昨日,有媒體引述第三方購物平台獲悉,海力士和三星的256G DDR5伺服器內存一根超過4萬元,有的甚至高達49999元/根。如果以1盒100根來計算,其價格將近500萬元,這已經超過上海不少房產。這也正是昨天熱文「一盒內存條價格堪比上海一套房」的核心觀點。
昨天,半導體產業觀察也報導了閃迪從去年四月到現在,股價已經上升十倍。具體參考文章《閃迪股價,飆漲1080%》。
從三星今天發布的數據看來,儲存巨頭也的確已經數錢數到手軟。
三星利潤,首次突破20兆
根據韓媒報導,受全球對人工智慧伺服器需求激增,導致記憶體晶片價格大幅上漲的推動,三星電子公司利潤成長了208%,遠超預期。
財報顯示,三星電子去年第四季合併銷售額達93兆韓元,營業利潤達20兆韓元。這是三星電子季度營業利潤首次突破20兆韓元大關。先前的季度營業利潤紀錄為2018年第三季的17.57兆韓元,此次業績較先前紀錄高出約14%,創下7年4個月以來的新高。
該盈利遠超市場普遍預期(約18 兆韓元),分析師表示,全球人工智慧(AI) 基礎設施投資的擴大推動了儲存半導體周期的反彈,這一結果證實了這一點。
根據三星電子1月8日發布的數據,2025年第四季銷售額較上季成長8.06%,較去年同期成長22.71%。營業利潤季增64.34%,較去年同期成長208.17%。按季度計算,這是自2018年以來的最高水準。
通報進一步指出,儲存半導體業務是此次獲利改善的核心。儘管各業務部門的官方業績尚未公佈,但業內人士和證券界普遍預期,半導體(DS)部門第四季度的銷售額約為40兆韓元,營業利潤為15兆至16兆韓元,扭轉了去年同期的虧損局面。分析表明,DS部門的營業利潤可能占到總營業利潤的70%以上。
隨著人工智慧伺服器的普及,伺服器DRAM的出貨量激增,而生產結構向HBM的轉變限制了普通DRAM的供應,從而維持了價格堅挺並推動了盈利增長。因此,DRAM業務的營業利潤率似乎已恢復到50%左右。
NAND快閃記憶體似乎也已經擺脫了大部分獲利拖累。隨著NAND需求的復甦,尤其是在人工智慧基礎設施中嵌入式固態硬碟(eSSD)的需求成長,營運虧損可能已縮小至1兆韓元以下,甚至接近損益平衡。
高頻寬記憶體(HBM)業務也被認為是DS部門獲利成長的關鍵支柱。市場預期三星電子第四季HBM相關銷售額將達6兆至7兆韓元。 HBM3E出貨量增加和平均售價(ASP)上漲的雙重效應,以及高附加價值產品佔比的提升,共同增強了經營槓桿效應。
HBM份額的提升正推動整個記憶體產品組合的品質改善,這被視為公司已進入結構性獲利復甦階段,而非簡單的周期性反彈的證據。儘管下一代HBM4尚未達到能夠顯著提升銷售額的階段,但它被認為是提升未來業績預期的重要因素。
數據顯示,三星股價在2025年已上漲超過一倍,本月再次飆升,反映出市場對其季度業績的預期,此前競爭對手美光科技公司發布了樂觀的業績預測。光是上周,彭博社追蹤的10多位分析師就上調了三星的目標股價。
本周,三星高層在CES消費電子展上強調了記憶體晶片供應短缺的嚴重性,該公司總裁Wonjin Lee表示,消費性電子產品的價格已經開始上漲,「半導體供應方面將會出現問題」。
在三星半導體業務中,非記憶體和成品業務也正逐步復甦。系統級晶片(LSI)和代工業務部門第四季度可能錄得1兆至2兆韓元的營業虧損,但考慮到訂單成長和製程遷移的影響,市場普遍認為虧損較上一季有所縮小。業內人士也認為,這些部門在觸底後已進入復甦階段。
Micron,也遠遠超出預期
去年12月中,美光科技表示,本季營收約187億美元,高於倫敦證券交易所集團(LSEG)先前預期的142億美元。該公司還表示,調整後每股收益約為8.42美元,遠超過先前預期的4.78美元。
美光科技執行長桑傑·梅赫羅特拉在與分析師的財報電話會議上表示:「人工智慧資料中心容量的成長正在顯著推動對高效能、高容量記憶體和儲存的需求成長。伺服器單元的需求已顯著增強。」他還補充說,該公司預計到2025年,伺服器單元的成長將達到「接近10%」。
美光科技第一財季淨利為52.4億美元,合每股4.60美元,去年同期淨利為18.7億美元,合每股1.67美元。總營收年增57%。
美光公司生產電腦記憶體和固態儲存設備。近幾個月來,由於人工智慧基礎設施的蓬勃發展需要大量此類晶片,這些半導體一直處於短缺狀態。
市場對記憶體的高需求推動美光科技股價上漲。數據顯示,這家半導體巨頭的股價在過去一年飆升了238%,目前接近52周高點344.55美元。
美光是三家為人工智慧應用提供高頻寬記憶體的公司之一。例如, AMD大量使用美光的記憶體。
的最新人工智慧晶片。
美光科技表示,其雲端儲存銷售額達52.8億美元,較去年同期成長一倍。這家晶片製造商報告稱,其核心資料中心銷售額為23.8億美元,年成長僅4%。該公司表示,這兩個業務部門的成長均得益於價格上漲。
本月初,美光表示將停止直接向消費者銷售記憶體和其他零件,以確保人工智慧晶片和資料中心的供應。
美光科技處於多項變革性技術趨勢的核心地位。其在人工智慧、高性能資料中心、自動駕駛汽車和工業物聯網領域的佈局,使其在可持續的長期成長方面擁有獨特的優勢。隨著人工智慧的加速普及,對DRAM和NAND等先進儲存解決方案的需求也呈現爆炸性成長。美光科技對下一代DRAM和3D NAND的投資,確保其在提供現代運算所需的高效能方面保持競爭力。
美光的多角化策略也取得了積極成效。美光科技透過將業務重心從波動性較大的消費性電子市場轉移到汽車和企業IT等更具韌性的垂直領域,從而打造了更穩定的收入基礎。這種平衡增強了公司抵禦周期性經濟衰退的能力,而這在半導體產業至關重要。
美光科技也受惠於高頻寬記憶體(HBM)市場的強勁需求。其HBM3E產品憑藉著卓越的能源效率和頻寬,成為人工智慧工作負載的理想之選,因此備受關注。
2025年,NVIDIA確認美光科技是其GeForce RTX 50 Blackwell GPU的核心HBM供應商,這標誌著該公司在人工智慧供應鏈中實現了深度整合。此外,美光科技在新加坡建造的HBM先進封裝工廠(計劃於2026年投產,並於2027年進一步擴建)也凸顯了該公司致力於擴大產能以滿足人工智慧市場需求的決心。
SK海力士,最大受益者
雖然SK海力士還沒有公佈最新的財報,但從第三財季的表現看來,他們無疑是最大的受益者。
韓國SK海力士公司在十月底公佈了創紀錄的第三季營收和利潤,這得益於其用於生成式人工智慧晶片組的高頻寬記憶體的強勁需求。與去年同期相比,9 月季度的營收成長了約39%,而營業利潤較去年同期成長了62%。
與上一季相比,營收成長10%,營業利潤成長24%。該公司在財報中指出,季度營業利潤首次突破10兆韓元大關。通報發布後,SK海力士在韓國的股價上漲近5%。截止今日,SK海力士過去一年的股價漲幅超過300%。
SK海力士生產的記憶體晶片用於儲存數據,從伺服器到智慧型手機和筆記型電腦等消費性電子設備,都能找到它們的身影。
作為高頻寬記憶體(HBM)晶片的主要供應商,該公司受益於人工智慧的蓬勃發展,這些晶片被用於為人工智慧資料中心伺服器提供動力。
SK海力士在一份聲明中表示:“由於客戶對人工智慧基礎設施的投資不斷增加,整個記憶體領域的需求飆升,SK海力士憑藉高附加價值產品的銷售增長,再次超越了上一季度創紀錄的業績。”
HBM 屬於動態隨機存取記憶體(DRAM)這一大類-DRAM 是一種半導體記憶體,用於儲存資料和程式碼,常見於個人電腦、工作站和伺服器中,這也是成就SK海力士目前業績的重要產品。根據Counterpoint Research 的數據,SK 海力士在2025 年第二季和第三季在整體HBM 市場(按收入計)分別佔64% 和57% 的市場份額。
該公司表示,在與未透露名稱的客戶進行談判後,將於本季開始供應其下一代HBM4晶片。這些晶片代表了第六代HBM技術。
SK海力士的一位高層在財報電話會議上表示,該公司的HBM產品自2023年以來一直處於售罄狀態,預計到2027年,隨著公司努力提高產量,其HBM供應仍將緊缺於需求。
在11月底,KB Securities分析師Jeff Kim和Dahyun Kang報告稱,SK海力士(SK Hynix)有望錄得創紀錄的第四季度收益,因這家韓國晶片製造商受益於DRAM產品持續供應緊張和晶片價格上漲。他們預計,在10月至12月期間,該公司的營業利潤將年增87%,達到創紀錄的15.1兆韓元。他們說,DRAM供應短缺的狀況可能會持續至2027年底,SK海力士的營業利潤預計將在2025年增長84%,在2026年增長89%。他們預計,該公司將繼續主導高頻寬儲存(HBM)市場,到2026年將佔據約60%-65%的份額。
考慮到三星如此出色的表現,這個預測可能比較保守。
而且,鑑於目前普遍預測今年儲存半導體市場將比上年保持約50% 的高速成長,SK 海力士於1 月5 日在其公司新聞中心強調,公司將保持其在高頻寬記憶體(HBM) 市場的領先地位,該市場是人工智慧(AI) 領域推動成長的主要動力。
關於市場前景,該公司解釋說,HBM4 的需求將逐步成長,而HBM3E 則將確立其市場主導地位。其策略是透過不斷增加第五代產品(HBM3E)的供應,同時及時建立第六代HBM(HBM4)的量產體系,來維持其作為全球領先HBM 供應商的優勢。
SK海力士表示:“隨著用於人工智慧訓練和推理的伺服器投資不斷擴大,每台伺服器的DRAM和HBM容量也在穩步增長”,並補充說,“內存和存儲在整個人工智能基礎設施中所佔的比例正在結構性地增長”。
好日子,還在後頭?
其實除了上述巨頭以外,國內的長存和長鑫,台灣的南亞和華邦點等也成為了儲存的大贏家。展望2026年,如三星所說,儲存將會繼續推高各大廠商的業績。
根據台灣市場研究公司TrendForce的預測,繼2025年第四季上漲45%至50%之後,預計2026年第一季(1月至3月)傳統DRAM的合約價格將季增55%至60%。這是因為DRAM供應商預計將繼續將其先進製程和新增產能重新分配給伺服器和高頻寬記憶體(HBM),以滿足人工智慧伺服器的需求。 TrendForce指出:“這種轉變將顯著限制其他市場的供應,導致傳統DRAM的合約價格環比上漲約55-60%。”
TrendForce指出:「儘管DRAM整體供應趨緊,但消費者買家仍願意支付額外費用,以確保在2026年第一季度獲得優先採購權,並降低未來供應短缺的風險。然而,由於部分DRAM供應商謹慎擴張產能,且需要將產能分配給高密度產品,預計短期內供應將無法滿足需求,導致價格持續上漲。」
同時,各大廠商也將在加緊擴張。
美光科技公司剛宣布,將於1月16日正式動工,興建美國史上最大的半導體製造廠。
位於紐約州奧農達加縣的這座耗資1000億美元的巨型晶圓廠,是紐約州史上最大的私人投資項目。隨著環境評估的完成和必要許可證的獲批,美光公司現在可以開始場地準備和建設工作了。
該設施將包括至多四個製造廠,專注於生產先進的儲存晶片,以滿足日益增長的人工智慧系統需求。建成後,它將成為美國最大的半導體工廠。
身為領頭羊,韓國雙雄也來勢洶洶。
根據韓媒報導,隨著人工智慧帶動儲存半導體產業走向火熱,三星正在推動其韓國半導體工廠擴張產能。在決定重啟建設平澤市P5 產線後,公司已進入招標基礎設施階段,同時平澤P4 工廠也有了擴充產能的新動向。
據介紹,三星平澤P4 工廠的擴建工程也呈現加速趨勢,這家工廠主要生產10nm 級第六代1c DRAM,相關設備導入與試運行相比原計劃提早2-3 個月,產出的1c DRAM 將用於明年的HBM4 晶片。至於P5 晶圓廠,是生產高頻寬記憶體(HBM)等記憶體,或是會為客戶提供晶圓代工服務,目前尚未確定,但該晶圓廠預計將於2028年投產。
全球記憶體晶片巨擘SK海力士位於韓國清州的M15X晶片廠將比原計畫提早四個月投入量產。該廠原定於2026年6月啟動生產,現調整至2026年2月即可量產用於高頻寬內存HBM4的核心組件1b DRAM晶圓,初期月產能約1萬片,預計到2026年底將實現數倍產能擴張。
韓媒進一步支出,三星電子和SK海力士在2026年預計將分別實現接近100兆韓元(約680億美元)的空前營業利潤。半導體產業的持續上漲,加上美光科技創紀錄的業績,提振了市場信心,認為這輪上漲行情仍有巨大的上漲空間。
大信證券和Kiwoom證券分別預測,三星電子2026年的年度營業利潤將達到110兆韓元和107.6兆韓元。同期,iM證券和未來資產證券分別預測SK海力士的營業利潤將達到93.8兆韓元和91.1兆韓元。
外國證券公司的預測則較為樂觀。摩根士丹利預測三星明年的營業利潤將達到116.4兆韓元,而野村證券則預期SK海力士的營業利潤將達到99兆韓元。 儘管如此,投資者對高成本人工智慧投資回報時間表的不確定性。
其中,HBM無疑是核心的核心。
根據美光CEO預測,,全球HBM 市場規模將從2025 年的350 億美元增長到2028 年的1000 億美元,並指出,1000 億美元的里程碑預計將比之前預測的提前兩年實現。 「中期內,我們只能滿足幾家主要客戶約50%到三分之二的需求,」該公司CEO在先前網路電話會議上表示。 “在這種環境下,包括HBM在內的所有DRAM的供需缺口,確實是我們迄今為止見過的最大缺口。”
總而言之,一個屬於儲存的大時代,正在走來。(半導體產業觀察)