錯過了一條昨天的訊息，10 月17 日，中芯國際宣佈啟動北京亦莊28nm 成熟製程產線擴建，年產能增加10 萬片，重點保障汽車電子和工業控制晶片供應。本次擴建是中芯國際"中芯京城" 計畫的重要組成部分。本計畫總投資不低於500 億元，由中芯國際（持股51%）、北京亦莊國投（24.51%）及國家大基金二期（24.49%）共同出資。其中，北京亦莊28nm 產線首期投資76 億美元，原計劃2024 年完工，但因美國出口管制導致設備交付延遲。此次擴建後，該產線年產能將達到120 萬片（月產能10 萬片），成為國內最大的28nm 邏輯晶片生產基地之一。中芯國際28nm 產線已大量採用國產設備，2025 年國產化率預估達35%。其中，中微公司的Primo AD-RIE™刻蝕設備用於32-28nm 工藝，北方華創的薄膜沉積設備進入產線驗證。上海微電子的SSA800 光刻機實現28nm 解析度量產，套刻精度達8nm，已進入臨港工廠產線，未來可望應用於亦莊擴建工程。圖示為SSA600西隴科學的光阻配套試劑（顯影液、剝離液）經中芯國際28nm 製程驗證，實驗室實現6.0μm 線寬突破，打破日美壟斷。安集科技的拋光材料、滬矽產業的矽片等國產材料也正在加速替代進口。28nm 製程包含低功耗（LP）、高效能（HP/HPC）等多個子版本，可靈活適配不同場景：期中LP 版本：用於物聯網感測器、藍牙晶片等，功耗較40nm 降低30%-50%。而HPC 版本：支援伺服器CPU、FPGA 等高效能運算，電晶體密度較40nm 提升2 倍。中芯國際透過自對準四重曝光（SAQP）技術，在28nm 設備上實現7nm 等效性能，良率達85%，接近台積電7nm 水準。重要的目標客戶是重點供應新能源汽車電池管理系統（BMS）、自動駕駛輔助系統（ADAS）等晶片。例如，恩智浦的28nm 雷達單晶片支援300 公尺檢測距離，已應用於特斯拉、比亞迪等車企。工業控制領域涵蓋工業機器人控制模組、智慧電網設備等，需求穩定性強，生命周期超過10 年。消費性電子方向，繼續為高通生產驍龍425 等28nm 處理器，同時承接華為海思的射頻晶片訂單。對於國產供應鏈來說，雖然美國對華技術制裁重心轉向5nm 以下先進製程，28nm 設備進口限制相對寬鬆。中芯國際抓住窗口期，在18 個月內完成28nm 產線全面國產化替代，實現車規級晶片自給率94%。此次擴建後，可進一步減少對台積電、三星的依賴，保障供應鏈安全。另外中芯國際在上海臨港、深圳坪山、天津等地同步推動28nm 擴產，形成全國產能網絡。例如，天津12 吋廠規劃月產能10 萬片，聚焦汽車電子和物聯網；上海臨港廠採用"雙子星" 設計，支援更高產能密度。2025 年中芯國際28nm 產能佔全球30%，預計2026 年達35%，成為該節點最大供應商。此舉將重塑產業定價權，削弱台積電、三星在成熟過程的議價能力。擴建工程預計為國產設備廠商帶來超92 億元訂單，推動北方華創、中微型公司等企業技術升級。同時，透過"設計- 製造- 封測" 協同創新，長電科技的3nm 先進封裝技術可與中芯28nm 製程結合，實現異構整合解決方案。GM尚未成功台積電計劃2026 年量產2nm 工藝，而中芯國際7nm 等效技術尚未實現大規模商用。需持續加大研發投入（2025 年研發佔比超30%），加速N+1/N+2 製程研發。由於28nm 製程單晶圓成本較EUV 製程高25%-30%，需透過規模化生產（2025 年總產能目標200 萬片/ 月）及高附加價值產品（如車規晶片）提升毛利率。儘管美國目前暫時放寬28nm 設備管制，但未來可能擴大製裁範圍。中芯國際需進一步完善"去美國化" 供應鏈，例如引進日本愛發科的真空設備、德國通快的雷射加工系統。中芯國際北京亦莊28nm 擴產是其"成熟過程反制先進封鎖" 戰略的關鍵一步，透過產能擴張、技術優化和供應鏈自主化，既滿足國內新能源汽車、工業自動化等領域的爆發式需求，又構建抵禦地緣政治風險的"安全墊"。此舉不僅鞏固中芯國際全球第三大晶圓代工廠的地位，更將推動中國半導體產業從"替代進口" 向"技術引領" 躍遷。建議持續關注國家大基金投資動向、ASML 設備出口政策及中芯國際先進製程研發進展。 （IT前哨站）

據NRC報導，現年43 歲的俄羅斯工程師German A. 被指控秘密向俄羅斯提供ASML、NXP 和TSMC 的敏感技術資訊，據稱是為了幫助俄羅斯建造一座28nm 晶圓廠。他的非法收入約為40,000 歐元，目前面臨18 至32 個月的監禁。儘管German A. 一個人無法竊取半導體的完整設計，但一個協調一致的團體可能會協助俄羅斯的半導體生產。德國人A.被指控向俄羅斯提供ASML、GlobalFoundries、NXP、台積電和GlobalFoundries的機密技術資料，包括半導體生產手冊和各種晶片製造機器。據報導，調查人員發現他獲得了ASML的105份內部檔案和88份與台積電有關的檔案。這些材料並不包含製造晶圓製造裝置的完整藍圖或更重要的內容（例如，晶圓廠本身或如何設計工藝技術）。儘管如此，它們仍被標記為機密，可以支援建立一條基本的半導體生產線，該生產線能夠以28nm 級工藝技術生產晶片，這足以用於軍事應用。調查人員認為，他透過雲端儲存和訊息應用程式分享了這些資料，並在莫斯科交出了一個U 盤，據稱在此過程中賺了大約40,000 歐元。據報導，德國A. 還涉嫌試圖獲取化學氣相沉積工具，可能是為了裝備俄羅斯未來的晶片工廠。然而，據報導，該工具最初被轉運到以色列，但從未交付。2024 年8 月，德國A. 在收到國家情報機構的報告後被拘留。一個月後，ASML 和NXP 正式獲悉間諜嫌疑。他的案件目前正在法庭審理中，當局懷疑他與俄羅斯情報部門有聯絡。兩家公司都參與了調查，並已對這名前僱員提出投訴。雖然德國間諜A 不可能竊取在俄羅斯建造一座功能齊全的半導體生產設施所需的所有工具的藍圖，但此類間諜網路卻有可能完成這項任務，並恢復敵對國家的半導體生產。在2024 年被捕之前，德國人A 在半導體開發和生產行業工作多年。 2008 年和2009 年，他在比利時研究中心Imec 實習。之後，他加入了希臘研究機構NCSR，後來開始在GlobalFoundries 位於德勒斯登的工廠Fab 1 工作。 （半導體材料與工藝裝置）

“將全年營收的94%投入擴產”——2025年2月，中芯國際宣佈再投75億美元（約544億元人民幣）。這一數字不僅刷新了中國半導體企業的單年投資紀錄，更意味著這家成立僅25年的代工企業，正在用近乎“孤注一擲”的姿態挑戰全球晶片產業的固有格局。從2024年全球第三到2025年劍指第二，中芯國際的崛起已不僅僅是一個產業競爭，而是一場關乎國家科技主權的戰略突圍。 實際上中芯國際的75億美元投資計畫，如同一把利劍，直指技術突破與產能擴張兩大核心目標。具體而言，這筆資金將主要用於以下三大方面： 一、產能擴張：28nm成熟製程的“飽和式攻擊” 中芯國際將繼續鞏固並擴大其在28納米及以上成熟製程的產能優勢，滿足物聯網、汽車電子等領域日益增長的晶片需求。具體來說：

總結一下。張忠謀在這個採訪中的一些關鍵分享： 黃仁勳與張忠謀結識是通過一封信，當時的黃面臨公司破產威脅，在與台積電美國銷售聯絡無果之後，他與張忠謀寫信聯絡，並最終力挽狂瀾。 台積電在40nm的時候曾經給輝達帶來了巨大損失，張忠謀給黃仁勳和輝達一大筆賠償，才讓雙方握手言和。 在2000年左右的經濟危機旗艦，時任台積電CEO的蔡力行採取了績效考核的方式裁了幾百名員工，這種行為張忠謀非常不喜歡，且這個操作引發了員工去到張忠謀家附近聚集並討說法。

“回想起來，前二、三十年，我們享受了一個難得的、平靜的，美好的全球化時代。” 一位半導體裝置行業老兵這樣總結2024，他的感嘆某種程度上反映了行業真實體感。 從宏觀環境看，橫亙在中國半導體製造業的這場“沒有硝煙的科技戰”，正逐步走入“深水區”。 與兩年前的晶片法案清單相比，來自美方的禁令，正在圍繞半導體生態鏈層層加碼、愈演愈烈；而中國在這場關於先進科技的競爭中，也不再只是被動接招。 從行業協會集體發聲，到輝達涉嫌違反反壟斷法被立案調查，作為全球最大的晶片市場之一，中國大陸龐大的生意需求和國產材料、裝置等技術的不斷突破，也正在轉化為對抗單邊制裁的武器。

隨著中國晶片行業的快速發展，28nm晶片製造領域迎來了新的變局。 繼中芯國際之後，中國大陸又有一家企業成功進入28nm晶片量產階段，這就是晶合整合。 這則消息無疑讓國產晶片行業為之一振，畢竟28nm雖然不是當今最尖端的工藝，但其市場需求依然龐大。 晶合整合不僅通過了28nm晶片的功能性驗證，還成功點亮了終端產品，進入量產已經指日可待。

根據集微網報導，8月1日，一家註冊地在美國的公司Advanced Integrated Circuit Process LLC（簡稱 "AICP "）向美國德州東區地方法院對台灣地區的台積電公司發起了專利侵權訴訟，指控後者侵犯七件積體電路相關專利。 根據起訴書顯示，AICP認為台積電為飛思卡爾（現為恩智浦）生產了HMP工藝產品、為聯發科生產了28nm節點的工藝產品；以及台積電為蘋果A15 Bionic半導體器件生產使用FinFET的5，7，10，16 nm節點工藝產品，都侵犯了其專利。 從AICP起訴的策略可以看出，此次訴訟用六件專利指向了台積電28nm工藝，應該是此次維權的主力軍。另有一件專利US8,796,779指向了台積電使用的FinFET技術的5、7、10和16納米工藝，可以認為是策應。 起訴書中提到，台積電在2022年時，曾鼓勵客戶放棄舊節點轉向28nm節點，其中提到有一篇 "台積電致函客戶：是時候停止使用舊節點並轉向28納米了 "的新聞報導。另外，在台積電2022年分析師電話會議上，台積電首席執行官曾表示28納米節點是台積電的 "甜蜜點"。 (大話晶片)

28納米光刻機採用浸潤式技術，是一個重要的里程碑式技術突破。浸潤式技術（Immersion Lithography）通過將光刻過程中的空氣介質取代為液體，通常是水，來提高光刻的解析度。這種技術利用了液體的折射率高於空氣的特性，使得光源的有效波長縮短，從而達到更高的解析度和更小的特徵尺寸。 浸潤式技術的引入，使得28納米節點成為半導體製造中的一個關鍵進步。因為它允許使用現有的深紫外光（DUV）光刻機來製造更小尺寸的電路，而不是必須轉向極紫外光（EUV）光刻技術。這意味著，對於那些還未計畫進行昂貴的EUV技術路線投資的公司來說，可以繼續使用DUV技術，同時達到更高的整合度和性能。 浸潤式技術的成功應用也為後續的工藝節點，如20納米、14納米、7納米甚至5納米節點的發展鋪平了道路。這些更先進的節點繼續使用浸潤式技術，但通常會結合其他技術，如多重曝光或多重圖案化，來進一步提高解析度和減小特徵尺寸。 中國在28納米浸潤式光刻機領域的突破，標誌著其在半導體製造技術上取得了重要進展。上海X電子（防止X）展示的國內首台28納米浸潤式光刻機，不僅是中國光刻機產業的一次階段性勝利，也是向全球宣告中國在高端製造的舞台上的身影愈發挺拔，能夠完全依靠自己解決半導體卡脖子的問題。28nm光刻機被視為一個重要的技術突破節點，因為它代表了半導體製造技術的一個關鍵進步。