中國模擬晶片迎來升維關鍵時刻

企業上半年財報顯示，2025年，模擬晶片正走出周期性低谷，加快復甦步伐。面向人工智慧、汽車電動化、通訊技術演進、太陽能技術升級等一系列新興場景，中國廠商正在從產品性能、工藝協同、設計方法學、封裝等多個維度開展創新，逐步向市場參與度不足的高端領域滲透。

走出V型低谷，新興動能顯現

模擬晶片全球市場規模在2022年達到近年來的高點之後，走出了一條“V型”曲線。WSTS（世界半導體貿易統計組織）歷年資料顯示，2023-2024年，模擬IC市場規模逐年下滑，但2024年的降幅較2023年縮小。2025年上半年，模擬IC市場規模溫和復甦4%，預計全年同比增長3.3%，2026年預計增幅進一步增長至5.1%。

人工智慧被視為拉動模擬晶片需求回暖的新興動能。

在雲端AI的部署中，AI伺服器、AIDC（AI資料中心）等算力基礎設施，正面臨嚴峻的能耗挑戰，對電源管理晶片等模擬IC的用量和性能要求持續提升。納芯微在2025年中報中表示，AI伺服器因其超高算力密度、平行處理架構與嚴苛能效要求，對模擬晶片產生了遠超傳統伺服器的需求，例如高密度供電、高速資料採集與傳輸對電源管理晶片、訊號鏈晶片需求較大。

端側AI同樣開闢了模擬IC的增量空間。艾為電子2025年中報顯示，智慧型手機、智能駕駛汽車、平板電腦等終端裝置的智能化升級，需要更高效的電源管理晶片來支援高性能計算和長時間使用。此外，終端裝置搭載的感測器數量以及傳輸資料量持續增加，也需要通過模擬晶片進行處理和傳輸，對高性能、低功耗模擬晶片的需求也在增長。

汽車的電動化、智能化趨勢，在提升單車模擬IC用量的同時，催生了新的技術方向。傳統燃油車模擬晶片耗用量約160顆，而純電動車因BMS(電池管理)、OBC(車載充電)、DC-DC轉換、電機驅動等模組需求，晶片耗用量可達到翻倍以上。

“以前汽車電源主要是DC-DC（直流-直流轉換器）、LED驅動等，現在出現了專門的BMS（電池管理系統）晶片，部分企業靠著快充技術實現突破。汽車的智能化還會帶來新的需求，比如車規級感測器、車載網路晶片等，以前汽車裡很少有這類產品，現在已經成為標配。”納芯微技術創新中心負責人馬紹宇向《中國電子報》記者表示。

在通訊領域，除了5G技術演進拉動了基站和終端對模擬晶片的需求，光模組也成為新的增長點。思瑞浦在2025年半年度業績說明會表示，隨著無線基站客戶需求逐步恢復，AFE等核心產品份額擴大，客戶拓展順利推進，2025年上半年光模組收入同比接近翻倍。

此外，太陽能技術升級、機器人加速產業化、醫療健康領域對感測器產品的需求增長等新趨勢，都為模擬晶片注入動能，加速景氣復甦態勢。

高端領域待突圍，產品矩陣與生態仍需完善

模擬晶片具有性能指標複雜，設計環節輔助工具少、經驗要求高、操作非標準、多學科復合、測試周期長等特點，技術門檻和人才要求極高。近年來，國內模擬晶片廠商在產品性能、品質控制和客戶服務等方面持續提升，但在市場拓展、產品線、人才、生態等方面，仍與國際領軍企業存在差距。

首先是高端領域有待突圍。在工業、汽車及高端消費電子等領域，國內模擬晶片企業的市場參與度仍需提升。根據Frost&Sullivan資料，2024年中國模擬晶片CR10（行業前十名市場佔有率）佔比38.1%，其中海外廠商佔比達33%；而在汽車模擬晶片這一細分領域，CR10佔比則為86.1%，其中海外廠商佔比達84.3%。

其次是產品矩陣不夠完備。艾為電子在2025年中報的經營風險部分提到，相較於公司現有1500余種晶片產品型號，同行業積體電路國際巨頭擁有上萬種晶片產品型號，涵蓋了下游大部分應用領域，“一旦國際巨頭企業採取強勢的市場競爭策略，將會對公司造成競爭壓力”。

模擬晶片技術要求高、“吃經驗”的特點，使產業對高端人才的需求更加迫切。德邦證券研報指出，高端模擬晶片的設計有很高的技術壁壘，任何一點小小的突破都需要付出很大的努力。以家電為例，要充分考慮高參數降額、全面應力控制、多重負載控制、多區域控制、復位等問題。而中國大陸晶片行業起步晚，人才儲備量不足，需要國內模擬晶片廠商進行大量研發投入。

此外，模擬IC企業和產業的生態建設仍待加強。業內專家指出，模擬受生態的影響沒有數字晶片大，但也造成了國內模擬晶片企業數量多、缺乏頭部企業，“小散”企業產品數量不足，難以在各自方案上產生協同。

圍繞新興場景核心維度，把握重點創新方向

在應用場景與市場空間的雙重驅動下，國內企業亟需把握切入新興場景的窗口期，根據最新技術需求調整研發方向，並在工藝開發、系統級封裝等方面與產業鏈上下游形成更加緊密的協作。馬紹宇向記者表示，模擬晶片的創新發展有圍繞應用場景、推動工藝演進、設計方法學革新三個重點方向。

關注新興應用場景，是把握模擬晶片技術趨勢並驅動技術創新的核心。馬紹宇為記者舉了一個例子，AI的爆發，帶動了伺服器和資料中心領域的需求增長，而資料中心對電源的要求有兩個核心維度：一是功率密度，資料中心對體積要求高，需要在有限空間內實現更高功率；二是功率效率，以降低能耗成本。

“多年來，電源管理晶片一直在追求更高的功率密度和效率，比如以前1000瓦的電源需要很大體積，現在小型化程度大幅提升；碳化矽、氮化鎵等寬禁帶半導體材料的應用，也是為瞭解決能量效率和密度的問題。”馬紹宇表示，“所以圍繞新興應用的功率器件革新、電路拓撲最佳化、封裝技術升級，會是重要趨勢。”

在工藝方面，BCD（雙極-CMOS-DMOS混合工藝）是當前模擬IC行業的主流工藝。在此基礎上，納芯微、恩瑞浦、艾為電子等模擬IC企業，正在推進COT（客戶自有工具）工藝，加強與代工企業的協同，更好地最佳化、定製晶片。思瑞浦在中報提到，加快推進含有自有工藝能力的12寸COT產線的建設，提升晶圓端產能自主和成本競爭力。艾為電子表示，COT工藝在報告期內取得突破性進展，大幅提升了產品核心工藝競爭力。馬紹宇表示，目前模擬工藝有三個主要趨勢。一是電壓更高，汽車領域的48伏系統、800伏高壓電池，都是為了實現“輕量化、高扭矩”的目標，驅動模擬工藝向更高電壓方向發展，這也是納芯微推進COT工藝的初衷之一。二是功率密度更高，晶片能處理的電流更大，這是納芯微開發定製化工藝的重要原因；三是晶片尺寸更小，除了BCD工藝，特色工藝的整合也是重要趨勢，比如整合霍爾元件、磁阻元件等，能提升晶片的整合度和性能。

在設計方法學方面，協同模擬能力將成為重要趨勢，能大幅提升前期驗證的充分性，降低研發成本，保證研髮質量。“我們在工程模擬領域還在建構‘從系統、封裝到晶片’的協同模擬能力，在設計早期就能評估EMI（電磁干擾）、可靠性、熱效率等關鍵指標，把問題解決在前期，減少後續迭代次數。雖然這一趨勢在模擬晶片領域不是特別顯性，但我認為這是未來的重要方向，如果在協同模擬等設計方法學上落後，可能會被同行彎道超車。”馬紹宇說道。 (中國電子報)