#記憶體
暴跌!記憶體價格閃崩!
2月12日消息,據報導,DDR4記憶體價格出現罕見閃崩,單日跌幅一度逼近20%!專家預測超級牛市已走到盡頭。本月以來,DDR4價格出現劇烈震盪下行,8GB規格報價從260至270元人民幣暴跌至180至190元,單日跌幅逼近20%;16GB同步走弱,從800元降至650元。這場突如其來的價格閃崩,徹底終結了DDR4延續長達一年的暴漲神話。去年DRAM整體漲幅高達386%,其中16GB DDR4更曾在三個月內實現價格翻倍,漲勢一度震撼市場。回溯本輪記憶體行情暴漲的核心根源,主要依託於AI算力需求的持續推動。三星、SK海力士等全球記憶體大廠,為搶佔高利潤HBM訂單,大幅縮減DDR4產能。這一產能調整被部分商家誤讀為長期缺貨,進而引發恐慌性囤貨潮,疊加資本惡意炒作控盤,最終催生了明顯偏離市場真實價值的價格泡沫。一位深圳華強北商家直言,當前儲存器市場早已脫離供需基本面,被炒成了賭場,價格漲跌完全由資本主導。實際上,目前不少中低容量DDR4產品其實並不缺貨,此前的高價行情,本質上是商家“炒預期”催生的虛假繁榮,並沒有真實需求作為支撐,DDR4的市場需求早已顯露疲態。隨著記憶體技術的快速迭代,DDR4已逐漸退出主流市場,淪為二線產品。資料顯示,2025年DDR5記憶體在PC和伺服器兩大核心應用領域的滲透率已達到70%-80%,而DDR4的市場佔比則不足30%。目前,DDR4僅在醫療裝置、工控系統等迭代周期較長的產品中,存在少量剛性需求。有業內報導警示,隨著主流整機廠商加速切換到DDR5平台,未來DDR4的市場需求可能出現斷崖式下跌,市場空間將進一步被擠壓。結合當前市場走勢,業內專家分析認為,隨著DDR5的全面普及、國產記憶體替代產能的逐步釋放,以及通路市場炒作熱度的消退,DDR4的超級牛市大機率已經結束,未來記憶體市場將逐漸擺脫資本炒作的干擾,回歸到由供需關係主導的理性發展軌道。 (國芯網)
春節見?DeepSeek下一代模型:“高性價比”創新架構,助力中國突破“算力晶片和記憶體”瓶頸
野村證券認為DeepSeek即將發佈的新一代大模型V4,可能通過創新架構mHC和Engram技術進一步降低訓練和推理成本,加速中國AI價值鏈創新周期。同時有望幫助全球大語言模型和AI應用企業加速商業化處理程序,從而緩解日益沉重的資本開支壓力。野村證券指出,DeepSeek即將發佈的新一代大模型V4,預計不會像去年的V3一般引發全球AI算力需求的恐慌。但它可能通過兩項底層架構創新,加速全球大語言AI應用的商業化處理程序。華爾街見聞提及,據報導DeepSeek新一代旗艦模型V4預計將於2026年2月中旬面世。內部初步測試表明,V4在程式設計能力上超過了目前市場上的其他頂級模型,如Anthropic的Claude和OpenAI的GPT系列。一個核心問題再次浮現:V4會再次顛覆全球AI價值鏈嗎?野村證券在2月10日發佈的《全球AI趨勢追蹤》報告中給出了明確的判斷:不會。研報指出,這次發佈的意義在於V4可能通過創新架構(mHC和Engram技術)進一步降低訓練和推理成本,加速中國AI價值鏈創新周期。同時有望幫助全球大語言模型和AI應用企業加速商業化處理程序,從而緩解日益沉重的資本開支壓力。01 創新技術架構帶來性能與成本最佳化報告指出,算力晶片和記憶體一直是中國大模型的瓶頸。而V4有望引入的兩項關鍵技術——mHC和Engram,從演算法和工程層面針對這些硬約束最佳化。mHC:全稱為“流形約束超連接”。它旨在解決Transformer模型在層數極深時,資訊流動的瓶頸和訓練不穩定的問題。簡單說,它讓神經網路層之間的“對話”更豐富、更靈活,同時通過嚴苛的數學“護欄”防止資訊被放大或破壞。實驗證明,採用mHC的模型在數學推理等任務上表現更優。(超連接與流形約束超連接)Engram:一個“條件記憶”模組。它的設計理念是將“記憶”與“計算”解耦。模型中的靜態知識(如實體、固定表達)被專門儲存在一個稀疏的記憶體表中,這個表可以放在廉價的DRAM裡。當需要推理時,再去快速尋找。這釋放了昂貴的GPU記憶體(HBM),讓其專注於動態計算。(Engram架構)研報指出這兩項技術的結合對中國AI發展意義重大。用更穩定的訓練流程(mHC)彌補國產晶片可能存在的不足;用更聰明的記憶體調度(Engram)繞過HBM容量和頻寬的限制。野村強調V4最直接的商業影響就是進一步降低大模型的訓練與推理成本,這種成本效益的提升將刺激需求,屆時中國AI硬體公司將受益於加速的投資周期。02 硬體受益於“加速周期”野村認為全球主要雲服務商正全力追逐通用人工智慧,資本開支的競賽遠未停歇。因此V4預計不會對全球AI基礎設施市場造成去年那種等級的衝擊波。不過全球大模型及應用開發商正背負著日益沉重的資本開支負擔。V4若能如預期般,在維持高性能的同時顯著降低訓練與推理成本,將成為一劑強心針。它可能幫助這些玩家更快地將技術轉化為收入,緩解盈利壓力。報告回顧了DeepSeek-V3/R1發佈一年後的市場格局。此前DeepSeek的兩個模型V3和R1的“算力管理效率”疊加“性能提升”加速了中國LLM與應用發展,也改變了全球與中國大語言模型競爭格局,並推動開源模型更受關注。(OpenRouter上排名前15的開源模型每周Token消耗量)在2024年底,DeepSeek的兩個模型曾佔據OpenRouter上開源模型Token使用量的一半以上。但到了2025年下半年,隨著更多玩家加入,其市場份額已顯著下降。市場從“一家獨大”走向了“群雄割據”。這表明,僅憑單一模型的高效,已不足以統治快速演進的開源生態,如今V4面臨的競爭環境,遠比一年前複雜。03 軟體或迎來“增值而非被替代”在應用側,更強大、更高效的V4將催生更強大的AI智能體。報告觀察到,像阿里通義千問App等,已經能夠以更自動化的方式執行多步驟任務。這意味著,AI智能體正從“對話工具”轉型為能處理複雜任務的“AI助手”。這些能執行多工的智能體,需要更頻繁地與底層大模型互動,這將消耗更多的Token,進而推高算力需求。因此,模型效能的提升不僅不會“殺死軟體”,反而為領先的軟體公司創造了價值。野村強調,需要關注那些能率先利用新一代大模型能力,打造出顛覆性AI原生應用或智能體的軟體公司。它們的增長天花板可能因模型能力的飛躍而被再次推高。 (硬AI)
記憶體漲價吞噬訂單,“黑天鵝”突襲手機、PC晶片產業
▎儲存漲價,終端集收縮,高通、聯發科們有了“芯病”。AI的高速發展,正在衝擊過去固有的思維定勢,並逐漸變革上下游的營運邏輯。只是,任何事物的發展都有AB面,在AI的刺激下,消費電子迎來了新的活力,但上游供應鏈需求側的變動,也正在讓終端遭遇更大的壓力。從去年以來,AI基礎設施需求激增,導致手機、PC等所使用的儲存供應短缺,價格也隨之上漲,並且勢頭不減,有機構預測這一漲勢將延續到2027年或更久。而儲存價格的變動,正在引起一系列連鎖反應,比如手機等終端價格上漲,多家品牌廠商也都調整了產品策略。不僅如此,記憶體漲價也成為高通、聯發科等晶片廠商的“黑天鵝”,導致未來出現了諸多不確定。在剛剛發佈的財報中,高通和聯發科雖然都取得了不錯的成績,但基於對未來終端需求的下挫,均給出了下滑的預期。而這,也讓多家晶片公司的股價在二級市場出現波動。2026年,經營側調整應對波動外,尋找新的穩定增長點和利潤亦成為晶片廠商的新課題。儲存漲價,終端集體收縮當下,可以確定的一點是,資料中心今年將持續佔據絕大部分高端記憶體晶片的產量,而這也就意味著整個消費電子鏈條都將重新調整,市場將遭遇進一步的收縮。同時,這一影響正在加速到來。根據亞馬遜價格追蹤平台CamelCamelCamel的資料現實,在過去六個月內,Crucial Pro DDR5 64GB記憶體條價格從145美元快速漲至790美元。同時,TrendForce集邦諮詢最新儲存器產業調查資料顯示,2026年第一季AI與資料中心需求持續加劇全球儲存器供需失衡,原廠議價能力有增無減,TrendForce集邦諮詢據此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季成長幅度,預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公佈的季增55-60%,改為上漲90-95%,NAND Flash合約價則從季增33-38%上調至55-60%,並且不排除仍有進一步上修空間。Omdia最新報告顯示,DRAM、NAND及其他半導體的供應端壓力不斷升級,令廠商非常擔憂。這些制約因素可能壓縮廠商利潤空間、迫使產品調整售價,並最終抑制消費者需求。基於記憶體價格的上漲,多家終端廠商在開年做出了預警。其中,蘋果指出,2026年一季度的毛利率會受到一定影響。傳音控股在公告中稱,公司由於受供應鏈成本影響,儲存等元器件價格上漲較多,對公司的產品成本和毛利率造成一定影響,導致報告期內公司整體毛利率出現下滑態勢。此前還有報導稱,小米、OPPO和vivo等均下調了今年的出貨預期。不止是手機,PC市場亦是如此,漲價潮已經波及到終端的供需。到2025年12月,PC廠商已開始釋放漲價預期,而供應不足也已經對2026年的出貨預期造成抑制。根據TrendForce集邦諮詢最新筆電產業調查,全球筆電品牌自2025年下半年起面臨儲存器價格顯著上漲的壓力,預估2026年第一季筆電用DRAM與SSD的合約價格將分別季增80%、70%以上,2026年第一季全球筆電出貨季減14.8%。Omdia首席分析師葉茂盛(Ben Yeh)表示:“從2025年第一季度到第四季度,主流PC記憶體與儲存成本上漲了40%至70%,導致成本壓力最終傳導至客戶。鑑於2026年供應仍然緊張,行業正提升高端產品的比重,同時精簡中低端配置以保護利潤率。”記憶體“吞噬”訂單,晶片廠遭殃資料中心預計將吸納今年高端記憶體產量的70%,進一步擠壓消費電子供應。穩價格、保利潤,大機率是2026年消費電子終端市場的主旋律。在此背景下,難免要在元器件採購上去做減法。記憶體由於處於強勢地位,自然是放在第一位,而過往成本大頭的處理器晶片,則出現了新的危機。一方面是整體需求的降低,另一方面則是減少了價格和利潤更高的高端晶片的採購。前不久,聯發科和高通相繼發佈了2025年第四季度財報,均交出了不錯的答卷。其中,高通營收創下新高達123億美元,好於分析師平均預期的121.8億美元;調整後淨利潤為37.8億美元,非通用會計準則(Non-GAAP)每股收益為3.50美元,整體業績超出市場預期。作為核心的晶片業務QCT,收入106.13億美元,創下新高。其中手機收入78.24億美元,同比增長3%。但是,基於當前記憶體“危機”帶來的影響,高通給出的第二財季(2026年第一季度)指引顯示,手機晶片收入預計將降至約60億美元,整體營收處於102億美元至110億美元之間,不及分析師平均預期的112億美元,而這也導致高通的股價一度大跌近10%。在業績電話會上,高通CFO Akash Palkhiwala指出,鑑於當前環境,多家手機OEM廠商,正在採取謹慎態度,減少晶片組庫存以適應縮減後的整機生產計畫。高通CEO安蒙同樣表示,部分客戶已表示將在今年削減手機生產計畫,由於記憶體供應商將製造產能轉向HBM以滿足AI資料中心需求,由此導致的全行業記憶體短缺和價格上漲可能將決定本財年手機行業的整體規模。聯發科也是一樣,財報顯示,其第四季度營業收入達1501.88億元新台幣,同比增長8.8%,環比增長5.7%。營業利潤218.5億元新台幣,同比增長2.0%。但因為記憶體漲價的原因,也提前給出了預警。在財報電話會上,聯發科首席執行長蔡力行表示,人工智慧作為行業擴張的催化劑,推動需求激增,全球供應鏈在2026年將面臨難以完全滿足日益增長需求的挑戰,導致整個供應鏈成本上升。我們也將調整定價以反映供應鏈成本的上漲,並根據整體盈利能力在各產品間分配供應資源。根據市場研究機構Counterpoint Research給出的預測資料,2026年全球智慧型手機出貨量將同比下降6.1%,而智慧型手機SoC出貨量預計較2025年同比下降7%。其中,聯發科出貨量預計同比下滑8%,高通出貨量預計將同比下滑9%,蘋果出貨量同比下滑6%,紫光展銳預計2026年出貨量同比下滑14%。日前,英特爾CEO陳立武更是直言,AI相關的需求增加,已對電腦和智慧型手機方面的傳統供應帶來了壓力,導致儲存晶片短缺,價格持續上漲,在2028年前不會緩解。不僅僅是處理器晶片,為了平衡整機的成本,中高端螢幕採購也受到了影響。Omdia指出,手機廠商,尤其是中國手機品牌,沒有信心將儲存器件上漲的成本轉嫁給消費者,或者擔心價格上漲導致銷量下跌,因此通過不斷下調2026年的業務計畫來迫使其它元器件供應商降價。因此,在產能與供應仍處於擴張階段的AMOLED面板,成為智慧型手機廠商為了避險部分記憶體漲價壓力而重點調整的成本環節。向多元化業務要收入向高端要利潤可以肯定的是,這一波儲存上漲的周期會比以往都要來的長,需要上下游廠商提前做好預案。對於晶片廠商來說,這次也不能獨善其身,向過去那樣“躺著賺錢”是不可能的了,需要調動更多的資源,以及針對市場的變化進行及時調整。一方面,是拓展更多元的業務去增加收入。從目前的收入結構上來看,手機佔據著多個晶片廠商的核心收入,比如高通手機晶片業務的收入佔總收入的近九成。近幾年,隨著終端市場需求的增多,晶片廠商也在向更多的領域擴張,比如汽車、具身智能等。基於汽車市場的變革,聯發科在積極發力,推出多個智能座艙平台,將AI技術與智能體AI座艙應用,用AI定義座艙體驗。根據高通的財報資料顯示,25年四季度汽車業務的收入同比增長15%至11億美元,創下歷史新高。從智能座艙到自動駕駛計算平台,高通近年來持續加速佈局汽車產業,成為公司的“第二增長曲線”。安蒙指出,正在推動公司轉型,增加面向汽車、個人電腦和資料中心的晶片銷售,使業務更加多元化。除了汽車業務外,在今年的CES期間,高通還入局機器人領域,推出了高通躍龍IQ10系列處理器,打造面向工業級自主移動機器人(AMR)和先進的全尺寸人形機器人。安蒙稱,“物理AI和機器人領域正在經歷由邊緣AI和感測器融合進步推動的快速增長,將通過利用我們在高性能、節能計算、連接和邊緣智能方面的優勢,以及在ADAS和自動駕駛、工業和安全級矽片以及感知和感測技術方面的經驗來實現這一目標。”在增收之外,為了穩定整體業務的營運,晶片廠商將更加專注於高端市場,尋求更多的利潤。相比較中低端市場,高端市場的消費人群對價格的敏感度較低,他們願意為了更高的性能和更好的體驗去花更多的錢買單。過去一年,單從手機市場來看,高端機型的增長一直在持續,即便是在下行周期也是如此。安蒙在電話會上表示,高端和超高端市場的需求超出了預期,且這部分市場對價格上漲的彈性已被證明更強。“OEM廠商很可能會像過去一樣優先考慮高端和高層級產品,因此這意味著在記憶體受限的情況下,廠商會傾向於保高利潤機型。”另外,聯發科也在持續發力高端市場,尤其在手機行業,與終端廠商共研,目前已搭載在多個品牌的高端機型上,天璣在高端市場的認可度也在提升。在記憶體漲價引發的連鎖反應下,聯發科也會加速沖高的步伐。變局之下,收縮成為2026年消費電子行業的主旋律,壓力從終端傳導至晶片上游。在記憶體價格高企的較長時間裡,左手增收,右手增利,晶片廠商的這場博弈戰已然開打。 (鈦媒體)
高盛:全球記憶體供需及物料清單成本分析
記憶體市場史上最大短缺將至!2026年DRAM/NAND供不應求空前嚴重,HBM持續吃緊。高盛在最新發佈的報告中,對記憶體行業前景給出了極其樂觀的判斷。核心結論如下:1.史上最緊周期預計 2026年 DRAM和NAND將遭遇過去15年來最嚴重的供應短缺。DRAM缺口從之前預測的-3.3%擴大至 -4.9% ;NAND缺口從-2.5%擴大至 -4.2%。2.強勁驅動切換伺服器相關需求(尤其是AI伺服器、HBM、企業級SSD)已成為記憶體增長的絕對主力,而PC/智慧型手機需求增長顯著放緩。3.價格與利潤飆升在供需極度緊張下,記憶體公司定價能力大幅提升,預計三星/海力士的DRAM營業利潤率在2026年將飆升至70%-80%的歷史高位。4.HBM市場擴容上調2026/2027年HBM市場規模預測至540億/754億美元,預計供應短缺將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。5.成本傳導無憂報告通過BOM分析指出,儘管記憶體成本飆升將擠壓PC/手機廠商利潤,但即便在最悲觀的需求假設下,2026年DRAM行業供需依然保持緊缺。一、 傳統記憶體(DRAM/NAND):2026年將遭遇“史上最大短缺”1. DRAM:三股力量共同推高緊缺度需求端:伺服器獨挑大樑,PC/手機增長乏力全球DRAM需求增長,伺服器為主要動力.伺服器是核心驅動。預計2026年伺服器DRAM(不含HBM)需求將同比增長39%,佔全球DRAM需求的44%。若包含HBM,則伺服器相關需求佔比將高達53%。.PC和手機需求增長顯著放緩。因記憶體價格上漲抑制了單機搭載容量增長,預計2026年移動DRAM和PC DRAM需求增速分別僅為7%和5%,遠低於過去幾年的兩位數增長。供給端:產能擴張受限,庫存維持低位.主要廠商(三星、海力士)受限於潔淨室空間,傳統DRAM晶圓產能增長有限。新建工廠(如三星P5、海力士龍仁廠)在2027年下半年之前難以上量。.全行業庫存水位健康,某些客戶已開始為2028年的需求爭取供應配額,突顯當前供應鏈緊張程度。結論與預測:在伺服器強需求與供給強約束下,高盛將2026/2027年DRAM行業供應缺口預測分別上調至 -4.9% 和 -2.5%。2026年缺口將是過去15年之最。預計2026年傳統DRAM價格將同比上漲約180%,推動三星/海力士的營業利潤率達到71%和79%的驚人水平。2. NAND:企業級SSD與AI新架構引爆需求新需求引擎:NVIDIA的ICMSP與KV快取.ICMSP是NVIDIA為最佳化AI推理上下文儲存而推出的新平台,實質上在本地儲存和網路儲存之間增加了一個“G3.5層級”,由BlueField DPU驅動。.這主要為瞭解決KV快取(保存AI對話歷史)規模激增帶來的性能瓶頸。當HBM和DRAM放不下時,資料需要下移到NAND。.增量需求巨大僅NVIDIA的Rubin平台,預計在2026/2027年就能分別帶來29EB/79EB的額外NAND需求,相當於高盛對這兩年全球NAND總需求預測的3%/6%。閃迪也預計ICMSP將在2027年帶來75-100EB的額外需求。供需預測:在強勁的企業級SSD(預計2026年增長58%)和新增AI架構需求驅動下,高盛將2026/2027年NAND行業供應缺口預測分別上調至 -4.2% 和 -2.1%。供給端同樣受限於資本開支優先投向DRAM以及技術遷移(而非擴產)的戰略。價格與利潤:預計2026年NAND價格將同比上漲100%-120%,三星/海力士的NAND業務營業利潤率將分別達到40%和44%。二、 HBM:市場規模上調,競爭格局生變,供應依然緊張1. 市場更大、增長更快高盛將2026/2027年HBM總市場規模(TAM)預測分別上調8%/9%至540億/754億美元。需求上修主要歸因於ASIC需求超預期(如GoogleTPU、AWS Trainium等)。預計2026年ASIC將佔HBM需求的33%(原為28%)。2. 競爭加劇,三星奮力追趕海力士憑藉在NVIDIA供應鏈中的優勢地位,預計2026年HBM市場佔有率將保持在52% 左右,維持領導地位。三星正積極追趕,已開始向ASIC客戶(特別是Google)大規模供應HBM3E,並在HBM4(包括11.7Gbps版本)認證上取得進展,預計本月開始大規模交付。預計其2026年HBM收入將同比大增157%,市佔率回升至27%。3. 供需持續吃緊儘管三星和SK海力士都在加快提升HBM產能,但由於需求上調幅度更大,預計2026/2027年HBM行業供應缺口將從之前預測的-0.7%/-1.6%擴大至 -5.1%/-4.0%。三、 BOM成本分析:記憶體成本佔比飆升,但難改緊缺大勢記憶體價格暴漲已引發下游PC和智慧型手機廠商的強烈擔憂,戴爾、惠普、聯想、蘋果、三星等均已表示將提價或調整產品配置以應對成本壓力。高盛通過分析iPhone、三星Galaxy S系列、戴爾XPS系列的BOM成本發現:智慧型手機到2026年第三季度,記憶體成本佔iPhone BOM的比例可能從2025年同期的10%飆升至23%;三星手機可能從13%升至29%。PC記憶體成本佔戴爾XPS BOM的比例可能從7%升至17%。iPhone BOM trend & Memory/BOM (%) Estimates(圖示:iPhone的BOM成本中記憶體佔比趨勢預測)然而,關鍵結論是:即便在最悲觀的場景下,DRAM供需依然緊張。高盛模擬了“極度悲觀”情景:智慧型手機/PC出貨量和單機記憶體容量增長均弱於基準預測。結果顯示,2026年DRAM需求年增長率仍能達到21%(基準為25%),行業仍將面臨 -1.7% 的供應缺口(基準為-4.9%)。這意味著,記憶體成本的上升可能會抑制消費者端的需求,但無法扭轉由伺服器/AI驅動的、強勁且緊迫的需求基本面。四、 投資建議:重申看好記憶體產業鏈龍頭基於對記憶體行業持續、深度緊缺的判斷,高盛重申了對以下公司的“買入”評級:記憶體製造商三星電子、SK海力士、閃迪裝置與材料商東京電子、愛發科、迪思科報告認為,這些公司將主要受益於他們預期的記憶體行業供需趨緊。 (數之湧現)
高盛:記憶體荒將持續2年,這些領域將迎來超級周期!
供給收縮與AI需求剛性碰撞,儲存產業鏈格局正在重塑。高盛最新專家網路研討會獨家紀要出爐!我們與AI基礎設施供應商Micro Data Center首席技術與AI官深入對話,為您揭示當前AI基礎設施建設熱潮中鮮為人知的核心矛盾與投資機會。核心結論直擊要害:DRAM供應將緊張至少兩年:AI需求激增疊加頭部廠商供給紀律,導致全行業進入結構性稀缺階段。AI買家“不惜代價”:為保障GPU按時交付,資料中心營運商願意承擔更高記憶體成本。瓶頸不止記憶體:從電力、冷卻到網路,整個資料中心基礎設施面臨長達數月至數年的積壓挑戰。01 未來兩年:DRAM持續短缺,價格高位運行高盛報告明確指出,IT硬體行業正進入一個結構性稀缺階段。AI基礎設施需求引爆了記憶體市場的巨大供需失衡,DRAM和NAND的交貨期已長達數月,堪比疫情高峰時期。高頻寬記憶體(HBM) 尤其受限,因其封裝複雜且良率爬升緩慢。造成這一局面的兩大核心原因:需求端:AI訓練與推理對記憶體頻寬和容量提出前所未有要求,HBM需求井噴。供給端:三大行業巨頭SK海力士、三星、美光展現出高度供給紀律,嚴格控制產能投放。這種稀缺對低端消費電子及非AI領域的衝擊尤為顯著,它們正陷入艱難爭取產能分配的境地。市場模式已悄然轉變:買家更傾向於簽訂長期協議,核心訴求已從價格轉向採購量承諾、優先獲取權和分配保證。專家預測,這種供應緊張和價格高企的局面將至少持續未來兩年。02 成本讓位於交付:AI基礎設施買家的“鈔能力”邏輯面對不斷上漲的記憶體成本,AI資料中心的買家選擇出乎意料——照單全收。核心邏輯在於:對於營運商而言,GPU部署延遲的風險遠遠大於記憶體成本的增加。AI模型的訓練與上線時間窗口至關重要,延遲意味著巨大的機會成本與競爭劣勢。為了部分避險成本壓力,行業正在探索 “降配”最佳化 方案,例如:重新設計供電系統部署更具針對性的冷卻基礎設施最佳化網路架構另一方面,面向企業級的OEM廠商(如戴爾Dell)則可能採取不同策略——提高部署服務價格或融資利率,將更高的元件成本分攤到其3-5年的長期服務合同中。這意味著,終端使用者可能以另一種形式為這場“記憶體荒”買單。03 隱藏的瓶頸:AI資料中心的全面供應鏈挑戰記憶體只是AI基建難題的冰山一角。報告揭示,多個關鍵資料中心物理基礎設施元件面臨更長期的“卡脖子” 問題,積壓期從數月到數年不等:電力渦輪機、變壓器、電源單元先進製造先進封裝冷卻液冷元件、風扇連接光開關與光纖、網路卡(NIC)、機箱為了拓寬供應,部分供應商正考慮引入中國供應商(如CXMT長鑫儲存、YMTC長江儲存)進入中低端和亞太市場。然而,由於缺乏有競爭力的HBM產品,高端AI生態系統預計仍將牢牢繫結於目前供應受限的現有市場領導者。04 投資視角:關注點與風險提示綜合報告觀點,以下領域值得關注:潛在受益方(產業鏈關鍵環節):儲存原廠如SK海力士、三星、美光,供應紀律強化有望維持其利潤水平與議價能力。高端儲存相關技術/裝置商受益於HBM等先進封裝的複雜性和高需求。資料中心關鍵基礎設施供應商涉及電力、先進冷卻、高速互連等短缺環節的公司。需謹慎觀察的領域:嚴重依賴成熟製程儲存晶片的低端消費電子領域可能面臨長期的產能擠壓和成本壓力。無法切入高端AI生態的替代供應商在當前的性能競賽中,短期內或難以撼動現有格局。 (數之湧現)
Intel新CEO重磅警告:記憶體比算力更緊缺!晶片戰爭真正瓶頸首次曝光
在Cisco AI峰會上,剛剛履新10個月的Intel CEO Lip-Bu Tan首次系統披露了AI基礎設施的真實瓶頸。這位曾帶領Cadence 25年的EDA工具教父,用一句話顛覆了行業共識:“如果有什麼會拖慢AI,那一定是記憶體,不是算力。”“朋友都勸我別接這爛攤子”開場時,Cisco高管Jeetu Patel半開玩笑地說:"你保持了我交友速度的紀錄——從沒人讓我這麼快建立友誼。"Lip-Bu Tan的回應更實誠:“加入Intel董事會兩年後,很多朋友勸我別當CEO——你在風投界名聲那麼好,幹嘛接這個爛攤子?”但他最終還是說服了妻子:"這是一家標誌性公司,對行業、對美國都太重要了。“10個月過去,Lip-Bu用"marching off the map”(踏入未知領域)形容這段經歷——意外狀況不斷,只能邊走邊學。摩爾定律壓縮到"三四個月"當被問到AI發展的最大制約因素時,Lip-Bu Tan的答案出人意料:“記憶體。記憶體供應商告訴我,至少到2028年都不會緩解。”為什麼?因為AI"吞噬"了太多記憶體。他提到與輝達CEO黃仁勳的私下交流:"Jensen下一代產品需要大量HBM記憶體。"而全球只有三家主要供應商(三星、SK海力士、美光),其中兩家明確表示產能已被鎖死到2028年。更驚人的是算力需求的增速。Lip-Bu透露了一個資料:"過去摩爾定律的周期是3-4年,現在變成了3-4個月。"這意味著計算需求的膨脹速度比任何人想像的都快。台積電產能:AI晶片的"七吋"雖然記憶體是第一瓶頸,但Lip-Bu更擔心的是2027年的晶片產能危機:2024-2025年新增15-18GW算力2026年新增約30GW2027年,晶圓廠產能將再次成為最大瓶頸他直言:“台積電等廠商約50%的先進製程產能都用於AI晶片。到2027年,瓶頸會從電力重新回到半導體製造。”這與此前SemiAnalysis創始人Dylan Patel的"台積電瓶頸論"不謀而合——當所有人盯著資料中心電力時,真正的死結在上游。為什麼Nvidia"被迫"多線押注?訪談中,Lip-Bu揭示了一個罕見細節:Intel正在同時押注CPU、GPU、RISC-V和ARM架構。“我剛聘請了頂尖的GPU架構師,還在擁抱RISC-V和ARM。關鍵不在於堅守x86,而是從軟體層往下定義硬體。”這背後的邏輯是:沒人知道AI的最優架構是什麼。輝達用GPU統治訓練市場,但推理市場正在分化——Intel客戶發現CPU在某些場景下性能更優,而Cerebras用WSE(晶圓級晶片)搶走了OpenAI的750MW推理訂單。Lip-Bu說得更直白:"每個CEO都給我打電話——Lip-Bu,我是你最重要的客戶,能多給我點貨嗎?“這種供不應求的狀態,倒逼晶片廠商必須"多條腿走路”。18A良率暴漲背後:開放的力量Intel代工業務(Foundry)是Lip-Bu的戰略重心。他接手時,18A製程良率"相當糟糕",但通過一個反常規操作實現了逆轉:“我讓所有朋友來幫忙——PDF Solutions、KLA等裝置商。我們’打開和服’(open up the kimono),讓外部專家進來診斷。現在良率每月提升7-8%,這是行業最佳實踐。”這種"透明即信任"的策略奏效了:Panther Lake(潘瑟湖)晶片已交付18A生產多個客戶主動上門要求使用18A14A製程(1.4奈米)將於2028年風險量產、2029年量產Lip-Bu給客戶的承諾也很實在:“給我你最大、最重要的產品,先給我5%-50%的份額,讓我慢慢贏得信任。”中國AI:比你想像的更接近當Jeetu Patel提出"中國模型只是蒸餾美國模型"的觀點時,Lip-Bu Tan的回答讓現場氣氛凝重:“我最近想招頂尖CPU架構師,發現華為有100個世界級CPU架構師。我震驚了。”他追問這些人才為何去華為,得到的答案是:“雖然我們沒有Cadence、Synopsys的頂級EDA工具,也沒有ASML的光刻機,但我們有’窮人的辦法’(poor man’s way)。而且我們在悄悄自研裝置。”Lip-Bu的結論令人警醒:“他們只是略微落後。如果我們不小心,他們會跳躍式超越。”更致命的差距在基礎設施審批速度:“在美國,資料中心的監管審批流程很長;在中國,一旦決定就能迅速獲批並建成。”開源AI:美國唯一的武器?面對中國政府補貼AI研發的模式,Lip-Bu給出了美國的"遊戲理論"答案:開源。“我強烈支援開源。坦率講,有很多專業人士告訴我——Lip-Bu,我們在開源AI上已經落後中國了。DeepSeek只是一記警鐘。”但問題在於:開源模型的訓練成本太高,沒有商業模式支撐。Lip-Bu透露,一些朋友正在重建開源社區,甚至成立獨立研究機構(而非依賴大學),專門資助頂尖AI研究者。他還呼籲產業界投入基礎研究:“公共公司受短期業績壓力,無法投資10-20年的長期項目。而頂尖教授正被亞洲和歐洲挖走,這太危險了。”散熱、互連、軟體:全端最佳化才是出路除了晶片和記憶體,Lip-Bu Tan還指出了三個被低估的瓶頸:散熱技術  “高性能GPU或CPU有時不得不降頻,因為散熱跟不上。風冷已經不夠了,液冷、微流體冷卻、浸沒式冷卻正在成為標配。”光互連  “過去靠銅纜和Credito、Astera Labs的方案,現在必須轉向光互連。速度和延遲要求太高了。”叢集管理軟體  “Kubernetes很好,但解決不了實際問題。現在有很多創業公司來找我,專攻GPU/CPU叢集的故障診斷——你都不知道問題出在那。”他強調Intel正在探索新材料:玻璃(優秀絕緣體)、人造金剛石、氮化鎵(用於射頻和開關)——“CMOS快到極限了,我們得翻遍元素周期表。”量子計算:AI之後的下一個戰場Lip-Bu Tan的時間線很清晰:現在:AI模型訓練與推理近期:Agentic AI(智能體)中期:Physical AI(物理世界AI,如機器人)遠期:量子計算“量子就在拐角處,這是AI之後的下一波浪潮。”給企業CIO的建議:別把AI堆在舊系統上訪談最後,Lip-Bu對全球數百萬IT決策者喊話:“不要把AI堆在遺留系統上——不會成功的。我剛招了能找到的最好的CIO,告訴她:現在是重新審視基礎架構的好時機。你得拆掉舊的,再逐功能引入AI工具。”他還分享了一個冷水資料:MIT教授的研究顯示,全球經濟的生產力增長率仍然極低,甚至低於19世紀的某些時期。“這說明AI的採用還不夠廣泛。我們必須明確目標、設計流程、建立可衡量的指標,才能真正向董事會證明:投資這項技術提升了生產力和營收。”尾聲:國家寶藏的雙重使命Jeetu Patel最後說:“Intel是國家寶藏,但你也是。”Lip-Bu Tan的使命很清晰:短期:讓18A/14A代工贏得客戶信任中期:重建美國半導體製造能力長期:在開源、材料、量子等領域保持領先他在風投界幹了幾十年,現在選擇"再戰一次"。或許正如他所說——這不僅是一家公司的轉型,更是一個產業、一個國家的生死戰。 (硅星人Pro)
美光,爆雷!
美光徹底出局HBM4市場,訂單被韓系雙雄清零剛刷到SemiAnalysis 2月10日的最新報告,越看越唏噓。作為行業權威分析機構,它的這份披露,直接改寫了下一代高頻寬記憶體(HBM4)的市場格局。美國儲存大廠美光,因技術路線失誤,徹底錯失輝達下一代Rubin晶片的HBM4供應訂單。HBM4市場將被韓系廠商SK海力士與三星徹底主導,美光在輝達Rubin平台的供應份額被“清零”。這意味著,美光將完全無緣這一高端記憶體核心市場,顆粒無收。要知道,HBM4是輝達Rubin晶片的核心配套記憶體,直接決定其AI算力表現。韓系雙雄的瓜分格局,已經基本鎖定。市場預計,SK海力士將拿下約70%的HBM4訂單,成為絕對的最大贏家。剩餘30%的份額則被三星收入囊中,兩家攜手,實現對HBM4高端市場的全面壟斷。這一格局,也鞏固了韓系廠商在全球高端記憶體領域的主導地位,短期內難以撼動。美光的翻車,絕非偶然,核心癥結就是技術路線選偏了。為了降低生產成本、掌控供應鏈主動權,它選擇了“單打獨鬥”的策略。全程由內部自主設計、製造HBM4基礎裸片(Base Die),不與任何外部廠商合作。這種選擇,恰恰與SK海力士、三星的合作模式形成了鮮明反差。SK海力士聰明得多,選擇與台積電強強聯手,借力對方的先進製程能力。三星則依託自身成熟的邏輯代工能力,實現HBM4裸片的自主可控。反觀美光,獨立研發生產的模式,不僅引發了嚴重的散熱問題,性能也不達標。其HBM4產品的引腳速度,未能達到輝達的客戶標準,這是最致命的硬傷。更關鍵的是,美光的固執,讓它徹底落後於競爭對手。面對性能差距,它不願轉向更先進的外部製程節點,一味堅守自身路線。美光曾在財報會上宣稱,其HBM4引腳速度將超過11Gbps,但實際未能達到輝達要求。最終,在關鍵性能指標上,被SK海力士、三星遠遠拉開差距,失去競爭資格。如果說技術失誤是導火索,那時間差,就是壓垮美光的致命一擊。當地時間2026年1月5日,輝達CEO黃仁勳已宣佈,Vera Rubin晶片正式進入“全速生產”階段。Rubin平台作為輝達下一代旗艦AI晶片,其供應鏈合作名單早已基本鎖定。美光的技術調整,來得太晚,已經錯失了進入該供應鏈的最佳窗口期。美光並非完全放棄,還在做最後的掙扎。它計畫重新設計基礎裸片、最佳化供電網路,全力彌補技術短板。預計在2026年第二季度,再次提交輝達進行資格測試,試圖挽回訂單。但從當前市場格局和時間節點來看,它挽回訂單的希望,已然十分渺茫。三星能順利拿下30%左右的訂單,也算一次漂亮的逆襲。回顧HBM3時代,三星曾因技術問題遭遇供應延誤,一度落後於SK海力士。三星半導體業務負責人此前也承認,在HBM業務上錯過早期市場機會。而此次,它率先達到了輝達要求的HBM4引腳速度,成功擺脫此前的陰影。三星的突破,也讓韓系雙雄的壟斷地位更加穩固。兩家廠商憑藉各自的優勢,分工協作,徹底堵死了其他廠商的突圍之路。這也意味著,未來一段時間,全球高端AI晶片的HBM4供應,將完全掌握在韓系廠商手中。 (1 ic芯網)
記憶體價格穩定了?別被表象疑惑,挑戰尚在進行
但願吧PCPartPicker的資料顯示DDR4和DDR5記憶體價格近期漲勢放緩,表現出穩定性。但分析師指出,這並非供應短缺結束,而是經銷商為了在農曆新年前提高現金流、回籠資金,選擇在此時拋售庫存,導致價格暫時回落。近期飽受記憶體漲價之苦的玩家可能發現,DDR4 和 DDR5 記憶體的價格走勢似乎在過去幾天“冷靜”了下來。然而,科技媒體WCCFTech今日發佈預警稱:千萬不要被這種表面的平穩所迷惑,記憶體市場的“至暗時刻”遠未結束。通過追蹤 PCPartPicker 等平台的價格資料可以發現,DDR4 和 DDR5 記憶體的漲幅確實出現了“抹平”跡象。但分析師twi@jukan05 指出,這並非因為記憶體缺貨問題得到瞭解決,而是受到農曆新年的影響。隨著農曆新年的臨近,管道商和經銷商為了改善現金流、回籠資金,正在通過降低價格或減少溢價的方式加快庫存周轉。換句話說,現在的價格平穩更多是分銷環節的“甩貨”行為,而非上游供應端的降價。與零售端短暫的“溫和”不同,上游供應鏈傳出的訊號極為嚴峻。由於全球 AI 基礎設施建設對 HBM(高頻寬記憶體)、DDR5 以及 LPDDR5 的需求幾近瘋狂,三星、SK 海力士和美光等巨頭已將產能重心傾斜。此前有報導稱,記憶體供應商在談新一季度的 DRAM 合約時,報價漲幅甚至達到了驚人的 125%。在這種“賣方市場”下,供應商不僅不再讓步,甚至在合同中硬性寫入了調價條款,以確保利潤最大化。受到記憶體供應短缺的影響,已有部分 PC 硬體的發佈被迫推遲或變相漲價。分析指出,隨著 AI 算力需求的持續擴容,2026 年記憶體價格預計將維持上行通道。消費者最為關心的,莫過於到底什麼時候能用到原價記憶體。這就不得不談到前段時間我已經寫過好幾遍的文章,關於當前是國產儲存崛起的最佳時機。目前已知,專注於NAND技術的廠商實際上在兩年前已開始進行DRAM技術的研發,也就是說在明年,我們能看到的不僅僅是只有一家國產記憶體大廠。因此,當時間線拉到2027年,預計最快在明年第二季度,我們能看到記憶體熱度的急劇下降,而隨著新勢力的進場,國際記憶體市場也將進入新一輪洗牌。 (AMP實驗室)