"我現在不是在跪求貨源，就是在跪求貨源的路上。" 這句來自某記憶體晶片分銷商的感慨，成了2026年上半年記憶體晶片行業最真實的寫照。一場由AI算力需求引發的記憶體晶片"超級周期"正以前所未有的烈度席捲全球。 這不是一次普通的周期波動。TrendForce集邦諮詢資料顯示，2025年三季度起，DRAM與NAND快閃記憶體現貨價格累計上漲超過300%。蘋果MacBook、iPad全球提價約20%，微軟Xbox被迫漲價......"晶片通膨"正從產業鏈上游向每一個普通消費者傳導。 這場風暴的核心驅動力，是AI引發的結構性供需失衡。

三年前談NAND快閃記憶體，行業只認一個指標——誰的3D堆疊層數最高。今天再看這個賽道，層數早已不是決定勝負的核心變數。真正在改寫格局的，是AI基礎設施對記憶體介質提出的全新要求：更高頻寬、更大容量、更低延遲，以及一整套圍繞AI推理場景重新設計的記憶體層級體系。 截至2026年7月，這場變革已經從技術路線之爭，演變成一場關乎供應鏈話語權、定價權和標準制定權的綜合較量。 🔵 聚焦 2026年第一季度，全球NAND快閃記憶體市場發生了一次值得記住的排位賽。據Counterpoint Research資料，三星以29%的營收份額穩居第一，SK海力士18%排名第二，鎧俠（Kioxia）14%位列第三。而中國長江記憶體（YMTC）的份額從一年前的8%躍升至13%，與美光、閃迪（SanDisk）三家並列第四。這不是緩慢的此消彼長，而是一次結構性的洗牌。

作為算力的底層基石，記憶體晶片所帶來的資料互動延時與功耗問題，是阻礙算力提升的根本瓶頸。 7月17日，復旦大學周鵬、劉春森團隊在學術期刊《科學》發表最新成果：團隊發明“量子快閃記憶體”技術，研製出具有全球最大非易失量子記憶體窗口的器件，開創單電子量子記憶體理論體系，為量子記憶體工程應用補齊關鍵理論短板。 電子是不可分割的基礎粒子，理論上“一電子、一位元”是記憶體密度的物理極限，但單電子量子效應極難穩定捕捉，長期被學界認定僅停留在理論層面。 該團隊此前已研發400皮秒超快“破曉”器件、“長纓”混合架構快閃記憶體晶片，相關成果入選2025年度中國科學十大進展。此次團隊基於量子力學基本原理，依託二維半導體原子級厚度的電子束縛優勢，設計共面的漏極-溝道-源極“歸壹”結構，首次在27℃室溫環境下觀測到單電子穩定記憶體行為，突破了同類實驗中單電子狀態難以在室溫下穩定保持、量子行為無法清晰觀測的技術瓶頸。

抵達記憶體密度頂峰！中國科學家發明“量子快閃記憶體”技術 作為算力的底層基石，記憶體晶片所帶來的資料互動延時與功耗問題，是阻礙算力提升的根本瓶頸。 7月17日，復旦大學周鵬、劉春森團隊在學術期刊《科學》發表最新成果：團隊發明“量子快閃記憶體”技術，研製出具有全球最大非易失量子記憶體窗口的器件，開創單電子量子記憶體理論體系，為量子記憶體工程應用補齊關鍵理論短板。 電子是不可分割的基礎粒子，理論上“一電子、一位元”是記憶體密度的物理極限，但單電子量子效應極難穩定捕捉，長期被學界認定僅停留在理論層面。

隨著人工智慧技術快速發展，市場對算力的需求越來越大。作為算力的基石，記憶體晶片所帶來的資料互動延時與功耗問題，是制約算力提升的瓶頸，而中國科學家的新發現有望破解這一困局。 近日，復旦大學周鵬-劉春森團隊在室溫單電子非易失性量子記憶體技術上取得突破。該成果不僅打破了量子效應在極低溫下穩定觀測的物理限制，更實現了“單個電子表示一個資訊位元”的物理極限，將記憶體功耗呈幾何級數降低。 這一“換道超車”的原創性成果於台北時間7月17日凌晨2點發表於《科學》（Science）主刊，Science對此給予了評價：“前景廣闊、潛在高影響力，在記憶體物理學和奈米器件工程領域備受關注”；“引入新理論機制（態密度剪刀），使得量子態的工程化操控成為可能”。 周鵬教授接受第一財經採訪時介紹，團隊計畫於今年下半年正式成立初創公司，首期目標是完成基於現有半導體產線改造的晶片驗證。

儲存模組大廠威剛科技近日公佈了2026年6月營收快報，結合4-6月資料來看，頗為亮眼。與此同時，威剛董事長陳立白預警，2026年第三季度記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND Flash）價格將再度大幅上調，兩大產品線漲勢明確，儲存產業的上升通道仍在加速。 威剛6月合併營收達新台幣146.6億元，環比增長13.3%、同比暴漲212%，連續4個月改寫單月曆史新高。 累計第二季（4-6月）合併營收達新台幣381.6億元，環比增長46.1%、同比大漲198.5%，創下單季歷史新高，這已是連續三個季刷新歷史新高。 累計2026年上半年合併營收達新台幣642.7億元，同比大漲183.3%，並已提前超越2025年全年營收的新台幣530.4億元水平，顯示在AI需求帶動下，儲存器產業仍處於上升通道當中，DRAM與NAND Flash（快閃記憶體）價格同步上漲，推升威剛營收規模快速放大。

三星正在為一款全新的M.2 NVMe Gen 4固態硬碟SSD 990做最後的準備。該產品定位入門級市場，與990 EVO Plus、990 PRO形成差異化佈局。 SSD 990採用無獨立DRAM快取方案，依託主機記憶體緩衝技術提升性能。它搭載三星自研主控晶片，介面為PCIe Gen 4 x4。 與990 EVO Plus最大的區別在於快閃記憶體類型，990大機率使用QLC NAND，而EVO Plus採用TLC NAND。 寫入壽命資料進一步佐證了QLC快閃記憶體的判斷。1TB版本標稱寫入壽命為400 TBW，2TB版本為800 TBW。

當地時間7月3日，鎧俠宣佈，其第十代BiCS FLASH 3D NAND晶片已送樣。 據日經新聞報導，鎧俠預計在2027年啟動量產。 第十代NAND是鎧俠迄今技術規格最高的快閃記憶體產品，將應用於資料中心的固態硬碟產品線中，以滿足日益增長的AI儲存需求，並將採用鎧俠位於日本岩手縣北上工廠Fab2的先進裝置進行生產。 鎧俠介紹，通過利用CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術以及OPS（間距選擇柵極漏極）技術，新產品實現了4.8Gb/s的NAND介面速度。與第八代產品相比，性能提升了33%；通過堆疊332層並提高橫向密度，新產品位密度提高了59%（產品密度是指產品內部儲存晶片的密度，而非終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量）；此外，寫入和讀取的功耗效率分別提高了18%和30%，有助於降低資料中心和企業基礎設施的能耗。