11月23日,在第二十二屆中國國際半導體博覽會上,長鑫儲存發佈了DDR5和LPDDR5X兩大產品系列。
其中,DDR5產品最高速率達8000Mbps,最高顆粒容量為24Gb,並配套推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM和TFF MRDIMM等七種模組產品,應用場景覆蓋伺服器、工作站及個人電腦。
與此同時,長鑫儲存還推出了LPDDR5X產品線,其最高速率可達10667Mbps,最高顆粒容量為16Gb,並提供從12GB到32GB的多種容量方案,進一步豐富了其在移動儲存領域的佈局,也就是說,長鑫儲存終於殺出來了。
此次發佈標誌著中國國產DRAM晶片在技術參數上已接近國際主流水平,但長鑫儲存在全球市場份額方面仍處於追趕階段,並面臨國際巨頭的壟斷和供應鏈限制等壓力。
目前,長鑫儲存正通過快速擴產來提升市場地位。據Trendforce資料顯示,到2025年底,該公司產能將達到30萬片/月,同比增長近50%。
Counterpoint資料顯示,長鑫儲存今年DRAM出貨量同比增長50%,市場份額預計將從一季度的6%提升至四季度的8%。
在細分市場方面,長鑫儲存DDR5市場份額預計從一季度不足1%上升至年底的7%,LPDDR5市場份額從0.5%增至9%。
長鑫儲存相關負責人表示,DRAM需求的增長對市場供給和價格產生了較大影響,中國需要穩定的中國國產DRAM產能供應,通過產能擴張和規模效應來減少對海外廠商的依賴。
全球DRAM市場集中度較高,三星、海力士、美光三家企業合計市佔率超過90%。根據興業證券研報分析,儲存晶片具有大宗商品屬性,價格呈現周期性波動特徵。
近期,儲存晶片價格持續上漲。據DRAMexchange資料,DDR5現貨平均價格從9月底的7.676美元升至11月初的20.938美元,同時DDR4和NAND合約平均價格在9月也環比上漲了11%。
因此,三星電子在11月調整了部分儲存晶片的價格,較9月漲幅最高達60%。
SanDisk也在11月將NAND Flash合約價上調了50%,並預測NAND供需緊張狀況或將持續至2026年底。交銀國際研報進一步指出,DRAM價格強勢將至少延續至2026年三季度。
長城證券分析認為,此次價格上漲主要源於頭部廠商對供應的調控以及AI需求推動產能向高階工藝轉移,導致傳統消費級儲存產能受到擠壓。
值得注意的是,長鑫儲存的母公司——長鑫科技集團,其上市處理程序正在積極推進中。
中國證監會官網10月發佈的資訊顯示,長鑫科技的上市輔導狀態已變更為“輔導工作完成”。此次輔導由中金公司與中信建投共同負責,從7月啟動輔導到完成,歷時約3個月。
根據2024年3月的戰略融資情況,長鑫科技的估值約為1400億元。天眼查資訊顯示,長鑫科技成立於2016年,註冊資本約601.93億元,其股東包括基石資本、阿里巴巴等知名機構。
具體來看,合肥清輝集電企業管理合夥企業、合肥長鑫積體電路以及國家積體電路產業投資基金二期位列前三大股東,持股比例分別為24.32%、12.43%和9.80%。
與此同時,兆易創新與長鑫科技保持著密切的合作關係。兆易創新董事長朱一明曾擔任長鑫儲存首席執行官,並現任長鑫科技董事長。
2024年3月,兆易創新更是以15億元參與了長鑫科技的新一輪融資,本輪融資投前估值約1399.82億元,增資價格為2.61元/每一元註冊資本。
本輪融資包括合肥長鑫積體電路、合肥產投壹號股權投資合夥企業、建信金融資產投資等多名投資人,融資規模合計108億元。
此外,兆易創新自2019年起便與長鑫集團開展DRAM業務合作,從長鑫儲存等子公司採購代工生產的DRAM產品,並在2025年度預計達成1.61億美元的交易額度。
中信證券指出,DRAM市場目前仍由韓美廠商佔據主導地位,但長鑫儲存的技術正在加速追趕。其產能在2024年實現了翻倍增長,未來若成功上市,有望進一步推動擴產,並逐步提升裝置中國國產化率。
在這樣的背景下,長鑫儲存已推出多款商用DRAM產品,應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬現實和物聯網等領域。
今年10月,長鑫儲存宣佈量產LPDDR5X產品。其中8533Mbps和9600Mbps速率產品已於5月實現量產,而10667Mbps速率產品也已啟動客戶送樣。
現如今,長鑫儲存依託中國大陸的成本和規模優勢,在技術迭代與產品佈局方面正逐步縮小與國際廠商的差距。 (AI硅基未來)