儲存模組大廠威剛科技近日公佈了2026年6月營收快報，結合4-6月資料來看，頗為亮眼。與此同時，威剛董事長陳立白預警，2026年第三季度記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND Flash）價格將再度大幅上調，兩大產品線漲勢明確，儲存產業的上升通道仍在加速。 威剛6月合併營收達新台幣146.6億元，環比增長13.3%、同比暴漲212%，連續4個月改寫單月曆史新高。 累計第二季（4-6月）合併營收達新台幣381.6億元，環比增長46.1%、同比大漲198.5%，創下單季歷史新高，這已是連續三個季刷新歷史新高。 累計2026年上半年合併營收達新台幣642.7億元，同比大漲183.3%，並已提前超越2025年全年營收的新台幣530.4億元水平，顯示在AI需求帶動下，儲存器產業仍處於上升通道當中，DRAM與NAND Flash（快閃記憶體）價格同步上漲，推升威剛營收規模快速放大。

三星正在為一款全新的M.2 NVMe Gen 4固態硬碟SSD 990做最後的準備。該產品定位入門級市場，與990 EVO Plus、990 PRO形成差異化佈局。 SSD 990採用無獨立DRAM快取方案，依託主機記憶體緩衝技術提升性能。它搭載三星自研主控晶片，介面為PCIe Gen 4 x4。 與990 EVO Plus最大的區別在於快閃記憶體類型，990大機率使用QLC NAND，而EVO Plus採用TLC NAND。 寫入壽命資料進一步佐證了QLC快閃記憶體的判斷。1TB版本標稱寫入壽命為400 TBW，2TB版本為800 TBW。

當地時間7月3日，鎧俠宣佈，其第十代BiCS FLASH 3D NAND晶片已送樣。 據日經新聞報導，鎧俠預計在2027年啟動量產。 第十代NAND是鎧俠迄今技術規格最高的快閃記憶體產品，將應用於資料中心的固態硬碟產品線中，以滿足日益增長的AI儲存需求，並將採用鎧俠位於日本岩手縣北上工廠Fab2的先進裝置進行生產。 鎧俠介紹，通過利用CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術以及OPS（間距選擇柵極漏極）技術，新產品實現了4.8Gb/s的NAND介面速度。與第八代產品相比，性能提升了33%；通過堆疊332層並提高橫向密度，新產品位密度提高了59%（產品密度是指產品內部儲存晶片的密度，而非終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量）；此外，寫入和讀取的功耗效率分別提高了18%和30%，有助於降低資料中心和企業基礎設施的能耗。

鎧俠社長：資料中心建設沒有放緩 2026年7月3日，鎧俠在岩手縣北上工廠舉行面向媒體的說明會與參觀活動，並宣佈開始交付第十代BiCS FLASH樣品。 BiCS FLASH第8代至第10代晶圓實物對比展示。資料來源：鎧俠官方資料 與普通新品發佈不同，這次活動同時釋放了產品、產能和業務轉型三層訊號：第十代3DNAND將使用北上工廠第二製造棟K2的最新裝置生產；

引言💬 過去十年快閃記憶體行業的競賽主題只有一個詞：容量。誰的晶片堆疊層數更多、誰的單位成本更低，誰就贏。但2026年這場競賽的規則已經徹底改寫。當AI模型開始下沉到手機、汽車、工業裝置這些邊緣終端，快閃記憶體不再是一個"倉庫"，而是變成了系統能不能跑得動AI的決定性瓶頸 MIPI聯盟在2026年6月26日發佈了兩項關鍵規範的重大升級——M-PHY v6.0與UniPro v3.0，JEDEC同步推出的UFS 5.0標準則站在這兩項底層規範之上，構成了下一代嵌入式快閃記憶體儲存的完整技術堆疊。這不是一次簡單的參數刷新，而是快閃記憶體行業第一次把頻寬、延遲、可靠性、容量、成本這五個維度放在同等重要的位置上來設計。 一、為什麼"邊緣AI"逼著快閃記憶體必須變

SK海力士計畫在忠清地區投資100兆韓元，建立NAND快閃記憶體生產基地和先進封裝基地。該公司認為，隨著人工智慧（AI）服務的普及，不僅對高頻寬記憶體（HBM）、伺服器DRAM，而且對企業級固態硬碟（SSD）和NAND快閃記憶體的需求都在增長，因此計畫將清州打造為新的投資中心。 SK海力士首席執行長兼總裁郭魯正於2日出席了在忠清南道三星顯示器峨山園區舉行的“忠清地區先進產業發展願景國家簡報會”，並公佈了包含上述細節的“忠清地區半導體和人工智慧投資計畫”。郭魯正總裁宣佈該計畫後，SK海力士通過其新聞中心進一步闡述了在忠清地區建設清州M17晶圓廠、P&T7工廠以及人工智慧資料中心的計畫。 SK海力士將在清州投資100兆韓元。其中80兆韓元將用於建設M17工廠，該工廠將生產NAND快閃記憶體；另外20兆韓元將用於建設P&T7工廠及其他先進封裝設施。M17工廠計畫於明年開工建設，目標是在2029年上半年投產。P&T7工廠預計將於2027年底竣工，屆時將成為先進封裝中心。 郭社長表示：“NAND快閃記憶體的需求正在迅速增長，但供應不足，因此一定規模的擴張勢在必行。”他還補充道：“清州是建設NAND快閃記憶體工廠最快捷、最高效的地方。”

十幾年年前，當 NAND 快閃記憶體跨入 3D 時代，人們看著32層、48層的晶片結構，驚嘆於工程師在微觀世界蓋起的高樓。而今天，三星、SK海力士、美光等巨頭已經在 300層的雲端激烈廝殺。然而，這遠遠不是終點。行業內開始流傳一個近乎瘋狂的數字——1000層。 在一塊指甲蓋大小的矽片上，垂直堆疊上千層原子級薄膜，並在其中穿透數以百億計、長徑比極其誇張的“摩天大樓”通道。這聽起來像是一部科幻小說，但在摩爾定律逐漸失效的今天，它正成為全球儲存半導體巨頭們心照不宣的終極底牌。 把快閃記憶體堆到1000層，到底需要經歷怎樣的“微觀基建”狂魔式改造？我們來看一下三星和閃迪在VLSI 2026上的分享。 三星的1000層NAND演進