%份額18.2%，美光118.5億美元環比大增99.2%份額升至15.1%反超鎧俠。資料來源：TrendForce。 鎧俠同期收入為107.23億美元，環比增長79.9%，份額卻由13.9%降至13.6%。兩家公司第一季度收入都在59.5億美元附近，幾乎處於同一起跑線； 美光與鎧俠NAND營收對比，第一季度兩家同為59.5億美元起點，第二季度美光升至118.5億美元，鎧俠為107.23億美元，份額分別變為13.9%升至15.1%與13.9%降至13.6%，相同起點下增速差距拉開排名。資料來源：TrendForce。

8月19日，據證監會官網消息，長江記憶體控股股份有限公司（以下簡稱“長存控股”）IPO輔導狀態變更為“輔導驗收”。作為國內3D NAND快閃記憶體領域龍頭，這意味著其上市籌備取得重要階段性進展。 公開資料顯示，長存控股成立於2016年，是一家集晶片設計、生產製造、封裝測試及系統解決方案於一體的半導體記憶體器IDM企業。公司聚焦3D NAND快閃記憶體技術研發與產業化落地，產品廣泛覆蓋企業伺服器、資料中心、消費電子等核心應用場景。 市場層面，長存控股的競爭力正加速顯現。市場研究機構Counterpoint發佈的2026年第二季度資料顯示，全球NAND快閃記憶體市場按出貨量計算，長存控股市場份額首次躋身全球前三，標誌著中國記憶體晶片企業的市場地位實現了歷史性突破。 技術自主是長存控股構築競爭力的核心底座。公司自主研發的晶棧®Xtacking®技術架構，開創性地採用晶圓鍵合技術，在傳輸速度、記憶體密度、研發效率及生產周期等維度實現突破性進展，形成了全球3D NAND領域獨具特色的技術路線。目前，晶棧®Xtacking®架構已迭代至第四代，基於該架構打造的長存控股第五代3D NAND系列產品，兼具高密度、高I/O傳輸速率、高能效等多重優勢，可分別滿足企業級與消費級記憶體市場的高性能需求。隨著技術架構的不斷最佳化，晶棧®Xtacking®將為長存控股未來的產品迭代提供長期技術支撐。

所有人都在盯著AI晶片的 HBM 產能大戰時，輝達Vera Rubin 平台的溢出效應，已經燒到了 NAND 快閃記憶體市場。 集邦諮詢（TrendForce）最新援引產業鏈資訊顯示，隨著 Vera Rubin 加速上量，TLC NAND 現貨價格在 6 月觸底後持續反彈，AI 正在成為繼伺服器、消費電子之後，快閃記憶體市場的全新增量引擎。但是在文章CMX 配置資料中，有一個關鍵硬體細節出現了偏差，本文結合官方規格做完整梳理與勘誤。 TLC 現貨價三周漲超 11%，Vera Rubin 成核心推手 截至 2026 年 8 月 17 日，512Gb TLC NAND 現貨價格回升至 21.125 美元，單周漲幅達 4.97%，短短三周累計上漲 11.6%，正式結束了上半年的下行走勢。

據外媒報導，SK 海力士將重啟停工多時的大連 NAND 快閃記憶體二廠建設，把當地整體產能提高約 50%。 大連二廠四年前開工後，因記憶體晶片市場低迷而長期擱置。SK 海力士計畫在今年年底前匯入生產裝置，並於明年上半年正式投產。 半導體業界消息稱，今年上半年起，大連二廠重新獲得了 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 的投資，建設工程也同步恢復。 生產裝置最早將於 11 月進場，量產體系將於明年上半年建立。據悉，新生產線每月可投入約 5 萬片晶圓，加上大連一廠現有的每月 10 萬片，SK 海力士在當地的 NAND 產能將增加約 50%。

8月12日，據市場研究機構Counterpoint報告稱，中國記憶體器製造商長江科技在NAND快閃記憶體市場的佔有率首次進入全球前三名！ 報告稱，今年第二季度，NAND快閃記憶體市場以出貨量計算，三星以25%的出貨份額保持領先，SK海力士以22%緊隨其後，長江科技以14%的份額升至第三位，以微弱優勢領先於鎧俠（Kioxia），美光（Micron）則位居其後。 按營收計算，長江科技排名行業第五，落後於美光和鎧俠，原因是產品組合集中在消費級應用，高單價資料中心企業級固態硬碟佔比相對較低。 報告指出，人工智慧（AI）已成為決定NAND需求的關鍵變數。隨著AI範式從訓練轉向推理，市場對能夠以高速度、低功耗承載KV快取（KV cache）及資料集的記憶體解決方案需求激增。

SK海力士正在恢復其位於中國大連的第二座NAND快閃記憶體工廠建設，預計將使其在中國的本地生產能力擴大約50%。 大連Fab 2（第二工廠）的建設始於四年前，但由於記憶體器市場低迷而長期暫停。SK海力士計畫最早於今年年底開始安裝半導體生產裝置，並在明年上半年實現該工廠全面投產。 據報導，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已於今年上半年恢復對大連Fab 2的投資，並重新啟動建設。生產裝置預計最快將於11月開始進場，該工廠計畫在明年上半年建立量產體系並開始生產NAND快閃記憶體。 據報導，新生產線設計月產能約為5萬片晶圓。加上目前大連Fab 1每月約10萬片晶圓的產能，SK海力士在中國的NAND本地產能將提高約50%。