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儲存晶片“超級周期”，真的來了？
近期，全球儲存晶片市場持續釋放積極信號。
三星、美光、SK海力士等產業巨頭相繼宣佈提價，DRAM產品漲幅普遍達15%-30%，NAND閃存價格亦上調5%-10%，部分廠商甚至暫停報價以應對供應緊張；從市場端看，DDR4內存半年供累計超200%，HDD、SAI、HBM等產品不應陷入需求累計。
與此同時，資本市場反應熱烈，美光近一個月股價漲約60%，鎧俠、閃迪漲幅超100%，A股相關概念股也隨之拉升，展現市場對儲存類股的強烈信心。
在此背景下，摩根士丹利研報指出，AI驅動下存儲行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的“超級周期”，到2027年全球存儲市場規模有望向3000億美元邁進，存儲晶片行業或正迎來新一輪產業周期的起點。
01. 半導體行業“風向標”，邏輯生變
儲存晶片作為半導體行業的“風向標”，其周期性波動始終是觀察產業景氣度的關鍵窗口。
復盤近十年來三輪核心周期可見，儲存產業的典型周期時長約為3-4年，且每一輪周期都由不同需求與技術變革驅動：
- 2016-2019年，DDR4技術迭代疊加手機遊戲需求爆發，推動儲存價格累計漲幅超100%；
- 2020-2023年，全球疫情催生的遠端辦公與資料中心需求先拉動價格上漲，後又因需求疲軟與產能過剩陷入調整，累計跌幅超50%；
- 2024年至今，AI算力基建與HBM技術革命成為新引擎，直接改寫了傳統周期邏輯。
需要注意的是，與前兩輪周期不同，本輪上行不再依賴個人消費端需求，而是以企業級AI資本開支為核心——HBM價格年內暴漲500%，DDR4價格漲幅超50%，高端存儲產品“量價齊升”的同時，利基市場國產替代也在加速。
更關鍵的是，AI數據中心對儲存產能的“吞噬式需求”，讓全產業鏈呈現罕見的全品類普漲態勢：從消費級NVMe SSD、DDR4內存條，到企業級存儲系統與大容量HDD，價格同步攀升。
這種結構性變化正在重塑儲存產業的傳統周期模型。根據CFM快閃記憶體市場預測，2025年全球儲存市場規模可望達到1,932億美元，將創下歷史最高紀錄。儲存晶片產業，似乎開啟了由AI驅動的全新產業周期。
02. AI重構儲存“供需新規則”
AI技術的爆發式演進不僅是儲存需求的“超級引擎”，更在深層次重構全球存儲晶片市場的“供需新規則”，推動行業邁入前所未有的變革周期。
從市場供需邏輯來看，AI正以顛覆性力量催生結構性儲存缺口。這種缺口並非簡單的數量增長，而是由性能與容量雙重訴求驅動的質的飛躍。據美光資料顯示，AI伺服器的DRAM容量需求是一般伺服器的8倍，NAND 容量需求則達到3倍，單台AI伺服器儲存需求更是高達2TB，遠超傳統伺服器的設定標準。
更關鍵的是，AI大模型「訓練-推理-再訓練」的正循環，使得資料儲存需求呈現持續放大的態勢，一個GPU節點就可能消耗數百GB DRAM和數TB閃存，超大規模資料中心的需求規模更是指數級擴張。
這種需求爆發在核心項目上體現得尤為極致，以OpenAI的「星際之門」(Stargate)項目為例，該項目與三星、SK海力士達成合作，每月需採購90萬片DRAM晶圓，這一數字相當於全球DRAM總產量的近40%，這種規模的單一訂單，徹底改變了原有的市場平衡。而四家雲巨頭對AI相關NAND的訂單也已達200EB，遠超2026年150EB的原預期。
全球儲存市場已然清晰感知：人工智慧正在重構產業運行的底層邏輯。
與此同時，需求激增直接推高了儲存晶片在AI基建的成本佔比，尤其是高效能儲存成為成本核心。以HBM為例，其單價突破5000美元，是傳統DDR5內存的20倍，而毛利率卻高達50%-60%，遠超傳統DRAM 30%左右的水平。由於每一塊HBM都需針對特定AI GPU定製，客戶需提前一年下單鎖定產能，這種「定製化+長周期」的訂貨模式，進一步凸顯了其戰略價值。
同時，NAND快閃記憶體的成本權重也在上升，隨著HDD供應短缺導致近線儲存加速向QLC SSD遷移，多家超大規模雲廠商的大額追加訂單，使得企業級SSD成為資料中心建設的剛需，儲存晶片已從原來的輔助元件升級為成本核心，成為左右廠商利潤的關鍵變數。
在此背景下，HBM、DRAM與NAND等高效能儲存資源成為業界必爭的策略資源。從市場規模來看，摩根士丹利預測全球HBM市場將從2023年的30億美元飆升至2027年的530億美元，年復合增長率超100%；而NAND市場雖起步，但AI推理需求的爆發使其煥發新生，從上述提到的四家雲巨頭預測變動能看到，供需缺口，但需缺口顯著。
產能端的稀缺性更顯突出：美光2026年底前的HBM產能已全部預售完畢，SK海力士12層堆疊HBM3e產品即便良率僅75%，2026年產能也被輝達、AMD等企業鎖定，三星下一代V9 NAND未發布便態。
儲存晶片產業劇變：價格、產能與技術的全方位革新
供需規則的重構，迅速傳導為產業層面的劇烈變革，儲存價格飆升成為最直觀的市場訊號。
自2025年9月以來，全球儲存巨頭密集發佈漲價通知，形成「集體提價潮」：三星宣佈第四季度DRAM價格上調15%-30%，NAND價格上調5%-10%；美光更是將存儲產品價格拉高20%-30%，並暫停報價一周以消化管道漲幅；
此外，現貨市場反應更為激烈，DDR4晶片半年累計漲幅超200%，2025年Q2單月漲幅一度達53%，出現與DDR5價格倒掛的罕見現象；NAND晶圓現貨價格在10月環比上漲9%-11%，服務器eSSD價格預計四季度漲幅將超10%。
高盛與TrendForce等機構預測，這種漲勢將持續至2026年，DRAM第四季環比漲幅或達8%-13%，NAND則為5%-10%，若計入HBM，漲幅將進一步擴大。
進一步來看，價格飆升的背後，是全球儲存巨頭的產能策略性傾斜。
三星、SK海力士、美光三大寡頭摒棄了過去“規模優先”的策略，轉向“利潤優先”，將先進工藝產能集中投向高附加價值產品。 DRAM領域，三星率先停止DDR4生產，SK海力士計畫將DDR4產能壓縮至20%，美光與SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新訂單，所有資源向DDR5與HBM傾斜；NAND市場，廠商紛紛縮減消費級產能，將產能轉向企業級3D QLC產品。
這種結構性傾斜導致了市場「冰火兩重天」：高端HBM與DDR5供不應求，中低端DDR4因減產速度超過需求下降速度，出現嚴重供需錯配。對此，群聯電子CEO直言，這種資本支出轉向將導致NAND未來十年供應持續緊張，2026年便將面臨嚴重短缺。
產能傾斜與需求倒逼共同推動了儲存技術的加速突破，成為產業變革的核心動力。其中，HBM領域的技術迭代最為迅猛，據理解，2025年全球HBM總產能已增至54萬片，同比激增105%，但仍難以填補AI帶來的需求缺口。 SK海力士已建成HBM4量產體系，預計將佔據HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產，力爭搶佔輝達、AMD認證先機，而國內相關廠商也在加速突破，國產替代窗口期持續擴大。
總的來看，這場由AI引發的產業新變革，徹底打破了儲存產業傳統的「供需博弈」周期邏輯，形成了「AI需求牽引-產能高端傾斜-技術迭代加速-價格結構性上漲」的新閉環。從HBM的一芯難求到NAND的從白菜價到緊俏貨，從巨頭的產能重構到國產廠商的突圍，儲存晶片市場正經歷著新一輪的深度重塑，將存儲晶片從標準化大宗商品，重塑為影響算力發展的戰略性資源，標誌著行業已進入一個由技術迭代與需求爆發共同定義的全新時代。
03. 儲存晶片「三維革命」：技術競速與大廠格局重塑
目前儲存產業的變革不僅體現在市場供需層面，更在技術維度展開一場深刻的「三維革命」。 HBM的帶寬競賽進入白熱化階段，3D NAND的堆疊層數不斷刷新上限，HBF技術的橫空出世則點燃了新賽道的競爭火種。
這場圍繞垂直堆疊、高速互聯與架構創新的技術深耕，正重塑全球儲存產業的競爭格局，巨頭們的每一步佈局都關乎未來數年的產業話語權。
HBM：帶寬競賽與標準主導權爭奪
HBM作為AI算力的關鍵核心，其核心突破在於2.5D/3D堆疊與矽通孔(TSV)技術的創新應用。透過將多個DRAM晶片垂直堆疊並與GPU/CPU通過中介層互聯，HBM成功突破了傳統封裝技術的限制。以輝達H200搭載的HBM3E為例，其帶寬高達4.8TB/s，完美解決了AI晶片面臨的「記憶體牆」瓶頸。
然而，HBM的技術迭代速度與競爭激烈程度遠超傳統儲存領域。
2025年4月，JEDEC固態技術協會正式發表HBM4標準（JESD270-4），將這一賽道的技術門檻推向新高度－採用2048位超寬介面，傳輸速率達8GB/s，總帶寬突破2TB/s，較此前SK海力士宣稱的1.5TB/s再提升33%。
更關鍵的是，HBM4將獨立通道數量從16個翻倍至32個，同時引入0.7V-0.9V的低電壓選項，在性能躍升的同時實現了能源效率優化，完美適配下一代生成式AI與高效能計算需求。
標準確立背後，是國際巨頭的貼身賽局。
從市場格局來看，SK海力士憑藉在HBM3和HBM3E領域的領先優勢，目前佔據全球HBM市場約60%的份額，成為輝達H100/H200晶片的獨家供應商。憑藉先發優勢持續領跑，SK海力士在2025年3月率先發佈12層堆疊的HBM4樣品，採用Advanced MR-MUF封裝技術，單堆容量可達64GB，且已啟動與輝達下一代GPU的適配測試，試圖延續其獨家供應優勢。
三星則依託垂直整合能力加速追趕，計畫2025年下半年啟動HBM4量產，採用4nm邏輯晶片工藝與10nm DRAM流程，目標在良率與成本控制上形成突破，奪回被侵蝕的市場份額。美光雖暫未公開HBM4進展，但透過聚焦汽車與邊緣計算領域的HBM3E變體產品，正建構差異化競爭壁壘。其1β工藝LPDDR5X晶片已通過特斯拉認證，在該細分領域市佔率達35%。
摩根大通指出，技術突破使得HBM在2027年佔DRAM總產值比重將達43%，AI相關應用佔DRAM市場規模更是高達53%，技術紅利正成為超級周期的核心支撐。
三大巨頭角力的同時，國產力量的崛起也為這場競爭注入新變數，引領中國在高端儲存領域從「技術跟隨」向「自主創新」跨越。
3D NAND的堆疊競賽與現實困境
如果說HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破則聚焦於“空間革命”。
堆疊層數的持續提升成為廠商比拚的核心指標，這項技術突破意味著在單位面積內可容納的儲存容量再創新高，為AI資料中心所需的大容量儲存需求提供了保障。
TechInsights展示了各大廠商在3D NAND位密度（bit density） 上的演進趨勢，橫軸是堆疊層數，縱軸是單位面積的儲存密度。可以看到，層數越高，代表技術越先進，也能帶來更高的儲存密度。
能看到，三星、美光、SK海力士、鎧俠/WD、Solidigm等儲存巨頭都在穩步提升3D NAND快閃記憶體堆疊層數，整體趨勢非常明顯：從200層到300層的跨越，將帶來更高的容量和更強的競爭力。
誰能把層數和密度拉滿，誰就能在NAND這場「堆積木比賽」中領先。未來幾年，276層、300層甚至更高層數的NAND將陸續登場，儲存市場的競爭只會越來越激烈。
但從產業實際現狀來看，在DRAM/HBM需求高漲的聚光燈下，NAND產業的生存空間正被擠壓，迫使各大廠商紛紛調整航向，將戰略重心轉向更具潛力的賽道。
三星的V10 NAND本是技術皇冠上的明珠，在技術層面，三星的V10 NAND項目在2026年10月正式量產，這款產品被視為技術上的重大飛躍，它將具備400層以上的活性層（據悉為430層），介面速度提升至5.6GT/s，旨在與PCIe Gen6 主悉功能。此外，為應對AI應用對高效能儲存的需求，三星已重啟專為AI優化的Z-NAND開發，目標效能提升最高15倍，功耗降低80%。
儘管技術上高歌猛進，但三星在NAND的產能投資和先進技術匯入上顯得頗為謹慎，這與其在HBM領域的激進投入形成對比。
據報導，三星與SK海力士計畫放緩2025年對先進NAND的投資步伐，將企業資金更集中於DRAM和HBM領域。例如，三星在西安工廠的第9代NAND轉換投資規模很小，並且推遲了在V9 NAND中匯入混合鍵合技術的計劃。
耐人尋味的是，三星將混合鍵合技術在NAND的應用計劃擱置，卻將同類型技術全力押注HBM量產——資源傾斜背後的戰略優先順序不言而喻。
而SK海力士憑藉對輝達HBM的近乎壟斷，正採取一種「精耕細作」 的策略發展其NAND業務：在NAND尖端技術研發上持續投入以保持競爭力，但在產能分配和資源傾斜上，確實在一定程度上受到了HBM和DRAM業務的擠壓。
SK海力士在NAND技術上取得重大突破，開始量產全球首款321層2Tb QLC NAND快閃記憶體。與之前的產品相比，這款新閃存不僅容量翻倍，還通過架構優化實現了傳輸速度翻倍和顯著的能源效率提升。公司計劃將其首先應用於PC SSD，隨後逐步推廣至資料中心的企業級SSD和智慧手機存儲，並明確瞄準了AI數據中心市場。此外，SK海力士也已著手開發400層以上的NAND技術，計畫在2025年底完成量產準備。
儘管技術上高歌猛進，但SK海士在產能和資源分配上確實向HBM和DRAM有所傾斜。為了滿足AI巨頭對HBM的爆炸性需求，SK海力士正全力擴充HBM產能。
- 產能轉換：由於新建晶圓廠周期長，SK海力士選擇透過改造部分現有的NAND產線來增加HBM的後工序產能。這直接表明，在有限的工廠空間內，NAND產能為更高利潤的HBM讓了路。
- 戰略傾向：SK海力士對NAND的資本支出態度相對保守。這主要是因為當前DRAM（尤其是HBM）的利潤率遠高於NAND，且消費性電子市場對NAND的需求相對疲軟。因此，公司將寶貴的資源優先投入了DRAM和HBM的擴產。
總而言之，SK海力士並未放棄在NAND領域的競爭，而是選擇透過技術突破來維持其市場地位。但在資源的天平上，當前無疑更傾向於將產能和資本分配給正處於風口、利潤也更豐厚的HBM業務。
此外，美日儲存廠商的NAND業務也在收縮戰線與被動承壓。其中，美光退出移動NAND市場的決策震動業界。 「我們必須在AI內存浪潮中搶佔制高點。」其CEO桑傑·梅赫羅特拉在財報會議中的表態，揭開了殘酷的算術題：同等資本投入DRAM/HBM的回報率已是NAND的2.3倍。而日本廠商，鎧俠與西部資料合併案的反複拉鋸，使其在層數競賽中逐漸掉隊，200層以上產能佔比稍顯不足。
綜合來看，各家儲存廠商不僅在「層數」上拚命卷，還在架構設計上分出流派。未來，廠商需在技術突破與市場需求間精準把控，同時探索3D NAND與HBM、AI儲存的協同應用，推動儲存產業朝向更高效率、更低成本方向發展。
HBF：NAND產業的“HBM時刻”
面對HBM在DRAM領域的巨大成功，NAND廠商正在積極尋求技術突破，高帶寬閃存(HBF)技術應運而生，被視為NAND行業的“HBM時刻”，正點燃NAND行業的“第二增長曲線”競爭。
據理解，HBF的技術原理與HBM類似，旨在通過顛覆性架構設計打破了傳統NAND的性能瓶頸——採用16顆核心晶片垂直堆疊，通過矽通孔（TSV）技術互連，併疊加專用邏輯晶片實現多子陣列平行訪問，使單堆疊單元容量達到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底層基於SanDisk的BICS 3D NAND架構，並採用CMOS直接鍵合技術，將儲存陣列與邏輯晶片緊密整合，為帶寬提升奠定硬體基礎。儘管HBF的單位元訪問延遲仍無法與DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、讀取密集型的AI推理任務。
HBF的技術定位精準填補了市場空白。針對AI推理場景對「高帶寬、大容量、低成本」的需求，SanDisk提出「匹配HBM帶寬、提供8-16倍容量」的目標，雖未公開具體帶寬材料，但通過平行訪問架構，有望將延遲降至傳統SSD的1/5以下，成為HBM在推理場景的理想補充。同時，為降低客戶遷移成本，HBF採用與HBM相似的機械與電氣介面，僅需小幅協議調整即可適配現有GPU平台，這種「相容創新」策略顯著提升了技術落地效率。
從產業現狀來看，一場圍繞HBF的生態卡位戰已悄悄打響。
作為SanDisk的母公司，西部資料正將HBF與自身的Ultrastar SSD產品線整合，計畫2026年推出首款搭載HBF的企業級儲存解決方案，目標拿下北美雲服務商30%以上的推理節點儲存訂單。三星與鎧俠也加速跟進，分別啟動「High-Bandwidth NAND」與「Flash-IO Accelerator」項目，前者專注於與HBM的協同調度，後者聚焦低功耗優化，試圖在技術路線上形成差異化。 SanDisk則透過聯手SK海力士推動HBF成為開放標準，成立包含雲端服務商與晶片廠商的技術顧問委員會，試圖以生態主導權壓制競爭對手。
在NAND技術紅利消退與需求代際更迭的疊加背景下，當HBF技術嘗試打通“存算邊界”，這場NAND的生存遊戲再次印證了這個更深刻的產業變局——儲存晶片的戰場，終將從層數競賽升維至架構革命。
從HBM的帶寬競速到3D NAND的層數突破，再到HBF的架構創新，儲存產業的「三維革命」本質是一場技術深耕的持久戰。國際巨頭憑藉多年技術積累仍佔據主導地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市佔優勢、美光的汽車儲存佈局，共同構成了現有產業格局的基石。
未來，技術話語權將成為競爭的核心。 HBM4標準的落地將引發新一輪產能競賽，3D NAND的混合鍵合技術可能成為400層以上產品的標配，HBF則需要在寫入壽命與延遲控制上實現突破。
對廠商而言，單純的層數或帶寬比拚已不足夠，只有將技術創新與生態繫結、場景適配相結合，才能在AI驅動的儲存新周期中站穩腳跟。而每一次技術突破，都在重新定義儲存與算力的邊界。
04. 周期預判：結構性機遇下的複蘇與博弈
目前儲存晶片市場的強勁漲勢，尤其是HBM的爆發性成長，讓「超級周期」成為熱議焦點。
對於儲存行業的周期走向，分析機構與巨頭的預判共同指向“非典型復甦”，即這並非傳統3-5年庫存周期的簡單重複，而是AI驅動的結構性增長與行業固有周期屬性交織的新格局，但“超級周期”的成色仍取決於多項因素的考慮與博弈。
首先，驅動此周期的核心「定數」在於AI需求引發的產業邏輯重構。這不僅是需求的擴張，更是需求的結構性變革。儲存巨頭們的策略重心已清晰地向HBM、高速DDR5等高附加價值產品傾斜。同時，AI服務器和資料中心的需求激增，也推動了儲存晶片市場的發展。為滿足AI巨頭如OpenAI「星際之門」計畫的龐大需求，全球HBM產能正被加速建構。這種產能的「策略轉移」導致傳統儲存類別如DDR4面臨供給緊張，價格出現異常上行。
Yole Group資料顯示，2025年全球儲存收入可望達2,000億美元，年增18%，AI服務器的eSSD、伺服器DRAM與HBM需求構成核心拉力。而摩根士丹利指出，「帶寬決定績效」的技術範式轉移，使企業級資本開支的剛性遠超消費端波動，為周期長度與強度提供了關鍵支撐。
其次，原廠策略調整與周期屬性，構成了平衡周期節奏的核心「變數」。經歷2023年庫存危機後，三星、SK海力士、美光等巨頭轉向「精準減產+高階傾斜」策略，DDR4等傳統產能收縮與AI儲存需求擴張形成結構性失衡，推動四季DDR5 RDIMM價格上漲10%-15%。這種供需調節使產業從全面過剩轉向緊平衡，但消費端疲軟仍存，智慧手機儲存升級放緩可能壓制中低端產品漲幅，限制周期的全面爆發。
另外，地緣政治與供應鏈風險，則為周期增添了最大不確定性。國際巨頭在HBM與先進封裝領域的技術壟斷，疊加供應鏈限制，使國產企業雖獲匯入窗口，卻難以快速突破高端環節。國產替代雖加速，但HBM領域的技術代差仍可能分流周期紅利。
更關鍵的是，稀土禁運、先進裝置和材料出口管制、關稅提升等製裁措施或將為儲存晶片產業周期注入顯著不確定性，既可能延緩復甦節奏，也可能加速結構性變革。貿易制裁在短期內可能擾亂正常的市場供需和庫存消化節奏，甚至引發囤貨潮，為產業周期的判斷帶來變數。從中長期來看，地緣政治因素已成為影響儲存晶片產業格局的重要變數，傳統的周期模型需要納入製裁等政策性風險。
整體來看，斷言單一的“超級周期”或許過於樂觀，存儲市場更可能步入一個“結構性超級周期”，其特點是AI驅動的高性能存儲晶片領域持續高熱，而傳統市場則在其漣漪效應中波動前行。
短期來看，由AI需求和高附加價值產品產能擠佔帶來的漲價動力依然強勁。但長期而言，產業最終會走向新的供需平衡。此次復甦的最終形態，將取決於AI需求的持久力、全球產能分配的調整，以及地緣政治等多重變數的複雜互動作用。
對產業參與者而言，競爭的核心已不再是簡單的產能擴張，而是在這場由AI引領的變革中，能否精準掌握技術演進與市場格局重構的節奏，做出前瞻性的戰略佈局。於全球巨頭而言，這是鞏固技術溢價的機會；對國產企業來講，這也是縮小差距的關鍵窗口，儲存周期的最終形態，將由技術突破速度、需求持久力與供應鏈博弈結果共同書寫。 （環球老虎財經app）