最新DRAM/NAND/HBM行業研究報告，AI大模型驅動下需求爆發

分享一份2025年8月的儲存行業的證券研究報告，核心圍繞AI大模型驅動下的儲存需求爆發，全面探討了儲存行業的新成長周期，覆蓋了儲存器市場格局、DRAM與HBM技術演進、NAND快閃記憶體層數突破、行業競爭態勢以及產業鏈投資機會。資料來源權威，包括WSTS、TrendForce、CFM快閃記憶體市場等機構。

報告主要內容

儲存器行業概覽與市場格局

• DRAM技術演進
• NAND快閃記憶體發展
• 投資建議與公司聚焦

關鍵資訊摘錄

1 全球半導體及儲存晶片銷售情況一覽

該圖表將全球半導體全行業銷售額與儲存晶片銷售額的波動進行對比，直觀地顯示出儲存晶片的波動幅度遠大於半導體整體市場。在行業上行期，儲存廠商的業績彈性極大（如2024年DRAM市場同比增幅高達66.1%）；反之，在下行期則面臨嚴峻挑戰。

2 HBM技術演進路徑

報告提到HBM的幾個發展趨勢，從HBM4到HBM8，頻寬將從2.0 TB/s提升至驚人的64 TB/s，單顆HBM容量將從36/48 GB增至200/240 GB。這種指數級增長是支撐AI大模型持續演進的根本前提。從2029年HBM5開始採用4,096個I/O介面，以及從2032年HBM6開始應用Bump-less Cu-Cu Direct bonding等先進封裝技術。SK海力士已向輝達小批次供應HBM4，憑藉技術領先優勢，在2025年Q1首次超越三星，登頂DRAM市場。

3 3D NAND千層技術路線圖

報告梳理了三星、鎧俠/西部資料、美光、SK海力士和長江儲存五大核心玩家的具體層數演進路線圖，NAND快閃記憶體進入“千層時代”的競賽，各原廠已在2024年量產276~321層的第九代3D NAND產品。SK海力士量產了“4D NAND”，將外圍電路置於儲存單元之下，進一步減小晶片面積，提升儲存密度和降低成本。層數的不斷提升，意味著未來單位容量的SSD價格將持續下降，從而推動AI訓練和推理中大量資料儲存成本的降低，加速AI應用在更廣泛領域的落地。

4 產業鏈核心公司分析

報告對十余家產業鏈上下游公司進行了有針對性的業務剖析，覆蓋了從IDM廠商（長江儲存、長鑫儲存）、晶片設計（瀾起科技的記憶體介面晶片、兆易創新的儲存+MCU、聯芸科技的主控晶片、普冉股份的NOR Flash）、模組製造與品牌（江波龍、佰維儲存）、到分銷與產業鏈服務（香農芯創）等各個環節，突出每家公司的核心競爭力。

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(銳芯聞)