據韓國權威財經媒體《韓國商業郵報》最新報導，儘管美國持續加碼對華半導體出口管制，中國在半導體製造裝置領域的國產化率已突破50%大關——這一數字不僅遠超官方原定2025年實現30%的目標，更比2020年不足7%的起點飆升逾七倍。文章直言：“美國的技術封鎖非但未能遏制中國，反而意外點燃了其自主創新的燎原之火。”這一資料背後，是一場靜默卻迅猛的產業革命。從刻蝕機、薄膜沉積裝置到清洗機、量測系統，中國本土企業正以驚人速度填補關鍵環節空白。北方華創、中微公司、拓荊科技、盛美上海等龍頭企業接連發佈技術突破：5奈米級刻蝕裝置量產交付、原子層沉積（ALD）裝置通過中芯國際驗證、國產塗膠顯影機成功匯入28奈米產線……曾經被美日荷壟斷的高端裝置清單，正在一頁頁被“中國造”覆蓋。更令外界震動的是時間線的大幅提前。按照中國“十四五”規劃初期設定，半導體裝置自給率目標為2025年達30%。然而現實進展遠超預期——2023年突破25%，2024年躍升至35%，而據多家產業鏈調研機構披露，截至2025年底，該比例已站上50%門檻。這意味著，在晶圓廠新建或擴產過程中，超過一半的核心裝置可由本土供應鏈保障，極大削弱了外部“斷供”的殺傷力。韓國媒體將此現象稱為“制裁悖論”：美國越是收緊管制，中國越加速技術突圍。2022年《晶片與科學法案》出台後，美荷日聯手限制光刻機、離子注入機等關鍵裝置對華出口，一度引發行業恐慌。但短短三年間，中國不僅穩住了成熟製程產能，還在裝置國產化上實現“彎道超車”。國家大基金三期3440億元注資、地方專項扶持政策密集落地、高校-企業聯合攻關機制高效運轉，共同構築起一條韌性十足的本土產業鏈。“過去我們不敢想，一台價值上億美元的薄膜裝置也能國產。”一位長三角晶圓廠工程師坦言，“現在連28奈米產線都能用70%以上國產裝置跑通，良率不輸進口線。”這種信心正迅速轉化為市場行動：2025年，中國大陸新增半導體裝置採購中，國產佔比首次超過海外品牌，成為全球最大單一裝置市場中的“自主主力”。當然，挑戰依然存在——極紫外（EUV）光刻機仍是最大“堡壘”。但業內普遍認為，即便在最嚴苛的封鎖下，中國在DUV（深紫外）光刻及配套工藝上的全面自主也已進入倒計時。上海微電子28奈米光刻機預計2026年完成客戶驗證，而圍繞光刻的光源、鏡頭、雙工件台等子系統，長春光機所、科益虹源、華卓精科等科研單位已取得階段性成果。多位分析師預測：若2027年前後實現DUV光刻機全鏈條國產化，中國半導體裝置整體自給率有望衝刺90%。屆時，除少數尖端邏輯晶片外，從儲存到功率器件、從汽車電子到物聯網晶片，整個成熟製程生態將徹底擺脫“卡脖子”風險。更深遠的影響在於全球格局重塑。過去十年，全球半導體裝置市場由美日荷三足鼎立，應用材料、泛林、ASML、東京電子等巨頭佔據八成份額。如今，中國市場的快速“去美化”正迫使這些企業重新評估戰略——一邊是政治壓力下的出口限制，一邊是每年超300億美元的裝置需求流失。有日媒哀嘆：“我們正在親手培養一個無法忽視的競爭對手。”對中國而言，這場突圍不僅是技術勝利，更是戰略覺醒。它證明了一個樸素真理：核心技術靠化緣要不來，市場換技術也走不通，唯有把創新主動權牢牢握在自己手中，才能在百年變局中立於不敗之地。當50%的國產化率成為新起點，當“中國裝備”開始定義晶圓廠的標準配置，世界應當看清：封鎖圍堵的時代正在落幕，而一個以自主創新為底色的半導體新秩序，正從東方冉冉升起。卡脖子？或許很快將成為歷史課本裡的一個舊詞。 (晶片研究室)

在晶片製造中，不同材料層間的“島狀”連接結構長期阻礙熱量傳遞，成為器件性能提升的關鍵瓶頸。近日，西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授團隊通過創新技術，成功將粗糙的“島狀”介面轉變為原子級平整的“薄膜”，使晶片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。這項為半導體材料高品質整合提供“中國範式”的突破性成果，已發表在《自然·通訊》與《科學進展》上。郝躍院士（左四）指導師生實驗。圖片來源：西安電子科技大學“傳統半導體晶片的晶體成核層表面凹凸不平，嚴重影響散熱效果。”西安電子科技大學副校長、教授張進成介紹，“熱量散不出去會形成‘熱堵點’，嚴重時導致晶片性能下降甚至器件損壞。”這個問題自2014年相關成核技術獲得諾貝爾獎以來，一直未能徹底解決，成為射頻晶片功率提升的最大瓶頸。團隊首創“離子注入誘導成核”技術，將原本隨機的生長過程轉為精準可控的均勻生長。實驗顯示，新結構介面熱阻僅為傳統的三分之一。基於該技術製備的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段輸出功率密度分別達42瓦/毫米和20瓦/毫米，將國際紀錄提升30%—40%。這意味著同樣晶片面積下，裝備探測距離可顯著增加，通訊基站也能覆蓋更遠、更節能。 (經濟日報)

《南華早報》今日頭版援引工信部內部資料稱，中國半導體裝置國產化率已提前一年突破官方設定的“50%紅線”，2025年底全國晶圓廠新建產線中國產裝備金額佔比達到55%，高出2024年目標5個百分點；其中刻蝕、薄膜、清洗三大工藝國產化率均超過60%，7nm驗證線進展較原計畫提速一倍，為14nm全國產鏈落地奠定基礎。檔案顯示，截至2025年12月，全國新建或擴建的12英吋晶圓產線累計招標裝置約430億元人民幣，其中國產裝置金額236億元，佔比55%。細分來看，刻蝕機國產化率65%、薄膜沉積裝置61%、清洗裝置63%，離子注入機亦達到35%；量測與光刻仍處“攻堅區”，分別為25%與18%，但已較2022年提升10個和6個百分點。國產裝置在先進節點驗證速度超預期。中芯國際南方廠7nm試驗線原定於2026年Q2完成工藝驗證，現已提前至2025年底通線，核心刻蝕、薄膜、清洗裝置均切換為國產型號，首批256 Mb SRAM良率突破42%，比計畫高8個百分點。內部人士透露，國產14nm級High-k金屬柵全套裝置已通過可靠性考核，2026年Q2即可匯入量產。資本市場迅速反應。中微公司、北方華創、華海清科、盛美上海今日再掀漲停潮，裝置指數單日上漲12%，三日累計漲幅達28%。券商研報指出，按當前招標節奏，2026年國產裝置市場空間有望突破500億元，年復合增速維持30%。技術層面，國產龍頭已在部分細分領域實現反超。中微CCP刻蝕機進入5nm循環驗證，關鍵尺寸均勻性<1 nm；北方華創原子層沉積（ALD）裝置拿下長江儲存400層3D NAND訂單，單片鎢薄膜厚度誤差<0.5 Å；盛美單片清洗裝置獲華虹上海12英吋28nm產線重複訂單，uptime>90%。光刻與量測仍是最大短板。上海微電子28nm DUV光刻機已通過工藝驗證，但套刻精度與uptime與ASML仍有差距；中科飛測量測裝置尚處14nm驗證階段。工信部內部路線圖顯示，2026-2027年將集中資源突破High-NA光學系統、電子束量測、深紫外雷射源等“卡脖子”環節，目標2028年實現14nm級DUV全國產。政策層面，國家大基金二期已承諾未來三年向裝置環節投入800億元，重點支援“高端光刻機、量測/檢測裝置、先進封裝裝置”三大空白。大基金管理人表示，裝置環節佔整個產業鏈價值25%，卻長期依賴進口，“國產化每提高1個百分點，可釋放約50億元市場空間”。美方智庫CSIS評論稱，中國裝置自給率提前越線，顯示“美國封鎖正產生反作用”，但60%之後每一步都將“更艱難”，尤其是邁向5nm及以下節點仍需全球供應鏈協作。總體來看，中國半導體裝置已完成“從0到1”跨躍，正進入“從1到N”放量期。短期看，國產裝置在28-14nm成熟製程已具備替代能力；中長期能否突破EUV、量測與材料協同，將決定“全國產鏈”能否真正跑通高端市場。投資者需關注技術瓶頸與政策節奏，避免“國產化”主題過度炒作後的一地雞毛。 (晶片行業)

核心觀點：高盛近期在北京拜訪了摩爾線程的管理層，管理層對公司公司每年發佈的、性能和算力不斷增強的新型GPU平台持樂觀態度，這主要得益於客戶在AI模型訓練/推理和圖形渲染方面日益增長的需求。公司指出，其最新推出的“誇峨” （HuaGang）架構能夠支援超過10萬張GPU的大規模計算叢集，並預見這將推動未來規模的加速擴張。對中國半導體行業的啟示：高盛看好先進製程和生成式AI對中國半導體在 IP、設計、代工、半導體裝置（SPE）及先進封裝領域發展的支撐作用，同時也看好本土客戶供應鏈多元化的趨勢。高盛建議買入：中芯國際、 華虹半導體、芯原股份、寒武紀、中微公司、北方華創。 (投研派)

12月24日，中國外交部發言人林劍主持例行記者會。法新社記者提問，美國貿易代表調查結果稱“中國實行了不公平的措施，企圖主導半導體產業”，美國擬自2027年起對中國半導體產業加征關稅。中方對此有何評論？林劍表示，中方堅決反對美方濫施關稅、無理打壓中國產業。美方的做法擾亂全球產供鏈穩定，阻礙各國半導體產業的發展，損人害己。“我們敦促美方盡快糾正錯誤做法，以兩國元首達成的重要共識為引領，在平等、尊重、互惠的基礎上，通過對話解決各自關切，妥善管控分歧，維護中美關係穩定健康可持續發展。如果美方一意孤行，中方必將堅決採取相應措施，維護自身正當權益。”林劍說。 (海南新聞聯播)

在人工智慧算力需求爆發式增長的驅動下，高頻寬儲存器（HBM）已成為大算力晶片的"性能基石"，迎來黃金發展期。憑藉TSV（矽通孔）、3D堆疊及先進封裝等關鍵技術，HBM在不佔用額外空間的前提下，實現了容量、頻寬與功耗的最優平衡，成為AI時代儲存領域的核心突破口。而HBM高度複雜的製造工藝對半導體裝置提出了嚴苛要求，卻也為國產裝置商打開了戰略性切入窗口。如今，國產半導體裝置正大舉進軍HBM領域，在關鍵技術上實現從0到1的突破。01技術迭代催生需求，HBM裝置成核心支撐HBM的技術優勢源於其獨特的結構設計與製造工藝。它通過將多片DRAM Die與Logic Die借助TSV（矽通孔）和Bump（凸點）實現垂直互連，再經中介層與GPU整合於ABF載板，最終通過系統級封裝（SiP）形成一體化產品。這種設計不僅縮短了訊號傳輸路徑、降低了功耗，更實現了1024bit的超高匯流排位寬（HBM1到HBM3E均保持在1024bit），完美匹配AI晶片的高頻寬需求。與傳統DRAM相比，HBM的製造流程涵蓋TSV、凸點製造、堆疊鍵合、封裝測試等關鍵環節，其中TSV工藝佔HBM總成本的30%，是決定產品性能的核心工序。TSV工藝的實現需要一系列高端裝置支撐：深孔刻蝕裝置採用Bosch工藝干法刻蝕技術，為通孔製造奠定基礎；氣相沉積裝置負責絕緣層、阻擋層與種子層的精準沉積；銅填充裝置需解決高深寬比微孔金屬化難題，是整個工藝中難度最大的環節；CMP裝置則要將晶圓減薄至50μm以下，確保銅層暴露以實現互連。此外，2.5D封裝所需的中介層製造裝置、堆疊鍵合裝置以及封裝後的檢測裝置，共同構成了HBM生產的裝置體系，其技術門檻遠超傳統DRAM製造裝置。由於HBM在設計、製造與封測全流程均存在顯著差異，進一步放大了對專用裝置的需求。隨著HBM4世代技術的迭代，裝置的工藝精度、相容性與穩定性要求持續提升，為具備核心技術實力的裝置商提供了廣闊市場空間。02AI驅動HBM擴產，相關裝置迎來機遇2025年四季度以來，全球儲存現貨市場持續強勢上漲，新需求推動成品價格屢創新高，為儲存廠商擴產提供了強勁動力。在AI浪潮的全面席捲下，儲存晶片短缺問題愈演愈烈，三星、SK海力士、美光等國際儲存巨頭紛紛將資本開支向HBM等高端儲存產品傾斜，傳統儲存供需缺口預計將持續至2026年。在此背景下，國記憶體儲廠商擴產緊迫性顯著提升，作為擴產前置環節的半導體裝置，率先成為市場關注的核心焦點。行業共識已明確AI帶來的儲存缺貨具有持續性，招商證券研報指出，本輪儲存行業上行周期與2024年原廠減產提價導致的短期上漲截然不同，核心驅動力是AI時代儲存需求的爆發式增長，呈現出價格上漲持續時間更長、漲勢加速的特徵。而供給側產能釋放有限，預計2026年上半年甚至全年，高端儲存晶片供需缺口將進一步擴大，價格漲勢有望延續。受益於AI產業的強勁賦能，全球HBM市場規模持續飆升。資料顯示，2024年，半導體儲存器市場規模達到1700億美元，較上年增長78%。按產品類型劃分，DRAM（包括HBM）佔據最大份額，達57%。HBM本身佔10%。按產品類型劃分，DRAM市場規模將從2024年的970億美元增長到2030年的1940億美元，年複合增長率約為12%。HBM將推動DRAM市場增長，其市場規模將從2024年的174億美元顯著增長到2030年的980億美元。HBM市場的年複合增長率將高達約33%，領跑整個儲存器市場。當前全球市場雖由三星、SK海力士、美光三大巨頭主導，但國記憶體儲企業正加速追趕，市場競爭日趨激烈。隨著HBM4世代技術迭代推進，刻蝕、沉積、檢測等核心裝置的市場需求迎來激增，為半導體裝置商開闢了前所未有的發展空間。拓荊科技董事長呂光泉認為，儲存價格上漲反映出市場仍存在較大需求缺口，從中長期來看，有望帶動儲存晶片製造廠持續擴大產能。資料量的快速增長正驅動高頻寬儲存器（HBM）向三維整合等方向演進，3D NAND Flash晶片堆疊層數不斷提高，技術發展趨勢將同步抬升下遊客戶對先進硬掩模、關鍵介質薄膜以及相關薄膜沉積、鍵合裝置的技術要求和採購需求。值得關注的是，當前中國HBM產業鏈在關鍵裝置端的國產化率不足5%，成為制約國產儲存晶片突圍的最大短板，也為國產裝置商提供了明確的突破方向。03國產半導體裝置商大局進軍HBMHBM市場需求的爆發式增長直接帶動了上游裝置產業鏈的崛起。近期，國內多家半導體裝置企業密集披露 HBM 相關進展，在刻蝕、沉積、鍵合、檢測等核心環節實現全面突破。製造端核心裝置盛美上海在互動平台明確，公司已推出已推出多款適配HBM工藝的裝置。其中，公司的Ultra ECP 3d裝置可用於TSV銅填充；全線濕法清洗裝置及電鍍銅裝置等均可用於HBM工藝，全線封測裝置（包括濕法裝置、塗膠、顯影裝置及電鍍銅裝置）亦可應用於大算力晶片2.5D封裝工藝。北方華創表示，隨著HBM市場需求快速增長，將帶動相關工藝裝置需求的增加。公司在HBM晶片製造領域可提供深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。中微公司表示，目前公司在先進封裝領域（包含高寬頻儲存器HBM工藝）全面佈局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測裝置等，且已經發佈CCP刻蝕及TSV深矽通孔裝置。邁為股份表示，目前公司高選擇比刻蝕裝置及混合鍵合裝置等可用於DRAM（高頻寬儲存器HBM）工藝。公司刻蝕和薄膜沉積裝置已廣泛應用於儲存晶片、邏輯晶片製造領域。鍵合與封裝裝置拓荊科技：作為國內唯一實現混合鍵合裝置（W2W）量產的廠商，其晶圓對晶圓鍵合產品（dione 300）和晶片對晶圓鍵合表面預處理產品（propus）均達到國際領先水平，通過頭部晶圓廠驗證。新一代高速高精度晶圓對晶圓混合鍵合產品已發貨至客戶端驗證，晶片對晶圓混合鍵合裝置驗證進展順利，同時永久鍵合後晶圓雷射剝離產品已開發完成。華卓精科：自主研發推出全系列 HBM 高端裝備，包括混合鍵合裝置(UP-UMAHB300)、熔融鍵合裝置(UP-UMAFB300)、芯粒鍵合裝置(UP-D2W-HB)、雷射剝離裝置(UP-LLR-300)、雷射退火裝置(UP-DLA-300)。公司的CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產品均作為HBM、CoWos等晶片堆疊與先進封裝工藝的關鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得廣泛應用。量檢測與配套裝置中科飛測：首台晶圓平坦度測量裝置GINKGOIFM-P300 成功出貨 HBM 客戶端，標誌著中國在該領域實現重大突破，不僅打破國外廠商長期壟斷，還突破了國內裝置對超高翹曲晶圓、低反射率晶圓的量測限制，同時支援鍵合後晶圓及 SiC/GaAs 化合物半導體襯底的全參數檢測。賽騰股份：HBM 檢測裝置業務持續拓展，三星作為公司重要客戶，前期批次 HBM 裝置訂單已交付並陸續驗收。自主研發的晶圓邊緣全方位監控裝置 RXW-1200 已成功交付國內半導體頭部 FAB 客戶，國內外市場佈局同步推進。武漢精測：控股子公司及合併範圍內其他子公司在十二個月內，與同一客戶簽訂累計金額4.33 億元的半導體量檢測裝置銷售合同。合同產品主要應用於先進儲存和HBM（高頻寬記憶體）等前沿領域，標誌著公司在半導體高端檢測裝置市場的競爭力進一步提升。從核心製造到封裝測試，國內半導體裝置企業已建構起覆蓋 HBM 全產業鏈的裝置供給能力。隨著國產裝置在技術成熟度、客戶驗證等方面的持續突破，將進一步降低國內 HBM 晶片廠商的裝置採購成本，加速國產 HBM 晶片的產業化處理程序，為中國 AI 算力產業鏈自主可控提供關鍵支撐。當前，國產半導體裝置商在HBM領域已實現從0到1的關鍵突破。但同時也應清醒地認識到，與國際領先水平相比，國產裝置在工藝精度、技術代差、供應鏈韌性等方面仍存在差距。在AI需求持續爆發的大背景下，HBM裝置已成為國產半導體裝置產業的新增長極。這場HBM裝置國產化的攻堅戰，不僅關乎單個企業的發展，更關乎中國半導體產業的升級突圍。未來，隨著政策、產業、技術的協同發力，國產裝置商必將持續突破技術瓶頸，縮小國際差距，在全球HBM市場競爭中佔據重要地位，為中國半導體產業的高品質發展注入強勁動力。 (半導體產業縱橫)

路透社引述兩名知情人士的消息報導指出，英特爾（Intel）在2025 年間開始測試採用中國半導體設備廠商盛美半導體旗下兩家子公司生產的半導體設備。據報導：英特爾測試測試了ACM Research 的兩台濕式蝕刻設備（wet etch tools）。當中，最引人關注的是，這些設備是針對英特爾最先進的晶片製造流程，也就是預計2027 年首次推出的Intel 14A 節點製程。不過，路透社的報導無法確定英特爾是否已決定將這些工具納入其先進晶片製造流程當中，也沒有證據顯示英特爾違反了任何美國法規。對此報導，盛美半導體表示，它無法對具體的客戶合作發表評論。但證實旗下的美國團隊已將多套來自亞洲業務部門的工具出售，並交付給美國國內客戶。該公司進一步透露，已向一家主要的美國半導體製造商運送了三套工具進行測試，其中一些已達到性能標準。據瞭解，盛美半導體創立於2005年，其專注半導體濕式清洗設備領域近二十年，如今已成為中國少數具有國際競爭力的半導體設備供應商。根據Gartner數據，該公司清洗設備在全球佔有率8.0%，位居全球第四。單片清洗設備在國內市場的佔有率超過30%，僅次於產業巨頭DNS。據介紹，盛美半導體在俄勒岡州希爾斯伯勒市（緊鄰英特爾核心工廠）設有銷售和服務中心。 （芯聞眼）

這是一張來自WireScreen的半導體產業供應煉長圖（基於2022年資料）。半導體擁有全球最複雜的供應鏈之一，涉及眾多國家和數百家公司，這張圖展示了各個環節的價值分配和主要參與公司，並重點分析中國在該供應鏈中的位置。中國在原料供應上佔據主導地位，但在高價值環節仍相對落後。各環節價值分配半導體規模超過5,000億美元，預計未來十年內將成長至1兆美元。這張圖將供應鏈劃分為七個核心步驟，並標示了每個環節所創造的價值佔比，顯示「錢流向那裡」：核心智慧財產權：提供晶片設計的核心架構（如ARM）。 - 價值佔比：0.9%電子設計自動化軟體：提供設計晶片所需的軟體工具（如Synopsys）。 - 價值佔比：2.4%晶圓：製造晶片的基底材料（矽片）。 - 價值佔比：1.5%製造裝置：用於晶片製造、光刻、蝕刻、測試等環節的機器。 - 價值佔比：14.9%晶片設計：公司依需求設計晶片藍圖（如蘋果、高通、輝達）。 - 價值佔比：29.8%晶片製造：將設計藍圖在晶圓上製造出來，是技術最難、價值最高的環節（如台積電、三星）。 - 價值佔比：38.4%組裝、測試和封裝：將製造好的晶圓切割成單一晶片，並進行測試和包裝。 - 價值佔比：2.5%可以看出，晶片設計和製造是價值鏈中最大的兩個環節，合計佔據了近70%的價值。中國的優勢和弱勢中國公司在關鍵原料的生產上佔據全球主導地位：矽：佔全球產量69%稀土：佔60%鍺：佔68%鎵：佔98%精煉銅：佔42%精煉鈷：佔70%但在高附加價值的環節市佔率較低，核心智慧財產權、EDA軟體、製造裝置等領域幾乎由美國、歐洲、日本和韓國公司壟斷。在晶片設計和晶片製造這兩個價值最高的環節，中國的全球市佔率也相對較小。尖端晶片技術仍然是美國、歐洲、日本和韓國公司的領域，它們攫取了供應鏈中的大部分價值和市場份額。但是，中國企業正在快速發展各個環節的先進技術，並有望在未來增強中國在供應鏈中的地位。例如：EDA：華大九天製造裝置：北方華創、中微公司晶片設計：華為海思、寒武紀、龍芯、兆芯晶片製造：中芯國際、華虹集團、Nexchip中國也透過合資和地方政府支援的模式進行追趕，例如2015年台灣力晶科技與中國合肥市政府成立合資企業Nexchip（合肥市政府實體持股39.74%，力晶科技持股20.58%），專注12吋晶圓製造，至2021年底月產能達10萬片，約為中芯國際的一半；2023年IPO融資16.7億美元，是當時亞太地區最大規模的IPO。各環節產業“領導者”和中國“挑戰者”這張圖列出了每個環節的行業領導者，例如：微影裝置：荷蘭的ASML在極紫外光微影領域擁有壟斷地位。晶片製造：台積電、三星、英特爾是領導者。晶片設計：蘋果、輝達、高通、博通是領導者。IDM公司：如英特爾、三星等集設計、製造、銷售於一體的公司，在其領先的環節中被列為行業領導者。 （銳芯聞）