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半導體裝置，邏輯變了
近日中微公司的財報，反映出半導體裝置市場的焦點在光刻機之外，進一步向刻蝕、薄膜沉積等其他核心裝置領域拓展。
2025 年前三季度，中微公司營收 80.63 億元，年增 46.40%。其中刻蝕裝置收入 61.01 億元，較去年成長 38.26%；LPCVD、ALD 等薄膜裝置收入 4.03 億元，較去年成長 1332.69%。
伴隨半導體產業的發展，刻蝕、薄膜沉積正成為市場關注的核心領域。
半導體裝置，最新焦點
半導體製造核心器件涵蓋前道晶圓製造與後道封測兩大類，前道器件技術壁壘最高，主導市場份額。
其中，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置是三大主要的裝置，根據SEMI測算資料，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置分別約佔半導體裝置市場的24%、20%和20%。具體到作用：
- 光刻機如同「投影儀」，透過光源將電路圖形轉移到晶圓，決定晶片最小線寬。
- 刻蝕機是「雕刻刀」，選擇性去除多餘材料，精確復刻圖形。
- 薄膜沉積裝置負責沉積導體、絕緣體等膜層，建構晶片基礎結構，主要分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三類。
在這一系列裝置中，刻蝕與薄膜沉積之所以成為當前產業關注的新焦點，背後是半導體工藝演進至先進過程所帶來的必然邏輯變遷。
第一點，目前EUV光刻機的波長限制在13.5nm，它做出來的線條只能做到14nm，10nm、7nm、5nm晶片要通過多重範本的方法，把20nm光刻機線條翻版成兩個10nm線條，再翻版成5nm的線條。SEMI資料顯示，在晶片製造流程裡，從65nm 製程演進至 7nm 流程，光刻步驟數量僅增加了約 30%，但刻蝕步驟數量卻激增了超過 300%。
與此同時，薄膜沉積工序數量和複雜度也在大幅增加。當線寬向7nm及以下製程發展，需採用多重曝光工藝，薄膜沉積次數顯著增加，90nm CMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序，在3nm FinFET工藝產線則需要100道薄膜沉積工序。
第二點，隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數不斷增加，目前主流產品已超過 200 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，例如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。
同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。
第三點，GAAFET 是接替 FinFET 的下一代電晶體技術。GAAFET 相比於 FinFET 的刻蝕工藝用量顯著增加，FinFET 有 5 道步驟涉及刻蝕工藝，而 GAAFET 晶體管有 9 道步驟涉及刻蝕工藝。根據IMM資訊的資料，刻蝕裝置在先進製程的用量佔比將從傳統FinFET時代的20%上升至GAA架構下的35%，單台裝置價值量年增12%。
薄膜沉積裝置則需要在復雜三維結構上原子級均勻地沉積多層薄膜。例如：GAA奈米片電晶體需在原子尺度控制多層堆疊（如Si/SiGe超晶格），要求PECVD沉積的介電薄膜（如柵極側牆隔離層）厚度偏差控制在±0.5Å以內，且需實現高深寬比結構的保形覆蓋（覆蓋率>95%）
因此，半導體製造未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜、更關鍵的刻蝕及薄膜沉積工藝。
Q3裝置進口資料，透露那些資訊
根據海關總署資料，2025年Q3前道裝置進口總額為101.87億美元，年增15.28%，環比增長33.15%，創歷史新高。核心器件進口資料的變化，既是國內半導體產能佈局的「晴雨表」，也折射出全球半導體裝置產業的競爭格局。其中CVD裝置、乾式蝕刻裝置等核心工藝裝置進口數量及單價均處於歷史高點。
具體來看：
光刻裝置方面，「其他光刻裝置」進口數量下降，但來自荷蘭的同類裝置單價卻飆升至歷史最高。這可能意味著中低階光刻裝置的進口已在縮減，聚焦引進相對高端光刻裝置，為先進工藝擴產突破技術瓶頸。
薄膜沉積裝置方面，CVD裝置量價齊升且數量創歷史最高，反映國內在先進邏輯晶片、高端儲存領域的產能擴張需求強烈，對 CVD 這類核心沉積裝置依賴度仍較高。PVD 裝置已在中低階領域實現突破，同時國內對高階 PVD 裝置的採購標準提升。薄膜沉積裝置下一步的看點在於CVD、ALD等高階薄膜沉積裝置的國產化處理程序。
刻蝕裝置方面，乾法刻蝕量價雙增且增速顯著，可能意味著國內產能擴張正在向先進製程傾斜，隨著晶片結構從2D向3D演進，對高性能乾法刻蝕裝置需求激增。其他刻蝕及剝離裝置進口量及進口單價均較去年同期下滑，這可能意味著國產裝置廠商在成熟製程刻蝕方面取得一定的成果。
離子注入裝置方面，目前國內市場被美國，全球競爭正在加劇。
氧化擴散裝置方面，自2024年下半年起氧化擴散等熱處理裝置進口數量整體呈下滑趨勢，但進口單價
半導體裝置，多點開花
根據國際半導體產業協會SEMI預測，2025年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,100億美元，較2024年年增約2%。在資料中心和邊緣兩端晶片需求走高背景下，預計2026年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,298億美元，年增速高達18%。
刻蝕裝置
從技術路徑來看，刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕與乾法刻蝕兩大路線。隨著半導體製造向7nm及更先進節點發展，晶片整合度不斷提高，裝置結構日益複雜，對刻蝕工藝的精度、選擇性和一致性提出了前所未有的要求。在這一趨勢下，乾法刻蝕憑藉其卓越的技術適配性和工藝控制能力，已在邏輯晶片、存儲晶片等高端過程中佔據絕對主導地位，成為推動半導體技術迭代的關鍵工藝。
在全球競爭格局方面，半導體刻蝕裝置主要被泛林、應用材料和東京電子三家廠商所壟斷，合計佔據近90%的市場份額。
其中，應用材料在CCP與ICP兩大技術路線上均展現出強勁實力，產品線覆蓋全面，尤其在導體刻蝕與介質刻蝕領域保持領先；而泛林集團則在CCP技術領域，特別是高深寬比刻蝕方面具有絕對統治力，其裝置已成為3D NAND製造過程中不可或缺的核心環節。日本東京電子作為全球第三大刻蝕裝置供應商，在CCP和ICP領域都展現出強大的競爭力，特別是在介質刻蝕領域與美系企業並駕齊驅。
相較之下，國內廠商起步較晚，如中微公司、北方華創、屹唐半導體等企業仍處於追趕階段，全球市場佔有率較低。國內積體電路製造廠商及國產蝕刻裝置仍有較大的發展空間。
中微公司是刻蝕裝置的領導企業，其CCP裝置已實現對28奈米以上絕大部分應用的全面覆蓋，並在28奈米及以下節點取得重要進展。在3D NAND晶片的高深寬比刻蝕和邏輯晶片的前端刻蝕方面，中微的技術已達到部分先進節點，並被全球頂級晶片製造商改採用。
不過，其平台化能力相對較弱，尚無法提供全流程解決方案。在ICP裝置方面，中微的產品已進入邏輯、DRAM、3D NAND等50條客戶生產線，在MEMS和先進封裝的深矽刻蝕領域表現優異，但要進入最複雜的關鍵工藝步驟，仍需經歷更嚴苛的驗證周期。
北方華創作，其半導體裝置品類數量在國內同類廠商中位居前列，覆蓋光膠處理、刻蝕、清洗、熱處理、化學氣相沉積、物理氣相沉積等多個積體電路生產環節。
在技術層面，北方華創的CCP裝置在8吋產線的矽刻蝕、介質刻蝕應用中已佔據主導地位，在12吋產線也成功應用於硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心步驟。值得注意的是，其ICP裝置的發展勢頭更為強勁，市場認可度持續提升。
不過在最先進的邏輯晶片製造和128層以上3D NAND晶片的極高深寬比接觸孔刻蝕等尖端應用領域，北方華創裝置的技術成熟度、工藝均勻性和穩定性仍有提升空間，尚未進入全球頂級晶片製造商的最先進量產線。
屹唐半導體前身為美國應用材料公司旗下的半導體濕法裝置業務部門，2015年透過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等三大類核心裝置產品線。根據Gartner 2023年的資料，在乾法去膠裝置領域，屹唐股份2023年憑藉34.6%的市場佔有率位居全球第二；在快速熱處理裝置領域，屹唐股份2023年憑藉13.05%的市場佔有率位居全球第二；同時，也是國內社會法位可大規模蝕量單晶圓法裝置的全球數位法位積壓板。
薄膜沉積裝置
半導體薄膜沉積裝置主要分為化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）和原子層沉積（ALD）三大類。
目前，全球薄膜沉積裝置市場基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日廠商壟斷：在PVD裝置領域，AMAT處於領先地位，份額佔比達85%左右；在CVD領域，AMAT、LAM、TELCR3佔比合計超80%；在ALD裝置領域，TEL和A60%合計。
近年來，國內企業不斷加強技術研發，湧現了北方華創、拓荊科技、中微公司、微導奈米等一批薄膜沉積裝置製造商。但整體來看，薄膜沉積裝置國產化實力相對較弱，尤其是技術門檻較高的ALD裝置。
拓荊科技深耕薄膜沉積裝置領域PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜裝置系列產品，在積體電路邏輯晶片、儲存晶片製造等領域廣泛應用，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等廠商。
PECVD裝置作為拓荊科技的核心產品，已實現全系列PECVD介質薄膜材料的覆蓋，通用介質薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先進介質薄膜材料（包括ACHM、LoK-I、LoK-II、ADCI、Ha-Si等）皆已實現產業化應用，廣泛應用於國內積體電路製造產線。
ALD裝置方面，拓荊科技為國產ALD裝置薄膜工藝覆蓋率頭部的裝置廠商，推出ALD SiCO、SiN、AlN等工藝裝置已實現大量出貨。
SACVD系列產品持續維持產品競爭優勢，進一步擴大量產應用規模。其推出的等離子體增強SAF薄膜工藝裝置在客戶端驗證進展順利。截至2024年，SACVD系列產品反應腔累計出貨超100個。
截至2024年，拓荊科技HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工藝裝置均已實現產業化，並持續擴大量產規模，HDPCVD系列產品反應腔累計出貨量達到100個。截至2024年，與FlowableCVD裝置相關的反應腔累計出貨超過15個。
中微公司早在2023年就有薄膜裝置運抵客戶，主要為CVD/HAR/ALD W鎢裝置，TiN/TiAI/TaN ALD裝置。2025年Q3財報顯示，中微公司為先進儲存元件和邏輯元件開發的LPCVD、ALD等多款薄膜裝置已經順利進入市場， 並且裝置性能完全達到國際領先水平， 薄膜裝置的覆蓋率不斷增加。
北方華創是國內PVD龍頭，稀缺性較強，且在LPCVD、APCVD、ALD領域也有所佈局，產品已批次應用到半導體產線。微導奈米依靠ALD裝置起家，在太陽能、半導體中均有應用，且公司是國內首家成功將量產型High-k ALD應用於28nm節點積體電路製造前道生產線的國產裝置公司，在ALD領域頗具競爭優勢。盛美上海以清洗裝置起家，正逐漸往平台型裝置公司拓展，目前在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等領域均有產品推出。
在今年106屆中國電子展上，有業內人士向半導體產業縱橫表示，2010-2024 年國內半導體裝置銷售額復合年增長率達 30.2%，這一增速顯著高於全球市場同期水準。成長呈現明顯的階段性特徵：2017-2018 年因頭部晶圓廠集中啟動 12 吋產線建設，裝置採購需求集中釋放；2023-2024 年受惠於成熟過程（28nm 及以上）擴產及特色工藝（如 SiC、GaN勢 ）產能，預計 將 持續 約
然而要注意的是，儘管刻蝕、薄膜沉積裝置本體國產化進展加速，但關鍵零件環節已成為自主可控的瓶頸之一。當前兩類裝置通用標準件的供應鏈高度依賴進口：日本企業（如 NSK、Fujikin）佔據大部分的市場份額，主要提供高精度傳動部件與特種氣體控制元件；歐洲供應商（如 Pfeiffer、Leybold）在真空系統領域佔比過半。美國零件公司仍掌握著部分核心訂製零件市場。
不過，這項制約格局正迎來政策引導與市場驅動的雙重破局契機：總規模達 3,440 億元的國家積體電路產業投資基金三期（大基金三期）已明確將上游關鍵零組件列為核心投資方向之一。後續透過推動相關措施降低海外供應鏈依賴，將為刻蝕、薄膜沉積裝置的國產化築牢上游根基。 （環球老虎財經app)