中芯國際28nm製程產線擴建

錯過了一條昨天的訊息，10 月17 日，中芯國際宣佈啟動北京亦莊28nm 成熟製程產線擴建，年產能增加10 萬片，重點保障汽車電子和工業控制晶片供應。

本次擴建是中芯國際"中芯京城" 計畫的重要組成部分。本計畫總投資不低於500 億元，由中芯國際（持股51%）、北京亦莊國投（24.51%）及國家大基金二期（24.49%）共同出資。其中，北京亦莊28nm 產線首期投資76 億美元，原計劃2024 年完工，但因美國出口管制導致設備交付延遲。此次擴建後，該產線年產能將達到120 萬片（月產能10 萬片），成為國內最大的28nm 邏輯晶片生產基地之一。

中芯國際28nm 產線已大量採用國產設備，2025 年國產化率預估達35%。其中，中微公司的Primo AD-RIE™刻蝕設備用於32-28nm 工藝，北方華創的薄膜沉積設備進入產線驗證。上海微電子的SSA800 光刻機實現28nm 解析度量產，套刻精度達8nm，已進入臨港工廠產線，未來可望應用於亦莊擴建工程。

西隴科學的光阻配套試劑（顯影液、剝離液）經中芯國際28nm 製程驗證，實驗室實現6.0μm 線寬突破，打破日美壟斷。安集科技的拋光材料、滬矽產業的矽片等國產材料也正在加速替代進口。

28nm 製程包含低功耗（LP）、高效能（HP/HPC）等多個子版本，可靈活適配不同場景：期中LP 版本：用於物聯網感測器、藍牙晶片等，功耗較40nm 降低30%-50%。而HPC 版本：支援伺服器CPU、FPGA 等高效能運算，電晶體密度較40nm 提升2 倍。

中芯國際透過自對準四重曝光（SAQP）技術，在28nm 設備上實現7nm 等效性能，良率達85%，接近台積電7nm 水準。

重要的目標客戶是重點供應新能源汽車電池管理系統（BMS）、自動駕駛輔助系統（ADAS）等晶片。例如，恩智浦的28nm 雷達單晶片支援300 公尺檢測距離，已應用於特斯拉、比亞迪等車企。

工業控制領域涵蓋工業機器人控制模組、智慧電網設備等，需求穩定性強，生命周期超過10 年。消費性電子方向，繼續為高通生產驍龍425 等28nm 處理器，同時承接華為海思的射頻晶片訂單。

對於國產供應鏈來說，雖然美國對華技術制裁重心轉向5nm 以下先進製程，28nm 設備進口限制相對寬鬆。中芯國際抓住窗口期，在18 個月內完成28nm 產線全面國產化替代，實現車規級晶片自給率94%。此次擴建後，可進一步減少對台積電、三星的依賴，保障供應鏈安全。

另外中芯國際在上海臨港、深圳坪山、天津等地同步推動28nm 擴產，形成全國產能網絡。例如，天津12 吋廠規劃月產能10 萬片，聚焦汽車電子和物聯網；上海臨港廠採用"雙子星" 設計，支援更高產能密度。

2025 年中芯國際28nm 產能佔全球30%，預計2026 年達35%，成為該節點最大供應商。此舉將重塑產業定價權，削弱台積電、三星在成熟過程的議價能力。

擴建工程預計為國產設備廠商帶來超92 億元訂單，推動北方華創、中微型公司等企業技術升級。同時，透過"設計- 製造- 封測" 協同創新，長電科技的3nm 先進封裝技術可與中芯28nm 製程結合，實現異構整合解決方案。

GM尚未成功

台積電計劃2026 年量產2nm 工藝，而中芯國際7nm 等效技術尚未實現大規模商用。需持續加大研發投入（2025 年研發佔比超30%），加速N+1/N+2 製程研發。

由於28nm 製程單晶圓成本較EUV 製程高25%-30%，需透過規模化生產（2025 年總產能目標200 萬片/ 月）及高附加價值產品（如車規晶片）提升毛利率。

儘管美國目前暫時放寬28nm 設備管制，但未來可能擴大製裁範圍。中芯國際需進一步完善"去美國化" 供應鏈，例如引進日本愛發科的真空設備、德國通快的雷射加工系統。

中芯國際北京亦莊28nm 擴產是其"成熟過程反制先進封鎖" 戰略的關鍵一步，透過產能擴張、技術優化和供應鏈自主化，既滿足國內新能源汽車、工業自動化等領域的爆發式需求，又構建抵禦地緣政治風險的"安全墊"。此舉不僅鞏固中芯國際全球第三大晶圓代工廠的地位，更將推動中國半導體產業從"替代進口" 向"技術引領" 躍遷。建議持續關注國家大基金投資動向、ASML 設備出口政策及中芯國際先進製程研發進展。 （IT前哨站）