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頻寬戰爭前夜，“中國版Groq”浮出水面
在AI算力賽道，輝達憑藉Hopper、Blackwell、Rubin等架構GPU，早已在AI訓練領域建立起了難以撼動的技術壁壘與行業地位。但隨著即時AI場景需求爆發，傳統GPU在面對低批處理、高頻互動推理任務中的延遲短板愈發凸顯。
為破解這一痛點，輝達重磅出擊，斥資200億美元收購Groq核心技術，搶跑AI推理市場。
這一金額不僅創下輝達歷史最大手筆交易、刷新了推理晶片領域的估值紀錄，更鮮明地昭示著輝達從“算力霸主”向“推理之王”轉型的意志。
緊隨這一動作，據技術博主AGF消息進一步披露，輝達計畫在2028年推出新一代Feynman架構GPU——採用台積電A16先進製程與SoIC 3D堆疊技術，核心目的正是為了在GPU內部深度整合Groq那套專為推理加速而生的LPU（語言處理單元），相當於給GPU加裝了一個專門處理語言類推理任務的專屬引擎，直指AI推理性能中長期存在的“頻寬牆”與“延遲瓶頸”。
這些動作表明：AI行業的競爭正從單純的算力比拚，轉向對單位面積頻寬的極致追求——這與輝達此前“大模型推理90%的延遲源於資料搬運，導致算力利用率常低於30%”的結論不謀而合。
無獨有偶，AMD通過3D V-Cache持續驗證儲存靠近計算的效能邏輯；d-Matrix、SambaNova等明星AI推理晶片公司，更是聚焦流式執行與片上頻寬建構核心競爭力，用實際行動印證這一行業共識。
頻寬戰爭打響，誰是“中國版Groq”？
回看中國市場，AI浪潮推動下，國產大模型多點突破、強勢崛起，本土AI晶片企業集體爆發並密集衝擊IPO，資本熱度居高不下。
然而，當輝達選擇通過Feynman架構來補齊推理短板時，就意味著誰能率先解決“頻寬牆”問題，誰就握住了下一輪周期的入場券。
在這一背景下，國內賽道湧現出前瞻性佈局者。
近日，半導體行業觀察注意到，一家源於北京大學物理學院的AI晶片公司——寒序科技（ICY Technology），宣佈完成數千萬元人民幣新一輪融資。這家企業以“超高頻寬推理晶片”為核心產品，被業內視為中國大陸少有的在技術路線層面正面對標Groq的前沿技術團隊。
“中國版Groq”的名號，初見端倪。
實際上，寒序科技的技術披露並非偶然，而是源於在內部保密原則下的長期的低調深耕。
早在2024年9月與2025年11月，寒序科技就已聯合北京大學物理學院、電腦學院、積體電路學院，以及澳門大學模擬與混合訊號積體電路全國重點實驗室，先後承擔、主持兩項北京市科技計畫項目。他們前瞻性地鎖定0.1TB/mm²/s超大頻寬流式推理晶片研發，在省部級重大研發任務中，在北京市科學技術委員會的指導下，在任務書中全面對標Groq的技術路線與頻寬指標。
這意味著，當Groq因LPU爆紅被視為“推理新範式”時，中國科研與產業團隊已在國內同步推進一條差異化的實現路徑。
據瞭解，寒序科技採用“雙線佈局”建構核心競爭力：一方面，已發佈SpinPU-M系列磁機率計算晶片，推出1024位元全連接伊辛退火求解硬體，覆蓋組合最佳化與量子啟髮式計算市場；另一方面，本輪融資的核心看點——SpinPU-E磁邏輯計算晶片系列，直指大模型推理解碼（Decode）階段加速，以片上MRAM（磁性隨機儲存器）為核心介質，建構超高頻寬磁性流式處理架構。
能看到，寒序科技並未跟隨主流GPU的片外DRAM/HBM或Groq的存算一體SRAM方案，而是選擇了片上MRAM這條更底層、更物理本征、更具長期想像力的技術路線。
眾所周知，當前主流的AI計算範式面臨多重困境：採用HBM的GPU方案，頻寬受限於昂貴的2.5D/3D先進封裝，核心儲存器件HBM產能被海外巨頭壟斷且面臨出口管制；採用SRAM的Groq方案，則因SRAM單元面積大、成本高，單晶片儲存容量有限，難以規模部署千億參數大模型。
面對這些行業普遍的困局，寒序科技源自北大物理學院，從凝聚態物理的角度，從第一性原理進行思考，利用本征功耗更低、速度更快的“電子自旋翻轉”，代替“電子電荷運動”來進行儲存與計算。
而這種底層邏輯的革新，正是源於MRAM技術帶來的核心優勢。它兼具SRAM的高速、DRAM的高密度與快閃記憶體的非易失性等優勢，其直立結構的磁性隧道結，通過垂直微型化和CMOS工藝相容性，能夠大幅降低對複雜封裝的依賴，在成本、功耗和可靠性上具有顯著優勢。
與SRAM方案相比，MRAM技術的差異化優勢十分突出：
- 儲存密度領先：主流AI推理架構深度依賴片上SRAM以換取高速，但SRAM正面臨嚴峻的微縮困境。傳統SRAM每個儲存單元由6個電晶體（6T）組成，儲存密度低，儲存容量小，儲存典型的DeepSeek-R1-671B大語言模型可能需要數千片Groq LPU晶片，且5nm以下節點尺寸幾乎停止縮減；而MRAM天然採用1T1M（1個電晶體+1個磁隧道結）結構，單個MTJ可以執行SRAM 6個電晶體的儲存功能，同等晶片面積和工藝節點下，儲存密度是SRAM的5-6倍。
- 工藝成本更低：MRAM的物理結構優勢，使其在國產工藝製程即便落後一代的情況下，性能指標也能對標甚至超越採用先進製程的SRAM方案。這意味著MRAM無需追逐極先進製程，大幅降低流片與量產成本（單片成本可降至原來的十分之一以下），同時保障了供應鏈自主可控。
- 非易失性與高能效：MRAM斷電後資料不丟失，無需像SRAM/DRAM那樣持續刷新，待機功耗接近零，具備快速啟動、低待機功耗、高耐用性等優勢；同時避免了SRAM的漏電流損耗，為邊緣端和雲端的大規模部署提供極佳能效優勢，大幅降低運行成本。
通過自研的磁性存算一體流式架構，寒序科技將MRAM的器件優勢轉化為晶片級系統性能。據悉，SpinPU-E晶片架構的目標是將訪存頻寬密度提升至0.1-0.3TB/mm²·s，不僅能比肩以“快”成名的Groq LPU（0.11 TB/mm²·s），更是輝達H100（0.002-0.003 TB/mm²·s）的數十倍。
據瞭解，輝達GPU的架構最初面向大規模訓練與圖形渲染場景設計，強調峰值算力與吞吐能力，並通過多級快取、動態調度和共享儲存來適配高度平行但相對粗粒度的工作負載。在大模型推理的Decode階段，GPU性能瓶頸主要來自對外部儲存（HBM）和複雜記憶體層級的高度依賴。該計算過程呈現出強序列性、小批次和頻寬主導等特徵，與GPU設計初衷明顯錯配。在實際執行中，GPU仍需要通過多級快取和共享儲存來訪問，資料到達計算單元的時間並不固定，不同計算單元之間也需要反覆等待和協調。這使得訪存延遲和執行順序經常波動，矩陣加乘單元很難按照固定節拍持續運行，算力難以穩定發揮。
而寒序科技採用確定性的“磁性流式處理（MSA）架構”，將大規模MRAM Banks緊鄰矩陣加乘單元部署，並圍繞推理資料流建構多級流水執行路徑，使權重和中間啟動在局部高頻寬範圍內按固定順序流動。通過在硬體層面同時約束儲存位置、訪存頻寬、通訊路徑與執行節拍，該架構在Decode階段顯著降低了延遲抖動與外部儲存訪問依賴，實現更高的頻寬與更快、更穩定的推理性能。
值得關注的是，MSA架構並非簡單的存內計算概念，而是圍繞推理場景，對資料流組織、儲存-計算耦合方式以及執行節拍進行重新設計，在保證超高頻寬的同時，顯著降低對先進製程與複雜封裝的依賴。
有業內人士指出，這一路線與NVIDIA在Feynman架構中所釋放的訊號高度一致：未來推理性能的競爭核心，不再是算力規模，而是單位面積頻寬與執行範式。
走出北大實驗室的秘密武器——
“天時地利人和”
SpinPU-E展現出的性能優勢，並非偶然的技術選擇，而是核心團隊跨學科積澱、全鏈條技術把控與前瞻性路線佈局的成果。
據報導，寒序科技是國內首個有能力跑通從物理、材料、器件到異質整合、晶片設計、演算法的交叉團隊，核心成員源自北京大學物理學院應用磁學中心——國內磁學研究的頂尖高地，擁有近70年的磁學積澱，核心成員橫跨凝聚態物理、電子科學、電腦技術、人工智慧等多領域：首席執行長朱欣岳兼具凝聚態物理、人工智慧演算法與積體電路的交叉背景，曾主導多模態AI演算法開發、多顆高性能專用晶片研發，帶領團隊完成四輪市場化財務融資與產品化；首席科學家羅昭初作為MIT TR35入選者，曾於清華大學、蘇黎世聯邦理工學院完成自旋電子學、磁性計算的科研工作，深耕微納磁電子學與磁儲存/計算，擁有深厚的學術積累與Nature、Science正刊成果，團隊歷經多次流片驗證，既保有前沿技術探索的銳氣，又具備工程化落地的能力。
相比純粹的架構創新，寒序科技這種“材料-器件-晶片-系統-演算法”的全鏈條視野和全端攻關能力，讓MRAM技術得以從底層原理到上層系統實現協同最佳化與突破，而非僅停留在邏輯和架構層面的修補。
這也是寒序科技被視為精準踩中2030年行業時間軸的前瞻性下注的核心原因。這種對行業趨勢的精準踩點，不僅體現在技術路線的選擇上，或許也蘊含在對商業化路徑的思考中。
回溯Groq的成長軌跡來看，其業務從核心的GroqChip LPU推理晶片起步，逐步延伸至加速卡、伺服器系統、資料中心叢集，最終建構了雲服務平台，形成了“晶片-硬體-系統-雲服務”的全端佈局。
沿著Groq被驗證的商業邏輯向前推演，寒序科技大概也會沿著相似的路徑開展自己的業務版圖——以SpinPU-E磁邏輯晶片為起點，向上建構硬體產品矩陣，最終通過雲服務觸達更廣泛市場的全端路徑，以建構更強的技術壁壘和產業競爭力。
更關鍵的是，這條路徑並非簡單的模式復刻，而是基於本土產業現狀的創新破局——當行業苦於HBM成本高企、SRAM微縮放緩之時，寒序科技沒有陷入“算力堆砌”的內卷，而是利用MRAM磁性計算新範式，在中國本土成熟供應鏈基礎上，築起了一座對標全球頂尖推理性能的頻寬高地。
這種從底層物理原理出發的差異化競爭策略，或許正是其作為“中國版Groq”浮出水面的核心底氣。
MRAM開啟新型儲存“黃金時代”
- 破局“頻寬封鎖”
寒序科技對MRAM技術的探索並非孤例，背後是一場從“備選”走向“必選”的新型儲存技術浪潮。尤其是在全球半導體產業的演進與地緣政治激盪背景下，為MRAM在內的新型儲存鋪就了一條通往AI算力核心舞台的“黃金賽道”。
2024年12月，美國商務部工業與安全域（BIS）發佈新出口管制規則，明確限制向中國出口記憶體頻寬密度超過2GB/s/mm²的尖端儲存器。
這一封鎖點，直指AI推理晶片的命門——頻寬。
目前，輝達、AMD等巨頭極度依賴HBM，而HBM產能幾乎被SK海力士、三星、美光等海外儲存原廠壟斷，且受限於複雜的2.5D/3D先進封裝。同時，Groq所代表的SRAM路線價格極高（Groq 230MB片上SRAM記憶體的單卡售價2萬美金），在先進製程微縮上也已近極限。
在此背景下，MRAM路線的戰略價值陡增。它不僅在物理特性上具備跨代超越SRAM的潛力，更重要的是，它能基於國產28nm/22nm等成熟製程實現超高頻寬，徹底規避對尖端工藝和海外HBM供應鏈的依賴。這不僅是技術路線的“備選”，更是中國半導體產業在算力領域破除卡脖子困境、實現差異化突圍的“必選”。
有業內專家表示，這一戰略意義迫切需要國家有關部門給予更高重視與政策傾斜。MRAM不僅是單一儲存技術的革新，更能帶動磁性材料、磁電子器件、存算一體架構等全產業鏈突破，有望徹底改變國內在HBM領域的落後局面和SRAM對先進製程的依賴，為AI算力產業打造自主可控的“第二曲線”。
- 全球共振，商業化拐點已至？
當前，產業界正在用實際行動表明，MRAM不再只是實驗室裡的美好構想，而是憑藉獨特優勢正成為全球半導體產業佈局的重點。
其中，晶圓代工龍頭與晶片大廠均在積極佈局：台積電、三星、英特爾、SK海力士、IMEC等憑藉其先進的技術研發和大規模生產製造能力，已明確將嵌入式MRAM推進到22nm、16nm甚至更先進節點，持續提升MRAM的性能和整合度。
恩智浦與台積電合作推出16nm FinFET車規級eMRAM，應用於其S32系列高端MCU，實現寫入速度比傳統快閃記憶體快10-15倍、耐久性超百萬次；瑞薩電子也推出了基於22nm工藝的STT-MRAM技術，瞄準汽車MCU市場；GlobalFoundries、Everspin在12nm和22nm工藝上緊密合作，將MRAM納入工業級和車規級量產方案；Avalanche與聯電攜手合作推出22nm STT-MRAM，在工業級和航天級市場擁有深厚積澱。
據LexisNexis資料統計，2004-2013年間，MRAM市場的專利申請量保持穩定，每年約有300至400項專利申請。需要注意的是，圖表末尾的下降並不代表興趣的下降，而是專利申請和公開之間的時間存在滯後。
這些頭部廠商的集體行動，清晰印證著MRAM正從“備選技術”升級為“主流方案”，在汽車電子、邊緣AI、高端計算等領域的商業化落地進入爆發前夜。
回看國內市場，本土半導體廠商同樣敏銳捕捉到了新型儲存技術的發展機遇，積極佈局相關領域。
RRAM領域湧現出昕原半導體、銘芯啟睿、燕芯微等玩家；MRAM賽道，寒序科技、致真儲存、馳拓科技、凌存科技、亙存科技等紛紛嶄露頭角，為國內MRAM的發展奠定了產業基礎。相對於RRAM基於電子電荷遷移，是一種統計物理範疇下的阻變器件；MRAM的存取機理是基於自旋的確定性兩態翻轉，更加可控、精準，大規模製造下器件一致性、器件壽命極限都更有優勢與潛力。兩者均被台積電等半導體巨頭作為下一代面向AI的儲存技術重點押注。
具體來看，本土MRAM廠商各有側重，多數主要集中於儲存、加密、嵌入式控制等傳統領域，例如：致真儲存專注於磁性隧道結（MTJ）的核心器件研發與製造工藝，掌握從材料研發到器件製造的全鏈路技術，擁有國內唯一的8英吋磁儲存晶片專用後道微納加工工藝中試線。近期與北京航空航天大學聯合攻關，研製出全球首顆8Mb容量自旋軌道力矩磁隨機儲存器晶片（SOT-MRAM），實現SOT-MRAM容量規模化突破。
馳拓科技專注於MRAM儲存晶片的技術研發與生產製造，建有12英吋MRAM量產中試線，是國內首家實現MRAM量產的企業。近期成功突破垂直磁化體系技術瓶頸，儲存器件TMR關鍵指標比肩國際頭部代工廠量產的STT-MRAM。
凌存科技專注於儲存模組開發，致力於將MRAM技術從核心器件層面推向終端應用，成功開發了世界首款高速、高密度、低功耗的儲存器MeRAM原型機及基於MeRAM的真隨機數發生器晶片，產品廣泛應用於車載電子、高性能運算、安全等領域。
寒序科技則獨闢蹊徑，與多數國內MRAM企業不同，其以MRAM為核心介質建構計算晶片，將MRAM的物理優勢轉化為算力與頻寬優勢，開闢了“磁性計算”這一全新賽道，致力於從計算層面引領國內MRAM技術從利基低毛利領域向高端市場跨越，成為國內MRAM技術從儲存替代向計算革新跨越的關鍵力量，舉起大旗與國內磁學領域全面擁抱合作，力爭一同搶佔全球“磁計算”的戰略高地。
綜合來看，從器件、裝置、製造到系統應用，國內產業鏈的前期佈局已具備支撐本土MRAM技術產業化與生態發展的基礎。尤其是寒序科技的差異化定位，進一步填補了國內MRAM從儲存到計算的關鍵空白，為後續誕生更多行業廠商提供了土壤和必然性。
- 生態共建：國產MRAM的“磁計算”革命
根據市場研究機構Precedence Research資料顯示，2024年全球MRAM市場規模估計為42.2億美元，預計從2025年的57.6億美元增長到2034年的約847.7億美元，復合年增長率高達34.99%。
雖然前景廣闊，但MRAM的大規模爆發和商業化落地仍需產業合力，需要產業鏈上下游凝聚共識，共同建構生態。結合國際經驗和國內產業的發展現狀來看，更深度的產業合作與資源傾斜或許是推動MRAM技術發展的有力舉措。
例如，國家有關部門可以給予MRAM技術更多重視，加大資金與政策支援，積極推動MRAM這一有希望在頻寬領域實現“變道超車”的關鍵技術。
同時，借鑑台積電、三星、GlobalFoundries等頭部廠商對MRAM的關注與投入力度，國內代工廠或許也應加強對MRAM的工藝研發與資源投入，積極與國內廠商共同開展技術研發與工藝最佳化，爭取儘早打通“設計-製造-封測”的本土化鏈路，形成協同創新的合力，降低MRAM晶片的流片成本與量產門檻。
還有一點不可忽視。輝達收購 Groq核心技術，計畫在Feynman架構中整合LPU單元的案例，充分證明了“通用算力+專用引擎”的協同優勢和行業趨勢。
這一案例極具啟示價值。筆者認為，在未來提升AI推理效率的行業共識下，國內AI晶片廠商應抓住這一變革機遇，加強與在新型介質與架構上具備底層創新能力的團隊的合作力度，打造兼具通用算力與專用推理性能的新技術路徑，快速補強技術短板，建構差異化競爭力。
產業界正釋放清晰訊號：以MRAM為代表的新型儲存，已成為後摩爾時代的核心焦點。地緣政治的戰略訴求、國際大廠的技術押注、國內產業鏈的長期積澱，再加上寒序科技的差異化突破，多重力量共振之下，MRAM正逐漸邁入產業化的“黃金時代”，有望成為中國AI晶片產業實現換道超車的關鍵抓手。
五年後，誰將主導下一代推理晶片？
當摩爾線程、沐曦、天數、壁仞等國產AI晶片公司接連叩響資本市場的大門，一個時代的答卷已然清晰。它們的密集上市，標誌著中國在基於傳統GPU架構的算力競賽中，完成了從無到有的突圍，進入了國產替代的收穫期。
如果說上一代AI晶片的競爭是“算力競賽”，那麼下一代的分水嶺將是“誰能率先跨過頻寬牆”。
在這個關鍵轉折點上，兩條路徑清晰呈現：一條是Groq選擇的極致SRAM片上整合路徑，用極高成本將頻寬推向極限，並因此獲得了行業霸主輝達以數百億美元估值的戰略整合；另一條，則是以MRAM為代表的新型儲存介質路線，為突破頻寬瓶頸提供了一種更具根本性，也更符合長期成本與供應鏈安全需求的方案。
數年後，當AI推理進入“頻寬決勝”的新時代，晶片市場或許不再僅有算力的巨獸，主導市場的佼佼者還將屬於那些能夠率先在“頻寬戰爭”中沉澱出護城河的先行者。
正如Groq在矽谷用SRAM驚豔了世界，行業演進的邏輯暗示：“中國版Groq”的出現也將不再是懸念。
在這個征程中，中國半導體產業各方也都在積極擁抱AI，拓展產品品類，謀劃新的增長曲線。而寒序科技正依託MRAM磁性計算的新範式，給出“中國版”的實現路徑——並且，這條路，他們早在多年前，就已開始默默鋪設。 (半導體行業觀察)