3月下旬，寒武紀的股價跌破千元大關，悲觀情緒在市場中蔓延——國產半導體難道不行了？進入4月後，半導體類股走出了反彈行情，而摩根士丹利也在此時發佈研究報告，堅定看好中國半導體行業。大摩在研報中寫道：“2028年，中國半導體自給率，預計將從2025年的24.3%，躍升至32%，這不是單點突破，而是系統升級。”大摩判斷，中國半導體正在進入加速超車期。裝置、製造、設計全線突圍，未來三年，將是國產半導體最關鍵的逆襲窗口。Part.01 自給率增速史上最快過去很多年，國產晶片自給率一直緩慢爬坡。但這一次，邏輯徹底變了。大摩給出明確預測：2025年中國半導體自給率24.3%，2028年將直接跳升至32%。三年提升近8個百分點，堪稱近年來最陡峭的增長曲線。支撐這一判斷的是實打實的資料：2025年中國本土晶片企業總營收530億美元，同比大漲22%。中國市場佔全球晶片需求的27%，龐大內需+供應鏈成熟，讓自給率進入不可逆的上升通道。這不是概念，不是預期，是已經發生、還將加速發生的產業大趨勢。Part.02 最大爆點：AI GPU徹底爆發如果說國產晶片有一個突破口，那一定是AI GPU。大摩研報明確表示，2025年就是中國AI GPU的元年。銷售額狂飆至130億美元，同比直接翻倍。市場空間從190億美元暴增到320億美元，7nm–10nm工藝良率持續突破，量產能力大幅提升。而最具標誌性的訊號，是MiniMax等頭部AI廠商，已經開始批次使用國產AI GPU。這意味著，國產GPU不再是實驗室樣品，而是真正進入AI算力核心供應鏈，承接推理端爆發式需求。國內晶圓廠全力配合產能釋放，AI晶片從設計到量產的閉環已經跑通。大摩大膽預測：2030年中國AI晶片市場規模將衝到670億美元，先由國企與政務需求打底，再由商用場景引爆長周期增長。Part.03 最穩基本盤：儲存晶片AI負責爆發力，儲存負責基本盤。兩大國產儲存龍頭，正在改寫全球半導體格局。大摩統計了2025年全球儲存晶片產能佔比：長鑫儲存（DRAM）：8.5%（從5.6%大幅提升）長江儲存（NAND）：12.6%（從7.4%跨越式增長）擴產節奏更是火力拉滿：2026年，長鑫新增60萬片/月等效8英吋產能，長江儲存新增25萬片/月等效8英吋產能。標準化儲存晶片自給率提升，最能直接拉動整體自給率上行，同時帶動裝置、材料、製造全鏈條吃滿訂單，成為國產替代最硬的底氣。Part.04 重磅訊號：海外裝置不香了晶片自主，第一步就是裝置自主。現在，最強烈的拐點訊號已經出現：海外裝置進口集體暴跌。2026年2月，中國半導體裝置進口額同比大降24%，三個月移動平均增速-15%，連續兩個月負增長。從各國進口資料來看，美國-54%、荷蘭-13%、韓國-70%、日本-39%、新加坡-9%。五大裝置強國對華出口全線收縮，背後是國產裝置滲透率快速提升。北方華創、中微公司、盛美半導體等，正在成熟製程、儲存產線大規模替代，卡脖子環節一個接一個被攻破。Part.05 製造端托底：AI晶片產能有保障光有設計和需求不夠，製造能力才是量產底氣。大摩表示，國內晶圓廠迎來雙重突破，一是成熟製程持續擴產，支撐MCU、功率器件、模擬晶片上車。二是12nm以下先進製程穩步提升，專門適配AI GPU量產。中芯國際、華虹半導體成為AI國產化核心代工支柱，把國內晶片設計公司的圖紙，變成可以大規模出貨的產品。此外，汽車電子需求爆發，進一步帶動MCU、功率半導體自給率穩步走高。雖然模擬晶片受海外價格戰短期承壓，但長期替代趨勢不改。Part.06 大摩點名四大方向龍頭大摩在報告中明確看好四大領域，全是國產替代核心受益主線：晶圓代工—中芯國際、華虹半導體：AI晶片代工核心平台半導體裝置—北方華創、中微公司、盛美半導體：裝置替代最核心標的晶片設計—瀾起科技（高性能計算）、兆易創新（儲存相關）：長邏輯最順。功率半導體/SiC—車規需求爆發，賽道持續高景氣。Part.07 關鍵判斷：國產半導體黃金三年開啟總結這份報告，大摩核心觀點非常清晰：中國半導體自給率提速，不是單點突破，是系統升級。AI GPU提供最強彈性，儲存晶片提供最穩支撐，裝置與製造築牢底層底座，三大力量共振，把自給率推上新高。未來三年，是國產晶片從“能用”到“好用”、從“可用”到“市佔率第一”的關鍵期。AI商業化落地進度，將決定這一波國產替代的最終高度。一場由技術、產能、需求共同驅動的半導體大浪潮，已經正式啟動。 (智通財經APP)

中國半導體大型企業的高層等13人提出了力爭到2030年國內自給率達到80%的建議。美國調查公司國際商務戰略公司(IBS)的資料顯示，根據中國企業在中國市場的供貨額計算出的半導體自給率2024年僅為33%……北方華創等中國大型企業參加SEMICON China（3月25日、上海市）中國的半導體企業正在加緊推進技術研發和擴大產能。在國際展會上，製造裝置大型企業紛紛發佈新產品。半導體大型企業的高層等13人提出了力爭到2030年國內自給率達到80%的建議，追趕美國。“從高端半導體裝備的攻堅突破，到核心零部件的迭代進階，北方華創用每一項成果彰顯硬核實力，用每一次創新踐行產業使命，不僅彰顯了中國半導體裝備領域的深厚積澱與攻堅底氣，更向世界亮出了中國企業錨定高端、領跑全球的堅定決心！”配合3月25～27日在上海市舉辦的國際展會“SEMICON China”，北京政府旗下的半導體製造裝置大型企業北方華創科技集團（NAURA）在社交媒體官方帳號上這樣表示。北方華創強調，作為與2025年投資的瀋陽芯源微電子裝置合併的成果，擴大了產品陣容。還發佈了採用微細的奈米（奈米為10億分之1米）級技術的新產品。上海政府旗下的大型製造裝置企業中微半導體裝置（AMEC）發佈了電路線寬5奈米以下的邏輯半導體的製造裝置。該公司董事長尹志堯表示，將通過推進技術研發和併購，在5～10年後將自身能提供的高性能領域產品的比例提高到60%以上。中國政府在2026年至2030年的五年規劃中提出了科學技術的“自立自強”，將半導體定位為戰略領域。國務院總理李強在3月份的全國人民代表大會上表示，將把半導體培育成新興產業的支柱。呼應政府的方針，北方華創的董事長趙晉榮、中國最大的儲存器企業長江儲存科技（YMTC）的董事長陳南翔、中國最大半導體代工企業中芯國際積體電路製造（SMIC）為大股東的北方積體電路技術創新中心的總經理康勁等13人提出了發展半導體產業的五年規劃。內容是在美國警惕技術流向中國並加強管制的背景下，加緊建構中國自主的供應鏈。具體來說，力爭將半導體自給率提高到80%。提出的目標是，針對電路線寬為7奈米的半導體，建設全部由國產製造裝置的生產線並進行試運行，同時還將實現14奈米半導體的穩定生產。瞄準在微細電路形成中不可或缺的極紫外線（EUV）光刻機方面領先的荷蘭阿斯麥控股，也納入了創造“中國版阿斯麥”的想法。路透社報導稱，建設半導體新工廠時要求採用50%以上的國產裝置，加速整個供應鏈的國產化。半導體大型企業也在加緊擴大產能。長江儲存科技正在湖北省武漢市建設第三座工廠，計畫到2026年底投產。在用於長期儲存的NAND型快閃記憶體方面，被認為擁有與日美韓廠商同等或接近的技術，也有消息稱美國蘋果公司也考慮在iPhone中使用。中芯國際表示2026年將維持與創歷史新高的2025年（81億美元）達同等水平的投資，在北京市內推進新工廠的建設。從事14奈米以下量產的旗下企業將從政策性基金等籌集資金，為擴大產能做準備。半導體行業國際團體SEMI的中國總裁馮莉認為，在使用已有技術的成熟產品領域，“中國在全球產能總量中所佔的比例將從2024年的25%增加到2028年的42%”。中國能否實現這些頂級企業高層提出的目標？美國調查公司國際商務戰略公司(IBS)的資料顯示，根據中國企業在中國市場的供貨額計算出的半導體自給率2024年僅為33%。在以光刻機為代表的半導體製造裝置領域，與外資企業的技術實力差距也很大。除了阿斯麥之外，Tokyo Electron和佳能等日本企業也參加了SEMICON China。美國的應用材料公司、泛林集團(Lam Research)和科磊（KLA）等3家大企業作為贊助商參加。對中國半導體產業政策有影響力的清華大學教授魏少軍3月26日在演講中表示，地緣政治因素正在影響全球半導體產業，未來以中國和美國為兩極的全球半導體產業格局有望逐步形成。 (日經中文網)

01前沿導讀據中國半導體產業多位領軍人在《科技導報》發佈的專題報告指出，中國已經在衛星、國家安全、軍事網路等戰略體系下所應用的晶片做到了100%自主可控，為國家安全建構出一道堅實的城牆。下面要面臨的挑戰，則是在具有Fin FET電晶體結構的14nm工藝節點實現自主製造，緊接著便是依靠自主可控的14nm產業鏈，向7nm、5nm等先進節點發起技術攻堅。02自主技術晶片產業的體系構成分為最上游設計步驟的EDA工具，緊接著是製造裝置、材料、工廠、製程技術、封測等硬體製造環節，最後則是將晶片搭載到終端載體上面，然後將其與作業系統進行匹配後投入市場進行銷售。在整個環節當中，每一個步驟都需要專門的軟硬體工具進行製造。缺少了任意一個技術裝置，整個產業鏈便會被切斷，無法正常交付產品。此前美國對中國晶片產業所實施的制裁限制，就是依靠中國企業在製造環節的薄弱點進行痛擊。先禁止其他企業給相關品牌代工晶片，然後封鎖外來的製造裝置，最後則是通過施加額外關稅、拉攏國際巨頭在美國本土發展等方法，讓中國晶片在國際市場上失去競爭力，進而將中美晶片技術的差距進一步拉大。這種在產業鏈上面的制裁，讓中國晶片產業出現了不同程度的技術斷層。雖然中國企業在先進晶片上出現了幾年的停滯，但是卻加速了自主技術的快速發展。先來看最上游的EDA工具領域，中國早在1993年便開發出了自主智慧財產權的貓熊EDA工具，隨後從2002年起，華大九天、廣立微、概倫電子等國產EDA企業陸續成立，開始在EDA軟體領域進行針對性技術研發。不同類型產品所需求的EDA工具是不一樣的，不管是模擬電路、儲存電路、射頻、顯示面板等半導體器件，還是晶圓製造、晶片封裝等製造環節都需要不同的EDA工具參與軟體設計。截止到2024年，華大九天已經成為了國內EDA領域的龍頭，以1.56億美元的企業銷售額位居全球EDA企業第六名的成績，已經成為了中芯國際、海思半導體、紫光展銳、京東方等本土企業的核心供應商。在下一步設計領域，中國企業與國際水平較為接近，但是受美國製裁條例的影響，雙方的整體營收規模差距很大。甚至輝達一家創造的營收，要比後兩名加在一起還多兩倍左右。不過海思半導體的技術水平有目共睹，無論是當年台積電製造的最後一代麒麟9000，還是採用自研大核心架構、支援超線程的麒麟9000S，都能體現出海思的設計水平。並且海思還涉及感測器、音訊、模擬晶片等其他技術業務。另一家紫光展銳則是專注於中低端晶片的設計工作，雖然只涉足中低端晶片設計，但紫光展銳的產品線廣泛，旗下晶片被大量用在千元手機、智能手錶、兒童手錶、學習機等各類細分的產品領域。海思半導體與紫光展銳設計的晶片，可以算是中國大陸地區出貨量最多的兩大品牌。海思主打中高端設計，紫光展銳則是專注於中低端晶片設計。如果只說手機SOC晶片，那麼海思的國內市場佔有率在20%左右，紫光展銳則是10%左右。下一個環節便是中國被美國重點卡脖子的製造環節，無論是製造技術還是製造裝置，中國本土技術均存在不同程度的短板，這也是此前產業發展幾十年一直存在的問題。美國的制裁，成為了讓中國企業有了危機意識，開始針對被卡脖子的地方重點攻關。03製造產業鏈中國本土最大的兩家晶圓代工企業就是華虹集團和中芯國際，華虹集團專注於成熟製程的特色工藝，已經在65nm—22nm實現了自主可控。而中芯國際則是成熟製程和先進製程雙路發展，多年前已經建立起Fin FET生產線，並且為華為代工了一批14nm的麒麟710A，正在提升N+1工藝的7nm產能。據集邦諮詢（TrendForce）發佈的報告指出，受本土市場的支撐，中芯國際已經拿下全球晶圓廠營收排名第三的好成績，營收規模較去年提升了16%。華虹集團也因本土市場的紅利在全球晶圓廠營收排名當中位列第六，營收規模較去年提升了25%。中國的晶片產能優勢明顯，而且也已經進入到了快速發展時期，下面就來到了最為核心的製造裝置領域。製造裝置是美國卡中國脖子的核心手段，在裝置上面實現技術本土化是當下各大企業的主要目標。實力較為強勁的裝置企業就是北方華創，北方華創已經形成了刻蝕+薄膜沉積+熱處理+濕法+離子注入的全品類裝置佈局。2025年3月，北方華創宣佈推出旗下首款離子注入裝置。6月份，北方華創宣佈取得芯源微控股權，開始對光刻技術配套的塗膠顯影裝置進行技術提升。這種全品類佈局正在讓北方華創成長為類似於美國應用材料、科磊一樣的大型裝備集團。中微半導體是刻蝕機領域的龍頭，佔全球總刻蝕機出貨量17%的市場份額，旗下最先進的刻蝕機支援5nm節點的晶片刻蝕工藝，已經進入到了台積電先進晶片的生產中。拓荊科技製造的14nm氣相沉積裝置也已進入商業化環節，在中芯國際的生產線中實現了對部分進口裝置的國產化替代。在討論話題最熱烈的國產光刻機領域，上海微電子公司製造的28nm光刻機已經進入工藝測試環節。工藝測試與量產商用是兩個概念，工藝測試的目的是提升裝置的可靠性和穩定性，讓其保持在一個較為良好的製造水平，不能出現晶片良品率極低這種惡性情況。當測試機器在各方面達到合格水平之後，下一步才是將該裝置進行量產，投入生產線商用。由於國產裝置還處於測試環節，所以當下國產7nm晶片的製造依賴於多年前從ASML採購的浸潤式光刻機，以及美國應用材料公司提供的先進離子注入裝置。28nm及以上的成熟工藝，我們已經實現了純國產化的自主可控，將外部風險降到了最低。14nm的Fin FET電晶體工藝，我們正在對其整體產業鏈進行自主技術研發。而7nm及以下更加先進的工藝，我們則是需要等14nm實現純國產化之後，再對先進工藝進行技術攻堅，穩步推進國產化技術的進度。 (逍遙漠)

一進一出的資金流向交織共振，成為觀察當下資金跨市場流動的窗口近期全球股市受到中東戰事的持續衝擊，半導體類股因受益於儲存產業鏈景氣上行、AI端側需求持續釋放等影響，仍然吸引眾多資金關注。3月16日，全市場唯一一隻覆蓋韓國市場的中韓半導體指數收漲2.60%，跟蹤該指數的中韓半導體ETF上漲2.83%，溢價率升至26.96%。3月17日，中韓半導體ETF下跌3.29%，溢價率仍有24.02%。中韓半導體ETF的持續高溢價背後，是A股投資者對韓國半導體龍頭的青睞。因看好韓國儲存巨頭在AI浪潮中的核心地位，A股投資者通過中韓半導體ETF，投向三星電子、SK海力士等全球儲存晶片龍頭。與此同時，受本土市場動盪與地緣風險影響，韓國資金近期較多流入A股、港股的電力裝置、能源基建等類股，並借道ETF佈局中國人工智慧與半導體企業。一進一出的資金流向交織共振，成為觀察當下資金跨市場流動的窗口。01 中韓半導體ETF持續高溢價儘管溢價風險與地緣衝突警報頻傳，中韓半導體ETF的熱度依然不減。Wind（萬得）資料顯示，截至3月16日，中韓半導體今年以來淨值上漲27%，場內價格上漲59%。拉長時間看，近一年淨值漲幅103%，場內價格更是上漲159%。場內交易情緒的高漲將溢價率推至高位，當前中韓半導體ETF溢價率仍達24.02%。面對這一情況，華泰柏瑞基金已連續多日發佈溢價風險提示公告和臨時停牌公告，並於2月27日將該產品風險等級從R3上調至R4。目前，其聯接基金A、C、I份額均已暫停申購。華泰柏瑞基金提醒投資者，高溢價狀態可能隨市場情緒變化或額度釋放而收斂。一旦溢價回落，即便基金淨值未跌，在高位買入的投資者也可能面臨虧損。此外，由於A股與韓國股市存在交易時差，交易價格與即時淨值之間可能存在資訊滯後，投資者需留意這一風險。中韓半導體ETF之所以備受追捧，與兩大因素密切相關：一是AI產業周期爆發帶來的想像空間；二是該產品的稀缺性帶來的溢價。該基金為A股市場唯一一隻直接投資韓國市場的ETF，跟蹤中證韓交所中韓半導體指數，囊括兩國半導體核心企業。從持倉來看，韓國半導體龍頭佔據重要權重。根據2025年四季報，該ETF前十大重倉股中，三星電子和SK海力士分列第一、二位，佔比分別為16.31%和15.45%，合計達31.76%，成為影響基金淨值的核心因素。其餘持倉還包括寒武紀、中芯國際、海光資訊、北方華創、兆易創新等A股半導體龍頭。三星電子和SK海力士是全球DRAM及HBM高端儲存領域的龍頭公司。受益於全球AI算力建設加速、HBM需求持續攀升，兩家公司股票在2025年分別上漲125.08%和274.90%，直接推動中韓半導體ETF淨值大幅上揚。不過進入2026年3月後，受地緣衝突影響，兩隻重倉股波動加劇。連續三日下跌後，3月5日迎來強勢反彈，三星電子漲11.27%，SK海力士漲10.84%，隨後兩個交易日又持續回呼。3月8日，SK海力士在摩根大通韓國大會上表示，記憶體上行周期或強於預期，次日股價再度反彈。綜合業內人士觀點，中東地緣衝突對韓國市場的衝擊體現在多方面。一方面，韓國對中東荷姆茲海峽的石油運輸依賴度極高，能源來源單一、其他能源管道有限，海峽通行受阻推高油價直接造成其短期工業成本衝擊。且戰儲支援不足、替代來源補充緩慢，進一步放大通膨壓力，或迫使韓國央行延緩降息甚至收緊貨幣政策，加劇經濟增長壓力。另一方面，韓國半導體生產高度依賴LNG 作為燃料，油價上漲及能源供給波動可能導致半導體生產受阻，引發全球產業鏈供應鏈連鎖反應，而半導體作為韓國股市核心權重類股，其生產與業績波動直接影響市場整體表現。對於後市，華泰柏瑞基金經理柳軍認為，儲存周期或許尚未走完。隨著AI需求持續高企，韓國龍頭的盈利高增有望延續。國內市場方面，國產替代儲存廠商相繼推進IPO(首次公開募股)，有望借資本市場擴張產能，進而推動相關類股與行業周期形成共振。02 韓國股民在A股買什麼？與中國投資者一鍵買入韓國半導體龍頭相對應，近期中國資產對韓國投資者的吸引力也在提升。截至3月16日，2026年以來，韓國投資者對A股及港股整體呈現淨流出態勢，但資金流出力度呈現逐月回落趨勢，市場投資情緒回暖。韓國預托結算院旗下SEIbro資料顯示，截至3月13日過去一個月內，韓國股民淨買入居前的A股標的包括三一重工、中國電建、光迅科技、浙能電力、贛鋒鋰業、長電科技、許繼電氣、通威股份、中際旭創。從名單來看，電力裝置、工程機械、核電等類股頗受青睞。這些標的有一個共同標籤：高盛近期力推的HALO資產。HALO是“Heavy Assets, Low Obsolescence”的縮寫，意為“重資產、低淘汰風險”。中金公司研報解釋，這一概念旨在AI技術帶來的不確定性環境中，尋找被替代風險低、可抵禦技術衝擊、具備長期穩定性的資產，投資邏輯由追逐成長性轉向確定性與稀缺性。除了直接買入個股，ETF也成為韓國股民佈局A股的重要通道。截至3月13日，過去一個月，韓國投資者淨買入A股證券前50名中，有兩隻ETF上榜：易方達中證人工智慧主題ETF和嘉實上證科創板晶片ETF。其中，前者淨買入金額為64.86萬美元，在全部A股證券中排名居前，顯示出韓國資金對中國AI及半導體賽道的關注。港股市場上，韓國股民的買入方向同樣清晰，近一個月淨買入居前的標的包括中國能源建設、哈爾濱電氣、訊策科技、瀾起科技、百度、中國電力等，涵蓋能源基建、AI及半導體等領域。不過，韓資的流向並非一成不變。就在此前，銀華中證創新藥產業ETF還曾佔據韓國投資者淨買入榜首位，截至3月11日的一個月內淨買入148.08萬美元。但僅過兩天，3月13日單日便流出147.59萬美元，資金轉向之快可見一斑。3月16日當日資料顯示，A股淨買入前十榜單中包含一隻ETF，為國泰君安中證全指半導體產品與裝置ETF，淨買入額為131.27萬美元。與此同時，前20榜單中消費相關標的同樣吸引資金湧入，三元食品、牧原股份等消費股均在榜，顯示韓國資金正加大對科技及消費類股的配置力度。港股淨買入前十標的涵蓋電力、半導體、石油、新能源及網際網路等多個領域，具體個股包括中國資源電力、中芯國際、中國石油、富豐集團、金風科技、中國虹橋、百度、小鵬汽車、中國能源工程、優必選。歷史資料顯示，韓國投資者對A股和港股的買入在2025年發生轉折。2022年，韓國股民對A股買入量為18.55億美元，2023年、2024年買入量持續下滑，2025年則出現大幅增長。韓國投資者在港股的買入同樣經歷了兩年的調整期後回暖，2025年買入規模創下近年新高。“韓國散戶投資者佔比較高，且具有一定投機性。”中金公司董事總經理、首席海外與港股策略分析師劉剛接受《財經》採訪分析，此前資料顯示，在韓國市場大跌期間，海外避險基金資金流出，而韓國散戶反而逆勢買入，呈現“接盤”特徵。近期韓國股民資金流向變化亦與其投資風格密切相關。“韓國市場劇烈動盪確實打擊了部分投資者信心，促使資金尋求重新配置。”劉剛提及，A股資本帳戶相對封閉、能源結構多元，受中東局勢衝擊較小，表現相對穩定，成為短期避風港；加上中國部分產業具備優勢，共同構成吸引資金流入的因素。 (財經雜誌)

中國積體電路出口在2026年前兩個月展現出強勁增長勢頭。海關總署最新資料顯示，今年1至2月，中國積體電路出口額達到433億美元，同比大幅增長72.6%；出口數量為525億塊，同比增長13.7%。這一增幅顯著超越同期中國全國外貿出口總體的21.8%增速，反映出在全球人工智慧需求爆發式增長的背景下，中國晶片產業的供給能力與國際競爭力正同步提升。分析指出，出口額的增幅遠超出口量的增幅，顯示出晶片單價明顯上漲，這與當前全球半導體市場進入上行周期、尤其是AI相關晶片供不應求的趨勢相符。與此同時，進口端資料也印證了中國市場的旺盛需求：前兩月中國積體電路進口量增長9%至91億塊，進口額則大幅攀升39.8%至782億美元。在產能層面，中國最大的晶圓代工廠中芯國際交出亮眼成績單，去年全年產出晶圓970萬片，同比增長21%，為滿足內外市場需求提供了堅實支撐。研究機構Omdia預計，中國半導體市場規模今年將達到5465億美元，同比增幅高達31.3%，顯示中國自給能力與市場需求同步快速擴張。值得關注的是，儲存晶片價格正進入新一輪上漲周期。市場研究機構Counterpoint預測，2026年第一季度儲存晶片價格將上漲40%至50%，第二季度預計再漲20%。這一趨勢將進一步推高中國晶片出口的貨值，但也可能增加下游裝置製造商的成本壓力。當前，中國半導體產業正處於“自給率提升”與“全球AI需求紅利”雙重機遇疊加期。一方面，以中芯國際為代表的製造企業持續擴產，推動中國國產晶片滿足本土系統廠商需求；另一方面，全球AI算力建設浪潮拉動對成熟製程及部分先進製程晶片的採購，使中國晶片出口受益明顯。在複雜的國際環境下，中國晶片產業鏈正展現出超預期的韌性與增長動能。 (晶片行業)

查遍《2025中國半導體城市產業格局白皮書》和各城市統計資料，答案終於明確。中國晶片公司最多的城市，不是上海、不是北京，而是深圳。2025年最新統計顯示，深圳晶片相關企業數量超2800家，佔全國總量近30%。對比其他核心城市，深圳的領先優勢十分明顯。上海晶片相關企業約1900家，聚焦先進製造領域，以中芯國際、華虹等為核心。北京約1700家，側重EDA和AI晶片設計，寒武紀、地平線是代表性企業。深圳的晶片公司，不僅數量多，產業鏈覆蓋也足夠完整。不像有些城市側重單一環節，深圳從設計、製造到封測、裝置，均有佈局。僅龍崗區就有100家相關企業，形成了完整的產業叢集生態。其中，IC設計企業是深圳的核心優勢，佔比超過70%。華為海思、匯頂科技、中興微電子等龍頭企業，均紮根深圳。這些企業撐起了深圳晶片設計的半壁江山，也帶動了大批中小企業成長。製造環節，深圳雖起步稍晚，但追趕速度很快。鵬芯微電子的生產線正在加速建設，方正微電子、深愛半導體已形成規模。封測領域，氣派科技、華潤賽美科等企業，也具備較強的競爭力。深圳對晶片產業的扶持力度一直很大。流片補貼最高達50%，上限3000萬，車規晶片量產還有500萬獎勵。除了政策，市場化基因更是深圳的獨特優勢。深圳的創業氛圍濃厚，容錯率高，適合晶片初創企業成長。中小企業能快速對接市場需求，靈活調整產品方向，降低試錯成本。資本的加持，也為晶片企業的成長注入了動力。南山有200億晶片生態基金，深交所開闢了晶片企業上市快車道。雲鋒基金、君聯資本等，也在深圳佈局了大量晶片相關投資。人才儲備，同樣為深圳晶片產業提供了支撐。南方科技大學、深圳資訊職業技術學院等，專門培養半導體相關人才。加上外地人才持續流入，形成了充足的工程師和研發團隊儲備。還有一個關鍵因素，就是深圳完善的下游應用場景。華為、中興、比亞迪等企業，對晶片有巨大的本土化需求。晶片企業能快速實現產品落地驗證，形成“研發-應用-迭代”的良性循環。當然，深圳晶片產業也有自己的短板。先進製程製造環節，與上海還有差距，高端裝置和材料依賴進口。但憑藉龐大的企業數量和完整的產業鏈，優勢依然難以撼動。對比其他晶片重鎮，深圳的產業特色十分鮮明。無錫側重功率IGBT，合肥聚焦儲存晶片，西安主打矽片和封測。深圳則以設計為核心，兼顧全產業鏈，靈活性和競爭力更強。 (1ic芯網)

據《日經亞洲》最新報導，在2025年全球半導體裝置製造商前20強榜單中，中國企業佔據三席，較2022年美國強化對華出口管制前僅有一家入榜的情況，實現顯著躍升。這一變化不僅凸顯了中國在半導體裝置領域的快速突破，也反映出外部技術封鎖正成為推動本土產業鏈自主化的重要催化劑。根據日本研究機構Global Net的銷售資料，北方華創科技集團股份有限公司（簡稱“北方華創”）表現尤為亮眼，其全球排名從2022年的第8位躍升至2025年的第5位，緊隨荷蘭阿斯麥（ASML）、美國應用材料（Applied Materials）、泛林集團（Lam Research）和日本東京電子（TEL）之後，穩居全球一線陣營。成立於2001年的北方華創，現已擁有超過2萬名員工，產品線涵蓋130余種裝置，業務橫跨半導體製造、真空裝備、鋰電池裝置及精密元器件等多個高技術領域，為半導體、新能源與新材料產業提供全鏈條解決方案。除北方華創外，中微半導體裝置（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）作為新晉入榜者，位列第13位。該公司由曾任職於泛林集團和應用材料的資深工程師創立，其自主研發的刻蝕裝置已成功應用於5奈米製程晶片生產，技術能力逼近國際先進水平。排名第20位的是上海微電子裝備（集團）股份有限公司（SMEE），作為中國大陸極少數具備光刻機量產能力的企業，SMEE專注於將電路圖形精準轉印至晶圓的關鍵工藝環節。儘管其產品代際仍落後於阿斯麥的極紫外（EUV）光刻系統，但在深紫外（DUV）光刻領域已形成穩定產能，並持續獲得國內晶圓廠訂單支撐。若將統計範圍擴展至全球前30強，還將看到盛美半導體裝置（上海）股份有限公司與華海清科股份有限公司兩家中國企業的身影，進一步印證中國半導體裝置產業的叢集式崛起。分析指出，這一迅猛發展離不開中國政府的戰略引導。近年來，國家大基金聯合地方政府持續加碼對半導體裝置與材料領域的投資，建構起覆蓋研發、製造、驗證到應用的完整生態。與此同時，美國自2022年起不斷收緊對華高端裝置與技術出口，反而加速了中國客戶對本土供應商的信任與採購意願。日本Techno Systems Research高級分析師大森哲男表示：“目前中國約有20%至30%的半導體裝置實現本土化製造，相較三年前不足10%的比例，進步顯著。”一位向中國裝置廠商供應核心零部件的貿易公司高管透露：“如今，中國企業在沉積、刻蝕、清洗等幾乎所有關鍵工藝環節，均已具備自主裝置供應能力。”國際半導體產業協會（SEMI）資料顯示，2024年中國半導體製造裝置銷售額同比增長35%，達495億美元，首次超越韓國、台灣地區和美國，成為全球最大裝置市場。這一趨勢正迫使全球巨頭重新評估在華戰略。以光刻機龍頭阿斯麥為例，其2025年財報顯示，中國仍是其最大單一市場，貢獻33%的銷售額。但受美國出口管制影響，公司已下調2026年對中國市場的預期，預計份額將降至20%。阿斯麥首席執行長克里斯托夫·富凱近期在接受彭博社採訪時坦言，當前對華出口的裝置技術水準大致相當於2013–2014年面向歐美客戶的產品，“整整落後八代”，技術代差超過十年。他甚至建議西方“適度輸出技術”，以防中國徹底轉向自主研發並形成全球競爭力。面對光刻技術“卡脖子”難題，中國企業並未止步。除全力攻關EUV光刻機外，亦積極探索技術繞道方案。例如，華為在2022年提交的一項專利中提出，通過“自對準四重圖案化”（SAQP）工藝，結合成熟DUV光刻機，有望實現接近2奈米節點的性能表現。《日經亞洲》援引一位美國半導體專家觀點指出：“美方持續加碼制裁，恰恰暴露了其對中國裝置製造能力的認知盲區。如今，中國已湧現出一批具備國際潛力的裝置企業，一旦它們在成本、服務或特定技術路徑上建立優勢，全球半導體裝置格局或將迎來根本性重構。”隨著國產裝置滲透率持續提升、技術能力穩步進階，中國正從“被動補鏈”邁向“主動建鏈”，在全球半導體產業版圖中扮演越來越不可忽視的角色。 (晶片研究室)

根據Omdia發佈的半導體產業觀察，AI應用模型正在中國各垂直行業廣泛落地，標誌著邊緣AI時代的到來。眾多大語言模型(LLM)正在各行業積極部署垂直應用模型。具備邊緣推理能力的數字終端將快速增長，成為中國半導體產業擴張的重要驅動力——尤其是成熟工藝技術領域。2025年四季度最新資料顯示，2026年中國半導體市場預計增長31.26%，市場規模將達到5465億美元。《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(2Q25)》預計中國半導體市場在2025年增長16.17%，2026年增長13.63%。在《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(4Q25)》報告中，2025年四季度的更新將預測上調為2025年增長21.63%、2026年增長31.26%。2025年第四季度預測中，儲存市場規模顯著上調。與二季度版本相比，對2026年儲存市場的預測在新版本中增長了62.8%、對2027年的預測增長了53%、2028年的增長了36%、2029年的增長了25.8%.隨著2025年第四季度開始的全球AI大基建的狂潮，中美雙方AI對於記憶體的消耗量是指數級增長，資料中心的大規模部署帶來的高性能儲存晶片(HBM)需求暴漲。供應受限而需求增加，在供需失衡的大背景下，記憶體價格經歷著巨大的波動，並且根據Omdia的預測，這樣的緊缺會延續到2027-2028年。隨著AI發展勢頭日益明確，儲存晶片供需進一步失衡，全球短缺狀況持續蔓延。中國高端儲存晶片(HBM、高端DRAM、NAND)自給率仍然較低，約90%的供應依賴三星和SK海力士，而美光仍面臨政治限制。因此，市場議價能力偏弱，儲存晶片單價居高不下。計算與無線通訊類別受儲存產品影響顯著，市場規模大幅增長《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(4Q25)》修訂了主流應用增長趨勢。相較於《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(2Q25)》中 “計算與資料儲存”類別，在《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(4Q25)》版本中呈現出更為明顯的增長趨勢。2026年和2027年的資料均較前一版本上調20%以上。主要驅動因素是資料中心推動下高端儲存晶片用量與單價上升，以及5nm及以上先進工藝節點中AI相關邏輯晶片的採用。“無線通訊”類別是另一個增長顯著的應用領域。然而，這一收入增長主要由於供需失衡，導致電子裝置中使用的儲存晶片(LPDDR、3D NAND)ASP顯著上漲所致，而非對無線終端(智慧型手機、平板等)的市場需求出貨量提升。2025年四季度市場反饋顯示，儲存ASP持續上漲及供應商簽訂非長期協議的做法促使多家OEM下調2026年出貨量預期。AI將為中國帶來新的半導體應用因輝達AI晶片對華禁售，2026年中國本土AI晶片供應商的市場份額將進一步擴大。2026年，邊緣AI將為中國的推理AI晶片帶來顯著增長機會。終端裝置中AI的滲透率預計在2026年持續提升，為滿足低時延網路連線的需求，無線的裝置連接變得日益重要。對於具備端到端AI處理能力的裝置而言，採用混合專家模型(MoE)架構是加速開發處理程序的關鍵，尤其是在壓縮和小型化大模型方面。Omdia表示，看到了算力與AI生態深度協同的有力證據，這展現了中國在AI基礎設施領域的多元化突破。2026年，隨著技術與生態的持續協同，中國智算能力將發揮愈發重要的作用。 (半導體芯聞)