核心觀點：高盛近期在北京拜訪了摩爾線程的管理層，管理層對公司公司每年發佈的、性能和算力不斷增強的新型GPU平台持樂觀態度，這主要得益於客戶在AI模型訓練/推理和圖形渲染方面日益增長的需求。公司指出，其最新推出的“誇峨” （HuaGang）架構能夠支援超過10萬張GPU的大規模計算叢集，並預見這將推動未來規模的加速擴張。對中國半導體行業的啟示：高盛看好先進製程和生成式AI對中國半導體在 IP、設計、代工、半導體裝置（SPE）及先進封裝領域發展的支撐作用，同時也看好本土客戶供應鏈多元化的趨勢。高盛建議買入：中芯國際、 華虹半導體、芯原股份、寒武紀、中微公司、北方華創。 (投研派)

12月24日，中國外交部發言人林劍主持例行記者會。法新社記者提問，美國貿易代表調查結果稱“中國實行了不公平的措施，企圖主導半導體產業”，美國擬自2027年起對中國半導體產業加征關稅。中方對此有何評論？林劍表示，中方堅決反對美方濫施關稅、無理打壓中國產業。美方的做法擾亂全球產供鏈穩定，阻礙各國半導體產業的發展，損人害己。“我們敦促美方盡快糾正錯誤做法，以兩國元首達成的重要共識為引領，在平等、尊重、互惠的基礎上，通過對話解決各自關切，妥善管控分歧，維護中美關係穩定健康可持續發展。如果美方一意孤行，中方必將堅決採取相應措施，維護自身正當權益。”林劍說。 (海南新聞聯播)

在人工智慧算力需求爆發式增長的驅動下，高頻寬儲存器（HBM）已成為大算力晶片的"性能基石"，迎來黃金發展期。憑藉TSV（矽通孔）、3D堆疊及先進封裝等關鍵技術，HBM在不佔用額外空間的前提下，實現了容量、頻寬與功耗的最優平衡，成為AI時代儲存領域的核心突破口。而HBM高度複雜的製造工藝對半導體裝置提出了嚴苛要求，卻也為國產裝置商打開了戰略性切入窗口。如今，國產半導體裝置正大舉進軍HBM領域，在關鍵技術上實現從0到1的突破。01技術迭代催生需求，HBM裝置成核心支撐HBM的技術優勢源於其獨特的結構設計與製造工藝。它通過將多片DRAM Die與Logic Die借助TSV（矽通孔）和Bump（凸點）實現垂直互連，再經中介層與GPU整合於ABF載板，最終通過系統級封裝（SiP）形成一體化產品。這種設計不僅縮短了訊號傳輸路徑、降低了功耗，更實現了1024bit的超高匯流排位寬（HBM1到HBM3E均保持在1024bit），完美匹配AI晶片的高頻寬需求。與傳統DRAM相比，HBM的製造流程涵蓋TSV、凸點製造、堆疊鍵合、封裝測試等關鍵環節，其中TSV工藝佔HBM總成本的30%，是決定產品性能的核心工序。TSV工藝的實現需要一系列高端裝置支撐：深孔刻蝕裝置採用Bosch工藝干法刻蝕技術，為通孔製造奠定基礎；氣相沉積裝置負責絕緣層、阻擋層與種子層的精準沉積；銅填充裝置需解決高深寬比微孔金屬化難題，是整個工藝中難度最大的環節；CMP裝置則要將晶圓減薄至50μm以下，確保銅層暴露以實現互連。此外，2.5D封裝所需的中介層製造裝置、堆疊鍵合裝置以及封裝後的檢測裝置，共同構成了HBM生產的裝置體系，其技術門檻遠超傳統DRAM製造裝置。由於HBM在設計、製造與封測全流程均存在顯著差異，進一步放大了對專用裝置的需求。隨著HBM4世代技術的迭代，裝置的工藝精度、相容性與穩定性要求持續提升，為具備核心技術實力的裝置商提供了廣闊市場空間。02AI驅動HBM擴產，相關裝置迎來機遇2025年四季度以來，全球儲存現貨市場持續強勢上漲，新需求推動成品價格屢創新高，為儲存廠商擴產提供了強勁動力。在AI浪潮的全面席捲下，儲存晶片短缺問題愈演愈烈，三星、SK海力士、美光等國際儲存巨頭紛紛將資本開支向HBM等高端儲存產品傾斜，傳統儲存供需缺口預計將持續至2026年。在此背景下，國記憶體儲廠商擴產緊迫性顯著提升，作為擴產前置環節的半導體裝置，率先成為市場關注的核心焦點。行業共識已明確AI帶來的儲存缺貨具有持續性，招商證券研報指出，本輪儲存行業上行周期與2024年原廠減產提價導致的短期上漲截然不同，核心驅動力是AI時代儲存需求的爆發式增長，呈現出價格上漲持續時間更長、漲勢加速的特徵。而供給側產能釋放有限，預計2026年上半年甚至全年，高端儲存晶片供需缺口將進一步擴大，價格漲勢有望延續。受益於AI產業的強勁賦能，全球HBM市場規模持續飆升。資料顯示，2024年，半導體儲存器市場規模達到1700億美元，較上年增長78%。按產品類型劃分，DRAM（包括HBM）佔據最大份額，達57%。HBM本身佔10%。按產品類型劃分，DRAM市場規模將從2024年的970億美元增長到2030年的1940億美元，年複合增長率約為12%。HBM將推動DRAM市場增長，其市場規模將從2024年的174億美元顯著增長到2030年的980億美元。HBM市場的年複合增長率將高達約33%，領跑整個儲存器市場。當前全球市場雖由三星、SK海力士、美光三大巨頭主導，但國記憶體儲企業正加速追趕，市場競爭日趨激烈。隨著HBM4世代技術迭代推進，刻蝕、沉積、檢測等核心裝置的市場需求迎來激增，為半導體裝置商開闢了前所未有的發展空間。拓荊科技董事長呂光泉認為，儲存價格上漲反映出市場仍存在較大需求缺口，從中長期來看，有望帶動儲存晶片製造廠持續擴大產能。資料量的快速增長正驅動高頻寬儲存器（HBM）向三維整合等方向演進，3D NAND Flash晶片堆疊層數不斷提高，技術發展趨勢將同步抬升下遊客戶對先進硬掩模、關鍵介質薄膜以及相關薄膜沉積、鍵合裝置的技術要求和採購需求。值得關注的是，當前中國HBM產業鏈在關鍵裝置端的國產化率不足5%，成為制約國產儲存晶片突圍的最大短板，也為國產裝置商提供了明確的突破方向。03國產半導體裝置商大局進軍HBMHBM市場需求的爆發式增長直接帶動了上游裝置產業鏈的崛起。近期，國內多家半導體裝置企業密集披露 HBM 相關進展，在刻蝕、沉積、鍵合、檢測等核心環節實現全面突破。製造端核心裝置盛美上海在互動平台明確，公司已推出已推出多款適配HBM工藝的裝置。其中，公司的Ultra ECP 3d裝置可用於TSV銅填充；全線濕法清洗裝置及電鍍銅裝置等均可用於HBM工藝，全線封測裝置（包括濕法裝置、塗膠、顯影裝置及電鍍銅裝置）亦可應用於大算力晶片2.5D封裝工藝。北方華創表示，隨著HBM市場需求快速增長，將帶動相關工藝裝置需求的增加。公司在HBM晶片製造領域可提供深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。中微公司表示，目前公司在先進封裝領域（包含高寬頻儲存器HBM工藝）全面佈局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測裝置等，且已經發佈CCP刻蝕及TSV深矽通孔裝置。邁為股份表示，目前公司高選擇比刻蝕裝置及混合鍵合裝置等可用於DRAM（高頻寬儲存器HBM）工藝。公司刻蝕和薄膜沉積裝置已廣泛應用於儲存晶片、邏輯晶片製造領域。鍵合與封裝裝置拓荊科技：作為國內唯一實現混合鍵合裝置（W2W）量產的廠商，其晶圓對晶圓鍵合產品（dione 300）和晶片對晶圓鍵合表面預處理產品（propus）均達到國際領先水平，通過頭部晶圓廠驗證。新一代高速高精度晶圓對晶圓混合鍵合產品已發貨至客戶端驗證，晶片對晶圓混合鍵合裝置驗證進展順利，同時永久鍵合後晶圓雷射剝離產品已開發完成。華卓精科：自主研發推出全系列 HBM 高端裝備，包括混合鍵合裝置(UP-UMAHB300)、熔融鍵合裝置(UP-UMAFB300)、芯粒鍵合裝置(UP-D2W-HB)、雷射剝離裝置(UP-LLR-300)、雷射退火裝置(UP-DLA-300)。公司的CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產品均作為HBM、CoWos等晶片堆疊與先進封裝工藝的關鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得廣泛應用。量檢測與配套裝置中科飛測：首台晶圓平坦度測量裝置GINKGOIFM-P300 成功出貨 HBM 客戶端，標誌著中國在該領域實現重大突破，不僅打破國外廠商長期壟斷，還突破了國內裝置對超高翹曲晶圓、低反射率晶圓的量測限制，同時支援鍵合後晶圓及 SiC/GaAs 化合物半導體襯底的全參數檢測。賽騰股份：HBM 檢測裝置業務持續拓展，三星作為公司重要客戶，前期批次 HBM 裝置訂單已交付並陸續驗收。自主研發的晶圓邊緣全方位監控裝置 RXW-1200 已成功交付國內半導體頭部 FAB 客戶，國內外市場佈局同步推進。武漢精測：控股子公司及合併範圍內其他子公司在十二個月內，與同一客戶簽訂累計金額4.33 億元的半導體量檢測裝置銷售合同。合同產品主要應用於先進儲存和HBM（高頻寬記憶體）等前沿領域，標誌著公司在半導體高端檢測裝置市場的競爭力進一步提升。從核心製造到封裝測試，國內半導體裝置企業已建構起覆蓋 HBM 全產業鏈的裝置供給能力。隨著國產裝置在技術成熟度、客戶驗證等方面的持續突破，將進一步降低國內 HBM 晶片廠商的裝置採購成本，加速國產 HBM 晶片的產業化處理程序，為中國 AI 算力產業鏈自主可控提供關鍵支撐。當前，國產半導體裝置商在HBM領域已實現從0到1的關鍵突破。但同時也應清醒地認識到，與國際領先水平相比，國產裝置在工藝精度、技術代差、供應鏈韌性等方面仍存在差距。在AI需求持續爆發的大背景下，HBM裝置已成為國產半導體裝置產業的新增長極。這場HBM裝置國產化的攻堅戰，不僅關乎單個企業的發展，更關乎中國半導體產業的升級突圍。未來，隨著政策、產業、技術的協同發力，國產裝置商必將持續突破技術瓶頸，縮小國際差距，在全球HBM市場競爭中佔據重要地位，為中國半導體產業的高品質發展注入強勁動力。 (半導體產業縱橫)

路透社引述兩名知情人士的消息報導指出，英特爾（Intel）在2025 年間開始測試採用中國半導體設備廠商盛美半導體旗下兩家子公司生產的半導體設備。據報導：英特爾測試測試了ACM Research 的兩台濕式蝕刻設備（wet etch tools）。當中，最引人關注的是，這些設備是針對英特爾最先進的晶片製造流程，也就是預計2027 年首次推出的Intel 14A 節點製程。不過，路透社的報導無法確定英特爾是否已決定將這些工具納入其先進晶片製造流程當中，也沒有證據顯示英特爾違反了任何美國法規。對此報導，盛美半導體表示，它無法對具體的客戶合作發表評論。但證實旗下的美國團隊已將多套來自亞洲業務部門的工具出售，並交付給美國國內客戶。該公司進一步透露，已向一家主要的美國半導體製造商運送了三套工具進行測試，其中一些已達到性能標準。據瞭解，盛美半導體創立於2005年，其專注半導體濕式清洗設備領域近二十年，如今已成為中國少數具有國際競爭力的半導體設備供應商。根據Gartner數據，該公司清洗設備在全球佔有率8.0%，位居全球第四。單片清洗設備在國內市場的佔有率超過30%，僅次於產業巨頭DNS。據介紹，盛美半導體在俄勒岡州希爾斯伯勒市（緊鄰英特爾核心工廠）設有銷售和服務中心。 （芯聞眼）

這是一張來自WireScreen的半導體產業供應煉長圖（基於2022年資料）。半導體擁有全球最複雜的供應鏈之一，涉及眾多國家和數百家公司，這張圖展示了各個環節的價值分配和主要參與公司，並重點分析中國在該供應鏈中的位置。中國在原料供應上佔據主導地位，但在高價值環節仍相對落後。各環節價值分配半導體規模超過5,000億美元，預計未來十年內將成長至1兆美元。這張圖將供應鏈劃分為七個核心步驟，並標示了每個環節所創造的價值佔比，顯示「錢流向那裡」：核心智慧財產權：提供晶片設計的核心架構（如ARM）。 - 價值佔比：0.9%電子設計自動化軟體：提供設計晶片所需的軟體工具（如Synopsys）。 - 價值佔比：2.4%晶圓：製造晶片的基底材料（矽片）。 - 價值佔比：1.5%製造裝置：用於晶片製造、光刻、蝕刻、測試等環節的機器。 - 價值佔比：14.9%晶片設計：公司依需求設計晶片藍圖（如蘋果、高通、輝達）。 - 價值佔比：29.8%晶片製造：將設計藍圖在晶圓上製造出來，是技術最難、價值最高的環節（如台積電、三星）。 - 價值佔比：38.4%組裝、測試和封裝：將製造好的晶圓切割成單一晶片，並進行測試和包裝。 - 價值佔比：2.5%可以看出，晶片設計和製造是價值鏈中最大的兩個環節，合計佔據了近70%的價值。中國的優勢和弱勢中國公司在關鍵原料的生產上佔據全球主導地位：矽：佔全球產量69%稀土：佔60%鍺：佔68%鎵：佔98%精煉銅：佔42%精煉鈷：佔70%但在高附加價值的環節市佔率較低，核心智慧財產權、EDA軟體、製造裝置等領域幾乎由美國、歐洲、日本和韓國公司壟斷。在晶片設計和晶片製造這兩個價值最高的環節，中國的全球市佔率也相對較小。尖端晶片技術仍然是美國、歐洲、日本和韓國公司的領域，它們攫取了供應鏈中的大部分價值和市場份額。但是，中國企業正在快速發展各個環節的先進技術，並有望在未來增強中國在供應鏈中的地位。例如：EDA：華大九天製造裝置：北方華創、中微公司晶片設計：華為海思、寒武紀、龍芯、兆芯晶片製造：中芯國際、華虹集團、Nexchip中國也透過合資和地方政府支援的模式進行追趕，例如2015年台灣力晶科技與中國合肥市政府成立合資企業Nexchip（合肥市政府實體持股39.74%，力晶科技持股20.58%），專注12吋晶圓製造，至2021年底月產能達10萬片，約為中芯國際的一半；2023年IPO融資16.7億美元，是當時亞太地區最大規模的IPO。各環節產業“領導者”和中國“挑戰者”這張圖列出了每個環節的行業領導者，例如：微影裝置：荷蘭的ASML在極紫外光微影領域擁有壟斷地位。晶片製造：台積電、三星、英特爾是領導者。晶片設計：蘋果、輝達、高通、博通是領導者。IDM公司：如英特爾、三星等集設計、製造、銷售於一體的公司，在其領先的環節中被列為行業領導者。 （銳芯聞）

“沒想到技術水平提高到這種程度”，競爭對手對於長江存儲科技的新型儲存半導體難掩驚訝。其堆疊層數達到約270層，接近三星電子。長江存儲科技的NAND銷量份額首次超過全球10%。在中美對立背景下，中國的技術正在提升……長江存儲科技的目標是在2026年前實現掌握15%的市場份額（湖北省武漢市）中國在儲存半導體領域的存在感正在增強。在用於長期儲存資料的NAND方面，大型企業長江存儲科技（YMTC）的銷量份額首次超過全球10%。在中美對立的背景下，借助中國政府鼓勵使用本國半導體的優惠政策，長江存儲科技迅速提高了技術實力。目前該公司以中國國內業務為中心，但難免會對鎧俠控股（Kioxia Holdings）等日美韓廠商的經營產生影響。“沒想到技術水平提高到這種程度”，對於長江存儲在2025年2月之前開始量產的新型儲存半導體，競爭對手企業的技術人員難掩驚訝之情。這是因為堆疊層數達到約270層，接近韓國三星電子，使用了與日美韓廠商同等水平的技術。此外，還迅速引進了其他企業尚未採用的降低生產成本的方法。調查公司香港Counterpoint的資料顯示，長江存儲在全球NAND出貨量中所佔的份額在2025年1～3月首次達到10%。2025年7～9月同比增長4個百分點達到13%，份額直逼世界第4位的美國美光科技。以中國品牌的筆記型電腦和智慧型手機為中心，長江存儲的產品獲得的採用正在增加，全年的市場份額有望超過1成。儘管以銷售額計算目前只佔世界的8%，但是Counterpoint的分析師MS Hwang認為，到2027年按銷售額計算也將達到10%。長江存儲的目標是在2026年底之前獲得15%的銷量份額。將在中國武漢市周邊推進工廠投資。目前正在實施的投資完成後，長江存儲將佔全球供應量的約2成。這一規模超過了日本鎧俠，直逼韓國SK海力士。在用於短期儲存的DRAM領域，長鑫儲存技術（CXMT）擴大了市場份額。2025年7～9月為8%，居世界第4位。2024年同期為6%。長鑫儲存技術推進增產用於個人電腦和智慧型手機的通用產品，被認為在中國國內擁有4成左右的市場份額。另一方面，在用於生成式AI的高性能“高頻寬儲存器（HBM）”技術方面，SK海力士等的尖端技術是第6代，而長鑫儲存只是第3代。在技術上落後5年。長江存儲和長鑫儲存等中國企業在價格方面壓倒海外競爭對手。調查公司TechInsights的資料顯示，中國生產的NAND比其他國家生產的便宜1～2成左右。美國調查公司IDC的資料顯示，中國2024年的智慧型手機出貨量同比增長6%，達到2億8600萬部，佔全球總量的23%。有分析認為，鎧俠的總銷售額中面向中國的比例約為2成。如果中國廠商的儲存半導體的採用比例不斷提高，日美韓廠商有可能面臨市場份額下降和利潤空間縮小。中國企業能否在中國以外地區獲得更多份額尚不明朗。美國政府於2022年將長江存儲列為限制對象，禁止美國企業在未經許可的情況下提供設計技術。當時美國蘋果曾考慮採購長江存儲生產的儲存半導體用於iPhone，但最終決定放棄。日本企業也“由於質量和安全方面的擔憂，並未積極採用中國的儲存半導體”（鎧俠的高管）。不過，中國大力發展的太陽能面板、電池和純電動汽車（EV）等憑藉價格競爭力在海外迅速獲得市場。國際半導體產業協會（SEMI）的青木慎一分析稱，“即使因美國限制而無法採購充足生產裝置，中國廠商的良品率仍在提高”。還有其他的儲存器技術人員表示，“如果目前的價格差持續下去，其他國家增加採用中國的儲存半導體只是時間問題”。 (日經中文網)

12月1日，香港《亞洲時報》等主要外媒報導稱，"日本似乎已從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠的出貨"。儘管日本政府和企業並未正式宣佈此事，但日本和中國業界已普遍將其視為既定事實。有評價指出，此次措施的具體實施範圍已明確到佳能、尼康、三菱化學等具體企業名稱的程度。《亞洲時報》稱此次中斷是"中國擔憂的最壞情況"。當前半導體市場不僅限於 HBM，通用 DRAM需求也同時激增，正處於全面供應短缺的局面，這被認為是中國企業加速成長的時機。雖然 CXMT和SMIC基於政府支援擴大生產能力，與這一趨勢相吻合，但日本光刻膠出口中斷的情況被指直接動搖擴產計畫。若核心材料採購變得不穩定，中國儲存器的市場進入速度也可能受到影響這有可能引發全球供應鏈重組及整體價格結構的變化。另一方面，此次事件也被視為加劇了日本本土企業與中國之間的距離，同時反而強化了韓國與日本供應鏈聯絡更加緊密的趨勢。隨著日本對光刻膠的控制加大中國企業的採購不確定性，韓國企業愈發需要加強與日本中小企業的穩定合作結構，實際上兩國企業間的合作範圍也在擴大。有分析認為，隨著與日本的技術和材料聯絡加強，韓國更有可能在中國與日本之間確立為半導體供應鏈的核心軸。日本此舉被認為中日衝突加劇的背景下，影響已蔓延至半導體供應鏈的訊號。日本正通過限制其優勢領域——部件、材料向中國流入的方式加大施壓，而韓國業界也在密切關注，若此類衝突給中國半導體生產帶來變數，將對韓國企業產生何種影響。光刻膠是一種對光反應後化學性質發生變化的“感光物質”。特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段“光刻工藝”中被廣泛用作核心材料。塗覆在晶圓上後，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪製精細的電路圖案。日本在全球光刻膠市場佔據超過70%的份額，地位獨步天下。正因如此，當在政治、經濟領域與其他國家發生衝突時，日本政府最先拿出的施壓手段往往就是光刻膠。2019年將韓國從白名單(出口審查優待國)中排除時，日本在半導體領域最先封鎖的也正是光刻膠。有分析認為，近期展現活力的中國半導體產業整體也將失去活力。日本的感光劑出貨中斷被評價為讓中國連製造各種半導體的第一顆紐扣都無法扣上，更是如此。中芯國際等在全球市場份額中反彈的晶圓代工(半導體委託生產)，以及長鑫儲存等記憶體企業，預計都將受到不小的打擊。業界相關人士表示:“特別是記憶體，近期隨著 DRAM 價格的暴漲，長鑫儲存等中國企業正顯示出增建工廠、擴大產能的動向，但日本的出口限制措施也可能成為絆腳石。”日本對中國的半導體相關出口管制，可能從光刻膠開始逐步擴大範圍。據日本《日經新聞》報導，日本代表性半導體企業“鎧俠”最近已停止進口中國產的 DRAM等儲存器。公司一名高管解釋稱:“出於質量和安全方面的擔憂我們停止了進口。 (半導體材料與工藝裝置)

近日，美國國會眾議院正式提出HR 6,207號議案，即所謂的《晶片設備品質、實用性和完整性保護法案》（Chip EQUIP Act）。法案由美國會眾議院兩黨議員共同發起，並得到參議院兩黨議員的呼應。該法案主要目標不是新增出口管制，而是透過修改前任拜登政府的政治遺產《晶片與科學法案》（ CHIPS Act）中的資金條款，即規定為：凡接受聯邦補貼的項目，其所使用的半導體設備不得來自所謂「受關注外國實體」（FEOC）。法案推出的背景與近年來美國內部對「補貼外流」風險的擔憂有關。根據國會公開資料和議員說明檔案，美國方面注意到，中國在半導體設備領域的生產能力快速增長，特別是在「成熟過程」設備上獲得了新的市場份額。美國議員認為，若缺乏限制機制，可能出現「由美國納稅人出資建廠、卻採購外部補貼國家設備」的現象。因此，Chip EQUIP Act被定位為CHIPS Act的“補充條款”，旨在在資金使用環節增設合規邊界。根據法案原文，該規定透過修改《2021財政年度國防授權法案》（NDAA2021）第9901與9909條的方式落實。其中，所謂的「不合格設備」被定義為：由受關注外國實體或其子公司製造、組裝或翻新的「已完成且完全組裝」（ completed, fully assembled）半導體製造設備，用於晶圓製造、封裝、測試或研發等環節。相應條款特別強調，此定義不包括任何零件、腔體、子系統或子組件。這意味著，法案主要針對整機採購環節，而非零件貿易。在設備範圍上，法案列出了十二類被視為所謂的「不合格」的設備類型：沉積、刻蝕、光刻、檢測與計量、晶圓切割、劃片、引線鍵合、離子注入、化學機械拋光（CMP）、擴散或氧化爐、熱處理裝置及自動化物料搬運系統。該清單幾乎涵蓋了晶圓製造的全部主要工序，也包括部分後段製程設備，顯示出立法意圖不僅限於最先進製程。在執行層面，Chip EQUIP Act並非一項一般性的進口限制，而是以合約條款的方式嵌入資金協議。法案要求美國商務部長須在與受資助企業簽署的協議中加入禁止條款，約定自簽署日起十年內，不得採購、安裝或使用不合格設備。這類條款屬於“資金條件約束”，即僅適用於接受CHIPS補貼的特定項目，而不自動擴展到企業的其他海外或自籌資金項目。而外媒引述國會消息稱，該限制僅適用於美國境內的受補貼工廠，並不影響企業在海外的營運或供應鏈採購。法案也設定了三類豁免情形，但標準較高。其一，當美國或其盟國無法生產足量或合格替代設備時；其二，相關設備並非由受關注外國實體製造，而僅由其翻新；其三，若使用符合美國《出口管制條例》（EAR），並經美國國家情報總監或國防部長（戰爭部長）認定符合美國國家安全利益時，可獲例外處理。從產業層面來看，該法案若獲得通過，將對正在建造的美國本土晶圓廠（如Intel、TSMC、三星在美項目）形成直接限制。這些企業需要重新檢視設備採購清單，尤其在自動化系統和後段工序設備方面，避免因組件來源問題而觸及合規風險。對中國及其他被列為「受關注外國」的設備供應商而言，這類項目的市場准入將受到長期限制，且由於其以資金協議為載體，未來即便政策放寬，也可能因合約義務而維持效力。Chip EQUIP Act可能反映出一種制度化的趨勢：美國政府在半導體政策中，正將「安全性」要求從出口端延伸到資金流與供應鏈端。與傳統出口管制相比，它的著眼點不在技術轉移，而是在資金使用的歸屬邏輯。支持者認為，這能確保美國政府補貼不會被外部企業間接受益；而批評者則擔心，這種做法可能進一步複雜化跨國製造鏈的設備採購流程。雖然Chip EQUIP Act意在填補Chips Act的所謂漏洞，但CHIPS Act作為拜登的政治遺產，在川普的治下已經面目全非。今年二進宮後，川普政府雖未廢止這一框架，但已經透過「補貼換股權」的方式重塑其邏輯，例如以CHIPS Act授予但尚未支付的補貼款加上國防相關Secure Enclave項目撥款，共計約89億美元，換取Inte公司股份的9.9%。此舉標誌著美國政府角色由單純的資助者轉為被動股東，更強調「公共資金的投資回報」而非「產業補貼」。Chip EQUIP Act距離川普簽署還有很長的路要走，需要持續關注。 （半導體材料與製程設備）