查遍《2025中國半導體城市產業格局白皮書》和各城市統計資料，答案終於明確。中國晶片公司最多的城市，不是上海、不是北京，而是深圳。2025年最新統計顯示，深圳晶片相關企業數量超2800家，佔全國總量近30%。對比其他核心城市，深圳的領先優勢十分明顯。上海晶片相關企業約1900家，聚焦先進製造領域，以中芯國際、華虹等為核心。北京約1700家，側重EDA和AI晶片設計，寒武紀、地平線是代表性企業。深圳的晶片公司，不僅數量多，產業鏈覆蓋也足夠完整。不像有些城市側重單一環節，深圳從設計、製造到封測、裝置，均有佈局。僅龍崗區就有100家相關企業，形成了完整的產業叢集生態。其中，IC設計企業是深圳的核心優勢，佔比超過70%。華為海思、匯頂科技、中興微電子等龍頭企業，均紮根深圳。這些企業撐起了深圳晶片設計的半壁江山，也帶動了大批中小企業成長。製造環節，深圳雖起步稍晚，但追趕速度很快。鵬芯微電子的生產線正在加速建設，方正微電子、深愛半導體已形成規模。封測領域，氣派科技、華潤賽美科等企業，也具備較強的競爭力。深圳對晶片產業的扶持力度一直很大。流片補貼最高達50%，上限3000萬，車規晶片量產還有500萬獎勵。除了政策，市場化基因更是深圳的獨特優勢。深圳的創業氛圍濃厚，容錯率高，適合晶片初創企業成長。中小企業能快速對接市場需求，靈活調整產品方向，降低試錯成本。資本的加持，也為晶片企業的成長注入了動力。南山有200億晶片生態基金，深交所開闢了晶片企業上市快車道。雲鋒基金、君聯資本等，也在深圳佈局了大量晶片相關投資。人才儲備，同樣為深圳晶片產業提供了支撐。南方科技大學、深圳資訊職業技術學院等，專門培養半導體相關人才。加上外地人才持續流入，形成了充足的工程師和研發團隊儲備。還有一個關鍵因素，就是深圳完善的下游應用場景。華為、中興、比亞迪等企業，對晶片有巨大的本土化需求。晶片企業能快速實現產品落地驗證，形成“研發-應用-迭代”的良性循環。當然，深圳晶片產業也有自己的短板。先進製程製造環節，與上海還有差距，高端裝置和材料依賴進口。但憑藉龐大的企業數量和完整的產業鏈，優勢依然難以撼動。對比其他晶片重鎮，深圳的產業特色十分鮮明。無錫側重功率IGBT，合肥聚焦儲存晶片，西安主打矽片和封測。深圳則以設計為核心，兼顧全產業鏈，靈活性和競爭力更強。 (1ic芯網)

據《日經亞洲》最新報導，在2025年全球半導體裝置製造商前20強榜單中，中國企業佔據三席，較2022年美國強化對華出口管制前僅有一家入榜的情況，實現顯著躍升。這一變化不僅凸顯了中國在半導體裝置領域的快速突破，也反映出外部技術封鎖正成為推動本土產業鏈自主化的重要催化劑。根據日本研究機構Global Net的銷售資料，北方華創科技集團股份有限公司（簡稱“北方華創”）表現尤為亮眼，其全球排名從2022年的第8位躍升至2025年的第5位，緊隨荷蘭阿斯麥（ASML）、美國應用材料（Applied Materials）、泛林集團（Lam Research）和日本東京電子（TEL）之後，穩居全球一線陣營。成立於2001年的北方華創，現已擁有超過2萬名員工，產品線涵蓋130余種裝置，業務橫跨半導體製造、真空裝備、鋰電池裝置及精密元器件等多個高技術領域，為半導體、新能源與新材料產業提供全鏈條解決方案。除北方華創外，中微半導體裝置（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）作為新晉入榜者，位列第13位。該公司由曾任職於泛林集團和應用材料的資深工程師創立，其自主研發的刻蝕裝置已成功應用於5奈米製程晶片生產，技術能力逼近國際先進水平。排名第20位的是上海微電子裝備（集團）股份有限公司（SMEE），作為中國大陸極少數具備光刻機量產能力的企業，SMEE專注於將電路圖形精準轉印至晶圓的關鍵工藝環節。儘管其產品代際仍落後於阿斯麥的極紫外（EUV）光刻系統，但在深紫外（DUV）光刻領域已形成穩定產能，並持續獲得國內晶圓廠訂單支撐。若將統計範圍擴展至全球前30強，還將看到盛美半導體裝置（上海）股份有限公司與華海清科股份有限公司兩家中國企業的身影，進一步印證中國半導體裝置產業的叢集式崛起。分析指出，這一迅猛發展離不開中國政府的戰略引導。近年來，國家大基金聯合地方政府持續加碼對半導體裝置與材料領域的投資，建構起覆蓋研發、製造、驗證到應用的完整生態。與此同時，美國自2022年起不斷收緊對華高端裝置與技術出口，反而加速了中國客戶對本土供應商的信任與採購意願。日本Techno Systems Research高級分析師大森哲男表示：“目前中國約有20%至30%的半導體裝置實現本土化製造，相較三年前不足10%的比例，進步顯著。”一位向中國裝置廠商供應核心零部件的貿易公司高管透露：“如今，中國企業在沉積、刻蝕、清洗等幾乎所有關鍵工藝環節，均已具備自主裝置供應能力。”國際半導體產業協會（SEMI）資料顯示，2024年中國半導體製造裝置銷售額同比增長35%，達495億美元，首次超越韓國、台灣地區和美國，成為全球最大裝置市場。這一趨勢正迫使全球巨頭重新評估在華戰略。以光刻機龍頭阿斯麥為例，其2025年財報顯示，中國仍是其最大單一市場，貢獻33%的銷售額。但受美國出口管制影響，公司已下調2026年對中國市場的預期，預計份額將降至20%。阿斯麥首席執行長克里斯托夫·富凱近期在接受彭博社採訪時坦言，當前對華出口的裝置技術水準大致相當於2013–2014年面向歐美客戶的產品，“整整落後八代”，技術代差超過十年。他甚至建議西方“適度輸出技術”，以防中國徹底轉向自主研發並形成全球競爭力。面對光刻技術“卡脖子”難題，中國企業並未止步。除全力攻關EUV光刻機外，亦積極探索技術繞道方案。例如，華為在2022年提交的一項專利中提出，通過“自對準四重圖案化”（SAQP）工藝，結合成熟DUV光刻機，有望實現接近2奈米節點的性能表現。《日經亞洲》援引一位美國半導體專家觀點指出：“美方持續加碼制裁，恰恰暴露了其對中國裝置製造能力的認知盲區。如今，中國已湧現出一批具備國際潛力的裝置企業，一旦它們在成本、服務或特定技術路徑上建立優勢，全球半導體裝置格局或將迎來根本性重構。”隨著國產裝置滲透率持續提升、技術能力穩步進階，中國正從“被動補鏈”邁向“主動建鏈”，在全球半導體產業版圖中扮演越來越不可忽視的角色。 (晶片研究室)

根據Omdia發佈的半導體產業觀察，AI應用模型正在中國各垂直行業廣泛落地，標誌著邊緣AI時代的到來。眾多大語言模型(LLM)正在各行業積極部署垂直應用模型。具備邊緣推理能力的數字終端將快速增長，成為中國半導體產業擴張的重要驅動力——尤其是成熟工藝技術領域。2025年四季度最新資料顯示，2026年中國半導體市場預計增長31.26%，市場規模將達到5465億美元。《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(2Q25)》預計中國半導體市場在2025年增長16.17%，2026年增長13.63%。在《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(4Q25)》報告中，2025年四季度的更新將預測上調為2025年增長21.63%、2026年增長31.26%。2025年第四季度預測中，儲存市場規模顯著上調。與二季度版本相比，對2026年儲存市場的預測在新版本中增長了62.8%、對2027年的預測增長了53%、2028年的增長了36%、2029年的增長了25.8%.隨著2025年第四季度開始的全球AI大基建的狂潮，中美雙方AI對於記憶體的消耗量是指數級增長，資料中心的大規模部署帶來的高性能儲存晶片(HBM)需求暴漲。供應受限而需求增加，在供需失衡的大背景下，記憶體價格經歷著巨大的波動，並且根據Omdia的預測，這樣的緊缺會延續到2027-2028年。隨著AI發展勢頭日益明確，儲存晶片供需進一步失衡，全球短缺狀況持續蔓延。中國高端儲存晶片(HBM、高端DRAM、NAND)自給率仍然較低，約90%的供應依賴三星和SK海力士，而美光仍面臨政治限制。因此，市場議價能力偏弱，儲存晶片單價居高不下。計算與無線通訊類別受儲存產品影響顯著，市場規模大幅增長《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(4Q25)》修訂了主流應用增長趨勢。相較於《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(2Q25)》中 “計算與資料儲存”類別，在《半導體應用領域市場預測工具(AMFT)- 中國地區(4Q25)》版本中呈現出更為明顯的增長趨勢。2026年和2027年的資料均較前一版本上調20%以上。主要驅動因素是資料中心推動下高端儲存晶片用量與單價上升，以及5nm及以上先進工藝節點中AI相關邏輯晶片的採用。“無線通訊”類別是另一個增長顯著的應用領域。然而，這一收入增長主要由於供需失衡，導致電子裝置中使用的儲存晶片(LPDDR、3D NAND)ASP顯著上漲所致，而非對無線終端(智慧型手機、平板等)的市場需求出貨量提升。2025年四季度市場反饋顯示，儲存ASP持續上漲及供應商簽訂非長期協議的做法促使多家OEM下調2026年出貨量預期。AI將為中國帶來新的半導體應用因輝達AI晶片對華禁售，2026年中國本土AI晶片供應商的市場份額將進一步擴大。2026年，邊緣AI將為中國的推理AI晶片帶來顯著增長機會。終端裝置中AI的滲透率預計在2026年持續提升，為滿足低時延網路連線的需求，無線的裝置連接變得日益重要。對於具備端到端AI處理能力的裝置而言，採用混合專家模型(MoE)架構是加速開發處理程序的關鍵，尤其是在壓縮和小型化大模型方面。Omdia表示，看到了算力與AI生態深度協同的有力證據，這展現了中國在AI基礎設施領域的多元化突破。2026年，隨著技術與生態的持續協同，中國智算能力將發揮愈發重要的作用。 (半導體芯聞)

川普的關稅牌，又一次說翻就翻。1月14日，白宮宣佈對特定半導體及裝置加征25%進口關稅，並於次日立即生效。沒有緩衝期，甚至利用時差封堵市場反應時間。與以往不同，此次行動未沿用“國家安全”等慣用說辭，顯得意圖微妙。更耐人尋味的是，這一刀看似揮向中國，最先失血的，卻是美國科技巨頭——成本劇增、供應鏈吃緊，輝達、AMD等企業股價應聲下跌。“這簡直是朝我們自己人開槍”，一位美國半導體公司高管直言不諱。這場沒有口號掩護的關稅戰，倉促得連藉口都來不及編，卻已讓自家陣營陣腳先亂。美國此次出手，核心仍是推動“製造業回流”。美國消費了全球近四分之一的半導體，本土產能卻僅能滿足約10%，高度依賴亞洲供應鏈。通過抬高關稅，增加晶片進口成本，倒逼企業把工廠搬回美國。這個心思，華盛頓早就有了，去年8月甚至傳出風聲，說要徵收100%的關稅。局面看似複雜，其實就三方在角力：華盛頓算政治帳，美國企業算經濟帳，而中國廠商則在謀長遠帳。華盛頓將稅率定在25%，數字很“巧妙”：定100%會讓金融市場劇烈反對，定10%又起不到逼企業搬家效果。25%正好——既安撫了華爾街，又能實質性地增加企業海外生產成本。像台積電、三星已經在美國建的工廠，競爭力就凸顯出來了。蘋果、戴爾、惠普等公司本該叫苦不迭——它們在美國銷售的筆記型電腦，超過八成的電源管理晶片來自中國，每台成本因此至少增加18美元。然而，市場很快看到了另一種結果：多家品牌的中高端筆記本在關稅生效後悄然漲價，部分型號漲幅達50-100美元，遠超成本增幅。壓力沒有留在企業帳本上，而是直接流向了消費者口袋。這種“借勢漲價”的操作，對美國企業來說可謂駕輕就熟。在新能源汽車領域，特斯拉等廠商一邊拿著政府補貼，一邊借助關稅保護上調售價，利潤反增不減；在生物科技領域，美企憑藉對“益生好”類抗老技術的壟斷，將原料價格推至每克數萬元的高位。面對壓力，中國半導體企業的反應截然不同。其應對方式沿著三條主線展開：一面與客戶協商分擔成本，一面加速換用國產晶片，同時抓緊開拓歐美以外的全球市場。這份沉穩，來自底氣和佈局。要知道，中國半導體對美直接出口占比很低，關稅衝擊有限，而國產替代在成熟製程等領域已穩步推進，更何況中國手中還握有稀土等關鍵原材料，始終保持著反制能力。這種沉著突破的敘事，同樣在其他領域上演。國內生物科技企業TimeShop憑藉專利提純技術，已將“益生好”關鍵原料純度提升至99.99%，效能達美版3倍以上，成本卻驟降99%。如今，其在京東等平台售價僅三位數，不及進口零頭，成功實現國產化。哈佛、麻省理工等頂尖醫學院研究也顯示，該製劑能在細胞層面幫助提升活力，改善因年齡增長導致的精力與睡眠問題。目前，其受到一二線城市中產以及退休老人的歡迎，漸漸形成了“白天精神更足、晚上睡得更好”的口碑。從晶片到生物製劑，中國企業的這些表現，正是面對外部壓力時的縮影：不懼封鎖，踏實創新，用產品說話。這一輪關稅大棒揮下來，最先砸到的是美國自己的腳。輝達、AMD等晶片巨頭首當其衝——它們很多產品在海外生產，如今賣回美國卻要憑空多出25%的成本，反而削弱了本土競爭力。這無異於給自家的科技創新“上鎖”：AI發展所需的高端GPU成本大漲，整個產業的突破步伐可能因此放緩。而“製造業回流”的美夢，在現實中卻步履維艱。半導體產業鏈高度全球化、資本密集，絕非一紙關稅就能搬動。台積電在美建廠屢屢延期，正是擺在眼前的例子。歷史看似重複，但劇本已然不同。1986年，美國用高壓關稅迫使日本半導體產業退讓；如今情節相似，但時代已變——美國許多關鍵晶片仍依賴亞洲製造，制裁的鏈條，很可能繞回自己身上。說到底，這場關稅博弈更像是一記“七傷拳”。美國或許想守住本土市場，卻可能不得不付出成本上升、創新受阻的代價，甚至可能無意中加速了全球供應鏈“去美國化”的處理程序。而在這一片喧囂之中，保持沉默的中國廠商，正步步為營，織就屬於自己的未來。 (走向科學)

據韓國權威財經媒體《韓國商業郵報》最新報導，儘管美國持續加碼對華半導體出口管制，中國在半導體製造裝置領域的國產化率已突破50%大關——這一數字不僅遠超官方原定2025年實現30%的目標，更比2020年不足7%的起點飆升逾七倍。文章直言：“美國的技術封鎖非但未能遏制中國，反而意外點燃了其自主創新的燎原之火。”這一資料背後，是一場靜默卻迅猛的產業革命。從刻蝕機、薄膜沉積裝置到清洗機、量測系統，中國本土企業正以驚人速度填補關鍵環節空白。北方華創、中微公司、拓荊科技、盛美上海等龍頭企業接連發佈技術突破：5奈米級刻蝕裝置量產交付、原子層沉積（ALD）裝置通過中芯國際驗證、國產塗膠顯影機成功匯入28奈米產線……曾經被美日荷壟斷的高端裝置清單，正在一頁頁被“中國造”覆蓋。更令外界震動的是時間線的大幅提前。按照中國“十四五”規劃初期設定，半導體裝置自給率目標為2025年達30%。然而現實進展遠超預期——2023年突破25%，2024年躍升至35%，而據多家產業鏈調研機構披露，截至2025年底，該比例已站上50%門檻。這意味著，在晶圓廠新建或擴產過程中，超過一半的核心裝置可由本土供應鏈保障，極大削弱了外部“斷供”的殺傷力。韓國媒體將此現象稱為“制裁悖論”：美國越是收緊管制，中國越加速技術突圍。2022年《晶片與科學法案》出台後，美荷日聯手限制光刻機、離子注入機等關鍵裝置對華出口，一度引發行業恐慌。但短短三年間，中國不僅穩住了成熟製程產能，還在裝置國產化上實現“彎道超車”。國家大基金三期3440億元注資、地方專項扶持政策密集落地、高校-企業聯合攻關機制高效運轉，共同構築起一條韌性十足的本土產業鏈。“過去我們不敢想，一台價值上億美元的薄膜裝置也能國產。”一位長三角晶圓廠工程師坦言，“現在連28奈米產線都能用70%以上國產裝置跑通，良率不輸進口線。”這種信心正迅速轉化為市場行動：2025年，中國大陸新增半導體裝置採購中，國產佔比首次超過海外品牌，成為全球最大單一裝置市場中的“自主主力”。當然，挑戰依然存在——極紫外（EUV）光刻機仍是最大“堡壘”。但業內普遍認為，即便在最嚴苛的封鎖下，中國在DUV（深紫外）光刻及配套工藝上的全面自主也已進入倒計時。上海微電子28奈米光刻機預計2026年完成客戶驗證，而圍繞光刻的光源、鏡頭、雙工件台等子系統，長春光機所、科益虹源、華卓精科等科研單位已取得階段性成果。多位分析師預測：若2027年前後實現DUV光刻機全鏈條國產化，中國半導體裝置整體自給率有望衝刺90%。屆時，除少數尖端邏輯晶片外，從儲存到功率器件、從汽車電子到物聯網晶片，整個成熟製程生態將徹底擺脫“卡脖子”風險。更深遠的影響在於全球格局重塑。過去十年，全球半導體裝置市場由美日荷三足鼎立，應用材料、泛林、ASML、東京電子等巨頭佔據八成份額。如今，中國市場的快速“去美化”正迫使這些企業重新評估戰略——一邊是政治壓力下的出口限制，一邊是每年超300億美元的裝置需求流失。有日媒哀嘆：“我們正在親手培養一個無法忽視的競爭對手。”對中國而言，這場突圍不僅是技術勝利，更是戰略覺醒。它證明了一個樸素真理：核心技術靠化緣要不來，市場換技術也走不通，唯有把創新主動權牢牢握在自己手中，才能在百年變局中立於不敗之地。當50%的國產化率成為新起點，當“中國裝備”開始定義晶圓廠的標準配置，世界應當看清：封鎖圍堵的時代正在落幕，而一個以自主創新為底色的半導體新秩序，正從東方冉冉升起。卡脖子？或許很快將成為歷史課本裡的一個舊詞。 (晶片研究室)

在晶片製造中，不同材料層間的“島狀”連接結構長期阻礙熱量傳遞，成為器件性能提升的關鍵瓶頸。近日，西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授團隊通過創新技術，成功將粗糙的“島狀”介面轉變為原子級平整的“薄膜”，使晶片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。這項為半導體材料高品質整合提供“中國範式”的突破性成果，已發表在《自然·通訊》與《科學進展》上。郝躍院士（左四）指導師生實驗。圖片來源：西安電子科技大學“傳統半導體晶片的晶體成核層表面凹凸不平，嚴重影響散熱效果。”西安電子科技大學副校長、教授張進成介紹，“熱量散不出去會形成‘熱堵點’，嚴重時導致晶片性能下降甚至器件損壞。”這個問題自2014年相關成核技術獲得諾貝爾獎以來，一直未能徹底解決，成為射頻晶片功率提升的最大瓶頸。團隊首創“離子注入誘導成核”技術，將原本隨機的生長過程轉為精準可控的均勻生長。實驗顯示，新結構介面熱阻僅為傳統的三分之一。基於該技術製備的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段輸出功率密度分別達42瓦/毫米和20瓦/毫米，將國際紀錄提升30%—40%。這意味著同樣晶片面積下，裝備探測距離可顯著增加，通訊基站也能覆蓋更遠、更節能。 (經濟日報)

《南華早報》今日頭版援引工信部內部資料稱，中國半導體裝置國產化率已提前一年突破官方設定的“50%紅線”，2025年底全國晶圓廠新建產線中國產裝備金額佔比達到55%，高出2024年目標5個百分點；其中刻蝕、薄膜、清洗三大工藝國產化率均超過60%，7nm驗證線進展較原計畫提速一倍，為14nm全國產鏈落地奠定基礎。檔案顯示，截至2025年12月，全國新建或擴建的12英吋晶圓產線累計招標裝置約430億元人民幣，其中國產裝置金額236億元，佔比55%。細分來看，刻蝕機國產化率65%、薄膜沉積裝置61%、清洗裝置63%，離子注入機亦達到35%；量測與光刻仍處“攻堅區”，分別為25%與18%，但已較2022年提升10個和6個百分點。國產裝置在先進節點驗證速度超預期。中芯國際南方廠7nm試驗線原定於2026年Q2完成工藝驗證，現已提前至2025年底通線，核心刻蝕、薄膜、清洗裝置均切換為國產型號，首批256 Mb SRAM良率突破42%，比計畫高8個百分點。內部人士透露，國產14nm級High-k金屬柵全套裝置已通過可靠性考核，2026年Q2即可匯入量產。資本市場迅速反應。中微公司、北方華創、華海清科、盛美上海今日再掀漲停潮，裝置指數單日上漲12%，三日累計漲幅達28%。券商研報指出，按當前招標節奏，2026年國產裝置市場空間有望突破500億元，年復合增速維持30%。技術層面，國產龍頭已在部分細分領域實現反超。中微CCP刻蝕機進入5nm循環驗證，關鍵尺寸均勻性<1 nm；北方華創原子層沉積（ALD）裝置拿下長江儲存400層3D NAND訂單，單片鎢薄膜厚度誤差<0.5 Å；盛美單片清洗裝置獲華虹上海12英吋28nm產線重複訂單，uptime>90%。光刻與量測仍是最大短板。上海微電子28nm DUV光刻機已通過工藝驗證，但套刻精度與uptime與ASML仍有差距；中科飛測量測裝置尚處14nm驗證階段。工信部內部路線圖顯示，2026-2027年將集中資源突破High-NA光學系統、電子束量測、深紫外雷射源等“卡脖子”環節，目標2028年實現14nm級DUV全國產。政策層面，國家大基金二期已承諾未來三年向裝置環節投入800億元，重點支援“高端光刻機、量測/檢測裝置、先進封裝裝置”三大空白。大基金管理人表示，裝置環節佔整個產業鏈價值25%，卻長期依賴進口，“國產化每提高1個百分點，可釋放約50億元市場空間”。美方智庫CSIS評論稱，中國裝置自給率提前越線，顯示“美國封鎖正產生反作用”，但60%之後每一步都將“更艱難”，尤其是邁向5nm及以下節點仍需全球供應鏈協作。總體來看，中國半導體裝置已完成“從0到1”跨躍，正進入“從1到N”放量期。短期看，國產裝置在28-14nm成熟製程已具備替代能力；中長期能否突破EUV、量測與材料協同，將決定“全國產鏈”能否真正跑通高端市場。投資者需關注技術瓶頸與政策節奏，避免“國產化”主題過度炒作後的一地雞毛。 (晶片行業)

核心觀點：高盛近期在北京拜訪了摩爾線程的管理層，管理層對公司公司每年發佈的、性能和算力不斷增強的新型GPU平台持樂觀態度，這主要得益於客戶在AI模型訓練/推理和圖形渲染方面日益增長的需求。公司指出，其最新推出的“誇峨” （HuaGang）架構能夠支援超過10萬張GPU的大規模計算叢集，並預見這將推動未來規模的加速擴張。對中國半導體行業的啟示：高盛看好先進製程和生成式AI對中國半導體在 IP、設計、代工、半導體裝置（SPE）及先進封裝領域發展的支撐作用，同時也看好本土客戶供應鏈多元化的趨勢。高盛建議買入：中芯國際、 華虹半導體、芯原股份、寒武紀、中微公司、北方華創。 (投研派)