挺合理的日媒 ITmedia報導，隨著 2025 年最後一個周末到來，東京秋葉原的各家店舖紛紛進入大促模式，不過記憶體和儲存相關產品的供應緊張局面依舊沒有緩解。其中，Dospara 秋葉原本店的店主表示：“記憶體價格依然在持續上漲。不過我們還是儘量留了一些庫存，因此從目前來看，應該不會出現‘特意跑來卻無法把整台電腦配齊’的情況”。另一方面，一些店舖的顯示卡貨架已經開始出現空位，與記憶體和固態硬碟相比，雖然顯示卡的價格上漲趨勢不算明顯，但有商家冷靜地指出：“這更多是庫存周轉速度的差異，漲價恐怕只是時間問題”。這種背景下，TSUKUMO eX.等部分店家開始對輝達 RTX 5060 Ti 16GB、AMD Radeon RX 9000 系列顯示卡採取限購措施，每名顧客限購 1 張。該店舖還表示：“大容量視訊記憶體的顯示卡現在非常難進貨。雖然我們目前還有庫存，但下一批貨什麼時候到、甚至還會不會到，都很難說”。而且，類似的不安情緒開始在多家店舖中蔓延，某家電腦店舖的店主坦言：“這波短缺潮不僅波及高端顯示卡，像 RTX 5060 Ti 和 RX 9060 XT 這種同時有 8GB 和 16GB 視訊記憶體的中端產品也受影響，16GB 版本以後恐怕很難再補貨了”。由於 DRAM 產能持續吃緊，華碩、惠普、戴爾等頭部廠商在記憶體配額上頻頻受阻。為緩解壓力，廠商開始繞過中間管道，直接與三星、SK 海力士、美光等談判，希望通過長期供貨協議鎖定 DRAM 資源。 (AMP實驗室)

IT之家 12 月 27 日消息，在資金並不短缺的情況下，當今的 PC 廠商也越來越難買到足夠的記憶體，產品供應正受到嚴重掣肘。據韓媒 ChosunBiz 當地時間 12 月 26 日報導，PC 行業已進入近乎“絕境”的狀態。由於 DRAM 產能持續吃緊，華碩、惠普、戴爾等頭部廠商在記憶體配額上頻頻受阻。為緩解壓力，PC、手機廠商開始繞過中間管道，直接與三星、SK 海力士、美光等談判，希望通過長期供貨協議鎖定 DRAM 資源，但現實情況是，整體供給增長跟不上需求。（來源：IT之家）報導指出，DDR5 記憶體價格在經歷明顯上漲後，明年仍可能繼續攀升，最高漲幅預計在明年 Q4 達到 45%，已對 PC 產業鏈造成明顯衝擊。外媒 Wccftech 則提到，面對記憶體短缺，廠商目前幾乎沒有太多迴旋餘地，只剩下三條路可走。其一是提高整機售價，但這一方案弊端明顯，不僅會壓縮市場需求，還迫使廠商大幅漲價，才能覆蓋當前合同價格下的 DRAM 成本。其二是通過調整配置來節省記憶體用量。部分廠商已選擇繼續以 8GB 記憶體作為中端筆記本的起步配置，儘管軟體廠商普遍認為 16GB 才是合理下限。這種做法本質上是將有限的 DRAM 分配到更多產品上，以暫時緩解供應壓力。其三是直接推遲新品發佈，而這一策略已經被付諸實施。例如，輝達的 RTX 50 SUPER 系列已被推遲至 2026 年第二季度，AMD 基於 RDNA 5 架構的顯示卡則預計要到 2027 年下半年才會亮相。IT之家從報導中獲悉，PC 業內人士預計，像是推遲發佈或縮減高端產品線等一系列因應對策將不可避免。與此同時，主要晶片廠商也在嘗試調整節奏。英特爾和 AMD 正計畫優先推出基於既有 DRAM 配額的產品。綜合來看，PC 供應鏈在下一代硬體周期中，可能會出現明顯的“記憶體荒”，現有產品在零售管道中的銷售周期，很可能被迫延長數月。 (芯榜+)

據韓聯社報導，SOCAMM2 競爭升溫，三星已經向輝達交付了 SOCAMM2 的樣品，2026 年初會擴大該產品的產能。SOCAMM2（小型輪廓壓縮附加記憶體模組）每個模組包含四個LPDDR模組，大幅提升頻寬、降低功耗。其模組化設計便於更換和升級，無需直接銲接LPDDR到主機板上。這種技術和HBM都是為高性能場景（比如 AI 晶片）設計的記憶體方案，只是技術路徑不同 ——HBM 走 “堆疊提頻寬”，SOCAMM2 走 “整合 LPDDR 提能效 + 靈活性”，而輝達是當前這兩種技術的核心需求方。韓聯社報導，除了輝達以外的其他主要客戶也對SOCAMM2表現出強烈興趣，美光等儲存廠也在跟進這一技術。SOCAMM2預計將為NVIDIA的下一代AI晶片Vera Rubin提供動力。與此同時，ZDNet表示三星SOCAMM2預計將在2026年初全面進入量產，並補充說該模組基於1b（第五代10nm級）DRAM 開發，目前正在進行質量測試。 (銳芯聞)

據報導，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士正加快記憶體生產，以應對來自AI的需求。報導稱，三星電子近期不僅提升了韓國國內DRAM和NAND快閃記憶體的產線利用率，更重點擴大了高頻寬記憶體（HBM）等高端產品的產出。另外三星在11月決定平澤五廠恢復施工，預定2028年開始量產，以強化該公司的滿足先進儲存晶片需求的能力。至於SK海力士，其位於清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投產，該廠將聚焦於DRAM和其他AI導向的儲存產品。業界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位於龍仁半導體園區內的首座晶圓廠，該設施規模相當於六座M15X晶圓廠。由於AI相關需求預期在未來幾年持續激增，產能被視為競爭力的關鍵決定因素，根據Omdia的資料，全球DRAM市場規模預計在2026年前達到1700億美元，高於2024年的1000億美元。但是，遠水解不了近渴啊。權威市調機構IDC在最新的一份報告中，預測了2026年度的PC市場，強調受記憶體供應短缺、價格飆升的影響，存在極大不確定性，但整體不容樂觀。因此，IDC給出了三種不同的預測，最好的情況下PC市場將在2026年萎縮2.4％，中性情境下倒退4.9％，最悲觀的可能會銳減8.9％。同時出現的則是採購成本和銷售價格的上漲：中性情況平均價格漲4-6％，最差甚至要漲8％。事實上，從目前的情況看，IDC的這個預測，還是太保守了。聯想和戴爾兩大PC巨頭，都已經調高了產品價格，最高幅度達15％。定製廠商Framework已經停止了記憶體的單獨銷售，部分整機廠商甚至提供了不包含記憶體的配置選項。除了記憶體，硬碟的價格也將在2026年持續上漲，無論機械盤還是固態盤。簡而言之，如果你是絕對剛需，不管是需要記憶體、硬碟還是整機，趕緊下手。如果你的電腦還能跑兩三年，就忘了這一切吧，一個字：等！ (硬體世界)

2026年記憶體缺口比2021年更嚴重。美光上周給出132%營收增速、68%毛利率的“爆炸”指引，股價年內已翻兩倍，卻同時敲響短缺警鐘：AI伺服器瘋狂吞貨，消費級DDR產能被反向“吃掉”，新一輪晶片危機一觸即發。一、AI“囤糧”：HBM產能秒光OpenAI 10月聯手三星、SK海力士，為“星門”資料中心鎖定全球逾三分之一HBM貨源；美光2026全財年HBM售罄，2027配額迅速排隊。新建工廠至少18個月才能投產，遠水難救近火。更尷尬的是工藝替代：每增產1 GB HBM，需犧牲3 GB DDR，且下一代HBM的“置換比”將擴大至1∶4，傳統消費電子直接被擠出產線。美光甚至關停消費品牌Crucial，把產能悉數轉向高毛利HBM。二、消費電子：同芯不同命輝達DGX GB300為降功耗改用低功耗DDR，與旗艦手機撞車；蘋果、三星憑議價力搶產能，中低端Android廠只能“撿邊角料”。Counterpoint預計Q4儲存價已漲50%，2026上半年再漲40%，廉價手機BOM成本抬升約18美元。“份額與利潤都沒緩衝空間的小廠最先出局，”分析師Yang Wang指出，2026年全球智慧型手機出貨量或現兩位數下滑。三、歷史輪迴：短缺之後是雪崩2020—2022年晶片荒讓全球汽車少賣300萬輛，企業財報提及“缺芯”高達2821次；2023—2025年僅459次，市場一度以為周期消失。如今AI資本開支激增，把儲存行業重新拉回超級周期：資本支出連續兩年創新高→產能錯位→價格暴漲。但儲存本質仍是商品，當2027年新廠量產、AI需求回落，庫存將迅速反轉，價格跳水可能同樣劇烈。投資與消費啟示終端廠商：提前六個月鎖貨+簽署PPA（長期協議），同時匯入國產LPDDR5/6驗證，避免單一來源；管道商：漲價周期“囤晶圓”不如“囤現金”，警惕2027H2庫存雪崩；消費者：打算換機請趕在2026年Q2前，漲價潮將在暑期檔終端零售兌現；投資者：關注HBM佔比高、客戶已預付款的儲存原廠，迴避中小無產能保障的模組廠。AI把記憶體買成“戰略物資”，手機、PC、汽車只能“配給制”生存。短缺—漲價—囤貨—過剩的劇本已寫好，區別在於這次主角從汽車換成AI，配角從PC換成手機。搶到產能的贏家收穫暴利，搶不到的則提前為下一輪熊市“買單”。 (正商研究院)

當資料儲存速度突破“億級”大關，一顆晶片可瞬間完成10億次資料讀寫，中國自主研發的全新架構快閃記憶體晶片不僅填補全球技術空白，更以顛覆性創新打破歐美日韓長期壟斷的儲存晶片市場格局。這一里程碑式突破，標誌著中國在核心儲存領域實現從跟跑到領跑的跨越，為全球半導體產業注入全新發展動能。中國快閃記憶體晶片研發之路是自主創新的堅韌探索。2016年長江儲存成立之初，全球快閃記憶體市場被三星、SK海力士、美光等巨頭瓜分，國內自主生產能力幾乎為零。面對技術鴻溝，中國企業選擇難度更高的3D NAND賽道，從32層到64層再到128層，僅用兩年實現關鍵技術跨越。2022年底，長江儲存推出全球首款232層3D NAND晶片，儲存密度超越國際同行；2025年，全新架構快閃記憶體晶片橫空出世，憑藉獨創技術實現10億次/秒的儲存速度，完成從“追趕到引領”的蛻變，累計申請專利超1.2萬件，95%為發明專利。這項突破背後是多重世界級難題的攻克。核心挑戰在於全新架構的設計與實現，研發團隊摒棄傳統整合模式，採用儲存陣列與外圍電路分離製造再鍵合的創新方案，破解了性能與密度的矛盾。高深寬比刻蝕、高精度鍵合等關鍵工藝曾依賴進口裝置，在美國製裁導致裝置斷供的困境下，中國企業與北方華創、中微公司等組成“攻堅聯盟”，實現45%的裝置國產化率，攻克了壞塊管理、ECC平行計算等行業痛點 。同時，需在奈米級空間內平衡速度、功耗與穩定性，最終通過工藝最佳化將良率提升至國際先進水平。該晶片的技術參數達到全球領先水準。儲存速度突破10億次/秒，較國際主流產品提升3-5倍；採用自主創新架構，儲存密度達15.03 Gb/mm²，在同等尺寸下儲存容量實現翻倍；支援3V和1.8V雙工作電壓，連續讀取速率最高可達83MB/s，功耗較傳統產品降低40% ；內建先進壞塊管理功能和8bit ECC平行計算技術，資料可靠性達到99.999%，滿足高端場景嚴苛需求。在應用層面，該晶片將賦能多領域數位化升級。在AI與資料中心領域，10億次儲存速度可支撐海量資料即時處理，助力人工智慧模型訓練效率提升；在消費電子領域，適配智慧型手機、SSD等終端，實現秒級開機與大型檔案瞬時傳輸；在工業控制與IoT領域，低功耗、高可靠性特性可滿足極端環境下的長期穩定運行，推動智能製造與物聯網發展 。華為、浪潮等企業已簽署長期採購協議，加速技術落地應用。這一突破徹底打破了歐美日韓的壟斷格局。此前全球儲存晶片市場CR5超90%，國外企業長期掌控定價權 。如今中國快閃記憶體晶片全球市佔率已提升至12.8%，國內市場覆蓋率超30%，迫使國際巨頭調整定價策略。更具里程碑意義的是，三星等國際巨頭已向中國企業支付專利授權費，標誌著中國在儲存領域從技術追隨者轉變為規則制定參與者。同時，帶動上游裝置、材料國產化協同發展，形成完整產業生態，為全球半導體產業提供多元技術路徑。從無到有、從追趕到引領，中國全新架構快閃記憶體晶片的突破，印證了自主創新的核心價值。隨著產能逐步擴張至月產30萬片的目標，中國將進一步提升全球市場話語權，推動儲存晶片行業進入“中國智造”引領的新時代。這不僅是中國半導體產業的重大跨越，更為全球科技產業格局重塑注入了中國力量。 (我是科技達人)