中國國產儲存晶片搶抓“超級周期”機遇

自今年第三季度起，儲存晶片行業開始進入史無前例的“超級周期”。TrendForce集邦諮詢的資料顯示，2025年第三季度DRAM產業營收季增30.9%，達414億美元；前五大NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元；前五大企業級SSD品牌廠合計營收季增28%，達65.4億美元，創今年新高。儲存晶片領軍企業SK海力士指出，當前DRAM的需求激增，供應商庫存已經達到最低水平，缺貨情況可能要持續到2028年。

全新的周期下，海外大廠產能向高端轉移造成中端供給缺口，本土儲存晶片廠商迎來了關鍵機遇窗口期。如何精準錨定市場缺口、攻克核心技術、最佳化產能佈局，成為本土廠商把握機會的關鍵。

“超級周期”導致巨大市場缺口

與以往周期不同，此輪“超級周期”的核心驅動力是供需失衡的結構性矛盾。儲存晶片已從消費電子的“成本部件”升級為AI基礎設施的“戰略物資”。隨著AI從訓練階段邁向規模化推理應用，“以存代算”技術成為企業降本增效的核心路徑，直接拉高了高端儲存晶片的需求。

今年10月，OpenAI發佈了“星際之門”計畫，與三星、SK海力士正式簽署了儲存晶片供應協議，鎖定每月高達90萬片DRAM晶圓供應，相當於全球DRAM產量的40%。業內專家表示，一台AI伺服器對DRAM和NAND的需求量分別約為普通伺服器的8倍和3倍；同等規格的LPDDR5 DRAM，用於AI伺服器的價格可達消費電子類產品的1.5倍。

TrendForce集邦諮詢預計，AI與伺服器相關應用到2026年將佔DRAM總產能的66%，DRAM的整體營收將飆升56%。

受利潤驅動，三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產能向HBM（高頻寬記憶體）、DDR5 DRAM等高端儲存產品傾斜，甚至完全停產DDR4 DRAM、DDR3 DRAM等前代產品，導致供應短缺。美光為聚焦AI資料中心等高增長、高利潤領域，更是在近日宣佈退出旗下Crucial（英睿達）品牌的消費級業務，後續不再向一般消費者銷售該品牌相關產品。

與此同時，各大廠商相繼調高儲存器產品價格。11月3日，三星率先暫停10月DDR5 DRAM合約報價，引發SK海力士、美光等儲存原廠跟進，恢復報價時間延後至11月中旬。受此影響，短短一周內DDR5現貨價格飆升25%。中信證券研報預測，三大儲存原廠此次暫停報價將導致DDR5 DRAM價格季度漲幅達到30%~50%。DDR4 DRAM產品雖已逐步退出主流產能，但供應短缺導致價格“逆勢上漲”，16GB DDR4記憶體條價格較去年同期漲幅超過200%。

巨大的中低端儲存晶片市場需求和價格空間為本土儲存晶片企業提供了多元化的市場切入點。消費電子領域，智慧型手機和筆記型電腦的出貨量預計2026年小幅下滑，但儲存容量升級趨勢未改，中端機型6GB/8GB記憶體、256GB快閃記憶體成為主流配置，本土廠商的高性價比產品有望填補海外廠商留下的市場空白；AI與雲端運算領域，國內雲端運算廠商年儲存採購規模超千億元，阿里雲、騰訊雲等為保障供應鏈安全，持續加大國記憶體儲晶片採購比例；汽車電子領域，L3及以上等級自動駕駛對儲存容量的需求是傳統車型的10倍以上，智能座艙單系統儲存容量已突破256GB，預計2028年全球車用儲存市場規模將達102.5億美元。中國作為新能源汽車大國，已有很多國內車企開始採用本土的儲存晶片產品。

本土廠商有望提升話語權

當前，本土儲存晶片廠商不斷完善中低端產品佈局，並已實現量產，高端產品也取得新進展，且具備價格優勢，正在逐步填補海外廠商留下的市場空白。

在DRAM領域，長鑫儲存自2019年實現了第一代19nm工藝的DDR4 DRAM記憶體量產以來，產品良率穩步提升，已完成從DDR4到DDR5、從LPDDR4X到LPDDR5X的產能與技術雙重迭代。其在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）正式發佈的最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb；而在今年10月推出的LPDDR5X最高速率達到10667Mbps，產品覆蓋12GB至32GB，並通過封裝創新，滿足手機小型化、輕薄化等需求。

長鑫科技集團股份有限公司市場中心負責人駱曉東表示：“當下DRAM市場供不應求的狀況給下遊客戶和行業帶來了極大的挑戰。中國需要有非常穩定的本土DRAM產能供應，通過產能提升和規模效應來減少對國際大廠的產能依賴。”

在NAND領域，長江儲存自主研發的Xtacking架構實現了3D NAND技術的跨越式發展，完成了從32層三維快閃記憶體晶片的突破，到64層追趕、128層並跑，再到232層領跑的技術升級，當前294層3D NAND產品良率已突破90%，連續讀寫速度超7000MB/s。其首條全本土化NAND產線於2025年下半年試產，裝置本土化率達45%。

在主控方面，江波龍從2023年開始推出自研的主控產品，當前，公司基於自研WM7400主控推出的UFS4.1產品能夠在一個系統中相容TLC（三層單元）和QLC（四層單元），讓容量選擇更加豐富的同時，性能領先業界平均水平。

深圳市江波龍電子股份有限公司副總裁、嵌入式儲存事業部總經理黃強表示：“我們擁有自有封測製造基地，主控晶片和軟體完全是自主設計的，更加貼近本土客戶的需求；同時，江波龍始終踐行的PTM（儲存產品技術製造）模式，令我們能夠為本土客戶設計、生產定製化產品的同時，更加靈活、快速地響應客戶需求。”

在此次儲存晶片的“超級周期”中，本土廠商已不再是被動跟隨者，而是具備技術突破能力、產能供給能力和產業鏈協同能力的核心參與者。把握這一機遇，本土廠商有望在中端市場快速實現替代，在高端市場逐步突破，提升市場競爭話語權。 (中國電子報)