三大DRAM巨頭今年總產能1800萬片，但仍將供不應求！

1月14日消息，據韓國媒體《朝鮮日報》報導，市場調查機構Omdia 最新公佈調查資料顯示，今年三大DRAM原廠的晶圓總產出將達1800萬片，同比增長約5%，但是仍難以滿足的市場的需求。

其中，韓國三星電子計畫在2026年將DRAM 的晶圓（Wafer）產量提升至793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。這一增長主要依賴於平澤工廠（Pyeongtaek Campus）的產能釋放，預計三星電子的單季平均DRAM晶圓產量將首次達到200萬片大關。

SK 海力士2026年的DRAM 產量將從2025年的597萬片提升至648萬片，增幅約為8%。這一增長主要來自於其清州M15X 工廠的擴產投資，相關產能預計從2026年下半年開始正式計入產量資料。

相比之下，美光的DRAM產能規劃則顯得較為保守，預計其2026年全年產量將維持在與2025年相近的360萬片水平，不過其更多的新增產能將會在2027至2028年產出。

也就是說，即便是三星和SK海力士的在積極的擴大產能，他們在2026年DRAM產量相比去年總共僅能夠增長85萬片。

雖然目前全球三大DRAM原廠已紛紛啟動產能擴張計畫，但仍難以緩解目前市場上嚴重的DRAM供應短缺問題。而這主要是由於雲端AI晶片及AI資料中心對高性能DRAM的需求呈現爆炸式成長，導致傳統PC、智慧型手機等終端應用市場面臨嚴重的供貨短缺，預計這波DRAM漲價潮將貫穿2026年全年。

《朝鮮日報》也指出，儘管2026年DRAM晶圓投入量有所增加，但實際的晶片產出卻面臨技術瓶頸。業界分析指出，三星電子在推動10nm第6代DRAM（1c）製程轉換的過程中，會面臨暫時性的生產能力損失。這種因技術升級導致的有效產能下降，使得即便晶圓投入增加，最終的市場供應量增幅仍可能低於預期。而這種現像在全球記憶體短缺背景下顯得尤為嚴峻。由於目前市場需求遠超供給，業界普遍認為，這種暫時性的產能縮減將進一步支撐高頻寬記憶體（HBM）及傳統DRAM價格的持續上揚。

另外，目前的市場供需失衡程度已達到令人憂慮的水平。根據市場分析師的說法，目前DRAM 供應商對客戶的需求滿足率僅約為60%，而伺服器專用DRAM 的滿足率更是低於50%。這意味著市場上有一半的伺服器內存需求無法得到及時供應。而造成這一局面的核心原因在於供應商的戰略調整，也就是三星電子、SK 海力士與美光等DRAM原廠優先將先進製程節點與新建生產設施產能分配給HBM和伺服器DRAM。這種資源傾斜直接導致了PC 和智慧型手機製造商的困境，這類終端裝置商目前甚至只能取得所需DRAM的一半左右。

在目前供應極度受限的情況下，DRAM合約價格正經歷劇烈震盪。市場研究機構TrendForce 預測，2026年第一季通用DRAM 的合約價格將較上一季度上漲55%至60%。此外，受益於伺服器需求的大幅激增，NAND Flash 的合約價格在同期也預計將上漲33%至38%。特別是在伺服器市場，預計2026年第一季伺服器專用DRAM 的價格漲幅將突破60%。這種劇烈的價格波動，反映出供應商在產能受限的情況下擁有極高的議價權。

值得注意的是，儘管PC 市場的終端需求因筆記型電腦出貨量減少及規格下修而顯得相對疲軟，但這並未能阻止價格上漲。由於DRAM廠商大幅削減了對PC 製造商和模組廠商的供應配額，PC 用DRAM 價格預計在2026年上半年仍將保持陡峭的上升趨勢。

而在移動裝置市場方面，供應短缺的陰影同樣揮之不去。未來幾個季度內，移動端的DRAM合約價格將持續呈現急劇上漲的態勢。這對於手機品牌商而言，無疑將增加其生產成本壓力。

面對當前的DRAM供應危機，業界專家認為，短期內難以見到根本性的緩解。全球DRAM 市場的供應短缺問題，恐需等到三星電子平澤園區P4 新工廠正式投產後才具備緩解契機。根據目前的工程進度與內部預測，P4 工廠最快也要到2027年以後才可能投入營運。同樣地，SK 海力士也需要等到龍仁半導體叢集正式啟動運作，才能顯著提升其整體的DRAM生產能力。在這些大型基礎設施完工之前，全球DRAM市場將長期處於緊平衡甚至是供應不足的狀態。

因此，總體來說2026年的DRAM市場正處於一個由AI 需求主導的強勢周期。雖然三星與SK 海力士試圖通過增加DRAM晶圓產能來緩解壓力，但受限於新製程轉換的產能損耗、對HBM 的資源優先配置，以及新工廠建設的長期周期，市場供給缺口在短期內依然巨大。對於下游的PC、智慧型手機及伺服器廠商來說，如何在這波價格飈升與供貨不穩的浪潮中確保供應鏈安全，將成為2026年最重要的經營課題。 (芯智訊)