英特爾CEO陳立武警告：儲存晶片短缺將成為一個長期存在的問題。彭博社消息：英特爾公司首席執行長陳立武表示，電腦行業的儲存晶片短缺問題大機率將持續至少兩年。他在周二思科系統公司的一場會議上稱：“據我所知，目前尚無緩解跡象。” 陳立武透露，他曾與儲存晶片領域的兩大核心企業交流，對方表示 “直至 2028 年，短缺問題都無法得到緩解”。人工智慧基礎設施的大規模擴建推高了儲存晶片的需求，導致可供傳統電腦和智慧型手機使用的晶片供應量減少，進而引發晶片短缺與價格上漲，還可能削弱消費者對相關產品的購買意願。陳立武指出，人工智慧處理器龍頭企業輝達推出的新一代魯賓平台及後續產品，會進一步拉升儲存晶片的需求。他表示，人工智慧領域將 “消耗海量的儲存晶片”。英特爾是全球最大的個人電腦處理器製造商，而處理器的運行離不開儲存晶片對資料的儲存與管理。當前全球頭部的儲存晶片製造商為三星電子、SK 海力士和美光科技。 (芯榜)

2026 年 1 月 27 日，新加坡兀蘭（Woodlands）。 在推土機的轟鳴聲中，儲存巨頭 美光科技（Micron Technology） 正式啟動了其在新加坡最大的一筆單體投資。 面對 AI 帶來的“前所未有”的儲存需求，美光宣佈斥資 305 億新元（約 240 億美元） 擴建晶圓廠。這座新工廠不僅承載著美光對 NAND Flash 市場的野心，更試圖通過獨特的“雙層”設計，在有限的土地上最大限度地搾取產能，以緩解可能持續數年的供應危機。1. 核心動作：305 億新元與“雙層”工廠美光此次投資的規模和技術細節都顯示出其對未來市場的極度看好。巨額投資：總投資額高達 305 億新元。這是美光自 1998 年進入新加坡以來，累計投資額突破 600 億美元的重要里程碑。雙層設計：為瞭解決新加坡土地稀缺的問題，新工廠將是美光在新加坡的首座 “雙層（Double-Storey）” 晶圓製造廠。目的：最大化土地利用率，同時提供額外的 700,000 平方英呎（約 6.5 萬平方米）潔淨室空間。產能提升：這將使美光在新加坡的潔淨室空間增加 50%，為生產下一代最先進的 NAND Flash 提供物理保障。投產時間：工廠預計將於 2028 年下半年 投入營運，並創造約 1,600 個高技能就業崗位。[圖片：美光新加坡新工廠動土儀式]圖註：新加坡副總理顏金勇（Gan Kim Yong）與美光 CEO Sanjay Mehrotra 共同出席新廠動土儀式。這座工廠將成為美光全球 NAND 生產的核心樞紐。2. 投資驅動：AI 的“無限貪婪”與短缺危機美光為何敢於在 2026 年初下如此重注？因為 AI 對儲存的需求已經到了“不可理喻”的地步。前所未有的短缺美光 CEO Sanjay Mehrotra 在儀式上直言：“AI 驅動的儲存需求是前所未有的。”他指出，目前的儲存短缺預計將持續到 2026 年以後。 美光全球營運執行副總裁 Manish Bhatia 補充道，目前美光只能滿足客戶 50% 到 66% 的需求。這種巨大的供需缺口迫使客戶不得不從傳統的“一年一簽”轉變為簽署 “多年期供貨協議”，只為鎖定未來的晶片供應。戰略地位的躍升Mehrotra 強調：“隨著 AI 的擴展，記憶體和儲存不再只是系統中的元件，它們已成為絕對能釋放 AI 潛力的 戰略資產。” 新工廠將專注於生產用於資料中心的 NAND Flash。這些晶片將被組裝成高性能 SSD，為訓練生成式 AI 模型提供海量且高速的資料吞吐能力。新加坡目前是美光 NAND Flash 的主要生產基地，貢獻了公司約 20% 的營收。3. 輔助資訊：地緣政治下的“避風港”除了商業邏輯，新加坡的 地緣政治穩定性 也是美光加碼投資的關鍵。 新加坡副總理 顏金勇 表示，在地緣政治緊張和供應鏈中斷頻發的當下，新加坡定位為 “值得信賴的樞紐”。美光選擇在這裡錨定其關鍵的 NAND 製造，正是看中了這種在全球動盪中依然保持“中立與穩定”的特質。目前，新加坡在全球半導體供應鏈中扮演著關鍵角色，生產了全球 10% 的晶片和 20% 的半導體裝置。「橙芯」視點1. “雙層工廠”：摩爾定律的另一種延續當電晶體微縮變得越來越難時，半導體製造開始在宏觀層面尋找空間。美光的“雙層晶圓廠”設計，本質上是在寸土寸金的新加坡通過 物理堆疊 來換取產能。這與 HBM 在微觀上堆疊 DRAM 的邏輯如出一轍——向天空要空間，已成為半導體行業解決物理限制的通用法則。2. 只有一半需求被滿足的恐怖美光高管透露“只能滿足一半需求”，這是一個令人毛骨悚然的訊號。這意味著，對於下游的伺服器廠商和雲服務商來說，即使有錢也買不到貨。這種極端的賣方市場將賦予儲存原廠極強的定價權，2026 年的儲存價格暴漲（如三星 NAND 翻倍）才剛剛開始，遠未結束。3. “戰略資產”的新定義美光 CEO 將儲存定義為“戰略資產”而非“元件”，這標誌著儲存晶片在 AI 時代的地位重估。就像石油之於工業革命，高性能儲存（HBM/eSSD）就是 AI 時代的石油。誰掌握了產能，誰就掌握了 AI 發展的命門。互動探討美光的新工廠要到 2028 年才能投產，而目前的 AI 需求缺口高達 50%。在未來兩年的“至暗時刻”，您認為雲服務商會因為買不到 SSD 而放緩 AI 模型的訓練速度，還是會不惜一切代價搶購現有庫存，從而將儲存價格推向歷史新高？ (橙芯視界)

2025年，美光成為了半導體行業關注度最高的公司之一。他們也成為儲存晶片市場最大黑馬。這家曾在 HBM 賽道上明顯落後的儲存廠商，市值在數月內上漲超過 40%。2025 財年第四季度，美光實現淨利潤 32 億美元，淨利潤率達到 28.3%，這是其自 2017—2019 年伺服器記憶體景氣周期以來的最佳表現。更具標誌性的是，美光正式躋身輝達 H200 GPU 的 HBM3E 記憶體供應鏈，其 HBM 業務早已進入高速增長通道。而時間撥回三年前，HBM 市場的主角仍是 SK 海力士與三星：兩者在代際演進和客戶繫結上持續推進，而美光的市場份額一度下滑至約 10%，在關鍵技術節點上落後競爭對手整整一代，存在感近乎消失。這場戲劇性的逆轉背後，是一個關於誤判、掙扎、轉型與重新定位的故事。HMC的失利要理解美光在HBM早期的掉隊，需要回到2011年那個充滿雄心的起點。那一年，美光技術專家Thomas Pawlowski在Hot Chips上發佈了HMC（混合記憶體立方體）技術方案，直指JEDEC標準制定機制的低效——“最低公分母”式的妥協導致DRAM頻寬革新步履維艱。HMC採用全新的高速SERDES資料鏈路架構，第一代原型即實現160 GBps總吞吐量，能效比下一代DDR4高出約3倍。這是一次技術上頗為超前的嘗試。美光試圖繞開JEDEC的標準化流程，建立自己主導的HMCC聯盟，用封閉生態取代開放標準。但問題在於，HMC的領先優勢只有一到兩年，而成本卻高得驚人——即便美光從未公開具體價格，但業內共識是其遠超同樣昂貴的HBM。更致命的是時機判斷。2013年AMD和海力士聯合推出HBM時，這項技術迅速被納入JEDEC標準體系，獲得了GPU生態的全面支援。輝達和AMD先後採用HBM作為顯示卡記憶體，而HMC除了少數天文學項目、超級電腦和英特爾定製版Xeon Phi協處理器外，幾乎沒有大規模商業化應用。美光在HMC上投入了整整七年。2018年8月，當公司正式宣佈放棄HMC、轉向HBM時，韓國雙雄已經開始佈局HBM2E，而美光甚至連第二代HBM都尚未量產。這場技術路線的豪賭，讓美光在AI算力爆發前夜錯失了關鍵窗口期。但HMC的失敗並非單純的技術選擇錯誤。更深層的問題在於，美光對HBM戰略地位的判斷出現了根本性偏差——公司長期將其視為補充性高端產品，而非決定DRAM產業結構的關鍵變數。這種認知滯後，導致美光在先進封裝協同、與GPU/加速器廠商的聯合驗證，以及定製化產品響應速度上全面落後。2020年3月，當美光的HBM2姍姍來遲時，市場格局已基本定型：SK海力士佔據50%份額，三星佔據40%，留給美光的只有10%的殘羹冷炙。這不僅是市場份額的差距，更是在AI訓練算力基礎設施中話語權的缺失。HBM3E的轉折真正的轉折發生在HBM3E階段，這次轉折的標誌不僅是產品本身，更是美光內部完成的一次明確戰略校準。前期失利帶來的痛苦反思，迫使美光重新定義HBM在公司戰略中的位置——它不再是邊緣產品，而是與製程節點、資本開支和客戶結構強繫結的核心方向。這種認知轉變帶來的第一個決策，就是直接跳過HBM3代際，全力研發HBM3E。2023年9月，美光宣佈推出HBM3 Gen2（即HBM3E），這是一次高風險的技術跨越。跳代開發意味著美光必須在更短時間內解決堆疊良率、功耗控制和頻寬最佳化等一系列複雜問題，同時還要與輝達等頭部客戶建立深度協同設計機制。這場豪賭的回報在2024年顯現。美光成為輝達H200 GPU的HBM3E供應商，這不僅是訂單本身的價值，更意味著美光重新獲得了進入AI訓練核心生態的入場券。與此前HBM2時代被動等待客戶驗證不同，美光在HBM3E階段顯著加快了產品響應節奏，在功耗、頻寬和堆疊可靠性上對標甚至局部超越主流方案。2025財年第四季度，美光HBM記憶體銷售額接近20億美元，環比增長17.7%，同比增長3.78倍。更重要的是，公司預計到2026財年第三季度，其HBM市場份額將達到約20%，與整體DRAM市場份額持平——這意味著美光正在將其在通用DRAM領域的競爭力複製到HBM賽道。但HBM3E的意義不止於此。這一代產品的成功，標誌著美光在技術判斷、客戶協同和產能調配上形成了新的能力閉環。公司將常規DRAM產能轉向1γ製程後，釋放出1β製程產能專門生產HBM堆疊DRAM——這種精細化的產能管理，既保證了HBM良率的穩定性（採用相對成熟的製程技術），又避免了新製程低良率對高成本堆疊產品的致命打擊。更值得關注的是美光在HBM4佈局上的策略轉變。與HBM3階段的跳代不同，這次美光選擇同時佈局HBM4和後續的HBM4E產品，引腳速度提升至11 Gb/s，單堆疊總頻寬達2.8 TB/s。首席執行長Sanjay Mehrotra公開表示，這將是市面上速度最快的HBM4記憶體。而在HBM4E階段，美光更進一步提供定製化基底裸片，支援記憶體子系統的部分計算功能——這宣告了美光正在學習SK海力士，加速向系統級能力滲透。從賣記憶體到參與系統架構如果說HBM3E是美光重返主賽道的敲門磚，那麼SOCAMM（Socket Capable Advanced Memory Module）等新型記憶體形態的佈局，則反映出了其在產品形態和參與方式上的變化。相較於傳統標準化記憶體，美光正在更多介入面向 AI 模組與系統層級的記憶體方案設計。SOCAMM 並非單一器件層面的創新，而是一種面向 AI 伺服器與 PC 的模組化記憶體標準。該方案基於 1c DRAM 製程，重點最佳化能效表現，其頻寬水平低於 HBM，但在功耗和成本方面更具優勢。當前，輝達、Google、OpenAI 以及亞馬遜 AWS 等公司正在開發整合大量通用 DRAM 的定製化 AI 加速器與計算平台。隨著 AI 應用由訓練向推理階段擴展，對高能效、可規模部署的通用 DRAM 需求正在提升，SOCAMM 與這一技術方向具有較高匹配度。在具體合作層面，美光是輝達 Grace CPU 的 LPDDR5 記憶體供應商，並預計將繼續為下一代基於 Arm 架構的處理器平台提供板載記憶體支援。這類合作模式使美光能夠在產品定義階段參與系統設計，對記憶體形態、功耗預算和封裝方式進行協同規劃，而不再僅限於後期供貨。與此同時，美光與客戶之間的技術協作方式也在發生變化。在 HBM 早期階段，記憶體廠商主要依據 GPU 或加速器廠商提出的規格進行產品開發；而在 SOCAMM、CXL 記憶體等新方向上，記憶體廠商與系統廠商更多採用聯合定義的方式，共同確定介面形式、性能目標及應用場景。這種協作機制提升了記憶體在系統層級中的適配度。這種系統級協同能力的積累，也對美光在 HBM 領域形成支撐作用。當公司能夠同時提供 HBM、LPDDR5、SOCAMM 等多種記憶體方案，並參與異構計算架構的整體設計時，其在技術溝通和產品組合上的靈活性隨之提高。這一背景下，美光在 HBM3E 階段獲得主要 AI 客戶的採用，更符合長期技術協作逐步深化的結果，而非單一產品節點的偶然突破。製程、產能與業務收縮技術路線的調整需要資源支撐，美光再推進技術的同時的，近兩年也在通過製程、產能與資本配置，來為其 HBM 戰略提供源源不斷的“子彈”。在製程層面，美光持續推進 1γ 節點的研發與匯入。該節點的應用有助於提升 DRAM 的能效和良率，並為後續 HBM4 及更高代際產品提供工藝基礎。同時，美光將部分常規 DRAM 產能遷移至 1γ 製程，將 1β 製程產能更集中地用於 HBM 生產，通過區分不同製程節點的應用場景，實現對規模化產品與高複雜度堆疊產品的平行支援。在產能佈局上，美光正進行跨區域的產能重組。公司在美國愛達荷州、紐約州，日本廣島，以及台灣等地推進晶圓廠的新建或擴建計畫。其中，愛達荷 ID1 晶圓廠預計於 2027 年上半年投產，台灣 A5 工廠則側重於 HBM 相關的後段堆疊能力。此外，近期美光宣佈收購力積電位於台灣的晶圓廠資產，該舉措使其在當地直接獲得成熟的 300mm DRAM 製造能力，縮短了新增產能的爬坡周期，也降低了在 HBM 相關產品上對外部代工資源的依賴。資本支出方面，美光 2025 財年資本開支為 138 億美元，2026 財年預計提升至約 180 億美元，投入強度已接近晶圓代工廠水平。與此同時，美光對業務結構進行了系統性調整。自 2025 年起，公司陸續終止移動 NAND 產品開發、縮減消費級品牌業務，並逐步退出 DDR4 等成熟產品線，將研發和製造資源進一步集中於資料中心相關儲存產品。這一調整反映出其對未來需求結構的判斷，即資料中心將成為中長期內最具確定性的需求來源。從財務表現看，不同業務線之間的盈利能力差異明顯。2025 年上半年，美光資料中心儲存產品的毛利率約為 42%，而消費級儲存產品毛利率約為 14%。在此背景下，美光對產線用途進行了重新分配，例如在博伊西晶圓廠將原本面向消費級產品的多條生產線改造為 HBM 和資料中心用 DRAM 產線，以支援與主要 AI 客戶簽訂的長期供貨協議。與三星和 SK 海力士相比，美光在業務聚焦上的力度更為集中。前兩者仍保留一定規模的消費級儲存業務，以平衡周期波動；而美光則選擇進一步收縮低利潤領域，將資本開支與工程資源集中於 HBM 和資料中心 DRAM。這種策略在一定程度上提高了對單一市場景氣度的敏感性，但在當前 AI 驅動的需求環境下，已對其營收結構和盈利能力產生了直接影響。從追趕者到競爭者隨著 HBM 產業由 HBM3E 向 HBM4 過渡，美光的地位也在悄然發生變化。目前，SK 海力士仍以約 60% 的市場份額處於領先位置，其優勢來自較早進入 HBM 量產階段、較高的良率水平以及與輝達等頭部客戶形成的穩定供貨關係；三星電子則因在 1c DRAM 製程上的推進不及預期，HBM 市場份額自 2024 年以來明顯下滑。在此過程中，美光的市場地位發生了顯著變化，其 HBM 份額已由此前的個位數提升至約 20% 左右，成為當前 HBM 市場中增速最快的廠商之一。多家投行預計，2025 年 SK 海力士、三星和美光在 HBM 市場的份額結構將逐步穩定在約 5:2:2 的區間，美光份額有望達到 18%–21%。與 2022 年約 10% 的水平相比，其在高端儲存市場中的存在感明顯提升。美光也在財報中多次強調，HBM 已成為其資料中心業務中增長最快的產品線之一，並預計在 2025 財年貢獻數十億美元等級的收入。不過，與市場份額提升平行的，是產能約束帶來的現實限制。當前，美光在 HBM 相關 TSV 工藝和晶圓加工能力上，仍明顯落後於韓國廠商。公開資料顯示，其月度 HBM 晶圓級產能約為 5–6 萬片，而三星和 SK 海力士分別在 15–16 萬片區間。這一差距意味著，美光即便在技術和客戶認證層面取得突破，短期內也難以通過放量迅速改寫整體市場結構。為解決這一瓶頸，美光正在對產能結構進行系統性調整。一方面，公司加快在日本廣島推進新一代 HBM 晶圓廠建設，計畫在 2026 年前後形成新增產能；另一方面，現有 DRAM 產線正逐步向 HBM 和資料中心用 DRAM 傾斜。按照規劃，到 2026 年底，美光 HBM 相關產能有望提升至約 10 萬片/月，新增產能增幅高於同期 DRAM 總體產能的增長幅度，顯示出公司在資源配置上的明確取向。與 SK 海力士的穩定擴張路徑相比，美光的節奏更具階段性特徵。前者通過成熟製程和長期供貨協議鎖定了 2026 年前後的需求可見性；三星則仍在 1c DRAM 良率、HBM4 客戶認證之間進行調整。而美光的戰略重心，已由“是否具備 HBM 能力”轉向“如何在有限產能下提升高端產品佔比，並為下一代產品預留擴張空間”。綜合來看，美光已完成從 HBM 市場邊緣參與者向有效競爭者的轉變，其在 HBM3E 節點切入主流 AI 平台，標誌著其技術路線和客戶策略開始發揮實際效果。但在 HBM4 周期中，美光能否進一步提升份額，仍取決於三個關鍵變數：一是 HBM4 產品的量產進度和性能驗證結果，二是新增產能的落地節奏，三是與頭部 AI 客戶在長期供貨層面的持續繫結程度。這些因素，將共同決定其在下一階段 HBM 競爭中的上限。巔峰還是新起點？我們回到最初的問題：美光是否重返巔峰？如果將“巔峰”定義為市場份額第一、技術絕對領先，那麼答案顯然是否定的。SK海力士和三星在HBM領域的先發優勢、客戶繫結深度以及產能規模，仍然是美光短期內難以踰越的壁壘。美光2025財年的財務表現雖然亮眼，但這更多是AI熱潮下整個儲存行業的紅利，而非美光單獨的結構性優勢。但如果將“巔峰”理解為重新確立關鍵競爭者的位置、建立可持續的技術與市場競爭力，那麼美光確實正在經歷一次深刻的戰略重生。從HMC的慘痛失敗到HBM3E的成功突圍，從被動追隨到主動參與系統架構設計，從泛化的產品組合到激進的業務聚焦，美光在過去五年完成的不僅是技術補課，更是對自身在AI時代儲存產業中角色的重新定義。美光當前的位置，或許更像是一個新的起點，而非傳統意義上的巔峰迴歸。它已經證明了自己有能力在技術路線失誤後實現戰略校準，有決心通過激進的資源騰挪聚焦核心賽道，有實力在HBM等關鍵領域重新獲得競爭資格。但要真正站上行業之巔，美光還需要在技術持續迭代、生態話語權建構、產能規模化擴張等維度，完成更長期的積累。巔峰或許還很遙遠，但至少，美光已經重新回到了通往巔峰的道路上。 (半導體行業觀察)

2026年將是儲存巨頭又一個里程碑之年，而這場躍遷的核心賭注，落在了HBM4身上。SK海力士在2025年財報會上宣佈，其HBM4已於9月完成開發並啟動量產，2026年全面放量；三星在2026年新年致詞中直言：“我們的HBM4展現了真正的差異化競爭力，甚至有客戶感慨：Samsung is back。（三星回來了）”；美光則在2025年9月的電話會議中確認：HBM4將於2026年Q2正式量產出貨，下半年進入產能爬坡。HBM4的量產衝刺，已在2026年初正式啟程。01. HBM4，亮相截至目前，美光、三星和SK海力士均已通過不同活動展示了各自的HBM4產品。SK海力士：16層堆疊 + MR-MUF + 台積電邏輯晶片SK海力士正式展示了其新一代HBM4高頻寬記憶體，採用16層堆疊、容量達48GB。相比此前推出的12層36GB版本（曾以11.7Gbps的速率創下行業紀錄），新器件在容量和頻寬上均有明顯提升，整體頻寬突破2TB/s。MR-MUF的優勢實現16層堆疊的同時，還要滿足JEDEC對HBM封裝總高度不超過775微米的要求，這對製造工藝提出了極高挑戰。SK 海力士的一大亮點是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術：通過將單顆DRAM晶圓減薄至僅30微米，並在一次回流焊過程中完成多層晶片的垂直互連，既提升了整合密度，也增強了結構穩定性。SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是，與台積電合作將12奈米邏輯晶片整合到HBM4晶片的基礎晶片中，作為HBM4堆疊的控制邏輯或“大腦”。三星：1c DRAM + 混合鍵合 + 全流程自研與SK海力士和台積電合作生產HBM4邏輯晶片不同，三星是在自家4nm工藝上生產邏輯晶片，並且在同一廠區內完成3D封裝。三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM、邏輯晶片製造及3D封裝全鏈條的HBM4供應商。封裝技術上，三星未採用MR-MUF，而是加速推進混合鍵合技術；同時，三星在HBM4 的另一個突破在於選擇採用1c DRAM工藝技術。三星的HBM3和HBM3e都是基於1a奈米製程的DRAM，到了HBM4採用1c DRAM工藝技術以形成對SK海力士的競爭優勢。（SK海力士、美光目前仍採用1b DRAM工藝）。三星電子內情的相關人士透露，三星電子1c DRAM良率已接近60%，超過盈虧平衡點，為量產奠定基礎。2025年底，三星已完成HBM4的量產準備認證（PRA），產品達到內部量產標準，正加速推進進入輝達供應鏈的處理程序。在博通主持的技術性測試中，三星HBM4運行速度達到中低段11Gb/s水平，表現位列三大儲存廠商之首。此外，三星計畫在2月舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上發佈一款更高性能的HBM4晶片。其首款36GB HBM4頻寬為2.4TB/s，新款產品頻寬預計將達3.3TB/s，較上一代提升37.5%。美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地晶片 + 台積電邏輯晶片美光財報美光CEO桑傑·梅赫羅特拉在2025財年第四季度及全年財報中證實，公司新一代HBM4記憶體將於2026年推出，多項性能指標超越JEDEC基礎規範。美光12層堆疊的HBM4正按計畫推進，以支援客戶平台的擴展。近期，美光已向客戶交付HBM4樣品，其頻寬超過2.8TB/s，資料速率突破11Gb/s，處於行業領先水平。美光科技聲稱，新款HBM4產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手。美光CEO表示：“我們成熟的1b DRAM、創新且節能的HBM4設計、自主研發的先進CMOS基地晶片以及先進的封裝技術，是成就這款一流產品的關鍵所在。”值得一提的是，美光的HBM4E將與台積電合作生產邏輯晶片（對，和SK海力士類似），計畫會在2027年上市。02. 產能格局，分化加劇主要DRAM供應商的DRAM晶圓加工能力（月產量，單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產量，單位：千片）。所有資料截至年底。來源：2025年FMS會議論文集，TrendForce據TrendForce預測，預計到2025年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片，SK海力士54.5萬片，美光科技34萬片。其中，採用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片，佔DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片，佔28%；美光5.5萬片，佔16%。預計到2026年底，三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片，同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片，同比增長5.5萬片；美光36萬片，同比增長2萬片。其中，SK海力士的產能增長尤為顯著。SK海力士採取“HBM3E+HBM4”雙代平行策略，在鞏固當前市場優勢的同時，全力衝刺下一代產品。目前已鎖定2026年全部DRAM與NAND產能的客戶需求，預計全年DRAM出貨量同比增長超20%，管理層判斷HBM供應緊張局面將持續至2027年。美光對HBM市場的長期前景保持高度樂觀。其CEO在2025年底業績電話會上表示，預計2025年至2028年全球HBM總潛在市場（TAM）復合年增長率（CAGR）約為40%，規模將從350億美元增至1000億美元。為抓住這一窗口期，美光計畫今年將其HBM4產能提升至每月1.5萬片晶圓。面對AI驅動的爆發性需求，三大廠商正以前所未有的力度推進產能建設。03. 全球佈局加速我們梳理一下各家儲存大廠的製造基地佈局。SK 海力士SK 海力士目前在全球設有多個半導體生產基地，主要分佈在韓國、中國和美國，從分佈來看，最尖端的HBM和先進製程DRAM集中在韓國，成熟DRAM依賴中國無錫廠支撐，而美國工廠主攻先進封裝。重點來看韓國這邊，SK海力士在利川有三家工廠：M10、M14和M16。M10工廠聚焦基礎DRAM和HBM晶圓製造，2025年完成產線改造（M10F），承擔HBM記憶體封裝任務；M14工廠與M16廠協同擴產，最新建成於2021年的M16工廠主要專注於生產DRAM產品。在韓國清州地區，SK 海力士有M15工廠，主攻NAND快閃記憶體製造，是清州園區的核心生產設施。配套還有M15X工廠，是M15擴建計畫的一部分，生產HBM，2025年Q4投產，總投資20兆韓元。最新進展顯示，SK海力士已將M15X的量產時間從原定的2026年6月大幅提前至2026年2月，初期月產能約1萬片，目標到2026年底提升至5.5萬–6萬片。該廠將同時生產HBM3E與HBM4，並已通過1b DRAM工藝認證。值得注意的是，M15X還將為下一代HBM4E鋪路，未來將匯入10nm級第六代（1c）DRAM技術。此外，在清州地區SK海力士今年會投資19兆韓元，建設一個P&T7工廠。主要面向HBM等AI記憶體的需求的先進封裝後端晶圓廠。這個晶圓廠佔地面積7萬坪（約合 23.14 萬平方米），計畫於 2026 年 4 月開工建設，預計於2027 年底竣工。其將與SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圓廠構成有機整體。更長遠看，SK海力士在京畿道龍仁市啟動了規模空前的龍仁半導體叢集項目，規劃四座大型晶圓廠，總投資高達600兆韓元。首座工廠已於2025年2月動工，預計2027年5月投產。在美國方面，SK 海力士在印第安納州準備建設一個先進封裝中心，投資38.7億美元，負責半導體產品的封裝和測試，計畫於2028年下半年開始營運。在中國有兩家工廠，一家在無錫、一家在重慶。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一，佔其全球DRAM總產量的30%–40%。目前該廠12英吋晶圓月產能達18萬–19萬片，已升級至1a工藝。三星三星在美國和韓國都有工廠。韓國這邊，華城工廠位於京畿道華城市，是三星在韓國的重要儲存晶片生產基地，主要生產DRAM和NAND Flash儲存晶片。器興（Giheung）工廠是三星早期建立的晶圓廠，主要生產成熟工藝節點的儲存晶片及相關半導體產品，支援從350奈米到8奈米的工藝，為三星儲存業務提供基礎產能支援。平澤工廠是三星儲存業務的戰略核心。該基地已建成P1至P4晶圓廠，並正在重啟P5建設（預計2028年投產）。其中，P4工廠被明確指定用於1c DRAM的量產，計畫用於HBM4等高端儲存產品。同時，三星在美國有奧斯汀和泰勒晶圓廠，奧斯汀主要生產65nm至14nm邏輯晶片，產品應用於移動裝置、通訊等領域；泰勒專注於先進製程晶片生產，準備生產特斯拉AI6晶片（預計基於2nm工藝）。據韓國《每日經濟新聞》報導，輝達團隊已訪問三星，通報了HBM4系統級封裝（SiP）的測試結果。結果顯示，三星HBM4在運行速度與功耗效率兩大核心指標上，表現優於所有競爭對手。“與HBM3E時期不同，我們在HBM4開發上處於領先地位，”一位三星內部人士表示。據悉，三星正綜合評估平澤P4產線的擴產進度與交付能力，計畫於2026年第一季度敲定最終供應合同，並於第二季度啟動正式量產交付。美光前兩天，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia在接受採訪時表示：“我們當前看到的短缺情況，確實是前所未有的。”Bhatia在最新的講話中指出，用於人工智慧加速器的HBM（高頻寬儲存）“消耗了整個行業大量可用產能，導致傳統行業領域，例如智慧型手機和個人電腦，出現巨大的供給缺口”。在HBM的巨大需求下，美光同樣也在瘋狂擴產。美光的HBM工廠分佈在新加坡、日本、美國，其中大多都是新建工廠。去年年初，美光就在新加坡投資70億美元，準備建設一家專門的HBM先進封裝工廠。這個工廠原計畫是2026年開始營運，並且從2027年開始擴大美光的先進封裝總產能。後來，美光又宣佈在日本建廣島工廠，這家則是專門生產HBM晶片。工廠在2025年5月正式動工，預計2028年左右實現HBM晶片的規模化出貨。該工廠將採用先進製程技術，是美光自2019年以來規劃的首個新生產基地。當然，日本政府說要給美光的新工廠提供最多5,360億日元的補貼（約合人民幣259億元）。之前，美光承諾將其40%的DRAM製造產能轉移到美國本土。在美國，美光投資了1000億美元建設的大型晶圓廠綜合體，規劃四座晶圓廠，其中兩座已動工，預計2030年開始投產。今年1月，美光在紐約州奧農多加縣為其晶圓廠舉行正式開工儀式。之前美光還宣佈，還會在自家總部的愛達荷州博伊西市建設第二座記憶體製造工廠，提升美國國內半導體生產和研發能力。從新建工廠來看，處理程序在明後年才能實現投產。面對當下的生產需求，美光決定直接買工廠。也就是最近宣佈的，以18億美元現金收購力積電苗栗銅鑼P5晶圓廠，交易預計於2026年第二季完成。在銅鑼廠之前，美光已收購AUO台南廠2座、AUO Crystal在台中的廠房，以及Glorytek的台中廠房，作為Wafer Probe（晶圓測試）、Metallization （金屬化）、HBM TSV等各項用途。此外，美光還規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM Metallization。值得一提的是，雖然SK海力士和美光都在積極擴張產能，但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎。據TrendForce預測，預計到2026年底，三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平，為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片，達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片，達到10萬片。 (半導體產業縱橫)

美光耗資 1000 億美元的晶片工廠在紐約州破土動工之際，環保人士、工會和民權組織組成的聯盟敦促這家美國科技巨頭簽署一項協議，使其一系列做好鄰居的承諾具有法律約束力。美光公司用於生產儲存晶片的巨型晶圓廠有望成為該州歷史上最大的商業開發項目，也是全美最大的晶片製造基地。上周五，官員們在錫拉丘茲附近的克萊市舉行了奠基儀式。首批晶片有望在五年內交付，但整個廠區要20年才能完全建成。由約25個主要為地方倡導團體組成的“紐約中部社區福利聯盟”的組織者和成員告訴《連線》雜誌，他們歡迎這個項目。他們也讚賞美光公司已承諾在當地招聘員工，並解決其建設帶來的部分環境和社會影響。但聯盟成員認為，目前缺乏監管，美光公司可能會逃脫懲罰，造成環境污染，並加劇該地區的經濟 不平等。“我們希望有真正、有力、透明且可執行的承諾，”美國就業促進組織（Jobs to Move America）的高級研究員安娜·史密斯（Anna Smith）說道。該組織是一個親工會的全國性非營利組織，正在幫助組織這個聯盟。周三，該聯盟公佈了一封發給美光公司首席執行長桑傑·梅赫羅特拉的電子郵件，邀請他會面並開始就所謂的社區利益協議進行談判，該協議將把公司在招聘、環境保護和當地投資方面的承諾正式寫入法律。公告表示，半導體公司美光科技正在紐約州克萊市建設一座工廠，預計將獲得超過 200 億美元的公共補貼。公告認為，有了這樣的公眾支援，美光公司應該致力於為紐約州中部居民創造優質就業機會，同時積極主動地將項目對住房負擔能力、公共服務以及居民健康和環境的負面影響降至最低。為了最大限度地確保美光項目的成功，我們的聯盟呼籲簽署一份具有法律約束力的社區利益協議（CBA），其中包含以下承諾：1、為所有員工和社區成員提供公平的機會，讓他們分享美光工廠可能帶來的利益。2、最大程度減少設施建設和營運對工人、居民、社區和環境造成的損害與此同時，該聯盟要求美光公司做出可強制執行的承諾：一、就業機會、勞動力發展以及公平安全的工作場所。1.美光公司的員工應該獲得足以讓家庭和當地經濟繁榮發展的工資和福利。2.來自各種背景的錫拉丘茲人都應該有機會不受障礙地在美光公司獲得好工作，並擁有一個公平的工作場所，讓所有員工都有機會獲得成功和晉陞。3. 一份好工作就應該是一份安全的工作。美光公司必須承諾保障員工、他們的家人以及社區成員免受危險工作環境和有毒化學品的侵害。二、住房和交通公正與公平。1.如果無法通勤上班，紐約州居民就無法加入美光公司：居民需要安全、可靠、經濟實惠且低排放的交通工具。2.美光公司和政府官員必須採取措施，確保該項目不會加劇該地區的房價、交通和空氣污染問題。3. 美光公司必須將其直接投資用於公立學校的職業和技術教育項目。美光公司應該積極主動地確保公共服務因其存在而變得更好，而不是更糟。三、公共衛生與安全、環境衛生和資源公平。1. Micron公司必須對該項目將破壞的 濕地、水道和棲息地進行補償。2. 美光公司大量消耗能源和水資源不應影響我們其他人負擔這些資源的成本。美光公司應採取切實有效的措施來減少其溫室氣體排放，包括購買新的可再生能源。3. 由於美光公司獲得了大量稅收抵免，因此應該做出具體承諾，並定期向公眾分享這些承諾的進展情況。4.工人和社區成員都必須免受有毒化學品的影響。美光公司發言人安娜·紐比表示，公司“致力於成為社區的優秀成員和負責任的環境管理者”。她在聲明中列舉了美光承諾的2.5億美元社區投資、已發放的1500萬美元撥款、表彰其作為優秀僱主的獎項，以及80%的建築工人將來自當地的承諾。“這些承諾確保我們擁有強大的社區合作夥伴關係和熟練的勞動力，從而成功交付這項對國家至關重要的項目，”紐比說道。像美光這樣的公司沒有義務與社區團體達成協議。但紐約聯盟的行動借鑑了其他美國組織的類似做法。其中一些組織成功地迫使大型建設項目，例如機場和公車廠，簽署合同，承諾投資學校、建造經濟適用房、開展更多環境研究或優先採購本地產品。至關重要的是，這些協議可以通過法院強制執行。這些協議的支持者認為，達成協議可以幫助企業消除反對意見，並為建設、招聘和後續融入社區掃清障礙。協議條款可以包括設立監督小組和年度公開報告。哥倫比亞大學法學院彙編的一個資料庫顯示，過去十年中，數十個大型項目都達成了利益協議。“我們看到，全國各地的公司與我們這樣的聯盟談判達成的此類協議都是雙贏的，僱主、工人和社區組織共同努力，確保各方的需求都得到滿足，”紐約聯盟在給美光的信中寫道。聲明還補充說，一項全面的協議將“進一步履行美光作為好鄰居的承諾”，並確保善意的承諾“轉化為具體的、可衡量的利益”。在美國生產更多晶片是國家安全的優先事項，美光公司的項目也獲得了兩黨支援。但與此同時，大型晶圓廠和資料中心正面臨前所未有的公眾審視，這主要是因為它們消耗大量的水和電。在阻力之下，一些項目已被放棄或遷址。紐約聯盟的組織者認為，如果美光公司的維權行動最終達成協議，那麼它將成為在開發推進過程中爭取讓步的範本。“這個項目可以做好，”史密斯說，“讓我們攜手完成它。”尋求承諾該聯盟的成員包括環保倡導組織塞拉俱樂部大西洋分會和 SustainCNY；種族正義團體城市就業工作組和全國有色人種協進會錫拉丘茲分會；以及勞工組織，包括代表工廠工人的 IUE-CWA 320 分會。他們之所以將目光鎖定在美光公司身上，部分原因是其項目最終可能獲得高達250億美元的公共補貼。該公司承諾創造9000個就業崗位，這提振了各方支援，但社區中的一些人仍然擔心其中的利弊權衡。其中一個令人不滿的問題是，地方當局為了給美光公司騰出空間，將一位91歲高齡的曾祖母從她住了60年的家中遷走。該聯盟尋求美光公司在三大議題上做出承諾——員工隊伍、當地經濟和環境。其訴求包括：美光應為少數族裔社區提供平等的就業機會和足以養家餬口的工資；美光應投資建設經濟適用房和公共交通，以便錫拉丘茲地區的居民能夠前往這家大型晶圓廠工作；此外，美光必須承諾對能源消耗和污染做出透明的限制，尤其是在晶片製造過程中使用的“永久性化學物質”方面，這些物質可能對水道和員工健康構成重大威脅。“目前還沒有計畫在水流入安大略湖之前去除水中的永久性化學物質，”紐約州可持續發展組織（SustainCNY）的錫拉丘茲水文學家瑪迪·尼布萊德說。“我們飲用水的污染問題確實令人擔憂。”美光公司已做出一些承諾，以確保獲得許可和稅收優惠。例如，該公司計畫投資1000萬美元用於兒童教育，修復濕地以彌補其破壞的濕地，並與地方政府合作解決住房短缺問題。但聯盟組織者表示，許多方面仍存在不確定性。“如果我們無法確保美光公司會信守承諾，那麼善意的承諾就毫無意義，”史密斯說。“我們希望確保美光公司達到儘可能高的標準，以保護工人和社區的利益。”她認為這些擔憂是有道理的，因為在她看來，晶片行業在工作場所多樣性、打擊工會和保護工人免受有毒化學物質侵害方面有著糟糕的記錄。IUE-CWA與美光公司的初步接觸也並不順利。據工會主席卡爾·肯尼布魯稱，兩年前，在項目開工前，工會曾與美光公司會面，試圖解決一些問題，但由於雙方立場相左，談判很快陷入僵局。他表示，這正是工會加入聯盟的原因。“我們鼓勵公司與我們坐下來談判，建立夥伴關係，”他說。該聯盟計畫呼籲民選官員，並利用審批過程中的公眾評論機會，向美光公司施壓，促使其進行談判。與聯盟的策略不同，“促進美國就業”組織上周與當地一家倡導組織合作，起訴地方當局，試圖阻止這座巨型工廠的建設，理由是他們不公平地倉促完成了該項目的環境審查。奧農達加縣發言人賈斯汀·賽爾斯稱這份檔案“只不過是慣犯的一次施壓行為”，但這“並不能改變這是美國歷史上研究最深入的項目這一事實”。在錫拉丘茲長大的卡迪賈·艾哈邁德（Khadeejah Ahmad）現在負責“就業促進美國”（Jobs to Move America）在該地區的組織工作，她對該聯盟的前景充滿希望。她住在距離美光公司建築工地20分鐘車程的地方，並希望她的子孫後代也能繼續留在附近。該公司有望成為該縣最大的營利性僱主，在她看來，達成交易並在社區中樹立良好聲譽至關重要。“這是以高標準的方式將製造業帶回美國並樹立標竿的一種途徑，”艾哈邁德說道。 (半導體行業觀察)