1月14日消息，據韓國媒體《朝鮮日報》報導，市場調查機構Omdia 最新公佈調查資料顯示，今年三大DRAM原廠的晶圓總產出將達1800萬片，同比增長約5%，但是仍難以滿足的市場的需求。其中，韓國三星電子計畫在2026年將DRAM 的晶圓（Wafer）產量提升至793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。這一增長主要依賴於平澤工廠（Pyeongtaek Campus）的產能釋放，預計三星電子的單季平均DRAM晶圓產量將首次達到200萬片大關。SK 海力士2026年的DRAM 產量將從2025年的597萬片提升至648萬片，增幅約為8%。這一增長主要來自於其清州M15X 工廠的擴產投資，相關產能預計從2026年下半年開始正式計入產量資料。相比之下，美光的DRAM產能規劃則顯得較為保守，預計其2026年全年產量將維持在與2025年相近的360萬片水平，不過其更多的新增產能將會在2027至2028年產出。也就是說，即便是三星和SK海力士的在積極的擴大產能，他們在2026年DRAM產量相比去年總共僅能夠增長85萬片。雖然目前全球三大DRAM原廠已紛紛啟動產能擴張計畫，但仍難以緩解目前市場上嚴重的DRAM供應短缺問題。而這主要是由於雲端AI晶片及AI資料中心對高性能DRAM的需求呈現爆炸式成長，導致傳統PC、智慧型手機等終端應用市場面臨嚴重的供貨短缺，預計這波DRAM漲價潮將貫穿2026年全年。《朝鮮日報》也指出，儘管2026年DRAM晶圓投入量有所增加，但實際的晶片產出卻面臨技術瓶頸。業界分析指出，三星電子在推動10nm第6代DRAM（1c）製程轉換的過程中，會面臨暫時性的生產能力損失。這種因技術升級導致的有效產能下降，使得即便晶圓投入增加，最終的市場供應量增幅仍可能低於預期。而這種現像在全球記憶體短缺背景下顯得尤為嚴峻。由於目前市場需求遠超供給，業界普遍認為，這種暫時性的產能縮減將進一步支撐高頻寬記憶體（HBM）及傳統DRAM價格的持續上揚。另外，目前的市場供需失衡程度已達到令人憂慮的水平。根據市場分析師的說法，目前DRAM 供應商對客戶的需求滿足率僅約為60%，而伺服器專用DRAM 的滿足率更是低於50%。這意味著市場上有一半的伺服器內存需求無法得到及時供應。而造成這一局面的核心原因在於供應商的戰略調整，也就是三星電子、SK 海力士與美光等DRAM原廠優先將先進製程節點與新建生產設施產能分配給HBM和伺服器DRAM。這種資源傾斜直接導致了PC 和智慧型手機製造商的困境，這類終端裝置商目前甚至只能取得所需DRAM的一半左右。在目前供應極度受限的情況下，DRAM合約價格正經歷劇烈震盪。市場研究機構TrendForce 預測，2026年第一季通用DRAM 的合約價格將較上一季度上漲55%至60%。此外，受益於伺服器需求的大幅激增，NAND Flash 的合約價格在同期也預計將上漲33%至38%。特別是在伺服器市場，預計2026年第一季伺服器專用DRAM 的價格漲幅將突破60%。這種劇烈的價格波動，反映出供應商在產能受限的情況下擁有極高的議價權。值得注意的是，儘管PC 市場的終端需求因筆記型電腦出貨量減少及規格下修而顯得相對疲軟，但這並未能阻止價格上漲。由於DRAM廠商大幅削減了對PC 製造商和模組廠商的供應配額，PC 用DRAM 價格預計在2026年上半年仍將保持陡峭的上升趨勢。而在移動裝置市場方面，供應短缺的陰影同樣揮之不去。未來幾個季度內，移動端的DRAM合約價格將持續呈現急劇上漲的態勢。這對於手機品牌商而言，無疑將增加其生產成本壓力。面對當前的DRAM供應危機，業界專家認為，短期內難以見到根本性的緩解。全球DRAM 市場的供應短缺問題，恐需等到三星電子平澤園區P4 新工廠正式投產後才具備緩解契機。根據目前的工程進度與內部預測，P4 工廠最快也要到2027年以後才可能投入營運。同樣地，SK 海力士也需要等到龍仁半導體叢集正式啟動運作，才能顯著提升其整體的DRAM生產能力。在這些大型基礎設施完工之前，全球DRAM市場將長期處於緊平衡甚至是供應不足的狀態。因此，總體來說2026年的DRAM市場正處於一個由AI 需求主導的強勢周期。雖然三星與SK 海力士試圖通過增加DRAM晶圓產能來緩解壓力，但受限於新製程轉換的產能損耗、對HBM 的資源優先配置，以及新工廠建設的長期周期，市場供給缺口在短期內依然巨大。對於下游的PC、智慧型手機及伺服器廠商來說，如何在這波價格飈升與供貨不穩的浪潮中確保供應鏈安全，將成為2026年最重要的經營課題。 (芯智訊)

周二收盤，美光科技的股價下跌了2.2%。韓國SK海力士正借助儲存晶片的熱潮，計畫投資130億美元在本土建設一家處理器封裝工廠。這一消息的公佈，讓其美國競爭對手美光科技的投資者心生憂慮。周二，SK海力士宣佈，公司將在首爾以南的清州市建設一座先進的人工智慧晶片封裝及測試工廠。儲存晶片已成為AI加速器中越來越重要的組成部分。尤其是一種名為高頻寬記憶體（HBM）的晶片，對於輝達等公司的處理器來說必不可少。在HBM晶片製造領域，美光是三星電子和SK海力士的主要競爭對手。美光同時也是動態隨機存取儲存器（DRAM）和快閃記憶體市場的領先者——前者廣泛應用於台式電腦與伺服器，後者則常見於智慧型手機與固態硬碟。近幾個季度，儲存晶片業務利潤豐厚：美光股價在過去12個月中上漲了兩倍多。然而，正如Barron's所警告的，儲存晶片供應商在半導體周期上行階段往往會過度擴產，最終導致市場崩盤。SK海力士的擴產計畫可能會讓人想起以往產能過剩的慘痛教訓。美光科技的股價周二下跌了2.2%。“這些都是典型的周期性行業。無論他們怎麼說，每到周期高點，他們總會聲稱‘這次不一樣’。但等到周期低谷時，他們不是虧一點錢，而是虧得很多，”Freedom Capital Markets的董事總經理兼科技研究主管保羅·米克斯（Paul Meeks）表示。對SK海力士和美光科技持樂觀態度的人則不認同這種看法。他們認為，人工智慧的崛起已為儲存晶片市場帶來結構性變革。SK海力士在一份聲明中表示，公司此舉是“為積極響應高頻寬記憶體（HBM）持續攀升的市場需求”。該公司指出，2025年至2030年期間，全球HBM市場預計將實現年均33%的增長。這座新建工廠預計將於2027年底竣工。目前來看，市場上似乎並沒有對產能過剩問題表現出強烈擔憂。美光自身要到2027年年中才會大幅增加產能。三星則計畫在2026年將一座用於生產其他晶片的工廠改造為HBM生產線，但其產量的大幅提升要等到2028年。“當前，供應短缺引發的供需失衡正推動儲存晶片價格走高，我認為這種局面很可能會持續到2027年，”Freedom Capital Markets的米克斯說。 (Barrons巴倫)

美光是全球最大的記憶體製造商之一，在人工智慧（AI）和消費級市場均憑藉行業領先的產品佔據主導地位。隨著AI領域對DRAM（動態隨機存取儲存器）模組的需求激增，有一種觀點認為記憶體供應商應對此局面負責。近日，美光行銷、移動及客戶端業務部門副總裁克里斯托弗·穆爾在接受採訪時介紹了記憶體短缺的相關情況。儘管投入巨大，記憶體短缺2028年前難有改善對於美光為何退出了“英睿達（Crucial）”消費級業務，記憶體供應商是否更傾向於服務AI領域而忽視消費者？穆爾的回應如下：  “首先，我希望幫助大家理解，至少從我們的角度來看，這種認知可能並不完全精準。我從不希望指手畫腳或否定他人的想法，但我們的立場是始終致力於為全球消費者提供支援，只是換了不同的管道。我們在客戶端和移動市場仍保有相當規模的業務，同時也在為資料中心客戶提供服務。”“當前，資料中心的總體潛在市場（TAM）正以驚人的速度增長，作為企業，我們也希望助力這一市場的發展。”  美光表示，其原始裝置製造商（OEM）消費級管道佔據了公司市場份額的很大一部分。可能有部分使用者對此並不瞭解：美光直接向戴爾、華碩等整合商供應LPDDR5等記憶體模組，這些製造商隨後會將這些模組重新封裝到自己的產品設計中。穆爾稱，儘管退出英睿達業務給外界造成了“美光拋棄消費者”的印象，但實際上，這家美國製造商通過OEM模式仍在消費級供應鏈中佔據重要地位。穆爾表示，美光與所有PC品牌都保持著記憶體模組供應合作，但目前無法忽視來自AI領域的需求。美光及其他廠商紛紛佈局AI行業的核心原因是，DRAM製造商的總體潛在市場（TAM）正快速擴張，從商業角度而言，美光無法忽視這一領域日益增長的需求。“目前，各類資料中心正在加速建設，企業級或資料中心業務的總體潛在市場（TAM）佔比不斷提升——過去是30%、35%，後來達到40%，如今已增至50%、60%，整個市場對儲存容量的需求遠超以往。而整個行業都面臨供應短缺的問題，這一點值得大家理解。”  “這並非美光一家的問題，而是全行業的挑戰。我們與同行及競爭對手都在盡力滿足這些領域的需求，但供應總量確實無法覆蓋所有需求，這是一個非常遺憾的局面。但我認為至關重要的是，大家要知道我們仍在服務消費級市場。”在訪談中，穆爾強調AI領域的重要性不容忽視，但與此同時，美光也在盡最大努力滿足消費者需求。不幸的是，DRAM需求的突然激增導致了短缺，讓美光等企業幾乎沒有時間調整供應鏈。為何工廠擴建無法短期內解決記憶體短缺談及產能擴張，這絕非簡單地在供應鏈中添置新裝置就能增加DRAM產量。美光表示，當前短缺問題的核心癥結在於需要解決記憶體模組的容量多樣性需求——簡單來說，若蘋果同時需要8GB、12GB和16GB的模組，美光就必須切換裝置以滿足不同產出要求，這會導致產能下降。在AI熱潮興起前，供應商別無選擇，只能滿足各類定製需求，但如今市場格局已發生變化。“大家可以想像一下：如果一家工廠的多台裝置都在生產某一種晶片，之後卻不得不停止這些裝置，轉而生產另一種晶片，產出量必然會減少。實際情況雖更為複雜，但這是最通俗易懂的解釋。目前我們正在努力減少晶片的生產種類，儘可能降低差異化產品的數量，以最大化產能。同時，我們也在與客戶溝通協作。”“我們會告訴客戶：‘我們理解你們過去希望將記憶體從12GB升級到16GB，或從16GB升級到24GB，但這類頻繁調整會導致我們的產能下降。’因此，我們正與客戶合作，力求需求穩定，從而實現供應穩定，進而最大化產能。”  這一表述也印證了此前的報導——筆記型電腦和智慧型手機製造商目前正考慮限制記憶體配置選項。對美光而言，這是短期內確保穩定產能利用率的最佳解決方案。更重要的是，在AI熱潮下，鑑於客戶對計算能力的要求，DRAM代際切換的需求比以往任何時候都更為迫切，這意味著美光需要更頻繁地調整新裝置和生產機制。穆爾表示，美光的工廠擴建計畫要到2028年才能產生實質性效果。因為工廠建設和客戶認證需要大量時間，且AI客戶對技術和產能利用率的要求極高，新建工廠的流程變得更為複雜。“相關擴建計畫確實在推進中。但要大幅提升儲存容量產出，需要更多潔淨室空間，而這需要耗費大量時間。三年前，美光在愛達荷州的ID1工廠破土動工，原計畫2027年底投產，現已提前至2027年年中。但即便如此，在完成所有資質認證、客戶驗收、裝置偵錯及全面投產等工作後，要實現真正有意義的產出，還得等到2028年。”記憶體製造商們正爭相建設新的生產線，但流程限制最終迫使他們將時間表推遲多個季度。這意味著對普通消費者而言，DRAM短缺可能還會持續相當長一段時間，至少在AI需求開始回落之前難以緩解。美光與中國市場中國的長鑫儲存（CXMT）推出了DDR5解決方案，並計畫進行大規模首次公開募股（IPO）。長鑫儲存是全球第四大DRAM製造商，據報導其具備擴大DRAM產量的充足資源，因此有消息稱惠普可能會將長鑫儲存的記憶體模組整合到其消費級產品中。在被問及美光是否認為中國供應商會搶佔其在消費級市場的份額。穆爾表示，美光歡迎來自全球任何地區的競爭。“中國本土的供應能力多年來一直在逐步提升，這些廠商在其專注的市場領域表現出色。”“他們並非覆蓋所有市場，但在目標領域做得非常好。在我看來，競爭能讓我們變得更強大——我一直秉持這一觀點。如果遇到競爭，我們需要挺身而出、積極應對、精益求精。因此，我歡迎來自任何地區的競爭，無論其源自何處。這只會讓我們公司變得更好，也能幫助我們更優質地服務客戶。”美光表態明確，記憶體短缺前路漫漫 我們與美光的訪談聚焦於記憶體短缺的核心問題，尤其是從消費級市場的角度出發。綜合討論內容可以得出一個明確結論：DRAM短缺短期內不會消失。無論是供應商、原始裝置製造商（OEM）還是供應鏈中的其他環節，都處於困境之中，可供選擇的解決方案寥寥無幾。  與所有供應商一樣，美光正通過工廠擴建、DRAM工藝升級和供應鏈最佳化等措施來確保穩定供應，但這些努力的“成果”還需要很長時間才能惠及普通消費者。 (半導縱橫)

輝達的算力決定AI思考的速度，儲存則決定AI思考的深度、廣度和連續性。目前，全球HBM市場呈現高度集中的格局，技術門檻將其穩定的量產能力，牢牢鎖定在三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）這三家巨頭手中。未來三年（2026-2028年），它們的戰略佈局不僅將決定自身的興衰，更將深刻影響全球AI產業的演進速度與形態。2026年的HBM戰場，硝煙已起，好戲即將開場。01 HBM3E到HBM4，誰是領跑者2025年第一季度，全球DRAM市場出現歷史性轉折：SK海力士以約36%的營收份額首次超越三星電子（34%），美光以25%位居第三。這是自1992年以來三星首次失去市場第一的位置。這一變化並非簡單的週期波動，而是以HBM為核心的產業變革的直接體現。對SK海力士而言，這次登頂證明其有能力向持續火爆的HBM市場成功供應DRAM產品。HBM並非全新的儲存介質，而是DRAM的顛覆性封裝形式。它通過硅通孔（TSV）技術將多個DRAM晶片垂直堆疊，並與AI算力晶片通過中介層緊密封裝，帶來兩大革命性優勢：1）極高的頻寬：可達傳統DDR記憶體的數十倍以上，瞬間吞吐海量資料。2）極高的能效：短距離、高密度互連大幅降低資料搬運功耗，對AI算力叢集至關重要。SK海力士的登頂看似是抓住AI風口的偶然，實則是十年技術深耕與精準預判的必然。早在2010年代初HBM標準尚未成熟時，SK海力士就與AMD等夥伴投入研發，積累了TSV、堆疊封裝與測試方面的工藝訣竅。因此在2023年AI需求爆發時，它已具備顯著的技術領先與產能儲備。相比之下，三星長期依賴通用型DRAM和伺服器DRAM的規模優勢，在HBM發展初期很可能低估了其爆發速度，研發重心更偏向尖端DRAM製程（如1c納米工藝），導致HBM進度一度落後。目前，SK海力士是HBM市場的絕對霸主，其敏銳的未來洞察和果斷的資本投入，進而不僅在2023年8月就率先推出了HBM3E產品，更在2022年憑藉HBM3產品為輝達H100獨家供貨，建立了深厚的客戶關係。2025年第三季度，SK海力士全球HBM出貨量佔比高達60%，遠超美光（22%）和三星（17%），營收佔比也達到57%，穩居全球第一位。整體來看，三星在HBM領域一直被SK海力士壓制，但其正憑藉龐大的技術體系和製造能力發起全面反擊。三星的佈局特點是多路平行：一方面緊追代際更迭，在2024年2月推出首款12層36GB的HBM3E之後，現階段的三星和SK海力士都在加快第六代高頻寬記憶體HBM4的生產進度，雙方皆計畫於2026年第一季度開始量產。可以說，三星的商業模式，接下來將依賴於其全產業鏈的協同效應，進而其龐大的DRAM產能、先進的邏輯製程（可用於TSV矽通孔）和強大的封裝能力，使其在產能擴張和成本控制上具備獨特優勢。未來三年，三星的目標很明確：憑藉系統級解決方案和規模效應，從SK海力士手中奪回市場份額。三星計畫在2026年將其HBM月產能大幅提升近50%——從目前的約17萬片晶圓增至約25萬片，並將投資重心全力押注HBM4。這不僅是三星對自身HBM業務的一次激進擴張，更是向SK海力士發起的一次全面衝鋒（2025年三星DRAM月總產能約70萬片，全球最高，遠超SK海力士的50萬片、美光的40萬片）。此次三星擴產決心之堅定，很大程度上還是來源於輝達於2025年10月確認將採用三星的HBM4，這無疑為三星的擴產計畫注入了強大的信心。2025年三星HBM產能與SK海力士相近，皆在17萬片月產能附近，且雙方2025年產能都已售罄。這次的HBM4，三星已成功在測試中獲得好評，進而相關擴產投資將從2026年初全面啟動。其擴產路徑清晰且務實，主要依賴兩條路徑：一是改造現有的部分DRAM生產線，將其轉換為HBM專用產線；二是在其位於韓國平澤的P4晶圓廠叢集，加速建設新的專用生產線，現階段用於HBM生產的關鍵製造裝置已接近完成最終測試。02 三星的破釜沉舟如此激進的擴產計畫，其核心戰略極為清晰，就是直接鎖定輝達的訂單，目標是為其HBM4產品拿下輝達下一代Rubin的供應資格。目前，三星與輝達的HBM4價格談判已進入尾聲，三星的目標是與頭號對手SK海力士同價——後者的HBM4合約報價在500美元中段，這比當前主流的HBM3E 12層產品（約300美元中段）高出超過50%。此前，三星的HBM3E曾以低於海力士30%的價格出售，但面對HBM4激增的需求和顯著縮小的技術代差，兩家巨頭的價格戰將偃旗息鼓。市場預計，三星2026年的HBM市場份額將突破30%，銷售額有望實現三倍增長。技術全面追上、測試獲好評、加上充足的DRAM產能底蘊，讓三星有信心在2026年迎來EPS的爆發式增長。這一戰略大轉向，就是三星在HBM領域“知恥而後勇”的結果。在過去兩代產品（HBM3和HBM3E）的競爭中，三星因技術和良率問題節節敗退，市場份額一度跌至第三，不僅落後於SK海力士，甚至被美光超越。這直接導致其HBM產線一度無法滿載運行。為此，三星在2025年11月痛下決心，進行內部組織大調整，將原先獨立的HBM開發團隊整體併入DRAM開發室，旨在打破壁壘、強化協同、背水一戰。如今，HBM4技術獲得關鍵客戶認可，三星正全力反擊，意圖打一場徹底的翻身仗。HBM4的價格暴漲，背後是高端AI晶片殘酷的供需現實。SK海力士與輝達達成的HBM4協議，單價較HBM3E漲幅超50%。這漲價一方面源於HBM4採用了更複雜的工藝，其製造成本本身增加了約30%；另一方面，則赤裸裸地反映了高端儲存晶片嚴重的供需失衡。在AI伺服器中，HBM的成本已舉足輕重——HBM4很可能佔據輝達下一代GPU總成本的25%，並推動AI晶片整體漲價15%。量價齊升，正在徹底改寫HBM市場的預期。美國銀行預計，2026年全球HBM市場規模將飆升至600億美元，較上年暴增近60%。美光的預測更為長遠，認為HBM的總潛在市場規模將在2030年增長至約1000億美元。高盛則特別指出，用於定製ASIC晶片的HBM需求增長將最為迅猛，預計在2026年飆升80%，佔據整個HBM市場份額的三分之一。這預示著一個清晰的趨勢：AI晶片正從通用GPU向專用化加速演進。2026年，將是HBM3E與HBM4共同定義市場的元年，但SK海力士仍將佔據AI記憶體超級周期的核心位置。值得注意的是，儘管HBM4備受矚目，但在2026年，HBM3E仍將佔據總出貨量的三分之二，是絕對的市場主力。HBM4的份額將逐步爬升，其全面普及可能要等到2027年及以後。無論如何，三星此次的產能擴張，深刻體現了其作為全球少數IDM（整合器件製造）巨頭的戰略靈活性。與只專注儲存或代工的廠商不同，三星擁有從設計、製造到封測的完整垂直整合能力。這種能力賦予了它關鍵的產能調配靈活性——將龐大的通用DRAM產能快速轉換為利潤更高的HBM產線，需要極強的技術底蘊和產線管理能力。三星正是憑藉這一優勢，能根據市場利潤動態，快速將資源向HBM這類高附加值產品傾斜。此次擴產，就是為了精準抓住HBM量價齊升的超級周期。一旦憑藉HBM4成功切入輝達核心供應鏈，三星儲存業務的營收和利潤將獲得極大提振。摩根士丹利甚至預測，三星電子2026年的EPS可能較2025年暴增超過150%。這不再是一場簡單的技術追趕，而是一場關乎未來AI時代產業鏈話語權的戰略大決戰。03 三國演義，暗流湧動2026年是HBM4世代決戰之年。這一年，HBM4將開始逐步量產，這也是新一輪技術週期的起點。SK海力士能否守住先發優勢？三星能否憑藉全產業鏈能力實現反超？美光能否憑藉其高效策略站穩第一梯隊？答案將初步顯現。戰火首先在量產時間上點燃。SK海力士與三星均計畫在2026年第一季度啟動HBM4量產——前者在M16工廠，後者在平澤園區。這意味著SK海力士憑藉HBM3E建立的獨家供應窗口將徹底關閉，輝達等客戶的訂單將必然分流。定價權正從製造商手中滑向客戶方，SK海力士壟斷高溢價的時代結束了。外部最大的變數，是AI晶片的規格。輝達下一代Rubin平台將採用HBM4（12層堆疊），而Blackwell架構的B200/B300則使用HBM3E（12層堆疊）。雖然HBM市場增量空間是巨大的，單從單晶片的HBM容量增長來看，GPU驅動的需求增長是適度的。但這反而加劇了供應商之間的競爭：蛋糕的增速放緩，分蛋糕的玩家卻在增加。面對混戰，三國演義祭出了三種核心戰術：1）SK海力士：“技術代差”的守衛者。其路線圖激進清晰：鞏固HBM3E優勢的同時，全力衝刺HBM4量產，試圖始終領先對手半步。然而，當所有頭部玩家在2026年站上同一起跑線（HBM4）時，其市場份額面臨被稀釋的切實風險。技術領先是它的護城河，但這條河正在變窄。2）三星：“全產業鏈”的反擊者。三星最大的底氣在於從設計、製造到封測的垂直整合能力。在HBM這場需要極強協同的競賽中，這種內部協同效率是它的王牌。對它而言，這是一場不能失敗的背水一戰。3）美光：“效率聚焦”的顛覆者。作為後來者，美光沒有全線押注，而是集中資源在關鍵節點實現突破（如HBM3E量產供貨H200）。其商業模式更為犀利：將HBM產能視為對傳統DRAM（如DDR5）產能的置換，且置換比例高達3:1甚至更高。這意味著每增加一份HBM產出，就需犧牲約三份高利潤的通用DRAM產能。這種策略迫使美光必須追求極高的HBM生產效率和產品溢價，從而在提升HBM份額的同時，整體儲存業務的利潤也能快速上升。HBM4絕非終點。產業界已在規劃HBM4E、HBM5，技術演進圍繞更高堆疊（16層以上）、更大容量、更快頻寬和更低功耗展開。同時，HBM與CXL、存算一體等新架構的結合，可能重塑記憶體層級。因此，這場競賽的本質是一場關於技術遠見、製造彈性、商業智慧的綜合長跑。單一世代的產能擴張固然重要，但持續的研發投入和生態建構能力才是決定產業終局的根本。硝煙已起，好戲開場。無論最終是三國演義還是一超多強，激烈的競爭都將驅動HBM技術更快迭代、成本加速下降，最終惠及整個蓬勃發展的AI產業。2026年，只會是這場史詩級戰役的第一個高潮。(新財富)

The Chinese Company Taking On the World’s Memory-Chip Giants隨著人工智慧需求推高價格，CXMT克服了華盛頓的限制，與美光和韓國領先企業展開競爭。長鑫儲存的首款 12 英吋 DRAM 記憶體晶圓在中國合肥舉行的 2024 年世界製造業大會上展出。在中國合肥舉辦的一場展會上，DRAM記憶體晶圓正在展出。 圖片來源：Cfoto/DDP/Zuma Press中國儲存晶片製造領域的全國領軍企業在取得重大技術進步後，正準備進行 40 億美元的股票發行，這顛覆了由韓國和美國公司主導的行業格局。長鑫儲存科技（CXMT）此次推出的晶片供應是本世紀晶片製造商規模最大的供應之一，對於在人工智慧熱潮期間記憶體晶片短缺的科技公司來說，這無疑是個好消息。人工智慧資料中心一直在佔用原本用於電腦、遊戲機和智慧型手機製造商的晶片產能，從而推高了美國消費者的晶片價格。儘管CXMT計畫提高產量並表示希望拓展國際業務，但地緣壁壘依然很高。歷屆美國政府都收緊了對中國晶片製造商的限制。記憶體晶片就像為電腦引擎供油的燃油管路。隨著美國輝達等公司生產的人工智慧引擎性能越來越強，它們需要更多的記憶體，包括傳統的記憶體和一種叫做高頻寬記憶體的先進記憶體。據市場研究公司 TrendForce 預測，一台 AI 伺服器現在使用的動態隨機存取儲存器比整個筆記型電腦群使用的還要多，而且本季度傳統 DRAM 的價格預計將比上一季度上漲 50% 以上。直到最近，全球DRAM市場一直由三家公司主導——三星、SK海力士和總部位於美國的Micron Technology。這些製造商已將重心轉向利潤更高的AI記憶體晶片，而Micron正在退出部分消費市場。這為CXMT打開了機會之門。該公司成立於十年前，當時一家中國國有企業收購美光科技的嘗試失敗。合肥市政府決定建立自己的DRAM製造商。該公司目前由在美國接受過晶片工程師培訓的朱一明領導，獲得了國家科技基金和包括阿里巴巴和小米在內的一眾中國科技巨頭的支援。CXMT在12月底表示，已提交在上海證券交易所（類似於納斯達克）上市的計畫，目標是籌集相當於40億美元的資金。分析師表示，近期的融資已使該公司的估值超過200億美元。CXMT是中國半導體行業眾多明星企業之一，政府希望這些企業能在與美國的貿易戰中提升中國的自給自足能力。從製造專家中芯國際到裝置製造商AMEC，北京正在推動該行業開發美國及其盟友生產的各種產品的本土替代品。CXMT的招股說明書顯示，該公司在短短幾年內就從原型階段迅速發展到量產階段。其營收在兩年內增長近三倍，預計到2024年將超過30億美元。分析師表示，其工藝技術已與行業領先者相差一到兩代，並且該公司在全球DRAM市場的份額（按營收計）已上升至約5%。儘管美國限制中國獲取先進晶片製造裝置，但中國仍然取得了進展。“面對美國對記憶體的最終用途管制，CXMT 所取得的進展令業界感到驚訝，”諮詢公司 DGA-Albright Stonebridge Group 的技術政策負責人Paul Triolo表示。Triolo表示，如果CXMT能夠向華為供應高頻寬記憶體晶片，美國的擔憂將會加劇，因為華為的AI處理器是中國最接近輝達AI加速器的國產替代品。美國現行法規並未禁止美國公司與 CXMT 進行業務往來，但美國立法者已經表達了他們的不安。華盛頓戰略與國際研究中心高級顧問格雷戈裡·艾倫表示，CXMT對用於人工智慧計算的高頻寬記憶體的追求尤其令人擔憂。他指出，近年來，美國的出口管制措施阻礙了華為獲取HBM晶片，而像CXMT這樣的公司填補這一空白對北京來說將極其重要。“CXMT的崛起意味著中國國內人工智慧晶片製造業的崛起，”艾倫說。公司首席執行長朱先生畢業於清華，後赴紐約就讀於紐約州立大學石溪分校。他曾在矽谷工作，此前還創辦了一家中國專用儲存晶片製造商。十多年前，朱在接受清華大學雜誌採訪時表示：“誰在儲存器技術領域領先，誰就能主宰整個積體電路產業。” (invest wallstreet)

美光是全球最大的記憶體製造商之一，憑藉其業界領先的產品，在人工智慧和消費電子領域都佔據了主導地位。由於人工智慧產業對DRAM記憶體的需求激增，人們普遍認為記憶體供應商對此負有責任。為了探討這個問題，我們採訪了美光行動和客戶端業務部行銷副總裁克里斯托弗·摩爾，了解記憶體短缺的現狀。我們與摩爾的討論主要圍繞著美光如何擴大其產能，以及未來消費者和人工智慧領域可能產生的影響。我們向摩爾提出的第一個問題直接針對用戶對當前記憶體短缺的看法，尤其是在美光退出其「Crucial」消費業務後，用戶對其的負面反應明顯高於其他供應商的情況下。我們詢問摩爾，記憶體供應商是否傾向於迎合人工智慧產業的需求，而忽略了消費者，以下是他的回答：首先，我想讓大家明白，這種看法可能不完全正確，至少從我們的角度來看是如此。我絕對不會告訴任何人該怎麼想，或說他們錯了，但我們的觀點是，我們致力於幫助世界各地的消費者。我們只是透過不同的管道來實現這一目標。我們在客戶端和行動市場仍然擁有相當可觀的業務。當然，我們也持續為資料中心客戶提供服務。目前，TAM（潛在市場）和資料中心市場正以驚人的速度成長。作為一家公司，我們也希望確保能夠幫助滿足這項TAM需求。美光表示，其OEM消費通路佔據了公司市佔率的很大一部分。對於不了解這意味著什麼的人來說，美光直接向戴爾、華碩等整合商供應LPDDR5等記憶體模組，然後這些整合商再將這些記憶體模組重新封裝到自己的參考設計中。摩爾聲稱，雖然與Crucial的退出給人一種美光「拋棄」消費者的印象，但實際上，這家美國製造商仍然透過OEM模式佔據了消費供應鏈的很大一部分。摩爾表示，美光正在與所有PC品牌接洽，以供應其記憶體模組，但該公司目前無法忽視人工智慧領域的需求。美光和其他公司之所以被人工智慧產業吸引，主要原因是DRAM製造商的潛在市場規模（TAM）正在快速成長，而作為一家企業，美光不能忽視該領域日益增長的需求。現在的情況是，資料中心建設如火如荼地進行著，企業或資料中心業務的潛在市場規模（TAM）正在不斷擴大，從之前的30%、35%增長到40%，現在已達到50%甚至60%，整個市場對比特的需求量遠超以往。而整個產業都面臨供應短缺的問題。我認為這一點值得大家關注。這並非美光公司的問題，而是整個產業的問題。我們和我們的同行或競爭對手都在竭盡全力地服務這些細分市場，但供應卻遠遠不夠。這確實是一個令人遺憾的局面。但我認為，讓大家明白我們仍在服務消費市場至關重要。在與摩爾的對話中，他強調人工智慧的重要性不容忽視，但同時，美光也竭盡全力滿足消費者需求。不幸的是，DRAM需求的突然激增導致了供應短缺，使得像美光這樣的公司幾乎沒有時間調整供應鏈。這就引出了我們的第二個重要問題：消費者是否應該期待晶圓廠的擴建能夠緩解記憶體短缺？為了解答這個問題，摩爾提供了非常精彩的背景介紹，我們將在下文中探討。當我們談到產能擴張時，並非只是在供應鏈中增加新機器，就指望提高DRAM產量。美光表示，目前造成短缺的最大問題是，他們需要找到解決記憶體模組容量差異化問題的方法。簡單來說，如果蘋果同時需要8GB、12GB和16GB的記憶體模組，美光就需要調整生產線以滿足需求，這會導致產量下降。在人工智慧出現之前，供應商幾乎別無選擇，只能滿足需求；然而，如今情況已經改變了。你可以想像一下，如果一個晶圓廠裡有很多不同的機器在生產一塊晶片，然後你必須停掉這些機器，讓它在另一塊晶片上運行，那麼產量肯定會下降。當然，實際情況沒那麼簡單，但這已經是我能想到的最好的解釋了。我們現在正在做的，就是盡可能減少晶片的數量，盡可能減少不同的DID晶片的數量，從而最大限度地提高產量，明白嗎？所以我們正在和客戶一起努力。我們想說的是，我知道你們以前想從12GB 升級到16GB，或是從16GB 升級到24GB。但這些改變實際上會降低我們的產量。所以我們正在與他們合作，努力使需求盡可能穩定，從而使我們能夠使供應盡可能穩定，並最大限度地提高產量。這清楚地印證了我們先前的報導，即筆記型電腦和智慧型手機製造商目前正尋求限制記憶體配置。對於美光而言，這是短期內確保穩定生產良率的最佳方案。更重要的是，隨著人工智慧的蓬勃發展，考慮到客戶的運算需求，DRAM 世代切換的需求比以往任何時候都更加迫切。這意味著，對於美光來說，調整新設備和生產機制的頻率也更高了。摩爾最終告訴我們，鑑於建設和客戶認證需要大量時間，而且人工智慧客戶對技術和良率的完美要求使得建立新的晶圓廠變得更加複雜，因此美光的晶圓廠擴建計劃要到2028 年才會產生任何實質性的影響。你說得對，這些產品正在研發中。但你的問題非常有見地，因為要大幅提高比特率，我們需要更多的無塵室空間。而這需要很長時間。所以三年前，我們在愛達荷州的ID1 工廠破土動工，預計在2027 年中投入使用。我們把原定時間延後到了2027 年底，也就是2027 年中。但是，要等到2028 年，也就是我們完成所有資質認證、客戶驗收、工具到位、一切就緒之後，你才會真正看到有意義的成果。記憶體製造商正爭先恐後地建立新的生產線，但工藝上的限制最終迫使他們將時間表提前幾個季度，這意味著對於普通消費者而言，DRAM 短缺可能會持續相當長一段時間，或者至少要等到人工智慧需求開始消退之後才會結束。過去幾周，關於中國記憶體供應商填補記憶體市場空白的說法顯著升溫，這主要歸功於廠商大力推進其DDR5解決方案併計劃進行大規模IPO。作為全球第四大DRAM製造商，據報導該公司擁有充足的資源來擴大DRAM產能。正因如此，才有報告指出惠普可能會在其消費產品中整合該公司記憶體模組。我們詢問摩爾，美光是否認為中國供應商會搶佔該公司在消費領域的份額。雖然我們沒有點名具體的供應商，但摩爾表示，他的公司歡迎競爭，無論競爭來自世界那個地區。中國本土供應能力發展已有數年，而且他們做得非常出色，在服務目標市場方面做得非常好。他們雖然沒有涉足所有市場，但做得非常出色。我認為競爭能讓我們更強大。我一直都這麼認為。如果我們面臨競爭，那就是激勵我們提升自身實力、迎頭趕上、不斷進步的機會。所以，是的，我歡迎來自任何地區的競爭。競爭的來源並不重要。它只會讓我們公司變得更好，也有助於我們更好地服務客戶。我們與美光公司的對話主要圍繞著記憶體短缺問題展開，尤其關註消費者層面。根據我們的討論，可以肯定地說，DRAM 記憶體短缺問題短期內不會緩解。因此，供應商、OEM 廠商以及供應鏈上的其他環節都面臨困境，幾乎別無選擇。與所有供應商一樣，美光正專注於晶圓廠建設、DRAM製程改進和供應鏈措施，以確保穩定的供應，但這些努力的「成果」還需要很長時間才能被公眾看到。為什麼晶片廠商不擴產？世界需要更多的記憶體晶片和硬碟。生產這些產品的公司有充分的理由不急於求成。內存產業歷經繁榮與蕭條，如今正經歷著多年來——或許是史上——最強勁的繁榮。人工智慧基礎設施的快速建設消耗了大量的NAND快閃記憶體、DRAM記憶體和硬碟。這導致個人電腦和智慧型手機等其他市場出現記憶體短缺。 「記憶體正處於世代供需失衡的困境之中，」摩根士丹利晶片分析師喬摩爾在上個月的一份報告中寫道。供應緊張推高了價格，並大幅提升了記憶體生產商的收入和利潤。美光上個月公佈了創紀錄的季度營收和營業利潤，而三星周四表示，預計其第四季營業利潤將比去年同期成長兩倍。通常情況下，嚴重的市場短缺伴隨價格飆升會迫使製造商大幅提高產量。但記憶體公司過去曾因價格劇烈波動而蒙受損失，因此這次他們會謹慎應對。他們有很強的動機這樣做，因為記憶體股票已成為華爾街的熱門商品。美光、希捷以及西部數據的股價將翻倍以上，並且是標普500指數中年度漲幅最大的股票。快閃記憶體製造商閃迪自2月從西部數據分拆出來以來股價已飆升10倍。 SK海力士在過去三個月股價上漲了88%。分析師預計今年記憶體晶片和硬碟的價格將保持在高位，這可能會支撐其高企的市場價值。但該產業歷來存在殘酷的周期性波動，價格下跌往往會導致生產商虧損，並使其股價暴跌。上一次出現這種情況是在2023年，當時美光、西部數據、希捷和海力士都出現了年度營運虧損。這次會不一樣嗎？也許會。像輝達及AMD這種設計的AI運算系統的公司需要大量的專用DRAM才能執行這些功能。這些功能還會產生大量新數據，這些數據必須儲存在硬碟和基於快閃記憶體的固態硬碟等元件上。據伯恩斯坦分析師馬克紐曼稱，這造成了“數據爆炸”，他預測未來四年NAND閃存和硬碟的總數據存儲出貨量將平均每年增長19%，而過去10年的平均增長率為14%。輝達和AMD也加速了各自的產品周期，現在幾乎每年都會推出重要的全新系統。提升這些系統的DRAM記憶體有助於提高整體效能，超越前幾代產品；輝達表示，上周在消費性電子展上發布的Rubin GPU晶片的記憶體頻寬幾乎是去年開始出貨的Blackwell晶片的三倍。這類系統的需求最終是由全球最大科技公司的資本支出所推動的。這些支出已經達到了驚人的水平，但目前還沒有任何下滑的跡象。根據截至去年12月的季度估算，亞馬遜、Google、微軟和Meta Platforms的總資本支出在2025年將達到4,070億美元。根據Visible Alpha的共識預測，分析師預計今年這數字將躍升至約5,230億美元。 「如果需求保持如此強勁，上行周期可能會持續數年，」摩根士丹利的摩爾寫道。但記憶體產業的管理人員始終牢記過去的經濟低迷時期。因此，儘管其他類型電子產品的記憶體短缺預測十分嚴峻，但美光、閃迪、希捷和西部數據等製造商在增加新產能方面仍將謹慎行事。只有希捷計劃今年大幅增加資本支出，而這僅僅是為了將公司的資本密集度維持在歷史水平，即約佔營收的4%。根據FactSet估計，儘管同期營收成長44%，但SanDisk預計截至6月的財年資本支出仍將成長18%。上個月在瑞銀集團舉辦的會議上，SanDisk執行長David Goeckeler表示，NAND快閃記憶體產業普遍缺乏長期供應協議，這使得像SanDisk這樣的公司難以做出長期投資決策。與其他類型的半導體一樣，NAND快閃記憶體晶片的生產需要耗費數年時間才能建成相關設施。「或許需求方應該考慮一次做出超過三個月的承諾，」戈克勒在會議上說。他補充說，「我們需要把經濟效益調整好，才能繼續投資，避免經歷這種巨大的周期性虧損。」有些記憶比其他記憶更加深刻。(半導體產業觀察)

昨天剛發佈了儲存的專業分析，今天SNDK晟碟就24%上漲，希捷超10%，美光也大漲。背後原因就是不論伺服器還是PC還是移動Dram都存在大幅的漲價。今天CES上，輝達老黃的演講中對於Rubin的架構詳細說明，“Rubin的⽬標是實現具有RAS（可靠性、可⽤性和可維護性）和NVLink熱插拔等特性的“零停機AI⼯⼚”。Rubin的挑戰在於，它作為⼀台電腦在歷史上是獨⼀⽆⼆的，“內部的每⼀個芯⽚都是全新的”——甚⾄連⾼溫電容器都是新開發的。HBM4以前不存在，LPDDR5 SOCAMM也不存在。共封裝光學器件（CPO）被整合到了交換機中。之所以能實現這⼀點，是因為我們在過去約5年的時間⾥，逐⼀化解了技術、元件和供應鏈的⻛險，現在⼀切都已通過驗證並具備量產條件。今天有提高ASML的評級文章中，主要強調ASML的上調評級的主要原因是儲存上漲。需求上漲非常明顯，導致ASML的機器需求大量上升。可以看到2026年前三大DRAM製造商將新增總計250千瓦/月的產能。並且將工藝提升至1奈米。所以，ASML的目標價上調至1300歐元，存在32%空間。為什麼會出現這個DRAM的周期現象呢，儲存一直認為是周期股，也就是隨著一波周期進行上漲，等周期結束就回退，因為半導體一直是產能滯後。需求上漲是產能不足，需求下來了，產能又因為之前擴大，導致瘋狂降價。所以，儲存一直被認為是周期股。然而，現在由於DRAM和HBM由於AI的影響，伺服器對DRAM需求增長迅速，還有快閃記憶體也增長迅速，使得現在儲存從周期股變成了成長股。所以從晟碟，美光去年的漲幅就能看到這種定價邏輯已經發生了根本變化。如果是周期股，10倍的EV/Ebita就不錯了，現在作為成長股，那就可以給予更高的倍數。因為DRAM向著更大的需求，更高的技術，也就是1NM等級的演進，RUBIn中HBM4等的重新設計，使得整體儲存需求更上一層。從DRAM的發展可以看到DRAM未來的發展一直到2030，會從N3工藝節點一直發展。台積電要從13萬提升到20萬片。三星2N米由於獲得特斯拉訂單，27年才會有產能增加。再說一下Rubin，非常的驚豔。與NVIDIA Blackwell平台相⽐，Rubin平台通過硬體和軟體的深度協同設計，可將推理Token成本降低⾼達10倍，並將訓練MoE（混合專家）模型所需的GPU數量減少4倍。全新的NVIDIA推理上下⽂記憶體儲存平台搭載NVIDIABlueField-4儲存處理器，旨在加速代理式AI（Agentic AI）推理。Rubin平台通過對六款芯⽚——NVIDIA Vera CPU、NVIDIA Rubin GPU、NVIDIA NVLink™ 6交換機、NVIDIA ConnectX®-9 SuperNIC、NVIDIA BlueField®-4DPU以及NVIDIA Spectrum™-6以太⽹交換機——進⾏極致的協同設計，從⽽⼤幅縮短訓練時間並降低推理Token成本。Rubin平台引⼊了五項創新技術，包括最新⼀代的NVIDIANVLink互連技術、Transformer引擎、機密計算和RAS引擎，以及NVIDIA Vera CPU。這些突破將加速代理型⼈⼯智能（agentic AI）、⾼級推理以及⼤規模混合專家（MoE）模型推理，其每Token成本⽐NVIDIA Blackwell平台降低了多達10倍。與前代產品相⽐，NVIDIA Rubin平台訓練MoE模型所需的GPU數量減少了4倍，從⽽加速了⼈⼯智能的普及應⽤。來幫Rubin站台的在全球領先的AI實驗室、雲服務提供商、電腦製造商和初創公司中，預計采⽤Rubin的包括：亞⻢遜雲科技(AWS)、Anthropic、Black Forest Labs、思科(Cisco)、Cohere、CoreWeave、Cursor、戴爾科技(DellTechnologies)、⾕歌(Google)、Harvey、HPE、Lambda、聯想(Lenovo)、Meta、微軟(Microsoft)、Mistral AI、Nebius、Nscale、OpenAI、OpenEvidence、甲⻣⽂雲基礎設施(OCI)、Perplexity、Runway、美超微(Supermicro)、Thinking MachinesLab以及xAI。第六代NVIDIA NVLink：提供當今海量混合專家（MoE）模型所需的快速、⽆縫的GPU間通訊。每顆GPU提供3.6TB/s的頻寬，⽽Vera Rubin NVL72機架可提供260TB/s的頻寬——這超過了整個互聯⽹的頻寬。憑藉⽤於加速集合通訊的內建⽹絡計算功能，以及增強可維護性和韌性的新特性，NVIDIA NVLink 6交換機能夠實現更快、更⾼效的⼤規模AI訓練與推理。NVIDIA Vera CPU：專為代理式推理設計，NVIDIAVera是適⽤於⼤規模AI⼯⼚的能效最⾼的CPU。該NVIDIA CPU采⽤88個NVIDIA定製Olympus核⼼建構，完全相容Armv9.2，並具備極速的NVLink-C2C連接。Vera提供卓越的性能、頻寬和⾏業領先的效率，以⽀持全⽅位的現代資料中⼼⼯作負載。 (老王說事)