SRAM vs DRAM最新比較，HPC依然離不開它倆

隨著記憶體技術的不斷進步，3D DRAM堆疊、高kDRAM電容和SRAM輔助技術等創新，不斷拓展這兩種記憶體類型的邊界，新興的替代方案如MRAM、ReRAM和eDRAM也取得了一些進展，但SRAM和DRAM依然是當今高性能計算系統的基石。

SRAM（靜態隨機存取儲存器）依賴六電晶體（6T）雙穩態鎖存器，只要供電，資料即可不更新保存。其主要優勢包括極低的延遲、高讀寫穩定性和可預測的性能，但代價是密度。每個位單元有多個電晶體，SRAM佔用的面積顯著增加，因此適合更小、高性能的記憶體塊。

DRAM（動態隨機存取儲存器）採用1電晶體+1電容（1T1C）結構，實現更高的位元密度和更低的位元成本。這使得DRAM成為大容量系統記憶體的首選技術。其侷限在於電容器本身的電荷洩漏，需要持續刷新。刷新周期會帶來延遲、增加功耗，並使系統級時序管理更加複雜。

從上面的對比圖可以看出，SRAM位於金字塔上層（暫存器、L1-L3 快取），特點是延遲低、性能高，但容量小、單位成本高；DRAM位於金字塔中層（主存），容量更大、單位成本更低，但延遲高於 SRAM。 (銳芯聞)