#快閃記憶體
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iPhone 18 Pro，驚天劇變

本月18日，iPhone 18 Pro系列正式開售。雷科技（ID：leitech）在Apple Store廣州天環店探訪時發現，iPhone 18 Pro系列首銷當天引來了不少黃牛，但超大杯2TB版基本無人問津。原因倒也不複雜，今年iPhone 18 Pro系列漲價了，大容量版本漲幅尤其大。 （圖源：雷科技） 隨著首批使用者陸續拿到了iPhone 18 Pro系列，部分使用者陸續發現了一個問題：自己多花幾千元買來的1TB、2TB大容量版本，快閃記憶體顆粒反而不如256GB、512GB版。 記憶體測試團隊HOMOLAB把常用的FIO工具移植到iOS，對一台1TB版iPhone 18 Pro Max做了壓力測試，這台手機的快閃記憶體被識別出是QLC。專做手機擴容的博主麥子俊i也統計了手頭上iPhone 18 Pro系列拆出來的顆粒：512GB的3個樣本全是TLC，1TB的24個樣本裡有23個是QLC，2TB的4個樣本全是QLC。
iPhone 18 Pro，驚天劇變
手機#蘋果#iPhone#iPhone18Pro
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長鑫記憶體據報進軍快閃記憶體市場，將挑起與三星、長江儲存的競爭

路透援引三位知情人士透露，長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下，此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著，這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒，正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺，行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示，從供應角度來看，2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年；而集邦諮詢(TrendForce)則預計，NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露，長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示，該公司還在北京設立了一家研究院，其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露，長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫，其中包括一家新成立的初創公司，該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片，用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過，該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行，也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料，按營收計算，三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商，市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二，緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)
科技#長鑫科技#快閃記憶體#三星電子
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TEL 展望未來十年的晶圓鍵合：3D 晶片正從"兩片拼"走向"四片疊"

半導體裝置巨頭東京電子（TEL）在 2026 年 9 月 2 日的投資者路演中，披露了一份晶圓鍵合（Wafer Bonder）技術路線圖。未來十年，3D 晶片的發展方向已經很清楚，鍵合的晶圓數量要變多，對準精度要更嚴，晶圓翹曲和畸變是必須解決的兩大難題。 從兩片到四片，鍵合越來越複雜 路線圖包含Logic、NAND 快閃記憶體和 DRAM 三大產品線，時間延續到十年後。最顯眼的變化在邏輯晶片： 2025–2026 年前後，主要仍是單片或兩片晶圓等級的鍵合應用；
TEL 展望未來十年的晶圓鍵合：3D 晶片正從"兩片拼"走向"四片疊"
科技#TEL#東京電子#3D IC
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韓國巨頭徹底恐慌！長江記憶體太可怕

中國半導體崛起對韓國的威脅已不僅限於壓力，部分領域甚至已經走在韓國前面。 這是因為中國通過大力投資，即便成功機率不高，也在推動新技術的誕生。 最具代表性的就是NAND快閃記憶體。 業內甚至已經出現一種判斷，中韓在NAND快閃記憶體技術上的差距已不復存在。
韓國巨頭徹底恐慌！長江記憶體太可怕
科技#半導體#NAND快閃記憶體#長江存儲
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鎧俠閃迪，投資超5兆

據彭博社報導，鎧俠控股株式會社（Kioxia Holdings Corp.）和閃迪株式會社（SanDisk Corp.）計畫投資超過5兆日元（約合2108億人民幣），以提升在日本的產能，從而提高目前供應短缺的關鍵人工智慧資料中心元件的產量。 鎧俠首席執行長Hiroo Ota周四表示，這家總部位於東京的NAND快閃記憶體製造商計畫在未來六年內完成這筆投資。該公司計畫僅在北上市就投資1.8兆日元新建一座晶圓廠。該工廠將生產其最新的高密度3D快閃記憶體晶片，旨在幫助管理人工智慧服務產生的大量工作流程。 鎧俠的這項投資將與製造合作夥伴閃迪共同進行，反映出全球最大的記憶體晶片製造商面臨著越來越大的壓力，需要提高產量，以緩解全球電子產品成本上漲帶來的供應緊張局面。目前，全球記憶體和記憶體裝置的價格都在攀升，從輝達到汽車製造商和移動裝置製造商等各家公司的利潤空間都受到了擠壓。本周，輝達高管在財報發佈後的簡報會上警告稱，供應緊張和利潤率面臨壓力。 “北上將成為我們尖端NAND快閃記憶體晶片的主要製造中心，”Ota在與日本首相高市早苗會晤後表示，“我們預計北上工廠的業務將實現顯著增長。”
鎧俠閃迪，投資超5兆
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記憶體三巨頭同步擴產，是股民撤退的訊號嗎？

三巨頭爭相擴產 近期，三星電子、SK海力士、美光科技集中公佈大規模擴產計畫，投資重點集中在HBM、伺服器DRAM與企業級NAND快閃記憶體。 三巨頭一再強調新增產能大多鎖定雲廠商長期訂單，而且產能建設周期較長，晶圓廠從土建、裝置搬入偵錯到良率爬坡，需要兩三年甚至四五年時間，同時AI記憶體需求激增，所以短期內供不應求的局面不會改變。 8月13日，SK集團會長崔泰源接受CNBC專訪時更是提出了“記憶體荒”的概念。他預測，2027年缺口最為突出，緊張局面或將延續至2030年。他對記憶體價格的暴漲表示抱歉，但也表示無奈，供應短缺實在太嚴重了。
記憶體三巨頭同步擴產，是股民撤退的訊號嗎？
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三星和SK海力士，在中國大力擴產

據航美報導，韓國國記憶體器企業正加大對中國NAND快閃記憶體生產基地的投資。三星電子已敲定今明兩年在國內投資建設最先進的NAND快閃記憶體轉換工廠的計畫。SK海力士也計畫從今年下半年到明年，確保每月3萬片晶圓的產能。 據業內人士24日透露，三星電子和SK海力士計畫明年在中國積極推進NAND快閃記憶體大規模生產線的設施投資。 自今年上半年以來，三星電子一直在其位於中國西安的X2生產線上進行V9 NAND快閃記憶體的改造投資。三星電子的V9 NAND快閃記憶體是一款採用280個堆疊單元的先進產品，預計每月產能可達4萬至5萬片晶圓。 據報導，三星電子正在敲定追加投資計畫，以加強其晶圓廠的V9 NAND快閃記憶體產能。該計畫的核心是引進額外的蝕刻工藝裝置，而蝕刻工藝是NAND快閃記憶體製造的關鍵環節。
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美光反超鎧俠：NAND市場份額升至15.1%，全球第三

TrendForce公佈的2026年第二季度資料顯示，美光NAND收入達到118.5億美元，環比增長99.2%，市場份額由第一季度的13.9%升至15.1%不僅創下前五大廠商中最快的收入增速，也超過鎧俠，升至全球第三。 2026年第二季度全球NAND快閃記憶體前五大廠商營收排名，三星230.593億美元環比增70.7%份額29.3%居首，SK海力士集團142.729億美元環比增89.5%份額18.2%，美光118.5億美元環比大增99.2%份額升至15.1%反超鎧俠。資料來源：TrendForce。 鎧俠同期收入為107.23億美元，環比增長79.9%，份額卻由13.9%降至13.6%。兩家公司第一季度收入都在59.5億美元附近，幾乎處於同一起跑線； 美光與鎧俠NAND營收對比，第一季度兩家同為59.5億美元起點，第二季度美光升至118.5億美元，鎧俠為107.23億美元，份額分別變為13.9%升至15.1%與13.9%降至13.6%，相同起點下增速差距拉開排名。資料來源：TrendForce。
美光反超鎧俠：NAND市場份額升至15.1%，全球第三
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