美光科技市值首次收盤突破5000億美元，躋身標普500最具價值16強；SK海力士預警晶片晶圓短缺將延續至2030年；閃迪年內漲幅近200%。多重催化劑疊加上下，摩根士丹利"儲存降溫論"正遭市場現實無情打臉。華爾街見聞AI驅動的儲存晶片需求浪潮正將整個類股推向新高地。周二美股收盤，儲存及資料儲存類股全線大漲，美光科技市值首次在收盤時突破5000億美元，正式躋身標普500指數中最具價值的16家公司之列，閃迪、西部資料、希捷等個股亦同步創下新高。推動本輪上漲的核心催化劑來自多個方向。美光周一盤後宣佈，面向輝達下一代Vera Rubin AI平台的HBM4高頻寬記憶體晶片已進入量產階段，打消了市場對其能否成為該平台供應商的疑慮。與此同時，SK海力士集團董事長崔泰源周一表示，全球晶片晶圓短缺局面預計將延續至2030年，短缺幅度可能超過20%，並暗示即將公佈穩定DRAM價格的新計畫，進一步提振了市場情緒。上述消息疊加發酵，令儲存類股整體受益。西部資料漲超9%，希捷科技漲超5%，美光漲超4%，閃迪近五個交易日累計漲幅達19.52%，年內漲幅高達196%。摩根士丹利首席美股策略師Mike Wilson此前警告儲存類股"已經降溫"，但當前市場走勢與這一判斷形成鮮明背離。美光首次收盤站上5000億美元市值美光科技周二收盤價報461.69美元，市值達5196.4億美元，據道瓊斯市場資料，這是該公司首次在收盤時突破5000億美元門檻。此前一個交易日，美光曾在盤中短暫觸及這一里程碑，但未能守住至收盤。這一成就使美光成為標普500指數中僅有的16家市值達到或超過5000億美元的成員之一。值得注意的是，美光僅在兩個月前才首次突破4000億美元市值，擴張速度之快折射出市場對AI儲存需求的高度樂觀預期。美光周一盤後宣佈HBM4量產的消息是本輪上漲的直接導火線。目前，全球能夠生產HBM4的廠商僅有美光、韓國SK海力士及三星電子三家，而隨著AI模型規模持續擴大，對這一高端儲存產品的需求正急劇攀升。供需緊張格局支撐上行邏輯多位分析師認為，儲存市場的供需失衡將為美光等企業提供持續的定價權支撐。德意志銀行分析師Melissa Weathers在上周的研報中指出，DRAM市場的供應緊張預計將延續至2027年，尤其是HBM產品所需矽片用量遠超傳統DRAM，這將推動美光整體DRAM業務的平均售價、營收及利潤率持續上行。Rosenblatt分析師Kevin Cassidy則預計，本輪上行周期至少將延續至2026財年第四季度，原因在於"有實質意義的新晶圓產能"最早也要到明年年中才能釋放。美光在台灣銅鑼新收購的台灣力晶半導體P5廠區預計要到2028財年才能開始支援"有實質意義"的出貨量。RBC分析師Srini Pajjuri則在周日的研報中表示，即便PC和智慧型手機市場出現需求萎縮，也預計將被AI及資料中心需求"大幅抵消"。他指出，資料中心目前已佔DRAM市場營收的逾半壁江山，HBM及DDR記憶體的需求有望持續至2027年。SK海力士表態強化行業景氣預期SK集團董事長崔泰源周一的公開表態，為整個儲存類股提供了額外的基本面背書。他預計全球晶片晶圓短缺將持續至2030年，缺口幅度可能超過20%。這一判斷與多位分析師對供應緊張的預測高度吻合，進一步強化了市場對儲存價格中樞上移的信心。崔泰源還透露，SK海力士正在評估在美國發行存托憑證（ADR）的可能性，以拓寬全球投資者基礎。此外，他暗示公司CEO即將公佈一項旨在穩定DRAM價格的新計畫，引發市場廣泛關注。作為輝達HBM晶片的核心供應商，SK海力士目前處於AI晶片需求爆發的最前沿。崔泰源的上述表態，與美光HBM4量產公告共同構成本輪類股上漲的雙重催化劑。閃迪領漲，類股整體強勢挑戰"降溫論"在更廣泛的儲存類股中，閃迪的表現尤為亮眼。這家專注於快閃記憶體的公司近五個交易日累計漲幅達19.52%，年內漲幅約196%，過去12個月累計漲幅更高達約1184%。西部資料和希捷科技近五日漲幅分別約為17.17%和9.92%，兩家公司過去一年均錄得三位數漲幅。這與摩根士丹利首席美股策略師Mike Wilson的近期判斷形成明顯落差。Wilson在最新市場評論中表示，儲存股等此前領漲領域"近期已明顯降溫"，並警告投資者為市場可能出現的"最後一跌"或"投降式衝擊"做好準備，潛在觸發因素包括聯準會鷹派立場、通膨擔憂及地緣衝突升級。然而，當前市場資料顯示，儲存類股的預期回呼並未出現，持倉投資者正持續獲益。Wilson同時表示，一旦大盤觸及明確低點，投資者應"準備好在牛市恢復前增加風險敞口"。財報窗口臨近，市場期待驗證美光將於周三（3月18日）發佈財季業績報告，市場情緒已提前升溫。據FactSet彙總的分析師預期，美光2026財年第二季度營收預計達198億美元，同比增長約145%；調整後每股收益預計為9.19美元，淨利潤預計約103億美元，同比增幅約489%。Cassidy指出，投資者屆時將重點關注兩大議題：其一，美光能否在擴大晶圓產能的同時，繼續維護與客戶簽訂的長期供應協議中的定價條款；其二，高企的儲存價格是否已開始引發需求萎縮，即部分客戶因成本過高而轉向替代方案或推遲採購。美光同時於周日宣佈完成對台灣力晶半導體P5廠區的收購，該廠區位於台灣銅鑼，將擴充其在台潔淨室產能，為包括HBM在內的DRAM產品製造提供更多空間。 (invest wallstreet)

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在退出消費級記憶體和固態硬碟（SSD）市場之後，美光把重點轉向了企業級市場，尤其是在人工智慧（AI）領域加大了投入。當地時間3月3日，美光宣佈推出業界首款單條256GB SOCAMM2記憶體模組，已向客戶啟動出樣及出貨。該產品搭載全球首款單晶片32Gb LPDDR5X DRAM顆粒，實現儲存技術新突破。SOCAMM2 是一種專為資料中心、高性能計算和人工智慧設計的低功耗記憶體模組。它基於 LPDDR5/5X 的標準，結合了 CAMM 的模組化設計，未來還有望支援 LPDDR6。這個技術最大的優點就是省電、節省空間，而且維護起來也方便。它正好填補了 HBM（高頻寬記憶體）和傳統 DDR 之間的性能和成本空缺。相較前代最高容量192GB SOCAMM2，該產品容量提升約三分之一。在8通道單路伺服器中，可支援2TB系統記憶體配置，適配12通道雙路伺服器時更可拓展至6TB系統容量，助力AI伺服器輕鬆處理超長上下文窗口與複雜推理任務。美光還表示，在處理長文字的大型語言模型推理任務時，他們讓第一個字生成的時間快了2.3倍。而在單獨使用CPU的應用中，能效提升了最多3倍。目前美光正與輝達緊密合作開發下一代記憶體解決方案，輝達下一代AI超級計算平台Vera Rubin將成為首批採用該記憶體標準的產品之一。該記憶體模組計畫在GTC 2026大會上正式展出。 (半導體技術天地)

2026年薩南德工廠將完成數千萬顆晶片的封裝測試，2027年產能將提升至數億顆。美光宣佈其位於印度古吉拉特邦薩南德的半導體封裝測試工廠正式開業。這座先進工廠將把美光全球製造網路生產的高端DRAM與NAND晶圓，加工成成品儲存產品。薩南德工廠一期項目全面投產後，潔淨室面積將超過50萬平方英呎，成為全球面積最大的單層封裝測試潔淨室之一。該工廠將服務全球客戶，以滿足由人工智慧驅動、持續增長的全球儲存產品需求。該工廠由美光與印度政府合作夥伴共同投資約27.5億美元建設，旨在提升印度的半導體製造能力。美光科技總裁兼首席執行長桑傑・梅赫羅特拉表示：“對美光和印度蓬勃發展的半導體產業而言，這都是一個值得自豪的時刻。這座具有開創意義的工廠是印度境內首座同類封裝測試基地，有助於建構支撐全球人工智慧經濟的韌性產業生態。我們衷心感謝印度中央政府、古吉拉特邦政府及所有合作方的堅定支援，讓這一成果得以實現。”薩南德工廠已獲得 ISO 9001:2015 認證，並已啟動商業化生產。為慶祝工廠正式開業，美光將首批印度本土製造的記憶體模組交付給戴爾科技，用於其面向印度市場生產的筆記型電腦。美光預計，2026年薩南德工廠將完成數千萬顆晶片的封裝測試，2027年產能將提升至數億顆。此次在印度擴充傳統封裝測試業務，與美光計畫在美國發展的先進製造與封裝能力形成互補，進一步強化了公司的全球封裝測試網路。印度電子和資訊技術部部長阿什維尼・瓦什瑙表示：“美光薩南德半導體工廠的落成，標誌著印度正式開啟本土商用半導體晶片生產，這是一個歷史性里程碑。”他表示，這是朝著建構可信、韌性、自主的半導體生態系統邁出的決定性一步。印度正從晶片消費國，轉型為全球半導體製造與創新中心。此外，美光正為印度培養下一代半導體人才，以支撐其在印業務營運。通過與PDEU、Namtech、印度國內頂尖高校及政府技能發展項目合作，美光支援STEM教育、專業技能培訓、先進製造業人才儲備，並推動社區項目，包括面向當地的數字與人工智慧素養教育。如今正處於儲存超級周期，2026年第一季AI與資料中心需求持續加劇全球儲存器供需失衡，原廠議價能力有增無減，TrendForce據此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季成長幅度，預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公佈的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價則從季增33-38%上調至55-60%，並且不排除仍有進一步上修空間。美光此前在財報會議上透露，2026年（日歷年）全年高頻寬記憶體（HBM）的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄；並且，公司還預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元），較此前指引提前兩年。而在供應方面，美光管理層表示，“中期來看，我們僅能滿足部分關鍵客戶約50%至三分之二的需求。”在這種背景下，我們看到進入2026年，美光在產能擴張方面有多個動作。今年1月，美光宣佈與力積電簽署獨家合作意向書，將以18億美元收購力積電位於台灣苗栗縣銅鑼鄉的晶圓廠（不含生產相關機器裝置），其中包含了一座面積達30萬平方英呎的300mm晶圓潔淨室，同時雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係，美光將協助力積電在新竹P3工廠進一步提升現有DRAM工藝技術。這次交易有利於美光提升先進製程DRAM產能，並提升力積電的成熟製程DRAM供應，預計能提升2027年全球DRAM供應量。同月，美光位於新加坡現有NAND快閃記憶體製造園區內的先進晶圓製造廠正式破土動工，計畫未來十年投資約240億美元（約合人民幣1,670億元），預計2028年下半年投產。據悉，該工廠將成為新加坡首座雙層晶圓製造工廠，建成後將提供約70萬平方英呎的無塵室空間，將有助於美光滿足由人工智慧和資料驅動應用迅速擴張所帶動的對NAND快閃記憶體不斷增長的市場需求。美光在美國紐約州奧農達加縣投資1000億美元的先進儲存晶片製造綜合體，也在今年正式動工。該項目規劃最多建設四座晶圓廠，將成為美國規模最大的半導體製造基地，預計2030年開始投產，並在2030年代逐步提升產能。根據此前規劃，美光將在美國投資2000億美元進行整體擴張，其中包括在愛達荷州新建兩座先進高產能晶圓廠、對弗吉尼亞州現有晶圓廠進行擴建與現代化改造、佈局先進高頻寬記憶體（HBM）封裝能力，以及開展研發工作。美光的目標是實現40%動態隨機存取儲存器（DRAM）在美國本土生產。此外，美光之前還宣佈將在日本廣島投資96億美元建設一座專門生產HBM晶片的新工廠。該工廠將設於美光現有的廣島廠區內，預計於2026年5月動工，並於2028年左右開始出貨HBM晶片。 (半導體產業縱橫)

近日，全球最大避險基金橋水披露了截至2025年末的美股持倉報告（13F）。2025年第四季度，橋水增持美光科技、甲骨文、輝達、亞馬遜等科技股，還增持了紐曼礦業等黃金股；同時減持Google、微軟等股票。截至2025年末，AI仍是橋水的重倉類股。2025年末，橋水在美股的持倉市值約為274億美元，比2025年三季度末的255億美元增長逾7%。橋水2025年第四季度持倉變動 圖片來源：whalewisdom.com截至2025年末，橋水的前十大重倉標的分別是標普500ETF-SPDR（SPY）、標普500ETF-iShares（IVV）、輝達、半導體製造裝置供應商泛林集團（LRCX）、SaaS公司賽富時（CRM）、Google-A（GOOGL）、微軟、亞馬遜、Adobe、能源公司GE Vernova（GEV）。此外，博通、甲骨文、美國超微公司（AMD）等也是橋水的重要持倉。可以看出，AI仍是橋水看好的市場主線。橋水截至2025年末前十大持倉 圖片來源：whalewisdom.com在具體操作上，2025年第四季度，橋水大幅增持標普500ETF-SPDR（SPY）189萬股；在科技領域，橋水增持輝達約135.5萬股，增持亞馬遜82.3萬股，增持甲骨文146.7萬股，增持美光科技88.8萬股；同時減持Google-A約106.3萬股，減持微軟11.3萬股。在貴金屬類股，橋水在2025年第四季度大幅增持黃金開採公司紐曼礦業約192萬股，增持黃金礦業公司Barrick Mining約187.5萬股。其中，紐曼礦業不僅是全球知名黃金開採公司之一，也是重要的銅、銀、鋅、鉛等金屬生產商，該公司2025年第四季度股價上漲逾18%；Barrick Mining是全球知名黃金生產商，同時有伴生銅礦，該公司2025年第四季度股價上漲約33%。橋水在今年1月發佈的《人工智慧資本支出熱潮的宏觀影響》中表示，人工智慧（AI）資本支出將在未來幾年為美國經濟增長提供重要支撐，且此類投資的諸多次生影響尚未被市場充分定價。展望2026年，橋水認為，人工智慧資本支出熱潮對宏觀經濟環境的影響，是最被低估的變化之一。人工智慧基礎設施建設並非均勻拉動所有行業價格上漲，而是通過電力、核心部件（如儲存晶片）、原材料（如銅、鋁）三條路徑，在特定領域形成價格壓力。 (中國證券報)