2024-2027年中國大陸300mm晶圓廠數量將從現有29座快速成長至71座,佔全球239座總量的29.71%,成為全球300mm晶圓產能擴張的核心驅動力。這項爆發式成長背後,是國內半導體產業鏈對先進製造、特色工藝及儲存領域的持續加碼,也標誌著中國在全球半導體製造版圖中的地位進一步提升。
國內已形成分工清晰的四大半導體產業群聚:長三角以上海、無錫為核心,聚集中芯國際、華虹集團等龍頭企業,重點佈局邏輯晶片與特色工藝;珠三角以深圳、廣州為支點,聚焦存儲與化合物半導體產線,適配消費電子與汽車晶片需求;京津冀著重先進研發,北京承載長鑫儲存DRAM技術突破與中芯國際先進製程試驗;中西部以武漢、合肥、重慶為節點,長江儲存、長鑫儲存等儲存巨頭在此建構規模化產能基地。
國內半導體製造領域的投資規模正呈現爆炸性成長,單一項目投資超50億元已成為產業常態。以2025年上海臨港新片區為例,區域內共有59個產業科技類在建項目,總投資達5067億元,其中半導體製造相關項目佔超三成,大額資本的持續湧入為產能擴張提供了堅實支撐。
在300mm高階產線(12吋)領域,國內龍頭企業擴產動作頻頻。今日半導體瞭解到,中芯國際多基地同步推進擴產:北京基地聚焦14nm先進工藝,深圳基地月產能4萬片專攻28nm及以上成熟製程,京城項目投資76億美元建設12英吋產線,西青項目投資75億美元規劃月產能10萬片,預計2026英吋整體產能有177年。華虹無錫二期投資67億美元,瞄準65/55-40nm車規級晶片,2024年12月已實現投片,2026年將達8.3萬片/月產能;北電整合12英吋產線總投資330億元,覆蓋28-55nm多工藝,規劃總產能5萬片/月,計畫2026年底量產;台積電南京基地則聚焦0.35/0.25μm、16nm、28nm工藝,生產電源管理晶片與汽車電子控制晶片,深度對接長三角設計企業需求。
國內化合物半導體產線建設也迎來密集收穫期。三安意法重慶8吋碳化矽晶圓廠投資230億元,年產48萬片8吋碳化矽晶圓,2025年2月已通線,四季將進入批次生產;芯粵能廣州碳化矽工程投資75億元,第一期年產24萬片6/8吋級晶片;海寧砷化鎵/氮化鎵項目投資50億元,年產36萬片6吋微波射頻晶片及裝置,2024年12月已通線;長光華芯先進化合物半導體光電子平台建設項目投資10億元,年產1億顆化合物半導體光電晶片,2025年總投產。
在特色工藝與儲存領域,國內企業也持續擴大產能。今日半導體獲悉,長江儲存武漢基地將持續擴充3D NAND FLASH產能,進一步鞏固國產存儲龍頭地位;粵芯半導體三期投資162.5億元,新增4萬片/月180-90nm產能,2024年12月已通線,重點聚焦工業級與車規級模擬晶片;增芯科技廣州計畫一期投資70億元,佈局55-130nm工藝,月產能2萬片,2024年6月已通線,主要服務MEMS感測器與ASIC晶片需求。這些項目的落地,將進一步完善國內半導體製造的產品矩陣,滿足多角化市場需求。 (半導體材料與製程設備)