中國晶片去美化三年：國產裝置飆升至55%！

《南華早報》今日頭版援引工信部內部資料稱，中國半導體裝置國產化率已提前一年突破官方設定的“50%紅線”，2025年底全國晶圓廠新建產線中國產裝備金額佔比達到55%，高出2024年目標5個百分點；其中刻蝕、薄膜、清洗三大工藝國產化率均超過60%，7nm驗證線進展較原計畫提速一倍，為14nm全國產鏈落地奠定基礎。

檔案顯示，截至2025年12月，全國新建或擴建的12英吋晶圓產線累計招標裝置約430億元人民幣，其中國產裝置金額236億元，佔比55%。細分來看，刻蝕機國產化率65%、薄膜沉積裝置61%、清洗裝置63%，離子注入機亦達到35%；量測與光刻仍處“攻堅區”，分別為25%與18%，但已較2022年提升10個和6個百分點。

國產裝置在先進節點驗證速度超預期。中芯國際南方廠7nm試驗線原定於2026年Q2完成工藝驗證，現已提前至2025年底通線，核心刻蝕、薄膜、清洗裝置均切換為國產型號，首批256 Mb SRAM良率突破42%，比計畫高8個百分點。內部人士透露，國產14nm級High-k金屬柵全套裝置已通過可靠性考核，2026年Q2即可匯入量產。

資本市場迅速反應。中微公司、北方華創、華海清科、盛美上海今日再掀漲停潮，裝置指數單日上漲12%，三日累計漲幅達28%。券商研報指出，按當前招標節奏，2026年國產裝置市場空間有望突破500億元，年復合增速維持30%。

技術層面，國產龍頭已在部分細分領域實現反超。中微CCP刻蝕機進入5nm循環驗證，關鍵尺寸均勻性<1 nm；北方華創原子層沉積（ALD）裝置拿下長江儲存400層3D NAND訂單，單片鎢薄膜厚度誤差<0.5 Å；盛美單片清洗裝置獲華虹上海12英吋28nm產線重複訂單，uptime>90%。

光刻與量測仍是最大短板。上海微電子28nm DUV光刻機已通過工藝驗證，但套刻精度與uptime與ASML仍有差距；中科飛測量測裝置尚處14nm驗證階段。工信部內部路線圖顯示，2026-2027年將集中資源突破High-NA光學系統、電子束量測、深紫外雷射源等“卡脖子”環節，目標2028年實現14nm級DUV全國產。

政策層面，國家大基金二期已承諾未來三年向裝置環節投入800億元，重點支援“高端光刻機、量測/檢測裝置、先進封裝裝置”三大空白。大基金管理人表示，裝置環節佔整個產業鏈價值25%，卻長期依賴進口，“國產化每提高1個百分點，可釋放約50億元市場空間”。

美方智庫CSIS評論稱，中國裝置自給率提前越線，顯示“美國封鎖正產生反作用”，但60%之後每一步都將“更艱難”，尤其是邁向5nm及以下節點仍需全球供應鏈協作。

總體來看，中國半導體裝置已完成“從0到1”跨躍，正進入“從1到N”放量期。短期看，國產裝置在28-14nm成熟製程已具備替代能力；中長期能否突破EUV、量測與材料協同，將決定“全國產鏈”能否真正跑通高端市場。投資者需關注技術瓶頸與政策節奏，避免“國產化”主題過度炒作後的一地雞毛。 (晶片行業)